技術(shù)編號：9889829
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在傳統(tǒng)的氧化物半導體薄膜晶體管的制造過程中，例如氧化銦鎵鋅薄膜晶體管(IGZO TFT)，為了在進行源極與漏極的蝕刻過程中保護背溝道不受蝕刻損傷，通常會在氧化物半導體層上形成一個蝕刻阻擋層(etching stop layer;ESL)，從而增加了一次掩膜程序，增加薄膜晶體管制造過程的復(fù)雜度。另外，蝕刻阻擋層除了限制溝道的長度之外，在具有更高分辨率的顯示裝置中難以實行。再者，在傳統(tǒng)薄膜晶體管的制造過程中，為了形成源極及漏極，需要一次掩膜程序，增加薄膜晶體管...
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