薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及液晶顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種薄膜晶體管、液晶顯示面板及薄膜晶體管的制備方法。薄膜晶體管包括：基板；柵極，設(shè)置在基板的表面；柵極絕緣層，覆蓋柵極；半導(dǎo)體層，設(shè)置在柵極絕緣層遠離柵極的表面且對應(yīng)柵極設(shè)置；蝕刻阻擋層，覆蓋半導(dǎo)體層，蝕刻阻擋層包括第一貫孔及第二貫孔，第一貫孔及第二貫孔對應(yīng)半導(dǎo)體層設(shè)置以顯露部分半導(dǎo)體層；鈍化層，覆蓋蝕刻阻擋層，鈍化層包括第三貫孔及第四貫孔，第三貫孔對應(yīng)第一貫孔設(shè)置且與第一貫孔連通，第四貫孔對應(yīng)第二貫孔設(shè)置且與第二貫孔連通；源極，設(shè)置在鈍化層上且通過第一貫孔及第三貫孔連接半導(dǎo)體層的一端；及漏極，設(shè)置在鈍化層上，與源極間隔設(shè)置，且通過第二貫孔及第四貫孔連接半導(dǎo)體層的另一端。
【專利說明】
薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及液晶顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管、薄膜晶體管的制備方法及液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置，比如，液晶顯示器(Liquid Crystal Display ,LCD)是一種常用的電子設(shè)備，由于其具有功耗低、體積小、重量輕等特點，因此備受用戶的青睞。液晶顯示器中通常包括陣列基板，陣列基板包括呈陳列狀分布的多個薄膜晶體管(Thin FilmTrans i stor，TFT)，薄膜晶體管的質(zhì)量好壞直接影響到液晶顯示面板的質(zhì)量。現(xiàn)有技術(shù)中的薄膜晶體管包括蝕刻阻擋層，在制備蝕刻阻擋層的時候通常需要沉積整層的能夠阻擋蝕刻的蝕刻阻擋材料，接著使用光罩工藝，將整層的蝕刻阻擋材料制備成僅僅覆蓋部分有源層的蝕刻阻擋層，接著在蝕刻阻擋層上覆蓋金屬層，并將所述金屬層進行圖案化以形成源極和漏極，所述蝕刻阻擋層能夠防止在后續(xù)制備薄膜晶體管的源極和漏極的時候蝕刻液對所述有源層的腐蝕。但是，現(xiàn)有技術(shù)中蝕刻阻擋層的圖案化進程需要增加一道光罩，從而使得薄膜晶體管的制程較為復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括:
[0004]基板；
[0005]柵極，設(shè)置在所述基板的表面；
[000?]柵極絕緣層，覆蓋所述柵極；
[0007]半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面且對應(yīng)所述柵極設(shè)置；
[0008]蝕刻阻擋層，覆蓋所述半導(dǎo)體層，所述蝕刻阻擋層包括第一貫孔及第二貫孔，所述第一貫孔及第二貫孔對應(yīng)所述半導(dǎo)體層設(shè)置以顯露部分所述半導(dǎo)體層，且所述第一貫孔及所述第二貫孔間隔設(shè)置；
[0009]鈍化層，覆蓋所述蝕刻阻擋層，所述鈍化層包括第三貫孔及第四貫孔，所述第三貫孔對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置且與所述第一貫孔連通，所述第四貫孔對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置且與所述第二貫孔連通；
[0010]源極，設(shè)置在所述鈍化層上且通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層的一端;及
[0011]漏極，設(shè)置在所述鈍化層上，與所述源極間隔設(shè)置，且通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層的另一端。
[0012]其中，所述薄膜晶體管還包括:
[0013]像素電極，設(shè)置在所述鈍化層上，所述像素電極與所述漏極電連接，且所述像素電極與所述漏極為一體結(jié)構(gòu)。
[0014I其中，所述薄膜晶體管還包括:
[0015]數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述蝕刻阻擋層與所述鈍化層之間；
[0016]所述鈍化層還包括第五貫孔，所述第五貫孔對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線設(shè)置，以露出部分數(shù)據(jù)線；
[0017]所述數(shù)據(jù)線通過所述第五貫孔與所述源極電連接。
[0018]其中，所述柵極包括第一端面、第二端面及第三端面，所述第一端面設(shè)置在所述基板上，所述第二端面與所述第三端面相對設(shè)置，所述第二端面與所述第一端面相交，所述第三端面與所述第一端面相交，且所述第三端面相較于所述第二端面遠離所述數(shù)據(jù)線設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線鄰近所述第三貫孔的端面與所述柵極的第二端面之間存在間隙或者共面。
[0019]其中，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述第一貫孔遠離所述第二貫孔的一側(cè)，且所述數(shù)據(jù)線與所述第一貫孔間隔設(shè)置，所述第五貫孔設(shè)置在所述第三貫孔遠離所述第四貫孔的一側(cè)，且所述第五貫孔與所述第三貫孔間隔設(shè)置。
[0020]其中，所述第五貫孔對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線鄰近所述第三貫孔的一端設(shè)置。
[0021]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制備方法，所述薄膜晶體管的制備方法包括:
[0022]提供基板；
[0023]在所述基板的表面沉積第一金屬層，并將所述第一金屬層進行圖案化以形成柵極；
[0024]在所述柵極上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層；
[0025]在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面沉積一層半導(dǎo)體材料，并將所述半導(dǎo)體材料進行圖案化以形成對應(yīng)所述柵極設(shè)置的半導(dǎo)體層；
[0026]在所述半導(dǎo)體層遠離所述柵極絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層；
[0027]在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積鈍化層；
[0028]對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔；
[0029]在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極。
[0030]其中，所述步驟“在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極”包括:
[0031]在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極，以及與所述漏極為一體結(jié)構(gòu)且與所述漏極電連接的像素電極。
[0032]其中，在所述步驟“在所述半導(dǎo)體層遠離所述柵極絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層”與所述步驟“在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積鈍化層”之間，所述薄膜晶體管的制備方法還包括:
[0033]在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積第二金屬層，圖案化所述第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線；
[0034]所述步驟“對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔”包括:
[0035]對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔，且在所述鈍化層對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線開設(shè)第五貫孔；
[0036]所述步驟“在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極”包括:
[0037]在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，且所述源極通過所述第五貫孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極。
[0038]本發(fā)明還提供一種液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括前述任意一實施方式所述的薄膜晶體管。
[0039]本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法在半導(dǎo)體層遠離柵極絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層，在蝕刻阻擋層遠離半導(dǎo)體層的表面沉積鈍化層，對應(yīng)半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端。在鈍化層遠離蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化透明導(dǎo)電層以形成源極和漏極。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法制備出蝕刻阻擋層之后不需要增加光罩對蝕刻阻擋層金屬圖案化，從而使得薄膜晶體管的制程簡化。
【附圖說明】
[0040]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0041]圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0042]圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0043]圖3為本發(fā)明一較佳實施方式的薄膜晶體管的制備方法的流程圖。
[0044]圖4至圖11為本發(fā)明薄膜晶體管的制備方法的流程中步驟中對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0046]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實施方式的薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。所述薄膜晶體管10包括基板110、柵極120、柵極絕緣層130、半導(dǎo)體層140、蝕刻阻擋層150、鈍化層170、源極180a及漏極180b。所述柵極120設(shè)置在所述基板110的表面，所述柵極絕緣層130覆蓋所述柵極120，所述半導(dǎo)體層140設(shè)置在所述柵極絕緣層130遠離所述柵極120的表面且對應(yīng)所述柵極120設(shè)置。所述蝕刻阻擋層150覆蓋所述半導(dǎo)體層140，所述蝕刻阻擋層150包括第一貫孔151及第二貫孔152。所述第一貫孔151及所述地熱貫孔152對應(yīng)所述半導(dǎo)體層140設(shè)置以顯露部分所述半導(dǎo)體層140，且所述第一貫孔151及所述第二貫孔152間隔設(shè)置。所述鈍化層170覆蓋所述蝕刻阻擋層150，所述鈍化層170包括第三貫孔171及第四貫孔172。所述第三貫孔171對應(yīng)所述第一貫孔171設(shè)置且與所述第一貫孔171連通，所述第四貫孔172對應(yīng)所述第二貫孔152設(shè)置且與所述第二貫孔152連通。所述源極180a設(shè)置在所述鈍化層170上且通過所述第一貫孔151及所述第三貫孔171連接所述半導(dǎo)體層140的一端。所述漏極180b設(shè)置在所述鈍化層170上，與所述源極180a間隔設(shè)置，且通過所述第二貫孔152及所述第四貫孔172連接所述半導(dǎo)體層140的另一端。
[0047]所述基板110為透明基板，所述基板110的材料包括石英、云母、氧化鋁或者透明塑料等電絕緣材料中的任意一種或者多種。所述基板110為絕緣層襯底能夠減小所述基板110的尚頻損耗。
[0048]所述柵極120的材料包括但不僅限于Al，Mo，Cu，Ag、Cr、T1、AlN1、MoTi等金屬材料材料中的一種或者多種。在一實施方式中，所述柵極120的厚度為1500?6000埃。
[0049]所述柵極絕緣層130包括第一子絕緣層131及第二子絕緣層132。所述第一子絕緣層131覆蓋所述柵極120，所述第二子絕緣層132覆蓋所述第一子絕緣層131。其中，所述第一子絕緣層131包括氮化硅(SiNx)材料，所述第二子絕緣層132包括氧化硅(S1x)材料。所述第一子絕緣層131采用氮化硅材料，在制備氮化硅材料的時候能夠產(chǎn)生氫元素(H)用來修補所述半導(dǎo)體層140，用于提高所述半導(dǎo)體層140的電性能。所述第二子絕緣層132可以改善設(shè)置在所述第二子絕緣層132上的半導(dǎo)體層140的應(yīng)力，以防止所述半導(dǎo)體層140脫落。在一實施方式中，所述絕緣130的厚度可以為1500?4000埃。
[0050]所述半導(dǎo)體層140也稱為溝道層或者有源層。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層140為金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層可以包括但不僅限于以下材料中的一種或者多種:ZnO基透明氧化物半導(dǎo)體材料，SnO2基透明氧化物半導(dǎo)體材料，In2O3基透明氧化物半導(dǎo)體材料等。舉例而言，所述半導(dǎo)體層140可以為銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZ0)。
[0051]所述蝕刻阻擋層150可以為但不僅限于為氮化硅(SiNx)材料、氧化硅(S1x)材料、或者氧化硅材料與氮化硅材料的復(fù)合層。
[0052]所述薄膜晶體管10還包括數(shù)據(jù)線160。所述數(shù)據(jù)線160設(shè)置于所述蝕刻阻擋層150與所述鈍化層170之間。相應(yīng)地，所述鈍化層170還包括第五貫孔173，所述第五貫孔173對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線160設(shè)置，以露出部分數(shù)據(jù)線160。所述數(shù)據(jù)線160通過所述第五貫孔173與所述源極180a電連接。
[0053]所述柵極120包括第一端面121、第二端面122及第三端面123。所述第一端面121設(shè)置在所述基板110上，所述第二端面122與所述第三端面123相對設(shè)置，所述第二端面122與所述第一端面121相交，所述第三端面123與所述第一端面121相交，且所述第三端面123相較于所述第二端面122遠離所述數(shù)據(jù)線160設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線160鄰近所述第三貫孔171的端面與所述柵極120的第二端面122之間存在間隙或者共面。所述第一端面121設(shè)置在所述基板110上是指，所述柵極120的第一端面121設(shè)置在所述基板110鄰近所述柵極120的表面上，且所述第一端面121與所述基板110共面。
[0054]由于所述數(shù)據(jù)線160鄰近所述第三貫孔171的端面與所述柵極120的第二端面122之間存在間隙或者共面，因此，所述數(shù)據(jù)線160與所述柵極120之間沒有交疊，因此，所述數(shù)據(jù)線160與所述柵極120之間的寄生電容較小，從而達到了減小所述數(shù)據(jù)線160—所述柵極120之間的寄生電容的技術(shù)效果。
[0055]優(yōu)選地，所述數(shù)據(jù)線160設(shè)置于所述第一貫孔151遠離所述第二貫孔152的一側(cè)，且所述數(shù)據(jù)線160與所述第一貫孔151間隔設(shè)置，所述第五貫孔173設(shè)置在所述第三貫孔171遠離所述第四貫孔172的一側(cè)，且所述第五貫孔173與所述第三貫孔171間隔設(shè)置。
[0056]優(yōu)選地，所述第五貫孔173對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線160鄰近所述第三貫孔171的一端設(shè)置。
[0057]所述鈍化層170可以為但不僅限于為氮化硅(SiNx)材料、氧化硅(S1x)材料、或者氧化硅材料與氮化硅材料的復(fù)合層。
[0058]所述薄膜晶體管10還包括像素電極190。所述像素電極190設(shè)置在所述鈍化層170上，所述像素電極190與所述漏極180b電連接，且所述像素電極190與所述漏極180b為一體結(jié)構(gòu)。在一實施方式中，所述像素電極190的厚度為300?1000埃。所述像素電極190可以為但不僅限于為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ΙΤ0)ο
[0059]本發(fā)明的薄膜晶體管10的蝕刻阻擋層150覆蓋半導(dǎo)體層140，鈍化層170覆蓋所述蝕刻阻擋層150，源極180a和漏極180b設(shè)置在鈍化層170上，并通過相應(yīng)貫孔連接半導(dǎo)體層140的兩端。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管10的蝕刻阻擋層150覆蓋半導(dǎo)體層140，因此，也不需要對蝕刻阻擋層進行圖案化，且源極180a和漏極180b覆蓋在鈍化層170上，因此，源極180a和漏極180b離蝕刻阻擋層150相對較遠，能夠有效減小制備源極180a和漏極180b的時候蝕刻液對半導(dǎo)體層140的腐蝕。
[0060]本發(fā)明還提供了一種液晶顯示面板，請參閱圖2，圖2為本發(fā)明一較佳實施方式的液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明的液晶顯示面板I包括陣列基板2、彩膜基板3及液晶層
4。所述陣列基板2與所述彩膜基板3相對且間隔設(shè)置，所述液晶層4夾設(shè)在所述陣列基板2與所述彩膜基板3之間。所述陣列基板2包括呈陣列狀分布的多個薄膜晶體管10，所述薄膜晶體管1請參閱前述描述，在此不再贅述。
[0061]下面結(jié)合圖1及對圖1的描述對本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法進行介紹。請一并參閱圖3，圖3為本發(fā)明一較佳實施方式的薄膜晶體管的制備方法的流程圖。所述薄膜晶體管的制備方法包括但不僅限于以下步驟。
[0062 ] S1I，提供基板110。所述基板110的材料包括石英、云母、氧化鋁或者透明塑料等電絕緣材料中的任意一種或者多種。所述基板110為絕緣層襯底能夠減小所述基板110的高頻損耗。
[0063]S102，在所述基板110的表面沉積第一金屬層，并將所述第一金屬層進行圖案化以形成柵極120。具體地，請參閱圖4，所述第一金屬層的材料包括但不僅限于Al，Mo，Cu，Ag、Cr, Ti ,AlN1、MoTi等金屬材料材料中的一種或者多種。
[0064]S103，在所述柵極120上形成覆蓋所述柵極120的柵極絕緣層130。具體地，請參閱圖5，所述柵極絕緣層130包括但不僅限于氮化硅(SiNx)材料，氧化硅(S1x)材料等。
[0065]S104，在所述柵極絕緣層130遠離所述柵極120的表面沉積一層半導(dǎo)體材料，并將所述半導(dǎo)體材料進行圖案化以形成對應(yīng)所述柵極120設(shè)置的半導(dǎo)體層140。具體地，請參閱圖6，優(yōu)選地，半導(dǎo)體材料為金屬氧化物半導(dǎo)體材料，則，相應(yīng)地，所述半導(dǎo)體層140為金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述金屬氧化物半導(dǎo)體層可以包括但不僅限于以下材料中的一種或者多種:ZnO基透明氧化物半導(dǎo)體材料，SnO2基透明氧化物半導(dǎo)體材料，In2O3基透明氧化物半導(dǎo)體材料等。舉例而言，所述半導(dǎo)體層140可以為銦鎵鋅氧化物(Indium Gallium ZincOxide，IGZ0)。
[0066]S105，在所述半導(dǎo)體層140遠離所述柵極120絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層150。具體地，請參閱圖7，所述蝕刻阻擋層150可以為但不僅限于為氮化硅(SiNx)材料、氧化硅(S 1x)材料、或者氧化娃材料與氮化娃材料的復(fù)合層。
[0067]優(yōu)選地，在步驟S105和步驟S106之間，所述薄膜晶體管的制備方法還包括步驟I，所述步驟I詳細描述如下。
[0068]步驟I，在所述蝕刻阻擋層150遠離所述半導(dǎo)體層140的表面沉積第二金屬層，圖案化所述第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線160。具體地，請參閱圖8，所述第二金屬層的材料包括但不僅限于Al，Mo，Cu，Ag、Cr、T1、AlN1、MoTi等金屬材料材料中的一種或者多種。
[0069]S106，在所述蝕刻阻擋層150遠離所述半導(dǎo)體層140的表面沉積鈍化層170。具體地，請參閱圖9，所述鈍化層170可以為但不僅限于為氮化硅(SiNx)材料、氧化硅(S1x)材料、或者氧化硅材料與氮化硅材料的復(fù)合層。
[0070]S107，對應(yīng)所述半導(dǎo)體層140的兩端在所述蝕刻阻擋層150及鈍化層170上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層140的兩端，所述蝕刻阻擋層150上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層140兩端的過孔分別為第一貫孔151及第二貫孔152，所述鈍化層170對應(yīng)所述第一貫孔151且與所述第一貫孔151連通的為第三貫孔171，所述鈍化層170對應(yīng)所述第二貫孔152且與所述第二貫孔152連通的為第四貫孔172。
[0071 ] 相應(yīng)地，所述步驟S107包括步驟II，所述步驟II詳細描述如下。
[0072]步驟II，對應(yīng)所述半導(dǎo)體層140的兩端在所述蝕刻阻擋層150及鈍化層170上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層140的兩端，所述蝕刻阻擋層150上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層140兩端的過孔分別為第一貫孔151及第二貫孔152，所述鈍化層170對應(yīng)所述第一貫孔151且與所述第一貫孔151連通的為第三貫孔171，所述鈍化層170對應(yīng)所述第二貫孔152且與所述第二貫孔152連通的為第四貫孔172，且在所述鈍化層170對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線160開設(shè)第五貫孔173。具體地，請參閱圖10。
[0073]S108，在所述鈍化層170遠離所述蝕刻阻擋層150的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔151及所述第三貫孔171連接所述半導(dǎo)體層140—端的源極180a，以及通過所述第二貫孔152及所述第四貫孔172連接所述半導(dǎo)體層140另一端的漏極180b。
[0074]優(yōu)選地，所述步驟S108具體包括:在所述鈍化層170遠離所述蝕刻阻擋層150的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔151及所述第三貫孔171連接所述半導(dǎo)體層140—端的源極180a，通過所述第二貫孔152及所述第四貫孔172連接所述半導(dǎo)體層140另一端的漏極180b，以及與所述漏極180b為一體結(jié)構(gòu)且與所述漏極180b電連接的像素電極190。
[0075]相應(yīng)地，所述步驟S108，包括步驟III，所述步驟III詳細描述如下。
[0076]步驟III，在所述鈍化層170遠離所述蝕刻阻擋層150的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔151及所述第三貫孔171連接所述半導(dǎo)體層140—端的源極180a，且所述源極180a通過所述第五貫孔173與所述數(shù)據(jù)線160電連接，以及通過所述第二貫孔152及所述第四貫孔172連接所述半導(dǎo)體層140另一端的漏極180b。具體地，請參閱圖11。
[0077]本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法在半導(dǎo)體層140遠離柵極絕緣層130的表面沉積蝕刻阻擋層150，在蝕刻阻擋層150遠離半導(dǎo)體層140的表面沉積鈍化層170，對應(yīng)半導(dǎo)體層140的兩端在所述蝕刻阻擋層150及鈍化層170上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層140的兩端。在鈍化層170遠離蝕刻阻擋層150的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化透明導(dǎo)電層以形成源極和漏極。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管的制備方法制備出蝕刻阻擋層之后不需要增加光罩對蝕刻阻擋層金屬圖案化，從而使得薄膜晶體管的制程簡化。
[0078]以上所揭露的僅為本發(fā)明一種較佳實施例而已，當然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例的全部或部分流程，并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化，仍屬于發(fā)明所涵蓋的范圍。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括: 基板； 柵極，設(shè)置在所述基板的表面； 柵極絕緣層，覆蓋所述柵極； 半導(dǎo)體層，設(shè)置在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面且對應(yīng)所述柵極設(shè)置； 蝕刻阻擋層，覆蓋所述半導(dǎo)體層，所述蝕刻阻擋層包括第一貫孔及第二貫孔，所述第一貫孔及第二貫孔對應(yīng)所述半導(dǎo)體層設(shè)置以顯露部分所述半導(dǎo)體層，且所述第一貫孔及所述第二貫孔間隔設(shè)置； 鈍化層，覆蓋所述蝕刻阻擋層，所述鈍化層包括第三貫孔及第四貫孔，所述第三貫孔對應(yīng)所述第一貫孔設(shè)置且與所述第一貫孔連通，所述第四貫孔對應(yīng)所述第二貫孔設(shè)置且與所述第二貫孔連通； 源極，設(shè)置在所述鈍化層上且通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層的一端;及 漏極，設(shè)置在所述鈍化層上，與所述源極間隔設(shè)置，且通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層的另一端。2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 像素電極，設(shè)置在所述鈍化層上，所述像素電極與所述漏極電連接，且所述像素電極與所述漏極為一體結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括: 數(shù)據(jù)線，設(shè)置于所述蝕刻阻擋層與所述鈍化層之間； 所述鈍化層還包括第五貫孔，所述第五貫孔對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線設(shè)置，以露出部分數(shù)據(jù)線； 所述數(shù)據(jù)線通過所述第五貫孔與所述源極電連接。4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述柵極包括第一端面、第二端面及第三端面，所述第一端面設(shè)置在所述基板上，所述第二端面與所述第三端面相對設(shè)置，所述第二端面與所述第一端面相交，所述第三端面與所述第一端面相交，且所述第三端面相較于所述第二端面遠離所述數(shù)據(jù)線設(shè)置，所述數(shù)據(jù)線鄰近所述第三貫孔的端面與所述柵極的第二端面之間存在間隙或者共面。5.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于所述第一貫孔遠離所述第二貫孔的一側(cè)，且所述數(shù)據(jù)線與所述第一貫孔間隔設(shè)置，所述第五貫孔設(shè)置在所述第三貫孔遠離所述第四貫孔的一側(cè)，且所述第五貫孔與所述第三貫孔間隔設(shè)置。6.如權(quán)利要求5所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第五貫孔對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線鄰近所述第三貫孔的一端設(shè)置。7.一種薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述薄膜晶體管的制備方法包括: 提供基板； 在所述基板的表面沉積第一金屬層，并將所述第一金屬層進行圖案化以形成柵極； 在所述柵極上形成覆蓋所述柵極的柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層遠離所述柵極的表面沉積一層半導(dǎo)體材料，并將所述半導(dǎo)體材料進行圖案化以形成對應(yīng)所述柵極設(shè)置的半導(dǎo)體層； 在所述半導(dǎo)體層遠離所述柵極絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層； 在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積鈍化層； 對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔； 在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極。8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述步驟“在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極”包括: 在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極，以及與所述漏極為一體結(jié)構(gòu)且與所述漏極電連接的像素電極。9.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述步驟“在所述半導(dǎo)體層遠離所述柵極絕緣層的表面沉積蝕刻阻擋層”與所述步驟“在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積鈍化層”之間，所述薄膜晶體管的制備方法還包括: 在所述蝕刻阻擋層遠離所述半導(dǎo)體層的表面沉積第二金屬層，圖案化所述第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線； 所述步驟“對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔”包括: 對應(yīng)所述半導(dǎo)體層的兩端在所述蝕刻阻擋層及鈍化層上分別蝕刻出貫孔以露出所述半導(dǎo)體層的兩端，所述蝕刻阻擋層上對應(yīng)所述半導(dǎo)體層兩端的過孔分別為第一貫孔及第二貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第一貫孔且與所述第一貫孔連通的為第三貫孔，所述鈍化層對應(yīng)所述第二貫孔且與所述第二貫孔連通的為第四貫孔，且在所述鈍化層對應(yīng)所述數(shù)據(jù)線開設(shè)第五貫孔； 所述步驟“在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極”包括: 在所述鈍化層遠離所述蝕刻阻擋層的表面沉積透明導(dǎo)電層，并圖案化所述透明導(dǎo)電層，以形成通過所述第一貫孔及所述第三貫孔連接所述半導(dǎo)體層一端的源極，且所述源極通過所述第五貫孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，以及通過所述第二貫孔及所述第四貫孔連接所述半導(dǎo)體層另一端的漏極。10.—種液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶顯示面板包括如權(quán)利要求1?6任意一項所述的薄膜晶體管。
【文檔編號】H01L21/77GK105845694SQ201610182409
【公開日】2016年8月10日
【申請日】2016年3月28日
【發(fā)明人】劉勛
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司