一種薄膜圖案化的方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠解決制作線寬較小的薄膜層圖案時(shí)，由于掩膜版開口區(qū)域較小，使得曝光不足，而引起的成膜缺陷。所述方法包括在基板的表面依次形成薄膜層和光刻膠；通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于光刻膠的感光閾值；通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第二次曝光，在第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；其中，固化區(qū)的寬度小于第一半固化區(qū)的寬度，固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于光刻膠的感光閾值；將光刻膠進(jìn)行顯影；對未被光刻膠覆蓋的薄膜層刻蝕；將固化區(qū)的光刻膠剝離。
【專利說明】一種薄膜圖案化的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種薄膜圖案化的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管-液晶顯示器)作為一種平板顯示裝置，因其具有體積小、功耗低、無輻射以及制作成本相對較低等特點(diǎn)，而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]TFT-1XD由相互對盒的彩膜基板和陣列基板構(gòu)成。其中，陣列基板上具有多條橫縱交叉的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉界定多個(gè)像素單元。其中，像素單元的個(gè)數(shù)與液晶顯示器的分辨率有關(guān)。為了滿足液晶顯示器高分辨率的發(fā)展趨勢，需要增加單位尺寸內(nèi)像素單元的數(shù)量，同時(shí)柵線、數(shù)據(jù)線或其他位于陣列基板和彩膜基板上的薄膜層圖案的線寬越來越小。例如，當(dāng)液晶顯示器的分辨率從200PPI (Pixels Per Inch，每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目)提升至300PPI時(shí)，數(shù)據(jù)線的線寬需要從4um降低到2_3um。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，可以采用掩膜曝光、顯影工藝制作上述薄膜層圖案。當(dāng)薄膜層圖案的線寬需要減小時(shí)，可以通過減小掩膜版的開口區(qū)域的尺寸來實(shí)現(xiàn)。然而，對于高分辨率的顯示器而言，由于薄膜層圖案的線寬過于小，因此掩膜版的開口區(qū)域的尺寸也會(huì)很小。這樣一來，就會(huì)導(dǎo)致曝光過程中，透過開口區(qū)域的光線的數(shù)量減小，產(chǎn)生曝光不足的現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致形成的薄膜層圖案出現(xiàn)大面積的缺失，或者薄膜層圖案邊界處的坡度成型度較差等成膜缺陷的產(chǎn)生，從而降低了產(chǎn)品的質(zhì)量。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法，能夠解決制作線寬較小的薄膜層圖案時(shí)，由于掩膜版開口區(qū)域較小，使得曝光不足而引起的成膜缺陷。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種薄膜圖案化的方法，包括:
[0008]在基板的表面涂覆一層薄膜層；
[0009]在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠；
[0010]通過掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值；
[0011]通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光，在所述第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；
[0012]其中，所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值；
[0013]將所述光刻膠進(jìn)行顯影；
[0014]對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕；
[0015]將所述固化區(qū)的光刻膠剝離。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法，包括在基板的表面涂覆一層薄膜層；在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠；通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值，使得位于第一半固化區(qū)的光刻膠處于半固化的狀態(tài)。然后繼續(xù)采用上述掩膜版，在掩膜板區(qū)域和透光區(qū)域位置不變的情況下，對光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以在第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；其中，所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值，使得位于固化區(qū)的光刻膠處于固化的狀態(tài)。接下來，將光刻膠進(jìn)行顯影；對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕；最后將固化區(qū)的光刻膠剝離。上述制作方法中，采用同一掩膜版進(jìn)行不同曝光能量的兩次曝光，第二次曝光中形成的固化區(qū)的尺寸小于第一次曝光中形成的第一半固化區(qū)的寬度，從而使得固化區(qū)覆蓋的薄膜層圖案的線寬小于直接采用上述掩膜板通過曝光顯影、刻蝕等后得到的薄膜層圖案的線寬，從而可以實(shí)現(xiàn)減小薄膜層圖案的線寬。此外，由于在減小線寬的過程中并沒有減小掩膜版的開口區(qū)域，因此可以避免由于掩膜版開口區(qū)域較小，使得曝光不足而引起的成膜缺陷。從而能夠提高顯示器的質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0018]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案化的方法流程圖；
[0019]圖2a_圖2e為發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案化方法中各個(gè)步驟對應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案化的方法中采用的光線的輝光分布曲線.
[0021]圖3b為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種薄膜圖案化的方法中采用的光線的輝光分布曲線；
[0022]圖4a為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種薄膜圖案化的方法中對應(yīng)的薄膜層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖4b為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種薄膜圖案化的方法中采用的光線的輝光分布曲線。
[0024]【專利附圖】

【附圖說明】:
[0025]10-基板；100_薄膜層；101_光刻膠；20_掩膜板；A_掩膜板的遮光區(qū)域；B_掩膜板的透光區(qū)域；201_第一半固化區(qū)；202_固化區(qū)；203_第二半固化區(qū)；0_第一曝光采用的光線的輝光分布曲線；0’ -第二曝光采用的光線的輝光分布曲線；L1-第一半固化區(qū)的寬度；L2-固化區(qū)的寬度；L3+L3’ -第二半固化區(qū)的寬度。

【具體實(shí)施方式】
[0026]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法，如圖1所示，可以包括:
[0028]S101、如圖2a所示，在基板10的表面涂覆一層薄膜層100。
[0029]S102、在薄膜層100的表面涂覆光刻膠101。
[0030]S103、如圖2b所不,通過掩膜版20對光刻膠101進(jìn)行第一次曝光,形成第一半固化區(qū)201。其中，第一半固化區(qū)201光刻膠101的曝光的能量小于光刻膠101的感光閾值E，使得第一半固化區(qū)201的光刻膠101處于半固化狀態(tài)。
[0031]具體的，掩膜版20可以包括遮光區(qū)域A和透光區(qū)域B，光線通過透光區(qū)域B對光刻膠101進(jìn)行曝光。
[0032]S104、如圖2c所示，通過上述掩膜版20對光刻膠101進(jìn)行第二次曝光，在所述第一半固化區(qū)201上形成固化區(qū)202。
[0033]其中，固化區(qū)202的寬度小于第一半固化區(qū)201的寬度，固化區(qū)202光刻膠101的曝光的能量大于等于光刻膠101的感光閾值E，使得固化區(qū)的光刻膠，處于完全固化狀態(tài)。
[0034]此外，固化區(qū)202光刻膠101的曝光能量具體是指，第一次掩膜曝光工藝中，光刻膠101的曝光能量與第二次掩膜曝光工藝中，光刻膠101的曝光能量的疊加。這樣一來，兩次曝光能量的疊加達(dá)到了光刻膠101的感光閾值，從而使得固化區(qū)202的光刻膠完全固化。
[0035]S105、如圖2d所示，將光刻膠101進(jìn)行顯影。
[0036]S106、對未被光刻膠101覆蓋的薄膜層100刻蝕。
[0037]S107、如圖2e所示，將固化區(qū)202的光刻膠101剝離，以形成薄膜層的圖案。由于固化區(qū)202的寬度小于直接采用上述掩膜板20進(jìn)行掩膜曝光、顯影等工藝后得到的薄膜層圖案的線寬，因此能夠?qū)崿F(xiàn)減小薄膜層圖案的線寬。
[0038]需要說明的是，第一、所述光刻膠101的感光閾值E為對光刻膠101進(jìn)行曝光，使其完全固化需要的曝光能量。當(dāng)曝光能量小于上述光刻膠101的光感閾值感光閾值E時(shí)，光刻膠101未完全固話，處于半固化的狀態(tài)；當(dāng)曝光能量大于等于上述光刻膠101的光感閾值感光閾值E時(shí),光刻膠101處于完全固化的狀態(tài)。
[0039]因此，所述半固化區(qū)，例如第一半固化區(qū)201的光刻膠101處于半固化的狀態(tài)；所述固化區(qū)202的光刻膠處于固化狀態(tài)。
[0040]第二、在顯示裝置的制備過程中，對薄膜層的圖案化的制作方法應(yīng)用的非常廣泛。具體的，顯示裝置可以包括相互對盒的彩膜基板和陣列基板。彩膜基板和陣列基板均由多層薄膜層構(gòu)成。每一層薄膜層根據(jù)功能的不同可以具有不同的圖案。
[0041]因此，一方面，上述薄膜層100的圖案可以為彩色膜層或黑矩陣膜層。其中，通過上述薄膜層圖案化工藝后，得到的黑矩陣橫縱交叉設(shè)置，對應(yīng)陣列基板上的非顯示區(qū)域，而彩色膜層設(shè)置于有黑矩陣橫縱交叉界定的矩形區(qū)域中，對應(yīng)陣列基板上的顯示區(qū)域。
[0042]另一方面，上述薄膜層100的圖案可以包括柵線膜層、數(shù)據(jù)線膜層或公共電極線膜層等等。其中通過上述薄膜層圖案化工藝后，得到的柵線和數(shù)據(jù)線橫縱交叉設(shè)置，以界定出像素單元，公共電極線可以平行于柵線設(shè)置。當(dāng)柵線和數(shù)據(jù)線的線寬減小后，可以有更多的空間制備更多的像素單元，從而實(shí)現(xiàn)高PPI的目的。
[0043]綜上所述，上述基板10可以是用于形成上述薄膜層的透明基板。也可以是已經(jīng)制作有薄膜層圖案的基板。例如，當(dāng)上述薄膜層100為制作數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)金屬層時(shí)，上述基板10可以為制作有柵線圖案、柵極絕緣層、有源層圖案的基板。
[0044]本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜圖案化的方法，包括在基板的表面涂覆一層薄膜層；在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠；通過掩膜版對光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于等于所述光刻膠的感光閾值，使得位于第一半固化區(qū)的光刻膠處于半固化的狀態(tài)。然后繼續(xù)采用上述掩膜版，在掩膜板的遮光區(qū)域和透光區(qū)域位置不變的情況下，對光刻膠進(jìn)行第二次曝光，以在第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；其中，所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值，使得位于固化區(qū)的光刻膠處于固化的狀態(tài)。接下來，將光刻膠進(jìn)行顯影；對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕；最后將固化區(qū)的光刻膠剝離。上述制作方法中，采用同一掩膜版進(jìn)行不同曝光能量的兩次曝光，第二次曝光中形成的固化區(qū)的尺寸小于第一次曝光中形成的第一半固化區(qū)的寬度，從而使得固化區(qū)覆蓋的薄膜層圖案的線寬小于直接采用上述掩膜板通過曝光顯影、刻蝕等后得到的薄膜層圖案的線寬，從而可以實(shí)現(xiàn)減小薄膜層圖案的線寬。由于在減小線寬的過程中并沒有減小掩膜版的開口區(qū)域，因此可以避免由于掩膜版開口區(qū)域較小，使得曝光不足而引起的成膜缺陷。從而能夠提高顯示器的質(zhì)量。
[0045]以下，對薄膜圖案化的方法進(jìn)行詳細(xì)的舉例說明。
[0046]實(shí)施例一
[0047]由于掩膜曝光過程中，通過掩膜版20的透光區(qū)域B的光線并不是均勻分布的，在相同的曝光時(shí)間內(nèi)，光線分布集中的區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠101容易固化,光線分布較為分散的區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠101固化速度慢。此外，本發(fā)明實(shí)施例中兩次曝光采用的掩膜版相同，因此可以在兩次曝光中，采用輝光分布規(guī)律不同的光線對光刻膠101進(jìn)行曝光，以形成不同寬度的曝光區(qū)域。
[0048]具體的，如圖3a所示，第一次曝光采用的光線的輝光分布曲線0，與第二次曝光采用的光線的輝光分布曲線O’相交處對應(yīng)的光刻膠101，由于受到的兩次曝光的能量疊加后達(dá)到了光刻膠101的感光閾值E，因此兩條曲線相交處對應(yīng)的光刻膠101發(fā)生完全固化，形成了固化區(qū)202。而被曝光的光刻膠101的其余部分，由于兩次曝光的能量疊加后并未達(dá)到了光刻膠101的感光閾值E，所以處于半固化狀態(tài)。
[0049]此外，由第二次曝光采用的光線的輝光分布曲線可以看出，光線在透光區(qū)域B的中心位置光線分布較為集中，光線強(qiáng)度大，曝光能量大，因此生成的固化區(qū)202位于第一半固化區(qū)201的中心。當(dāng)?shù)诙纹毓鈺r(shí)，采用的光線的輝光分布曲線O’如圖3b所示時(shí)，由于光線在透光區(qū)域B偏左的位置光線分布較為集中，光線強(qiáng)度大，曝光能量大，因此生成的固化區(qū)202位于第一半固化區(qū)201的左端。
[0050]綜上所述，固化區(qū)202在第一第一半固化區(qū)201的位置可以根據(jù)第二次曝光時(shí)，采用的光線的輝光分布曲線O’的不同而改變。當(dāng)然，上述僅僅是對光線的輝光分布曲線O’的舉例說明，其它輝光分布類型的光線在此不再一一贅述，但都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0051]需要說明的是，通過掩膜版20對光刻膠101進(jìn)行第二次曝光采用的光源，可以是單獨(dú)設(shè)置的，且與第一次曝光的光源不同。
[0052]或者，還可以將第一次曝光采用的光源通過光過濾器對光刻膠101進(jìn)行第二次曝光。這樣一來，可以通過上述光過濾器對光線的輝光分布曲線進(jìn)行調(diào)整。使得第二次曝光時(shí)光線的分布較為集中的區(qū)域的寬度小于第一次曝光時(shí)掩膜版20的透光區(qū)域B的寬度，從而使得通過第二次曝光制備的固化區(qū)202的寬度小于第一次曝光得到的第一半固化區(qū)201的寬度，以減小被固化區(qū)202覆蓋的薄膜層100的圖案的線寬。
[0053]優(yōu)選的，上述光過濾器可以包括高分辨率裝置(High Resolut1n Unit,簡稱HRU)、光濃度濾光片(Neutral Density Filter，簡稱ND Filter)，或者特定光波長濾光片(Cut Filter)。通過上述光過濾器能夠?qū)Φ谝淮纹毓獠捎玫墓饩€進(jìn)行過濾，將一部分波長的光線濾除，剩余一些對光刻膠101而言，光敏感性較強(qiáng)的光線。例如，如果采用的光刻膠101的對紅光較為敏感，那么可以通過上述光過濾器，將紅光波長附近的光線保留，其它波長的光線去除，從而形成光線分布的集中區(qū)域，有利于固化區(qū)202的形成。
[0054]此外，在上述掩膜曝光過程中，還需要對一些參數(shù)進(jìn)行設(shè)置。
[0055]具體的，一方面，第一半固化區(qū)201的寬度LI與第一次曝光的光刻膠101成膜曝光量α成正比。
[0056]即光刻膠101成膜曝光量α越大，曝光的時(shí)間越長第一半固化區(qū)201的寬度LI越大。
[0057]另一方面，同上所述，所述固化區(qū)202的寬度L2與第二次曝光的光刻膠101成膜曝光量β成正比，與光刻膠的顯影剝離時(shí)間Y成反比，L2 = F(i3，Y)。
[0058]實(shí)施例二
[0059]上述步驟S104還包括:
[0060]如圖4a所示，在第一半固化區(qū)201上形成第二半固化區(qū)203。
[0061]其中，如圖4b所示，第二半固化區(qū)203的寬度(L3+L3，)與固化區(qū)202的寬度(L2)之和(L3+L3’ +L2)，小于第一半固化區(qū)201的寬度(LI)。第二半固化區(qū)203的光刻膠的曝光的能量小于光刻膠101的感光閾值E。
[0062]這樣一來，通過在第二次曝光中形成第二半固化區(qū)203，能夠使得固化區(qū)202的寬度進(jìn)一步減小，從而更進(jìn)一步的減小薄膜層100圖案的線寬。
[0063]需要說明的是，如圖4b所示，由于固化區(qū)202的位置位于第一半固化區(qū)201的中間，而第二半固化區(qū)203位于固化區(qū)202的兩側(cè)，因此，第二半固化區(qū)203的寬度為L3+L3’。當(dāng)然，上述第二半固化區(qū)203的位置是根據(jù)曝光用光線的輝光分布的情況來確定的。所以，還可以根據(jù)曝光用光線的輝光分布曲線，對曝光用光線進(jìn)行選擇，使得第二半固化區(qū)203均位于固化區(qū)202的一側(cè)。
[0064]以下根據(jù)如圖4b所示的光線的輝光分布曲線對第二半固化區(qū)203的形成過程進(jìn)行詳細(xì)的說明。由于第二次曝光用光線的輝光分布曲線O’在節(jié)點(diǎn)d至節(jié)點(diǎn)c(或節(jié)點(diǎn)d’至節(jié)點(diǎn)c’ )這一段的陸峭程度,大于從節(jié)點(diǎn)d(或節(jié)點(diǎn)d’ )向下延伸部分的曲線的陸峭程度。因此，光刻膠101在節(jié)點(diǎn)d至節(jié)點(diǎn)c(或節(jié)點(diǎn)d’至節(jié)點(diǎn)c’ )這一段的曝光能量大于光刻膠101在節(jié)點(diǎn)d(或節(jié)點(diǎn)d’ )向下延伸部分這一段的曝光能量。
[0065]其中，節(jié)點(diǎn)d(或節(jié)點(diǎn)d’)為第二次曝光用光線的輝光分布曲線O’與曝光能量E的焦點(diǎn)；節(jié)點(diǎn)c(或節(jié)點(diǎn)c’)為第二次曝光用光線的輝光分布曲線O’與曝光能量E’的焦點(diǎn)。
[0066]因此，第二次曝光過程中，對應(yīng)節(jié)點(diǎn)d至節(jié)點(diǎn)c(或節(jié)點(diǎn)d’至節(jié)點(diǎn)c’)這一段位置(即第二半固化區(qū)203位置)的光刻膠101的固化程度，大于對應(yīng)節(jié)點(diǎn)d(或節(jié)點(diǎn)d’)向下延伸部分的曲線位置(即第一固化區(qū)201位置)的光刻膠101的固化程度。然而，雖然光刻膠101在兩次曝光中，受到的曝光能量的疊加值達(dá)到E’，但由于E’仍然小于光刻膠101的感光閾值E。因此第二次曝光后，形成的第二半固化區(qū)203的光刻膠101任然處于半固化狀態(tài)，只是固化的程度大于第一半固化區(qū)201處的光刻膠101。
[0067]此外，由第二次曝光用光線的輝光分布曲線O’可以看出，光線的分布較為集中的區(qū)域的寬度較實(shí)施例一種的小，使得對應(yīng)生成的固化區(qū)202的寬度進(jìn)一步減小。因此，第二次曝光中光線分布的集中區(qū)域的寬度越小，光線的輝光分布曲線越陡峭，形成的固化區(qū)202的寬度會(huì)越小，從而使得被固化區(qū)202覆蓋的薄膜層100的圖案的線寬越小。
[0068]此外，在上述掩膜曝光過程中，對一些參數(shù)的設(shè)置如下:
[0069]由于，一方面，在通過第二次掩膜曝光工藝后，不僅形成固化區(qū)202，還形成光刻膠101固化程度比第一半固化區(qū)201的光刻膠101高的第二半固化區(qū)203。因此，固化區(qū)202的寬度L2不僅與第一次曝光的光刻膠成膜曝光量α有關(guān)，還與所述第二次曝光的光刻膠101成膜曝光量β均有關(guān)?？梢詫⒌谝淮纹毓獾墓饪棠z成膜曝光量Ct和第二次曝光的光刻膠101成膜曝光量β的比例系數(shù)均設(shè)置為0.5。
[0070]另一方面，在掩膜曝光工藝制后之后進(jìn)行的顯影剝離工藝的時(shí)間內(nèi)，不僅需要對未固化的光刻膠101進(jìn)行處理，還需要對第一半固化區(qū)201以及第二半固化區(qū)203內(nèi)處于半固化的光刻膠101進(jìn)行處理。因此，固化區(qū)202的寬度L2與光刻膠101的顯影剝離時(shí)間Y的1.5倍成反比。
[0071]綜上所述，所述固化區(qū)202的寬度L2與第一次曝光的光刻膠成膜曝光量α的一半，以及所述第二次曝光的光刻膠101成膜曝光量β的一半成正比，與所述光刻膠101的顯影剝離時(shí)間Y的1.5倍成反比，1^2 = ?(0.5 0，0.5@，Y)。
[0072]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種薄膜圖案化的方法，其特征在于，包括: 在基板的表面涂覆一層薄膜層； 在所述薄膜層的表面涂覆光刻膠； 通過掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第一次曝光，形成第一半固化區(qū)，所述第一半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值； 通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光，在所述第一半固化區(qū)上形成固化區(qū)；其中，所述固化區(qū)的寬度小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述固化區(qū)光刻膠的曝光的能量大于等于所述光刻膠的感光閾值； 將所述光刻膠進(jìn)行顯影； 對未被光刻膠覆蓋的所述薄膜層刻蝕； 將所述固化區(qū)的光刻膠剝離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光，還包括在所述第一半固化區(qū)上形成第二半固化區(qū)； 其中，所述第二半固化區(qū)與所述固化區(qū)的寬度之和小于所述第一半固化區(qū)的寬度，所述第二半固化區(qū)光刻膠的曝光的能量小于所述光刻膠的感光閾值。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光包括: 在所述第一半固化區(qū)上形成所述固化區(qū)以及位于所述固化區(qū)兩側(cè)的所述第二半固化區(qū)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述通過所述掩膜版對所述光刻膠進(jìn)行第二次曝光包括: 將所述第一次曝光采用的光源通過光過濾器，對所述光刻膠進(jìn)行所述第二次曝光。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述第一半固化區(qū)的寬度與所述第一次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述固化區(qū)的寬度與所述第二次曝光的光刻膠成膜曝光量成正比，與所述光刻膠的顯影剝離時(shí)間成反比。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于， 所述固化區(qū)的寬度與所述第一次曝光的光刻膠成膜曝光量的一半成正比； 所述固化區(qū)的寬度與所述第二次曝光的光刻膠成膜曝光量的一半成正比； 所述固化區(qū)的寬度與所述光刻膠的顯影剝離時(shí)間的1.5倍成反比。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述薄膜層包括彩色膜層或黑矩陣膜層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述薄膜層包括柵線膜層、數(shù)據(jù)線膜層或公共電極線膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜圖案化的方法，其特征在于，所述光過濾器包括高分辨率裝置、光濃度濾光片或者特定光波長濾光片中的至少一種。
【文檔編號(hào)】G03F7/20GK104460227SQ201410776113
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月15日
【發(fā)明者】張磊, 羅祝義, 孟祥明, 尹鎮(zhèn)鎬, 郭建強(qiáng), 廖洪林 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司