專利名稱：光掩模的制造方法以及光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種集成電路工藝(IC process )所使用的工具的設(shè)計制造方 法，且特別地，涉及一種光掩模(photomask)制造方法及光學(xué)接近度校正 (Optical Proximity Correction, OPC )的〈奮補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
當(dāng)集成電路(IC)工藝的線寬降到深次微米級之后，各圖案的關(guān)鍵尺寸 的控制更加重要。當(dāng)工藝線寬降到曝光光源波長的一半左右或更低時，就必 須對光掩模的圖案進(jìn)行光學(xué)接近度校正，以降低關(guān)鍵尺寸的偏差值。光學(xué)接 近度校正包括在長條圖案末端加上角飾(Serif)或錘頭(hammerhead)圖形、 使圖案側(cè)邊成為凹凸?fàn)?、在圖案旁加輔助線等等
在公知使用光學(xué)接近度校正技術(shù)的光掩模制造方法中，在取得光掩模的 圖像數(shù)據(jù)(graphic data )之后，使用 一套光學(xué)接近度校正配方(OPC recipe ) 對圖像數(shù)據(jù)中的各圖形進(jìn)行校正，然后對光學(xué)接近度校正后的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行 工藝規(guī)則4全查(Process Rule Check, PRC),其是以計算機(jī)模擬的方式判斷 轉(zhuǎn)移至晶圓上的各圖形是否符合工藝的要求。如果發(fā)現(xiàn)有圖形無法通過工藝 規(guī)則檢查，則使用另 一套光學(xué)接近度校正配方對原先的圖像數(shù)據(jù)中的各圖形 進(jìn)行校正，之后再進(jìn)行一次工藝規(guī)則檢查。然而，由于現(xiàn)在光掩模的圖像數(shù) 據(jù)系統(tǒng)文件(GDS文件)的大小動輒高達(dá)數(shù)百GB,如此做法頗浪費時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的在于提供一種光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，其在發(fā)現(xiàn) 圖像數(shù)據(jù)無法完全通過工藝規(guī)則檢查之后，僅對無法通過工藝規(guī)則檢查的失 敗圖形進(jìn)行修補(bǔ)動作。
本發(fā)明的又一目的是提供一種光掩模的制造方法，其是利用本發(fā)明的光 學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，以縮短制造光掩模所需的時間。
本發(fā)明 一 實施例的光掩模制造方法如下，其中光掩模是用于 一 集成電路
的工藝中，以定義此集成電路的第一圖案。首先，提供此光掩^f莫的圖像數(shù)據(jù)， 再對此圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)接近度校正。接著對光學(xué)接近度校正后的圖像數(shù)據(jù) 進(jìn)行工藝規(guī)則檢查。當(dāng)圖像數(shù)據(jù)中有至少一個未通過工藝規(guī)則檢查的失敗圖 形時，則僅對此失敗圖形進(jìn)行一修補(bǔ)程序，以使其能通過工藝規(guī)則檢查。之 后，依照經(jīng)過光學(xué)接近度校正及修補(bǔ)程序的圖像數(shù)據(jù)來形成光掩模的圖案。
上述修補(bǔ)程序可包括以下步驟。首先取得集成電路中與第 一 圖案相關(guān)的 一上層圖案及一下層圖案其各自的對應(yīng)該失敗圖形的部分圖像數(shù)據(jù)，再檢查 集成電路中該失敗圖形周圍的至少一鄰近圖形的配置情形，然后根據(jù)上層圖 案及下層圖案的部分圖像數(shù)據(jù)與該至少一鄰近圖形的配置情形，校正前述失 敗圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置(此處及下文中的"和/或"都表示二者中的至 少一者)。其中，對關(guān)鍵尺寸的校正幅度較佳不超過30%。
另夕卜，在校正失敗圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置時，可考慮失敗圖形的模擬 投影輪廓與該至少 一鄰近圖形的模擬投影輪廓之間的距離。當(dāng)集成電路中該 失敗圖形的周圍有多個鄰近圖形時，較佳考慮該失敗圖形的模擬投影輪廓與 各鄰近圖形的模擬投影輪廓之間的所有方向上的距離。當(dāng)前述第 一 圖案包括 多個接觸窗開口圖形時，對未通過工藝規(guī)則檢查的 一 失敗接觸窗開口圖形的
關(guān)鍵尺寸的校正可包括增加其x方向的關(guān)鍵尺寸但減小其y方向的關(guān)鍵尺 寸，或是增加其y方向的關(guān)鍵尺寸但減小其x方向的關(guān)鍵尺寸。其中，對x 或y方向的關(guān)鍵尺寸的校正幅度在±30%以內(nèi)。另外，上述上層圖案及下層 圖案可能都包括導(dǎo)線圖案。
再者，上述集成電路工藝可還包括使用另一光掩模形成與第一圖案位于 同一層的第二圖案的步驟，而集成電路中失敗圖案周圍的該至少一鄰近圖形 則包括第二圖案的一部分；同時，上述修補(bǔ)程序還包括取得第二圖案的該部 分的圖像數(shù)據(jù)，以得知該至少一鄰近圖形的配置情形。例如，上述第一圖案 可包括多個源/漏極接觸窗開口圖形，下層圖案為有源區(qū)的圖案，上層圖案為 內(nèi)連線圖案，且第二圖案為柵極圖案。此時，對未通過工藝規(guī)則檢查的一源 /漏極接觸窗開口圖形的關(guān)鍵尺寸的校正可包括增加其x方向的關(guān)鍵尺寸但 減小其y方向的關(guān)鍵尺寸，或是增加其y方向的關(guān)鍵尺寸但減小其x方向的 關(guān)鍵尺寸。其中，對x或y方向的關(guān)鍵尺寸的校正幅度在±30°/。以內(nèi)。
本發(fā)明的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法的一較佳實施例如下。在發(fā)現(xiàn)經(jīng)光 學(xué)接近度校正的圖像數(shù)據(jù)中有至少 一個未通過工藝規(guī)則檢查的失敗圖形時， 先取得集成電路中與目標(biāo)圖案相關(guān)的一上層圖案及一下層圖案其各自的對 應(yīng)該失敗圖形的部分圖像數(shù)據(jù)，并檢查集成電路中位于該失敗圖形周圍的至 少一鄰近圖形的配置情形。之后，根據(jù)上層圖案及下層圖案的部分圖像數(shù)據(jù) 以及該失敗圖形的模擬投影輪廓與該至少一鄰近圖形的模擬投影輪廓之間 的距離，校正該圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置。
由于本發(fā)明的光掩模的制造方法僅對無法通過工藝規(guī)則檢查的圖形進(jìn) 行修補(bǔ)動作，而不是以另 一套光學(xué)接近度校正配方對所有的圖像數(shù)據(jù)作校 正，故可簡化光掩模的設(shè)計階段，而可縮短制造光掩模所需的時間。在某些 實施例，校正圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置的作法還可以提高工藝的裕度，以提 高產(chǎn)品的良率。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉較佳 實施例并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1示出本發(fā)明一實施例的光掩模制造方法的流程圖。
圖2(a)和2(b)示出本發(fā)明一實施例的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)程序。 圖3A 3B示出本發(fā)明另一實施例的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)程序。主要附圖標(biāo)記說明
20a/b、 20a,/b，、 30、 30a、 30a，、 32、 32a，模擬投影輪廓 100 140:步驟標(biāo)號
200a、 200b、 300、 300a:接觸窗開口圖形
200a，、 200b，、 300a，沖交正后的接觸窗開口圖形
202、 302:角飾(serif)
210a、 210b:下層導(dǎo)線的圖形
220a、 220b:上層導(dǎo)線的圖形
310:有源區(qū)的圖形
330、 330a:內(nèi)連線的圖形
具體實施例方式
圖1示出本發(fā)明一實施例的光掩模制造方法的流程圖，此光掩模是用于 一集成電路的工藝中，以定義此集成電路的一圖案，此圖案例如是接觸窗開
口或?qū)Ь€的圖案，其包括多個接觸窗開口圖形或?qū)Ь€圖形。首先，提供光掩
模的圖像數(shù)據(jù)(步驟100),其例如是由IC設(shè)計者所制作的，而儲存在一圖 像數(shù)據(jù)系統(tǒng)檔案(GDS文件)中。接著對圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)接近度校正(步 驟IIO),例如在矩形接觸窗開口圖形的四角加角飾(Serif)或在導(dǎo)線圖形末 端加錘頭圖形等。
接著，對光學(xué)接近度校正后的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝規(guī)則檢查(步驟120), 其主要包含光刻規(guī)則檢查(Uthography Rule Check, LRC )及設(shè)計規(guī)則檢查 (Design Rule Check, DRC )等，其中光刻規(guī)則檢查通常是依據(jù)巻積 (convolution)公式，以數(shù)值積分的方式計算模擬出各圖形投影在晶圓上的 光致抗蝕劑層上的影像的輪廓(簡稱"模擬投影輪廓，，)，以檢查各圖形是否 有超出曝光工藝分辨率，而導(dǎo)致相鄰光致抗蝕劑圖形誤接或單一光致抗蝕劑 圖形斷開等問題。設(shè)計規(guī)則檢查則是根據(jù)前述模擬投影輪廓及蝕刻、對準(zhǔn)等 方面的變量，以預(yù)測轉(zhuǎn)移至晶圓上的圖案是否符合電路設(shè)計上的要求。例如， 導(dǎo)線寬度是否夠大、接觸窗面積是否夠大、導(dǎo)線及接觸窗的重迭面積是否夠 大、相鄰圖形是否可能因蝕刻裕度不足而誤接，或是是否有部分圖形可能因 對準(zhǔn)/蝕刻裕度不足，而與同 一層由另 一光掩模所定義的另 一 圖案的圖形誤接 等等。
相鄰圖形可能因蝕刻裕度不足而誤接的情形例如是，相鄰接觸窗開口可 能因其定義時的蝕刻裕度不足而相連。部分圖形可能因?qū)?zhǔn)/蝕刻裕度不足而 與同一層的另一圖案的圖形誤接的情形則例如是，源漏極接觸窗開口可能因 對準(zhǔn)/蝕刻裕度不足而將柵極線暴露出來的情形。稍后兩實施例即是解決此圖 形可能誤接問題的OPC修補(bǔ)方法，以進(jìn)一步解釋本發(fā)明。
后續(xù)的步驟130是，對經(jīng)過光學(xué)接近度校正的圖像數(shù)據(jù)中未通過工藝規(guī) 則檢查的圖形(即失敗圖形)進(jìn)行一修補(bǔ)程序，以使其能通過工藝規(guī)則檢查。 此修補(bǔ)程序可包括以下步驟。首先取得集成電路中與目標(biāo)圖案相關(guān)的上層圖 案及下層圖案其各自的對應(yīng)失敗圖形的部分圖像數(shù)據(jù)，再檢查失敗圖形周圍 的至少一鄰近圖形的配置情形，然后根據(jù)上層圖案及下層圖案的部分圖像數(shù) 據(jù)與該至少一鄰近圖形的配置情形，校正失敗圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置。其 中，對關(guān)鍵尺寸的校正幅度較佳不超過30%。
另外，于校正失敗圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置時，可考慮失敗圖形的模擬 投影輪廓與該至少一鄰近圖形的模擬投影輪廓之間的距離。當(dāng)集成電路中失
敗困形的周圍有多個鄰近圖形時，較佳者慮失敗圖形的模擬投影輪廓與各鄰 近圖形的模擬投影輪廓之間的所有方向上的距離。
光掩模的圖案(步驟140)，其方法例如是在玻璃基板的不透光罷上形成光致
抗蝕劑層，再在載入校正后圖像數(shù)據(jù)系統(tǒng)檔案的計算機(jī)的控制下，以電子束 在光致抗蝕劑層上刻出圖案。然后，依序進(jìn)行顯影、蝕刻、去光致抗蝕劑、 清洗等步驟。
圖2示出本發(fā)明一實施例的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)程序，此實施例所說 明的是在一 內(nèi)連線工藝中，經(jīng)過光學(xué)接近度校正的接觸窗開口圖形的修補(bǔ)程 序。請參照圖2(a)，在進(jìn)行修補(bǔ)之前，光學(xué)接近度校正步驟會在相鄰的接觸 窗開口圖形200a.與200b各自的四角加上角飾202，而OPC后的光刻規(guī)則檢 查則計算模擬出光學(xué)接近度校正后的接觸窗開口圖形200a與200b在光致抗 蝕劑層上的投影輪廓20a及20b。由于接觸窗開口圖形200a/b大致呈正方形， 所以其模擬投影輪廓20a及20b略呈圓形。
雖然此二模擬投影輪廓20a及20b并未相連，而可通過光刻規(guī)則檢查， 但是在考慮到蝕刻的變量而進(jìn)行設(shè)計規(guī)則檢查時，卻發(fā)現(xiàn)蝕刻形成的相鄰接 觸窗開口可能會因為蝕刻裕度不足而相連(未示出)，致使后續(xù)形成的相鄰 接觸窗短路。因此，光學(xué)接近度校正后的接觸窗開口圖形200a與200b中至 少有一個須視為未通過工藝規(guī)則檢查的失敗圖形，其關(guān)鍵尺寸和/或位置須加 以改變，以提高蝕刻裕度。
請參照圖2(a)/(b),此修補(bǔ)程序的步驟如下。首先，取得與該層接觸窗 開口圖案相關(guān)的上層圖案及下層圖案(亦即藉由以這些接觸窗開口中的接觸 窗作電連接的上層導(dǎo)線及下層導(dǎo)線的圖案)其各自的對應(yīng)接觸窗開口圖形 200a與200b的部分的圖像數(shù)據(jù)，即下層導(dǎo)線210a、 210b及上層導(dǎo)線220a、 220b的圖像數(shù)據(jù)，其中上層導(dǎo)線220b走向為x方向，其它三導(dǎo)線210a、 210b 及220a走向為y方向。
接著，在各接觸窗與各導(dǎo)線210a、 210b、 220a、 220b的重迭面積須在 一定范圍內(nèi)以保持低接觸電阻的前提下，減小接觸窗開口圖形200a/b的x 方向關(guān)鍵尺寸以提高蝕刻裕度，但同時增加其y方向關(guān)鍵尺寸以保持接觸窗 的面積，以免其電阻升高。其中，x方向關(guān)鍵尺寸的縮減幅度通常不超過30%, 較佳不超過15%; y方向關(guān)4定尺寸增加幅度通常不超過30%,較佳不超過
15%。如此即得經(jīng)過光學(xué)接近度校正及修補(bǔ)程序的接觸窗開口圖形200a，與 200b，，因其形狀大致為長方形，所以其在光致抗蝕劑層上的投影輪廓20a， 及20b'略呈橢圓形。
另外，當(dāng)上述內(nèi)連線結(jié)構(gòu)整個旋轉(zhuǎn)90。而使兩接觸窗開口圖形沿y方向 排列時，則須減小接觸窗開口圖形的y方向關(guān)鍵尺寸，但增加其x方向關(guān)鍵 尺寸，其理由同前。再者，雖然本例的修補(bǔ)程序中接觸窗開口圖形200a及 200b二者的形狀都有校正，且二者的中心位置都沒有改變，但當(dāng)其上、下導(dǎo) 線以其它方式配置時，接觸窗開口圖形200a及200b二者中可僅校正一者的 形狀，且/或接觸窗開口圖形200a及200b中可有至少一者的中心有位移，以 兼顧接觸窗與上下導(dǎo)線的連接質(zhì)量以及接觸窗開口的蝕刻裕度。
圖3A 3B示出本發(fā)明又一實施例的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)程序，其所 說明的是在一靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(SRAM)工藝中，經(jīng)過OPC的源/漏極接 觸窗開口圖形的修補(bǔ)程序。
請參照圖3A，此SRAM的局部布局結(jié)構(gòu)包括位于同一層的5個接觸窗 與4條柵極線，其中容納各接觸窗的接觸窗開口是由目標(biāo)光掩模上的5個接 觸窗開口圖形300所定義，4條柵極線則是由另一光掩模上的4個柵極線圖 形320定義。各柵極線圖形320的末端都經(jīng)過光學(xué)接近度校正，以使其所定 義的柵極線(形狀大致如同模擬投影輪廓32 )尾部的關(guān)鍵尺寸不會縮小太多， 其中左下方的柵極線圖形320a末端的光學(xué)接近度校正圖形面積較大，用以 舉例說明接觸窗開口圖形的修補(bǔ)程序。
在進(jìn)行修補(bǔ)程序之前，對目標(biāo)光掩模的圖像數(shù)據(jù)所進(jìn)行的光學(xué)接近度校 正步驟中，各接觸窗圖形300(a)的四角皆加上角飾302。在OPC后的工藝規(guī) 則檢查中，則以數(shù)值計算的方式模擬出各接觸窗開口圖形300(a)在光致抗蝕 劑層上的投影輪廓30(a)以與柵極線圖形320(a)的投影輪廓32(a)，檢查其距 離是否太近而無法提供足夠的對準(zhǔn)/蝕刻裕度。結(jié)果發(fā)現(xiàn)中央的接觸窗開口圖 形300a的投影輪廓30a與左下方柵極線圖形320a的投影輪廓32a太靠近， 使得工藝中分別由接觸窗開口圖形300a與柵極線圖形320a定義的接觸窗與 柵極線有短路的可能，所以接觸窗開口圖形300a無法通過工藝規(guī)則檢查， 而為一失敗圖形。
請參照圖3A、 3B,本實施例的修補(bǔ)程序僅針對失敗的接觸窗圖形300a 來進(jìn)行。首先，取得與該層接觸窗開口圖案相關(guān)的上層圖案及下層圖案(即
藉由這些接觸窗開口中的接觸窗作電連接的有源區(qū)的圖案及內(nèi)連線的圖案)
其各自的對應(yīng)失敗的接觸窗開口圖形300a的部分圖像數(shù)據(jù)，包括圖標(biāo)的有 源區(qū)圖形310的圖像數(shù)據(jù)與內(nèi)連線圖形330a的圖像數(shù)據(jù)。位于此內(nèi)連線圖 形330a附近而對應(yīng)其它接觸窗開口圖形300的其它內(nèi)連線圖形330也一并 示出，以便于理解。
接著，在接觸窗(對應(yīng)300a)與有源區(qū)(對應(yīng)310)的重迭面積及接觸 窗(對應(yīng)300a)與內(nèi)連線(對應(yīng)330a)的重迭的面積皆須在一定范圍內(nèi)以 保持低接觸電阻的前提下，減小接觸窗開口圖形300a的x方向關(guān)鍵尺寸， 并將其中心位置稍微右移，以增加接觸窗開口圖形300a的投影輪廓30a與 柵極線圖形320a的投影輪廓32a之間的距離，從而提高對準(zhǔn)/蝕刻裕度；同 時，增加接觸窗開口圖形300a的y方向關(guān)鍵尺寸，以保持接觸窗的面積， 避免其電阻升高。
此修補(bǔ)程序的目標(biāo)例如是使得投影輪廓30a與任一方向上的投影輪廓 32之間的距離(a)等于該投影輪廓32與其另一側(cè)的投影輪廓30之間的距離 (b)。為達(dá)此目標(biāo)，在進(jìn)行前述修補(bǔ)程序時，接觸窗開口圖形300a的投影輪 廓30a與其周圍多個柵極線圖形320的投影輪廓32之間的各方向上的距離 皆須考慮。另外，x方向關(guān)鍵尺寸的縮減幅度通常不超過30。/。，較佳不超過 15%; y方向關(guān)鍵尺寸的增加幅度通常不超過30%，較佳不超過15%。如此 即得經(jīng)過光學(xué)接近度校正及修補(bǔ)程序的接觸窗開口圖形300a',因其形狀大 致為長方形，所以其在光致抗蝕劑層上的投影輪廓30a，略呈橢圓形。
由于本發(fā)明的光掩模的制造方法僅對無法通過工藝規(guī)則檢查的圖形進(jìn) 行修補(bǔ)動作，故可筒化光掩模的設(shè)計階段所需的時間。而在上述實施例中， 校正圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置的作法更可以提高工藝的裕度，以提高產(chǎn)品的 良率。
雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，本 領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可進(jìn)行一些改動和 潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以所附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種光掩模的制造方法，該光掩模是用于集成電路的工藝中，以定義該集成電路的一第一圖案，該方法包括提供該光掩模的圖像數(shù)據(jù)；對該圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)接近度校正；對該光學(xué)接近度校正后的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝規(guī)則檢查；當(dāng)該圖像數(shù)據(jù)中有至少一個未通過該工藝規(guī)則檢查的失敗圖形時，則僅對該失敗圖形進(jìn)行修補(bǔ)程序，以使其能通過工藝規(guī)則檢查；以及依照經(jīng)過該光學(xué)接近度校正及該修補(bǔ)程序的圖像數(shù)據(jù)來形成該光掩模的圖案。
2. 如權(quán)利要求1所述的光掩模的制造方法，其中該修補(bǔ)程序包括 取得該集成電路中與該第一圖案相關(guān)的上層圖案及下層圖案其各自的對應(yīng)該失敗圖形的部分圖像數(shù)據(jù)；檢查該集成電路中位于該失敗圖形周圍的至少一鄰近圖形的配置情形；以及根據(jù)該上層圖案及該下層圖案的該些部分圖像數(shù)據(jù)以及該至少一鄰近 圖形的配置情形，校正該失敗圖形的關(guān)鍵尺寸和/或位置。
3. 如權(quán)利要求2所述的光掩模的制造方法，其中對該關(guān)鍵尺寸的校正幅 度不超過30%。
4. 如權(quán)利要求2所述的光掩模的制造方法，其中在校正該失敗圖形的關(guān) 鍵尺寸和/或位置時，是考慮該失敗圖形的模擬投影輪廓與該至少一鄰近圖形 的模擬投影輪廓之間的距離。
5. 如權(quán)利要求4所述的光掩模的制造方法，其中該失敗圖形周圍有多個 鄰近圖形，且該失敗圖形的模擬投影輪廓與該些鄰近圖形的模擬投影輪廓之 間的所有方向上的距離皆有考慮。
6. 如權(quán)利要求4所述的光掩模的制造方法，其中該集成電路的該第一圖 案包括多個接觸窗開口圖形。
7. 如權(quán)利要求6所述的光掩模的制造方法，其中對未通過工藝規(guī)則檢查 的一接觸窗開口圖形的關(guān)鍵尺寸的校正包括增加其x方向的關(guān)鍵尺寸但減 小其y方向的關(guān)鍵尺寸，或是增加其y方向的關(guān)鍵尺寸但減小其x方向的關(guān) 鍵尺寸。
8. 如權(quán)利要求7所述的光掩模的制造方法，其中對x或y方向的關(guān)鍵尺 寸的校正幅度在±30%以內(nèi)。
9. 如權(quán)利要求6所述的光掩模的制造方法，其中該上層圖案及該下層圖 案都包括導(dǎo)線圖案。
10. 如權(quán)利要求2所述的光掩模制造方法，其中該集成電路工藝還包括使用另 一光掩模形成與該第 一圖案位在同 一層 的一第二圖案，而該至少一鄰近圖形包括該第二圖案的一部分；以及該修補(bǔ)程序還包括取得該第二圖案的該部分的圖像數(shù)據(jù)，以得知該至少 一鄰近圖形的配置情形。
11. 如權(quán)利要求IO所述的光掩模的制造方法，其中在校正該失敗圖形的 關(guān)鍵尺寸和/或位置時，是考慮該失敗圖形的模擬投影輪廓與該至少一鄰近圖 形的模擬投影輪廓之間的距離。
12. 如權(quán)利要求11所述的光掩模的制造方法，其中該失敗圖形的周圍有 多個鄰近圖形，且該失敗圖形的模擬投影輪廓與該些鄰近圖形的模擬投影輪 廓之間的所有方向上的距離皆有考慮。
13. 如權(quán)利要求IO所述的光掩模的制造方法，其中該第一圖案包括多個 源/漏極接觸窗開口圖形，該下層圖案為有源區(qū)的圖案，該上層圖案為內(nèi)連線 圖案，且該第二圖案為柵極圖案。
14. 如權(quán)利要求13所述的光掩模的制造方法，其中對未通過工藝規(guī)則檢 查的一源/漏極接觸窗開口圖形的關(guān)鍵尺寸的校正包括增加其x方向的關(guān)鍵 尺寸但減小其y方向的關(guān)鍵尺寸，或是增加其y方向的關(guān)鍵尺寸但減小其x 方向的關(guān)鍵尺寸。
15. 如權(quán)利要求14所述的光掩模的制造方法，其中對x或y方向的關(guān)鍵 尺寸的校正幅度在±30%以內(nèi)。
16. —種光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，適用于一光掩模的經(jīng)過光學(xué)接近 度校正的圖像數(shù)據(jù)，該光掩模是用于一集成電路工藝中以定義一目標(biāo)圖案， 且該圖像數(shù)據(jù)中有至少一個未通過一工藝規(guī)則檢查的失敗圖形，該方法包 括取得該集成電路中與該圖案相關(guān)的一上層圖案及一下層圖案其各自的 對應(yīng)該失敗圖形的部分圖像數(shù)據(jù)； 檢查該集成電路中位于該失敗圖形周圍的至少 一 鄰近圖形的配置情形；以及根據(jù)該上層圖案及該下層圖案的該些部分圖像數(shù)據(jù)以及該失敗圖形的 模擬投影輪廓與該至少一鄰近圖形的模擬投影輪廓之間的距離，校正該圖形 的關(guān)鍵尺寸和/或位置。
17. 如權(quán)利要求16所述的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，其中該失敗圖形 的周圍有多個鄰近圖形，且該失敗圖形的模擬投影輪廓與該些鄰近圖形的模 擬投影輪廓之間的所有方向上的距離皆有考慮。
18. 如權(quán)利要求16所述的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，其中該目標(biāo)圖案 包括多個接觸窗開口圖形。
19. 如權(quán)利要求18所述的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，其中對未通過工 藝規(guī)則檢查的 一接觸窗開口圖形的關(guān)鍵尺寸的校正包括增加其x方向的關(guān) 鍵尺寸但減小其y方向的關(guān)鍵尺寸，或是增加其y方向的關(guān)鍵尺寸但減小其 x方向的關(guān)鍵尺寸。
20. 如權(quán)利要求19所述的光學(xué)接近度校正的修補(bǔ)方法，其中對x或y 方向的關(guān)鍵尺寸的校正幅度在±30%以內(nèi)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光掩模的制造方法。首先，提供光掩模的圖像數(shù)據(jù)，再對此圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行光學(xué)接近度校正，然后對光學(xué)接近度校正后的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行工藝規(guī)則檢查。當(dāng)圖像數(shù)據(jù)中有至少一個未通過工藝規(guī)則檢查的失敗圖形時，僅對此失敗圖形進(jìn)行一修補(bǔ)程序，以使其能通過工藝規(guī)則檢查。之后，依照經(jīng)過前述光學(xué)接近度校正及修補(bǔ)程序的圖像數(shù)據(jù)來形成光掩模的圖案。
文檔編號G03F1/36GK101191996SQ20061016319
公開日2008年6月4日 申請日期2006年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月29日
發(fā)明者李潛福, 林陵杰, 黃義雄 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司