本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造工藝，尤其涉及一種套刻精度的控制方法及裝置。

背景技術(shù)：

在當(dāng)前制造有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管面板AMOLED的工藝中，對(duì)套刻精度(Overlay(OL)精度)管理控制是這種AMOLED工藝的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)對(duì)OL的控制是通過分析統(tǒng)計(jì)過程控制圖(statics process control chart，SPC chart)進(jìn)行控制管理的。例如，如圖1所示，當(dāng)對(duì)正常檢測(cè)的面板進(jìn)行關(guān)鍵尺寸(CD)檢測(cè)時(shí)，如果監(jiān)控到該SPC圖中OL精度值存在異常，例如OL精度值存在OOC(out of control limit)或存在OOS(Out of Spec limit)，之后才由黃光工程師對(duì)曝光機(jī)精度進(jìn)行補(bǔ)值。很顯然，上述這種方式屬于發(fā)現(xiàn)異常后的補(bǔ)救措施，且由于屬于事后補(bǔ)救而不能使得OL精度值保持在最佳精度上，而且人為進(jìn)行精度補(bǔ)值還存在補(bǔ)錯(cuò)值的可能性，因此，上述補(bǔ)值方式具有無法進(jìn)行即時(shí)性、預(yù)防性、以及自動(dòng)性的OL補(bǔ)值的缺陷。

盡管近年來套刻OL精度補(bǔ)值技術(shù)已經(jīng)開始實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化，但是還是存在不能實(shí)時(shí)監(jiān)控套刻OL精度補(bǔ)值的正確性和精確性，因而存在一種對(duì)可以實(shí)時(shí)性動(dòng)態(tài)性進(jìn)行套刻OL精度補(bǔ)值的需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N套刻精度的自動(dòng)補(bǔ)值及裝置，能夠自動(dòng)化對(duì)套刻精度進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)補(bǔ)償。

根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)技術(shù)方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N套刻精度的自動(dòng)補(bǔ)值方法，包括：獲取每批正常檢測(cè)器件的關(guān)于關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)；根據(jù)曝光機(jī)的當(dāng)前工藝條件，對(duì)所獲取的每批關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算處理，以獲得套刻精度的補(bǔ)值數(shù)據(jù)；將所獲得的補(bǔ)值數(shù)據(jù)自動(dòng)反饋給曝光機(jī)以對(duì)套刻精度進(jìn)行補(bǔ) 值。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述運(yùn)算處理包括：對(duì)所獲取的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除；對(duì)過濾之后的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除包括：按照每個(gè)器件，檢測(cè)到如果該器件的單點(diǎn)不超過一預(yù)定過濾值，則將該器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)濾除；對(duì)于每批器件，檢測(cè)到如果該批器件的平均值超過一參考平均值，則將該該批器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)濾除。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述將所獲得的補(bǔ)值數(shù)據(jù)自動(dòng)反饋給曝光機(jī)以對(duì)套刻精度進(jìn)行補(bǔ)值包括：對(duì)套刻精度進(jìn)行多次補(bǔ)值，每次補(bǔ)值的上限不大于最大補(bǔ)值上限。

根據(jù)本申請(qǐng)的另一技術(shù)方案，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N套刻精度的自動(dòng)補(bǔ)值裝置，包括：運(yùn)算單元，與曝光機(jī)的測(cè)量裝置相連接，獲取來自該測(cè)量裝置的每批正常檢測(cè)器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)，并根據(jù)曝光機(jī)的當(dāng)前工藝條件，對(duì)所獲取的每批關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算處理，以獲得套刻精度的補(bǔ)值數(shù)據(jù)；自動(dòng)反饋單元，將所獲得的補(bǔ)值數(shù)據(jù)自動(dòng)反饋給曝光機(jī)以對(duì)套刻精度進(jìn)行補(bǔ)值。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述運(yùn)算處理包括：對(duì)所獲取的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除；對(duì)過濾之后的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除包括：按照每個(gè)器件，檢測(cè)到如果該器件的單點(diǎn)不超過一預(yù)定過濾值，則將該器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)濾除；對(duì)于每批器件，檢測(cè)到如果該批器件的平均值超過一參考平均值，則將該該批器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)濾除。

根據(jù)本申請(qǐng)的一實(shí)施例，所述自動(dòng)反饋單元還用于對(duì)套刻精度進(jìn)行多次補(bǔ)值，每次補(bǔ)值的上限不大于最大補(bǔ)值上限。

根據(jù)本申請(qǐng)?zhí)岢龅奶卓叹鹊目刂品椒?，能夠自?dòng)化對(duì)套刻精度進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)補(bǔ)償，利用正常檢的數(shù)據(jù)，對(duì)即將補(bǔ)值的檢測(cè)資料進(jìn)行篩選及運(yùn)算，以達(dá)到可自動(dòng)補(bǔ)值又可完全降低自動(dòng)補(bǔ)值所帶來的補(bǔ)值異常風(fēng)險(xiǎn)。

附圖說明

圖1為相關(guān)技術(shù)中套刻精度的補(bǔ)值方法的系統(tǒng)框圖；

圖2為本申請(qǐng)的套刻精度的補(bǔ)值方法的系統(tǒng)框圖；

圖3為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的套刻精度的補(bǔ)值方法的流程圖；

圖4為根據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的套刻精度的補(bǔ)值方法的系統(tǒng)框圖。

具體實(shí)施方式

將參照附圖對(duì)本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行闡釋。

本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N套刻精度的控制方法，能夠自動(dòng)化對(duì)套刻精度進(jìn)行動(dòng)態(tài)的自動(dòng)補(bǔ)償，利用正常檢的數(shù)據(jù)，對(duì)即將補(bǔ)值的檢測(cè)資料進(jìn)行篩選及運(yùn)算，以達(dá)到可自動(dòng)補(bǔ)值又可完全降低自動(dòng)補(bǔ)值所帶來的補(bǔ)值異常風(fēng)險(xiǎn)。

本申請(qǐng)?zhí)岢龅奶卓叹妊a(bǔ)值方法采用數(shù)據(jù)運(yùn)算，降低檢測(cè)誤差及單片晶圓異常導(dǎo)致的錯(cuò)誤補(bǔ)值。

具體地，如圖2所示，對(duì)于曝光機(jī)中正常檢測(cè)的每批晶圓，獲取它們關(guān)于關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)；然后根據(jù)曝光機(jī)的當(dāng)前工藝條件，對(duì)所獲取的每批關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)運(yùn)算處，以獲得套刻精度的補(bǔ)值數(shù)據(jù)；將所獲得的補(bǔ)值數(shù)據(jù)自動(dòng)反饋給曝光機(jī)以對(duì)套刻精度進(jìn)行補(bǔ)值。

其中，如圖2和3所示，所述運(yùn)算處理包括：

對(duì)所獲取的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除；

對(duì)過濾之后的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均。

其中，所述風(fēng)險(xiǎn)因素的濾除包括：

按照每個(gè)晶圓，檢測(cè)到如果該晶圓某一點(diǎn)處的尺寸不超過一個(gè)設(shè)定的濾除值(例如，2μm)，則將該器件的關(guān)鍵尺寸的數(shù)據(jù)濾除，即將該晶圓的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)忽略不計(jì)；

對(duì)于每批晶圓，檢測(cè)到如果該批晶圓的平均值超過一個(gè)參考平均值，則將該批晶圓的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)忽略不計(jì)，其中該參考平均值為一設(shè)定的觀察值，根據(jù)需求而定。

然后對(duì)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)因素濾除之后的關(guān)鍵尺寸數(shù)據(jù)進(jìn)行加權(quán)平均，以獲取不大于補(bǔ)值上限的補(bǔ)值數(shù)據(jù)(例如，上限值為1μm)，例如取平均值之后再除以加權(quán)系數(shù)(例如，1/2、1/4、或1/8)，最終獲得套刻精度補(bǔ)值數(shù)據(jù)，該加權(quán)系數(shù)依據(jù)不同的風(fēng)險(xiǎn)而具有不同的設(shè)定值，例如為1/2、1/4、或1/8。

正常檢站點(diǎn)加檢并進(jìn)行自動(dòng)反饋補(bǔ)值，會(huì)自動(dòng)取一批晶圓進(jìn)行加檢(異常檢站點(diǎn))，以確認(rèn)補(bǔ)值后的套刻精度狀況。

另外，本申請(qǐng)還可通過步進(jìn)方式進(jìn)行補(bǔ)值，即每次小幅度進(jìn)行補(bǔ)值，例如，每次補(bǔ)值上限值不超過最大補(bǔ)值上限，例如為1μm，從而根據(jù)實(shí)時(shí)的工藝情況進(jìn)行多次補(bǔ)值。

在實(shí)際操作中，如圖4所示，正常檢站點(diǎn)的檢測(cè)機(jī)臺(tái)檢測(cè)晶圓，將獲取的SPC數(shù)據(jù)傳給通訊接口管理系統(tǒng)，然后經(jīng)過數(shù)據(jù)運(yùn)算系統(tǒng)進(jìn)行補(bǔ)值運(yùn)算處理，之后將進(jìn)行補(bǔ)值運(yùn)算處理之后的數(shù)據(jù)再經(jīng)過通訊接口管理系統(tǒng)傳送給曝光機(jī)然后進(jìn)行步進(jìn)補(bǔ)值。

在一個(gè)實(shí)施例中，這里所述的步進(jìn)補(bǔ)值依據(jù)晶圓的不同層依次進(jìn)行，對(duì)于不同的層，加檢的頻率也不同，例如，可以每600片加檢一次，該頻率需依據(jù)對(duì)不同的風(fēng)險(xiǎn)而制定。

本申請(qǐng)可在每次晶片加檢時(shí)，進(jìn)行自動(dòng)補(bǔ)值，從而能夠使套刻精度一直維持在機(jī)臺(tái)的精度極限范圍內(nèi)。

選擇并描述這些實(shí)施例是為了說明本發(fā)明的原理和其實(shí)踐性應(yīng)用，從而激發(fā)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員利用本發(fā)明和各種實(shí)施例，并利用適于期望的特殊使用的各種變型。對(duì)本發(fā)明所屬的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，替代實(shí)施例將變得顯而易見，而并未背離其精神和范圍。因此，通過所附權(quán)利要求而不是上述說明書和其中所描述的示例實(shí)施例來限定本發(fā)明的范圍。