本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法。

背景技術(shù)：

MPW(Multi-Project Wafer，多項(xiàng)目晶圓)就是將多個(gè)具有相同工藝的集成電路設(shè)計(jì)放在同一晶圓上流片，按面積分擔(dān)流片費(fèi)用，以降低開發(fā)成本和新產(chǎn)品開發(fā)風(fēng)險(xiǎn)，降低中小集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)在起步時(shí)的門檻，降低單次實(shí)驗(yàn)流片造成的資源嚴(yán)重浪費(fèi)。

一個(gè)MPW的光罩通常由多個(gè)客戶共享，這些客戶的產(chǎn)品在制造過程中會(huì)有不同程度的差別。如有些離子注入工序，有些客戶需要出光罩，有些客戶不出光罩，甚至出現(xiàn)少數(shù)工藝的光罩只有一家客戶需要的情況。在這種情況下其它客戶的產(chǎn)品圖案就需要用鉻(Cr)覆蓋，以免在離子注入工藝中被注入離子。但是，這樣同時(shí)會(huì)造成光罩的圖形密度(Pattern Density)分布嚴(yán)重不均衡。如圖1所示，掩膜版10包括多個(gè)單元，其中單元11不具備圖形(也即該圖形對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品在這一工藝中不需要光罩)，單元12則具備圖形，因此，單元11的圖形密度為0，而單元12的圖形密度不為零，例如為30％等。

在光罩的制作工藝中，光罩的曝光和蝕刻都需要考慮圖形密度的影響，工藝工程師會(huì)通過模擬或?qū)嶒?yàn)建立圖形密度和曝光劑量，以及圖形密度和蝕刻參數(shù)的函數(shù)關(guān)系來控制光罩的諸多參數(shù)，例如關(guān)鍵尺寸均勻性(CD Uniformity)，注記差(registration)等。但是對(duì)于分布嚴(yán)重不均勻的，如圖1中所示的情況，通常沒有好的辦法，因?yàn)楣庹轴槍?duì)產(chǎn)品的一層結(jié)構(gòu)只出一片，無法像晶圓一樣反復(fù)試驗(yàn)來調(diào)整蝕刻參數(shù)，因此這類光罩的報(bào)廢率會(huì)很高。

于是，改善這一狀況，已經(jīng)成為業(yè)內(nèi)的一個(gè)攻堅(jiān)方向。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法，以使得光罩整體的圖形密度變得均勻。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種掩膜版的版圖修正方法，包括：

提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；

對(duì)所述前端版圖進(jìn)行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對(duì)所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光刻設(shè)備的分辨率。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述第一單元的圖形密度與一標(biāo)準(zhǔn)圖形密度相差至多10％，添加所述SRAF圖形后，所述第二單元的圖形密度至少為所述標(biāo)準(zhǔn)圖形密度的90％。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述SRAF圖形包括多個(gè)相間隔的矩形。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，所述多個(gè)矩形相互平行且交錯(cuò)排列呈多列。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個(gè)所述矩形的寬度為60nm-120nm。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個(gè)所述矩形的寬度為60nm-160nm。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，每個(gè)所述矩形的長(zhǎng)度為寬度的5-7倍。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，每列中相鄰矩形間距為200nm-1000nm。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版的版圖修正方法，相鄰列之間的所述矩形的間距為100-1000nm。

本發(fā)明還提供一種掩膜版的制造方法，包括：利用所述的掩膜版的版圖修正方法，在對(duì)所述單元添加SRAF圖形后，將所述前端版圖轉(zhuǎn)印至基片上。

本發(fā)明還提供一種掩膜版，所述掩膜版包括第一單元和第二單元，所述第一單元具有實(shí)際圖形，所述第二單元具有SRAF圖形。

可選的，對(duì)于所述的掩膜版，所述第二單元的圖形密度至少為標(biāo)準(zhǔn)圖形密度的90％。

本發(fā)明提供的掩膜版的版圖修正方法，包括提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；對(duì)所述前端版圖進(jìn)行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對(duì)所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光刻設(shè)備的分辨率。與現(xiàn)有技術(shù)相比，添加SRAF圖形后，能夠使得各個(gè)單元的圖形密度變得接近。那么由此進(jìn)一步獲得的掩膜版，能夠使得光罩整體的圖形密度變得均勻，提高了光罩的合格率，基本上避免了報(bào)廢。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中掩膜版的版圖及本發(fā)明中前端版圖的示意圖；

圖2為本發(fā)明中的掩膜版的版圖修正方法的流程圖；

圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中版圖修正后的示意圖；

圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中的SRAF圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合示意圖對(duì)本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。

在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。

本發(fā)明的核心思想是，提供一種掩膜版的版圖修正方法，包括：

步驟S101：提供前端版圖，所述前端版圖中存在非零圖形密度的第一單元；

步驟S102：對(duì)所述前端版圖進(jìn)行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元，則對(duì)所述第二單元添加SRAF圖形，所述SRAF圖形小于的光 刻設(shè)備的分辨率。

下面，請(qǐng)參考圖1-圖4，對(duì)本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法及掩膜版的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。其中圖1為本發(fā)明中前端版圖的示意圖；圖2為本發(fā)明中的掩膜版的版圖修正方法的流程圖；圖3為本發(fā)明一實(shí)施例中版圖修正后的示意圖；圖4為本發(fā)明一實(shí)施例中的SRAF圖形的結(jié)構(gòu)示意圖。

本發(fā)明提供的掩膜版的版圖修正方法，包括：

首先，執(zhí)行步驟S101：提供前端版圖；如圖1所示，圖1中示意性的示出了前端版圖10的結(jié)構(gòu)，所述前端版圖10包括第一單元11，所述第一單元11具備圖形，故有著一定的圖形密度。

在圖1中僅示出了一個(gè)第一單元11，當(dāng)然，在實(shí)際生產(chǎn)當(dāng)中，也會(huì)出現(xiàn)在前端版圖10中有著多個(gè)第一單元11，即具備圖形的單元具有多個(gè)的情況，那么這些第一單元11的圖形密度在設(shè)計(jì)時(shí)是相近的，所述第一單元11的圖形密度與一標(biāo)準(zhǔn)圖形密度相差至多10％。例如，若僅存在一個(gè)第一單元11，則該第一單元11的圖形密度即為標(biāo)準(zhǔn)圖形密度，若存在多個(gè)第一單元11，則依據(jù)每個(gè)第一單元11的圖形密度，經(jīng)過綜合分析后獲得，例如可以采用每個(gè)單元12的圖形密度的平均值。

然后，執(zhí)行步驟S102，對(duì)所述前端版圖進(jìn)行檢查，若所述前端版圖中存在圖形密度為零的第二單元12，則對(duì)所述單元添加SRAF圖形(Sub-Resolution Assistant Feature，亞分辨率輔助圖形)，所述SRAF圖形小于的光刻設(shè)備的分辨率。如圖1所示，所述第二單元12不具備圖形，因此其圖形密度為0。如圖3所示，前端版圖10經(jīng)過SRAF圖形的添加，第二單元12'具有了圖形密度。

較佳的，在經(jīng)過SRAF圖形的添加后，第二單元12'的圖形密度至少為所述標(biāo)準(zhǔn)圖形密度的90％。當(dāng)然，第二單元12'的圖形密度也不能夠過大，而SRAF圖形的添加能夠控制在使得第二單元12'的圖形密度不大于標(biāo)準(zhǔn)圖形密度，而且第二單元12'的圖形密度在大于標(biāo)準(zhǔn)圖形密度時(shí)不僅會(huì)增加SRAF圖形的復(fù)雜度，也沒有必要超過標(biāo)準(zhǔn)圖形密度。

請(qǐng)參考圖4，圖4中示意性的示出了SRAF圖形的結(jié)構(gòu)，可見，所述SRAF圖形20包括多個(gè)相間隔的矩形21。這些矩形21排列成多列，如圖4中虛線框22所示為一列，每列之間相互平行，每列也包括有多個(gè)矩形21。所述矩形21 的寬度W受限于曝光時(shí)的波長(zhǎng)，具體的，如對(duì)于氟化氬(ArF)的光罩，寬度W為60nm-120nm；而對(duì)于氟化氪(KrF)的光罩，矩形21的寬度W為60nm-160nm。上述范圍的寬度W，使得所述SRAF圖形小于的光刻設(shè)備的分辨率，從而能夠確保在晶圓上不會(huì)成像。所述矩形21的長(zhǎng)度L一般為寬度W的5-7倍，太短容易給光罩檢驗(yàn)帶來困擾，太長(zhǎng)容易增加制作難度。

請(qǐng)繼續(xù)參考圖4，可見在每列中，矩形21之間存在間隔，這一間距d1優(yōu)選為200nm-1000nm，相鄰列之間的間距d2優(yōu)選為100nm-1000nm。于是，可以通過調(diào)節(jié)每列中矩形21之間的間距d1和相鄰列之間的間距d2，來控制之后獲得的光罩的穿透率，以便實(shí)現(xiàn)使得第二單元12'的圖形密度接近標(biāo)準(zhǔn)圖形密度。

當(dāng)然，所述SRAF圖形20并不限于是由矩形21組成，例如還可以是圓形、三角形、五邊形等圖形構(gòu)成，依據(jù)不同的圖形選擇，圖形的排布方式和尺寸等也可以有著不同。

接下來，依據(jù)上述掩膜版的版圖修正方法，還可以獲得一種掩膜版的制造方法，包括：在對(duì)所述第二單元11添加SRAF圖形后，將版圖轉(zhuǎn)印至基片上。版圖轉(zhuǎn)印至基片這一過程可以采用現(xiàn)有技術(shù)完成，本發(fā)明對(duì)此不做贅述。由此，可以獲得一種掩膜版，該掩膜版包括第一單元和第二單元，所述第一單元具有實(shí)際圖形，所述第二單元具有SRAF圖形。所述第一單元和第二單元的圖形密度相近，所述第二單元的圖形密度至少為第一單元的圖形密度的90％。

本發(fā)明的掩膜版的制造方法，從波段而言，可以適用在例如ArF光罩、KrF光罩和I-line光罩，從類型而言，可以適用在例如Binary光罩(二進(jìn)制光罩)和PSM光罩(相偏移光罩)，以及OMOG光罩(含鉬光罩)。并且，本發(fā)明的方法并不限于MPW光罩，其他需要平衡光罩圖形密度的場(chǎng)合也可以采用。

至此，本發(fā)明的掩膜版的版圖修正方法、掩膜版及其制造方法，通過添加SRAF圖形后，能夠使得各個(gè)單元的圖形密度變得接近。那么由此獲得的掩膜版，能夠使得光罩整體的圖形密度變得均勻，提高了光罩的合格率，基本上避免了報(bào)廢。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。