本發(fā)明涉及特種光纖領(lǐng)域，尤其是涉及一種橢圓保偏光纖及其制備方法。

背景技術(shù)：

現(xiàn)高架電網(wǎng)的檢測(cè)設(shè)備笨重、陳舊、精度低。困擾著全球的業(yè)界專家、學(xué)者。經(jīng)論證唯有圓保偏光纖能傳輸圓偏振光、抗干擾，有很強(qiáng)的法拉第效應(yīng)。用此光纖制成光纖電流傳器(OCT)可取代老式檢測(cè)儀表，且體積小，精度高。但是因?yàn)閳A保偏光纖的制備方法較為困難，我國(guó)的黃宏嘉院士自1990年就帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)進(jìn)行研發(fā)，至今只做出極少量“圓保偏”光纖樣品。目前，絕大部分的圓保偏光纖均來源于進(jìn)口，價(jià)格極為昂貴。目前市場(chǎng)上，常以低雙折射光纖替代圓保偏光纖制備電流傳感器，但是低雙折射光纖對(duì)干擾極為敏感。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的就是為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷而提供一種抗輻射的橢圓保偏光纖及其制備方法。

本發(fā)明的目的可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

一種橢圓保偏光纖，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層，包裹所述纖芯層的內(nèi)包層，包裹所述內(nèi)包層的應(yīng)力作用區(qū)層，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層的外包層，所述的纖芯層中還摻雜有800～1000ppm的Tb₂O₃和250～300ppm的CeO₂。

所述的纖芯層的圓度為60～90％。

所述的橢圓保偏光纖的直徑為120～130μm，其中，纖芯層的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層、應(yīng)力作用區(qū)層和外包層的直徑之比為4:40:100:125。

一種橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)通入SiCl₄和O₂，加熱反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包 層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接；

(4)刻蝕完成后，通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱反應(yīng)，沉積得到預(yù)制棒內(nèi)包層，預(yù)制棒內(nèi)包層在沉積過程中先將刻蝕除去的應(yīng)力區(qū)層部分填充滿，然后在未刻蝕除去的應(yīng)力區(qū)層表面上沉積；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，加熱石英基管對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到橢圓保偏光纖。

步驟(1)中所述的SiCl₄和O₂的通入量的摩爾比為(1～1.2):1，反應(yīng)溫度為1850℃；

步驟(2)中所述的SiCl₄、BBr₃和O₂的通入量的摩爾比為(78～80)：(32～33)：150，其反應(yīng)溫度為1650～1850℃；

步驟(3)中所述的刻蝕氣體為SF₆，刻蝕溫度為1450～1850℃，刻蝕后的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層呈蝶結(jié)型或熊貓型；

步驟(4)中所述的SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂的通入量的摩爾比為(30～40)：(3～5)：1：(80～100)，其加熱反應(yīng)溫度為1850～2050℃；

步驟(5)中所述的SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂的通入量的摩爾比為(2～3)：1：(0.1～0.2)：(0.035～0.06)：(10～20)，其加熱反應(yīng)溫度為1850～2050℃；

步驟(6)中所述的燒結(jié)溫度為2250～2450℃。

當(dāng)刻蝕后的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層呈蝶結(jié)型時(shí)；制得的橢圓光纖預(yù)制棒的直徑為15～18mm，旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為1000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為5～6mm，拉絲速度為5～6m/min；

當(dāng)刻蝕后的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層呈熊貓型時(shí)，制得的橢圓光纖預(yù)制棒的直徑為40～45mm，旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為2000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為4～5mm，拉絲速度為 8～10m/min。

步驟(1)～(2)和步驟(4)～(5)中，沉積的預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為(1.2～1.5)：(3～5)：2：(0.3～0.4)。

本發(fā)明在制備過程中，通過先制備蝶結(jié)型應(yīng)力區(qū)或熊貓型應(yīng)力區(qū)的光纖預(yù)制棒，且預(yù)制棒的內(nèi)包層為SiO₂/P₂O₅/F內(nèi)包層，與特殊結(jié)構(gòu)的應(yīng)力區(qū)層的楊氏模量差別相對(duì)較大，從而使得光纖預(yù)制棒在收縮成型過程中，棒芯層依舊能保持較高的圓度，通過在制備過程中通入Tb³⁺和Ce⁴⁺，從而在棒芯層沉積相應(yīng)的氧化物Tb₂O₃和CeO₂，有效的加大拉制得到的橢圓保偏光纖的費(fèi)爾德常數(shù)，提高橢圓保偏光纖的順磁性，進(jìn)而提高采用該橢圓保偏光纖制得的檢測(cè)儀表的精度，同時(shí)讓保偏光纖產(chǎn)生一定的抗輻射能力。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制得的光纖具有較高的法拉第效應(yīng)和很強(qiáng)的抗輻射性能，制成的電磁場(chǎng)檢測(cè)儀精度高，用纖短，適用強(qiáng)輻射環(huán)境下工作。

附圖說明

圖1為實(shí)施例1中制得的橢圓保偏光纖的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為實(shí)施例1制得的橢圓保偏光纖的費(fèi)爾德常數(shù)與波長(zhǎng)的關(guān)系圖；

圖3為實(shí)施例1制得的橢圓保偏光纖的費(fèi)爾德常數(shù)與溫度的關(guān)系圖；

圖中，1-外包層，2-應(yīng)力作用區(qū)層，3-內(nèi)包層，4-纖芯層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。

實(shí)施例1

一種橢圓保偏光纖，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有800ppm的Tb₂O₃和250ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為60％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為120μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到 SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比78：32：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1650℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1450～1850℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接并呈熊貓型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比30：3：1：80通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至1850℃反應(yīng)，沉積得到SiO₂/P₂O₅/F預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比2：1：0.1：0.035：10通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至1850℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.2：3：2：0.3，加熱石英基管至2250℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為40mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為2000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為4mm，拉絲速度為8m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到熊貓型的橢圓保偏光纖。

對(duì)制得的熊貓型的橢圓保偏光纖測(cè)試其在不同溫度與波長(zhǎng)下的應(yīng)用性能，結(jié)果如圖2和圖3所示，可知，為了增強(qiáng)保偏光纖的faraday(法拉第)效應(yīng)，應(yīng)盡可能在短波和低溫下使用。

實(shí)施例2

一種橢圓保偏光纖，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有1000ppm的Tb₂O₃和300ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為90％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為130μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1.2:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比80：32：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1850℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1850℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接并呈熊貓型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比40：5：1：100通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至2050℃反應(yīng)，沉積得到預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比3：1：0.2：0.06：20通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至2050℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.5：3：2：0.4，加熱石英基管至2450℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為42mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為2000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為5mm，拉絲速度為10m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到熊貓型的橢圓保偏光纖。

實(shí)施例3

一種橢圓保偏光纖，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有900ppm的Tb₂O₃和275ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為75％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為125μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1.1:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比79：32.5：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1750℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1650℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互 不連接并呈熊貓型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比35：4：1：90通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至1850～2050℃反應(yīng)，沉積得到預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比2.5：1：0.15：0.045：15通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至2000℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.4：4：2：0.35，加熱石英基管至2350℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為45mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為2000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為4.5mm，拉絲速度為9m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到熊貓型的橢圓保偏光纖。

實(shí)施例4

一種橢圓保偏光纖，其結(jié)構(gòu)如圖1所示，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有800ppm的Tb₂O₃和250ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為60％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為120μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比78：32：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1650℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1450～1850℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接并呈蝶結(jié)型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比30：3：1：80通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至1850℃反應(yīng)，沉積得到SiO₂/P₂O₅/F預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比2：1：0.1：0.035：10通入SiCl₄、 GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至1850℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.2：3：2：0.3，加熱石英基管至2250℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為15mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為1000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為5mm，拉絲速度為5m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到蝶結(jié)型的橢圓保偏光纖。

實(shí)施例5

一種橢圓保偏光纖，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有1000ppm的Tb₂O₃和300ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為90％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為130μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1.2:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比80：32：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1850℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1850℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接并呈蝶結(jié)型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比40：5：1：100通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至2050℃反應(yīng)，沉積得到預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比3：1：0.2：0.06：20通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至2050℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.5：3：2：0.4，加熱石英基管至2450℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為18mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為1000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為6mm，拉絲速度為6m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到蝶結(jié)型的橢圓保偏光纖。

實(shí)施例6

一種橢圓保偏光纖，該保偏光纖的截面結(jié)構(gòu)從里到外依次為呈橢圓形的纖芯層4，包裹所述纖芯層4的內(nèi)包層3，包裹所述內(nèi)包層3的應(yīng)力作用區(qū)層2，以及包裹所述應(yīng)力作用區(qū)層2的外包層1，所述的纖芯層4中還摻雜有900ppm的Tb₂O₃和275ppm的CeO₂，所述的纖芯層4的圓度為75％，所述的橢圓保偏光纖的直徑為125μm，其中，纖芯層4的長(zhǎng)軸長(zhǎng)以及內(nèi)包層3、應(yīng)力作用區(qū)層2和外包層1的直徑之比為4:40:100:125。

上述橢圓保偏光纖的制備方法，包括以下步驟：

(1)往石英基管內(nèi)按摩爾比1.1:1通入SiCl₄和O₂，加熱至反應(yīng)，并沉積得到SiO₂預(yù)制棒外包層；

(2)預(yù)制棒外包層沉積好后，按摩爾比79：32.5：150通入SiCl₄、BBr₃和O₂，加熱至1750℃進(jìn)行反應(yīng)，在預(yù)制棒外包層上沉積SiO₂/B₂O₃預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層；

(3)通入刻蝕氣體SF₆，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，在1650℃刻蝕除去預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接并呈蝶結(jié)型；

(4)刻蝕完成后，按摩爾比35：4：1：90通入SiCl₄、POCl₃、SF₆和O₂，加熱至1850～2050℃反應(yīng)，沉積得到預(yù)制棒內(nèi)包層；

(5)預(yù)制棒內(nèi)包層沉積完成后，按摩爾比2.5：1：0.15：0.045：15通入SiCl₄、GeCl₄、TbCl₃、CeCl₄和O₂，加熱至2000℃進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；

(6)沉積完成后，此時(shí)，預(yù)制棒外包層、預(yù)制棒應(yīng)力區(qū)層、預(yù)制棒內(nèi)包層和棒芯層的厚度之比為1.4：4：2：0.35，加熱石英基管至2350℃對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到橢圓光纖預(yù)制棒，其直徑為16mm，；

(7)將制得的橢圓光纖預(yù)制棒在旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)上固定，并使其下旋端偏差Ri<50μm，運(yùn)行旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)，使得旋轉(zhuǎn)拉絲機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度為1000r/min，旋轉(zhuǎn)截距為5.5mm，拉絲速度為5.5m/min，對(duì)橢圓光纖預(yù)制棒拉制，即得到蝶結(jié)型的橢圓保偏光纖。

制得的橢圓保偏光纖的規(guī)格如下表1所示：

上述的對(duì)實(shí)施例的描述是為便于該技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員能理解和使用發(fā)明。熟悉本領(lǐng)域技術(shù)的人員顯然可以容易地對(duì)這些實(shí)施例做出各種修改，并把在此說明的一般原理應(yīng)用到其他實(shí)施例中而不必經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)。因此，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)本發(fā)明的揭示，不脫離本發(fā)明范疇所做出的改進(jìn)和修改都應(yīng)該在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。