1.一種掩膜版的版圖修正方法，包括：
提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；
對所述前端版圖進行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光刻設備的分辨率。
2.如權利要求1所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，所述第一單元的圖形密度與一標準圖形密度相差至多10％，添加所述SRAF圖形后，所述第二單元的圖形密度至少為所述標準圖形密度的90％。
3.如權利要求1所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，所述SRAF圖形包括多個相間隔的矩形。
4.如權利要求4所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，所述多個矩形相互平行且交錯排列呈多列。
5.如權利要求5所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，每個所述矩形的寬度為60nm-120nm。
6.如權利要求5所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，每個所述矩形的寬度為60nm-160nm。
7.如權利要求6或7所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，每個所述矩形的長度為寬度的5-7倍。
8.如權利要求8所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，每列中相鄰矩形的間距為200nm-1000nm。
9.如權利要求8所述的掩膜版的版圖修正方法，其特征在于，相鄰列之間的間距為100-1000nm。
10.一種掩膜版的制造方法，包括：如權利要求1-9中任意一項所述的掩膜版的版圖修正方法，在對所述單元添加SRAF圖形后，將所述前端版圖轉印至基片上。
11.一種掩膜版，所述掩膜版包括第一單元和第二單元，所述第一單元具有實際圖形，所述第二單元具有SRAF圖形。
12.如權利要求11所述的掩膜版，其特征在于，所述第二單元的圖形密度 至少為標準圖形密度的90％。