一種圓偏振片及其制備方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及偏振片【技術(shù)領(lǐng)域】，公開一種圓偏振片及其制備方法、顯示面板，其中，該圓偏振片包括：基板、位于基板一側(cè)的線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，其中，所述四分之一波長片為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片。上述圓偏振片可以直接集成于顯示面板的上基板或/和下基板上，因此可以簡化顯示面板的結(jié)構(gòu)。
【專利說明】—種圓偏振片及其制備方法、顯示面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及偏振片【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種圓偏振片及其制備方法、顯示面板。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中，顯示面板中需要獲得圓偏振光時(shí)，一般都是采用將圓偏振片貼附于顯示面板的上基板和/或下基板上，從而使得顯示面板的結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種圓偏振片及其制備方法、顯示面板，其中，上述圓偏振片可以直接集成于顯示面板的上基板或/和下基板上，簡化顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0005]一種圓偏振片，包括:基板、位于基板一側(cè)的線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，其中，所述四分之一波長片為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片。
[0006]光束通過線型光柵結(jié)構(gòu)后可以變?yōu)榫€偏振光，線偏振光通過四分之一波長片后可以變?yōu)閳A偏振光，因此，上述圓偏振片通過線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片的組合可以獲得圓偏振光；由于上述圓偏振片的線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片是形成于基板上的，因此，當(dāng)上述圓偏振片的基板為顯示面板的上基板或/和下基板時(shí)，上述圓偏振片的線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片可以直接形成于顯示面板的上基板或/和下基板上，此時(shí)，上述圓偏振片為集成于顯示面板上，因此可以簡化顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0007]優(yōu)選地，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層的光柵間距小于200nm。
[0008]優(yōu)選地，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層的光柵間距為60?lOOnm。
[0009]優(yōu)選地,所述四分之一波長片為使O光和e光的光程差為四分之一波長的波片，或者，所述四分之一波長片為使ο光和e光的光程差為四分之三波長的波片。
[0010]優(yōu)選地，所述四分之一波長片為使O光和e光的光程差為四分之一波長的波片以及使ο光和e光的光程差為四分之三波長的波片間隔排列所形成的波片。
[0011]優(yōu)選地，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層位于所述基板和所述四分之一波長片之間。
[0012]優(yōu)選地，所述四分之一波長片位于所述基板和所述線型光柵結(jié)構(gòu)層之間。
[0013]本發(fā)明還提供一種顯示面板，所述顯示面板包括上基板和下基板，其中，所述上基板為上述任意一個(gè)技術(shù)方案中所述的圓偏振片，和/或，所述下基板為上述任意一個(gè)技術(shù)方案中所述的圓偏振片。
[0014]本發(fā)明還提供一種圓偏振片的制備方法，包括:
[0015]清洗基板；
[0016]在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，其中，所述四分之一波長片為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片。
[0017]優(yōu)選地，所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，具體包括:
[0018]在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層；
[0019]在線型光柵結(jié)構(gòu)層上涂覆OC材料找平；
[0020]在OC材料上形成四分之一波長片。
[0021]優(yōu)選地，所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在基板上形成金屬層，對(duì)金屬層進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0022]所述在OC材料上形成四分之一波長片，具體包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
[0023]優(yōu)選地，所述曝光為采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光。
[0024]優(yōu)選地，
[0025]所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在基板上形成金屬層，在金屬層上涂覆可壓印液體材料，利用凹凸納米壓印模具對(duì)液體材料進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料；利用所述固化材料作為掩模板對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0026]所述在OC材料上形成四分之一波長片，具體包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
[0027]優(yōu)選地，所述在基板上形成金屬層，具體包括:在基板上濺射或蒸鍍金屬層。
[0028]優(yōu)選地，所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，具體包括:
[0029]在基板上形成四分之一波長片；
[0030]在四分之一波長片上形成保護(hù)層；
[0031 ] 在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層。
[0032]優(yōu)選地，
[0033]所述在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在保護(hù)層上形成金屬層，對(duì)金屬層進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0034]所述在基板上形成四分之一波長片，具體包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
[0035]優(yōu)選地，所述曝光為采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光。
[0036]優(yōu)選地，
[0037]所述在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在保護(hù)層上形成金屬層，在金屬層上涂覆可壓印液體材料，利用凹凸納米壓印模具對(duì)液體材料進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料；利用所述固化材料作為掩模板對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0038]所述在基板上形成四分之一波長片，具體包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
[0039]優(yōu)選地，所述在基板上形成金屬層，具體包括:在基板上濺射或蒸鍍金屬層。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0040]圖1a?圖1d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種圓偏振片的制備過程示意圖；
[0041]圖2a?圖2f為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖；
[0042]圖3a?圖3d為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖；
[0043]圖4a?圖4f為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖；
[0044]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種圓偏振片的制備方法流程圖；
[0045]圖6為圖1a?圖1d所示的制備過程的流程圖；
[0046]圖7為圖2a?圖2f所示的制備過程的流程圖；
[0047]圖8為圖3a?圖3d所示的制備過程的流程圖；
[0048]圖9為圖4a?圖4f所示的制備過程的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0049]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0050]請(qǐng)參考圖1a?圖1cU圖2a?圖2f、圖3a?圖3d、圖4a?圖4f，圖1a?圖1d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種圓偏振片的制備過程示意圖；圖2a?圖2f為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖；圖3a?圖3d為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖；圖4a?圖4f為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種圓偏振片的制備過程示意圖。
[0051]如圖1d、圖2f、圖3d、圖4f所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種圓偏振片，包括:基板1、位于基板I 一側(cè)的線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5，其中，四分之一波長片5為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片5。
[0052]光束通過線型光柵結(jié)構(gòu)后可以變?yōu)榫€偏振光，線偏振光通過四分之一波長片后可以變?yōu)閳A偏振光，因此，上述圓偏振片通過線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5的組合可以獲得圓偏振光；由于上述圓偏振片的線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5是形成于基板I上的，因此，當(dāng)上述圓偏振片的基板I為顯示面板的上基板或/和下基板時(shí)，上述圓偏振片的線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5可以直接形成于顯示面板的上基板或/和下基板上，此時(shí)，上述圓偏振片為集成于顯示面板上，因此可以簡化顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0053]如圖1d、圖2f、圖3d、圖4f所示，一種具體的實(shí)施例中，線型光柵結(jié)構(gòu)層3的光柵間距小于200nm。該線型光柵結(jié)構(gòu)層3的光柵間距需要小于入射光波長的二分之一，因此，當(dāng)入射光為可見光波段時(shí)，線型光柵結(jié)構(gòu)層3的光柵間距需小于200nm。優(yōu)選地，線型光柵結(jié)構(gòu)層3的光柵間距可以為60?lOOnm。
[0054]如圖1d、圖2f、圖3d、圖4f所示，一種具體的實(shí)施例中，四分之一波長片5可以有多種方式:
[0055]方式一，四分之一波長片5為使ο光和e光的光程差為四分之一波長的波片；
[0056]方式二，四分之一波長片5為使O光和e光的光程差為四分之三波長的波片；
[0057]方式三，四分之一波長片5為使O光和e光的光程差為四分之一波長的波片以及使ο光和e光的光程差為四分之三波長的波片間隔排列所形成的波片。
[0058]在上述各實(shí)施例的基礎(chǔ)上，一種具體的實(shí)施例中，基板1、線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5之間的位置關(guān)系可以為:如圖1d、圖2f所示，線型光柵結(jié)構(gòu)層3位于基板I和四分之一波長片5之間；或者，如圖3d、圖4f所示，四分之一波長片5位于基板I和線型光柵結(jié)構(gòu)層3之間。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板，該顯示面板包括上基板和下基板，其中，上基板為上述任意實(shí)施例提供的圓偏振片，和/或，下基板為上述任一實(shí)施例提供的圓偏振片。因此，上述顯示面板中集成有圓偏振片，可以獲得圓偏振光且結(jié)構(gòu)簡單。
[0060]如圖5所示，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種圓偏振片的制備方法，包括以下步驟:
[0061]步驟S501，清洗基板I ;
[0062]步驟S502，在基板I上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5，其中，四分之一波長片5為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片5。
[0063]當(dāng)基板I為顯示面板的上基板或/和下基板時(shí)，上述圓偏振片的線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5可以直接形成于顯示面板的上基板或/和下基板上，即上述圓偏振片可以集成于顯示面板中，從而簡化顯示面板的結(jié)構(gòu)。
[0064]一種實(shí)施方式中，步驟S502，在基板I上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片
5,具體可以包括:
[0065]在基板I上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層3 ；
[0066]在線型光柵結(jié)構(gòu)層3上涂覆OC材料4找平；
[0067]在OC材料4上形成四分之一波長片5。
[0068]具體地，上述實(shí)施方式可以包括以下實(shí)施例:
[0069]具體實(shí)施例一，如圖1a?圖1d和圖6所示，
[0070]步驟S101，如圖1a和圖1b所示，在基板I上形成金屬層2，對(duì)金屬層2進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0071]步驟S102，如圖1c所示，在線型光柵結(jié)構(gòu)層3上涂覆OC材料4找平；
[0072]步驟S103，如圖1d所示，在OC材料4上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片5 ;通過紫外光的不同偏光方向進(jìn)行取向并固化以形成四分之一波長片5，該過程不需要掩模板即可實(shí)現(xiàn)。
[0073]優(yōu)選地，上述曝光過程可以采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光，即利用特定波長的激光從角度Θ的兩個(gè)方向照射形成的干涉條紋進(jìn)行曝光，通過改變?chǔ)ǖ拇笮】梢缘玫皆谑褂玫募す獠ㄩL范圍內(nèi)各種間距的線型光柵結(jié)構(gòu)。
[0074]具體實(shí)施例二，如圖2a?圖2f和圖7所示，
[0075]步驟S201，如圖2a所示，在基板I上形成金屬層2 ；
[0076]步驟S202，如圖2b和圖2c所示，在金屬層2上涂覆可壓印液體材料6，利用凹凸納米壓印模具7對(duì)液體材料6進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料8 ；
[0077]步驟S203，如圖2d所示，利用固化材料8作為掩模板對(duì)金屬層2進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)；
[0078]步驟S204，如圖2e所示，在線型光柵結(jié)構(gòu)層3上涂覆OC材料4找平；
[0079]步驟S205，如圖2f所示，在OC材料4上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片5 ;通過紫外光的不同偏光方向進(jìn)行取向并固化以形成四分之一波長片5，該過程不需要掩模板即可實(shí)現(xiàn)。
[0080]優(yōu)選地，具體可以采用濺射或蒸鍍方法在基板I上形成金屬層2。
[0081]另一種實(shí)施方式中，步驟S502，在基板I上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層3和四分之一波長片5，具體可以包括:
[0082]在基板I上形成四分之一波長片5 ；
[0083]在四分之一波長片5上形成保護(hù)層9 ；
[0084]在保護(hù)層9上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層3。
[0085]具體地，上述實(shí)施方式可以包括以下實(shí)施例:
[0086]具體實(shí)施例一，如圖3a?圖3d和圖8所示，
[0087]步驟S301，如圖3a所示，在基板I上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片5 ;通過紫外光的不同偏光方向進(jìn)行取向并固化以形成四分之一波長片5，該過程不需要掩模板即可實(shí)現(xiàn)；
[0088]步驟S302，如圖3b所示，在四分之一波長片5上形成保護(hù)層9 ；
[0089]步驟S303，如圖3c和圖3d所示，在保護(hù)層9上形成金屬層2，對(duì)金屬層2進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)。
[0090]優(yōu)選地，曝光為采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光，即利用特定波長的激光從角度Θ的兩個(gè)方向照射形成的干涉條紋進(jìn)行曝光，通過改變?chǔ)ǖ拇笮】梢缘玫皆谑褂玫募す獠ㄩL范圍內(nèi)各種間距的線型光柵結(jié)構(gòu)。
[0091]具體實(shí)施例二，如圖4a?圖4f和圖9所示，
[0092]步驟S401，如圖4a所示，在基板I上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片5 ;通過紫外光的不同偏光方向進(jìn)行取向并固化以形成四分之一波長片5，該過程不需要掩模板即可實(shí)現(xiàn)；
[0093]步驟S402，如圖4b所示，在四分之一波長片5上形成保護(hù)層9 ；
[0094]步驟S403，如圖4c所示，在保護(hù)層9上形成金屬層2 ；
[0095]步驟S404,如圖4d和圖4e所示,在金屬層2上涂覆可壓印液體材料6,利用凹凸納米壓印模具7對(duì)液體材料6進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料8 ；
[0096]步驟S405，如圖4f所示，利用固化材料8作為掩模板對(duì)金屬層2進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)。
[0097]優(yōu)選地，具體可以采用濺射或蒸鍍的方法在基板I上形成金屬層2。
[0098]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種圓偏振片，其特征在于，包括:基板、位于基板一側(cè)的線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，其中，所述四分之一波長片為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓偏振片，其特征在于，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層的光柵間距小于 200nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圓偏振片，其特征在于，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層的光柵間距為60 ?lOOnm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓偏振片，其特征在于，所述四分之一波長片為使ο光和e光的光程差為四分之一波長的波片，或者，所述四分之一波長片為使ο光和e光的光程差為四分之三波長的波片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圓偏振片，其特征在于，所述四分之一波長片為使ο光和e光的光程差為四分之一波長的波片以及使ο光和e光的光程差為四分之三波長的波片間隔排列所形成的波片。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的圓偏振片，其特征在于，所述線型光柵結(jié)構(gòu)層位于所述基板和所述四分之一波長片之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的圓偏振片，其特征在于，所述四分之一波長片位于所述基板和所述線型光柵結(jié)構(gòu)層之間。
8.—種顯示面板，包括上基板和下基板，其特征在于，所述上基板為如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的圓偏振片，和/或，所述下基板為如權(quán)利要求1?7任一項(xiàng)所述的圓偏振片。
9.一種圓偏振片的制備方法，其特征在于，包括: 清洗基板； 在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，其中，所述四分之一波長片為通過光聚合液晶材料形成的四分之一波長片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，具體包括: 在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層； 在線型光柵結(jié)構(gòu)層上涂覆0C材料找平； 在0C材料上形成四分之一波長片。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于， 所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在基板上形成金屬層，對(duì)金屬層進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)； 所述在0C材料上形成四分之一波長片，具體包括:在0C材料上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，所述曝光為采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制備方法，其特征在于， 所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在基板上形成金屬層，在金屬層上涂覆可壓印液體材料，利用凹凸納米壓印模具對(duì)液體材料進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料；利用所述固化材料作為掩模板對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)； 所述在OC材料上形成四分之一波長片，具體包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
14.根據(jù)權(quán)利要求11?13任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成金屬層，具體包括:在基板上濺射或蒸鍍金屬層。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層和四分之一波長片，具體包括: 在基板上形成四分之一波長片； 在四分之一波長片上形成保護(hù)層； 在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于， 所述在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在保護(hù)層上形成金屬層，對(duì)金屬層進(jìn)行涂膠、曝光、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)； 所述在基板上形成四分之一波長片，具體包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制備方法，其特征在于，所述曝光為采用激光的干涉曝光法進(jìn)行曝光。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制備方法，其特征在于， 所述在保護(hù)層上形成線型光柵結(jié)構(gòu)層，具體包括:在保護(hù)層上形成金屬層，在金屬層上涂覆可壓印液體材料，利用凹凸納米壓印模具對(duì)液體材料進(jìn)行壓印，并進(jìn)行光固化、脫模、以形成具有光柵圖形的固化材料；利用所述固化材料作為掩模板對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕、顯影，以形成線型光柵結(jié)構(gòu)； 所述在基板上形成四分之一波長片，具體包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通過紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波長片。
19.根據(jù)權(quán)利要求16?18任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述在基板上形成金屬層，具體包括:在基板上濺射或蒸鍍金屬層。
【文檔編號(hào)】G03F7/00GK104459866SQ201410844297
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年12月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月30日
【發(fā)明者】李文波 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司