技術特征：

1.一種焦面檢測裝置，其特征在于，包括：

光源單元，用于對掩模板進行照射產(chǎn)生成像光束，所述掩模板上帶有調(diào)焦圖形；

成像單元，用于將調(diào)焦圖形成像在反射裝置和調(diào)焦圖像傳感器上；

調(diào)焦驅(qū)動單元，用于垂向調(diào)節(jié)投影物鏡或者運動臺單元以完成調(diào)焦；

運動臺單元，其上設置有帶有反射標記的反射裝置，用于將所述反射裝置移動至投影物鏡的正下方；

控制單元，用于對調(diào)焦圖像傳感器采集的圖形數(shù)據(jù)進行分析和處理，并反饋控制調(diào)焦驅(qū)動單元。

2.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述掩模板采用能夠生成調(diào)焦圖形的數(shù)字掩?；蛘咦詭в姓{(diào)焦圖形的實體掩模板。

3.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述光源單元采用半導體激光器、固體激光器或者LED光源。

4.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述成像單元包括：準直透鏡組、分束鏡、投影物鏡和調(diào)焦成像鏡頭；所述光源單元對掩模板進行照射產(chǎn)生成像光束，經(jīng)準直透鏡組準直后經(jīng)分束鏡和投影物鏡將調(diào)焦圖形成像在反射裝置上同時光束反射，反射后的光束經(jīng)分束鏡反射至所述調(diào)焦成像鏡頭，將調(diào)焦圖形的像和反射裝置上的反射標記成像在所述調(diào)焦圖像傳感器上。

5.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述調(diào)焦圖像傳感器采用面陣CCD或者CMOS。

6.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述反射裝置為帶有反射標記的平面鏡或者裸硅片。

7.如權利要求1所述的焦面檢測裝置，其特征在于，所述調(diào)焦驅(qū)動單元為用于控制投影物鏡垂向移動的壓電陶瓷傳感器或者是承載反射裝置的垂向位移調(diào)節(jié)臺。

8.一種焦面標定的方法，采用如權利要求1至7任意一項所述的焦面檢測裝置，其特征在于，包括：

調(diào)節(jié)運動臺單元和調(diào)焦驅(qū)動單元至反射標記在調(diào)焦圖像傳感器上清晰成 像，記錄此時反射裝置的第一垂向位置；

下移反射裝置直至調(diào)焦圖形在調(diào)焦圖像傳感器上清晰成像，記錄此時反射裝置的第二垂向位置；

根據(jù)反射原理，確定最佳曝光位置。

9.如權利要求8所述的焦面標定方法，其特征在于，設定第一、第二垂向位置之間的間距為d，則最佳曝光位置為第二垂向位置下方d處。

10.如權利要求8所述的焦面標定方法，其特征在于，所述反射標記和調(diào)焦圖形在調(diào)焦圖像傳感器上的成像互不重疊。

11.一種硅片曝光方法，其特征在于：包括

步驟1：通過權利要求8-10任一項所述的焦面標定方法，進行焦面偏差的測定，得到第一、第二垂向位置Z₀、Z₁之間的間距d的值；

步驟2：上片，打開光源單元，在全片進行三點或更多的全局調(diào)焦調(diào)平以及傾斜量測定；

步驟3：將傾斜量代入硅片上各曝光場的位置坐標，計算出各曝光場的理論離焦量Fi(i＝0，1，2…)；

步驟4：步進至第i個曝光場，以Fi為掃描中心，進行連續(xù)離焦并繪制掃描曲線，擬合出峰值強度位置作為初始最佳焦面位置Z_a，

步驟5：該視場下的實際曝光最佳位置為Z_b＝Z_a+2d；

步驟6：啟用調(diào)焦裝置，步進至Z_b位置，執(zhí)行曝光流程；

步驟7：使i＝i+1，重復步驟4-6。