一種陣列基板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的Cgc和/或Cdc的電容值比較大的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：柵線、數(shù)據(jù)線、以及與柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域；而且，所述公共電極層包括位于至少一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，且位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含至少一個鏤空區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例能夠減小Cgc和/或Cdc的電容值。
【專利說明】一種陣列基板和顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)陣列基板不僅包括柵線和數(shù)據(jù)線，還包括與所述柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層時，所述公共電極層與所述柵線之間會形成有寄生電容cg。，以及所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間會形成有寄生電容Cd。。
[0003]目前，電性絕緣的所述公共電極層與柵線之間可以存在交疊區(qū)域，也可以不存在交疊區(qū)域；其中，當(dāng)所述公共電極層與柵線之間存在交疊區(qū)域時，cg。的電容值比較大。類似地，當(dāng)電性絕緣的所述公共電極層與數(shù)據(jù)線之間存在交疊區(qū)域時，Cdc的電容值比較大。
[0004]在Cg。的電容值比較大時，對Cg。進(jìn)行充電所消耗的電量也比較大，導(dǎo)致所述陣列基板的功耗比較大；而且，在Cg。的電容值比較大時，所述柵線上傳輸?shù)男盘枙c所述公共電極層上施加的信號發(fā)生串?dāng)_，從而會造成顯示不良。類似地，在Cd。的電容值比較大時，也會出現(xiàn)功耗比較大和顯示不良的問題。
[0005]綜上所述，目前，當(dāng)所述公共電極層與柵線之間存在交疊區(qū)域時，Cg。的電容值比較大；和/或，當(dāng)所述公共電極層與數(shù)據(jù)線之間存在交疊區(qū)域時，Cdc的電容值比較大。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的Cg。和/或Cd。的電容值比較大的問題。
[0007]第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括:柵線、數(shù)據(jù)線、以及與所述柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域；
[0008]所述公共電極層包括位于至少一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，且位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含至少一個鏤空區(qū)域。
[0009]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含多個鏤空區(qū)域；
[0010]所述多個鏤空區(qū)域呈矩陣式排布。
[0011]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
[0012]較佳地，各所述鏤空區(qū)域?yàn)閳A形。
[0013]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含一個鏤空區(qū)域；
[0014]所述一個鏤空區(qū)域?yàn)殚L方形。
[0015]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域滿足:對于所述鏤空區(qū)域的邊框上的任意一點(diǎn)，其距離所述交疊區(qū)域的邊框的最小值不小于2微米。
[0016]較佳地，所述公共電極層、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線分別位于不同層，所述陣列基板還包括:
[0017]位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層；其中，所述中間層包括鈍化層和/或樹脂層，所述鈍化層的材料包括二氧化硅或氮化硅中的一種或多種。
[0018]較佳地，所述中間層的厚度的取值不小于2微米。
[0019]第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實(shí)施例中所述的陣列基板。
[0020]本發(fā)明實(shí)施例的有益效果包括:
[0021]在本發(fā)明實(shí)施例中，陣列基板包括:柵線、數(shù)據(jù)線、以及與柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域；而且，所述公共電極層包括位于至少一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，且位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含至少一個鏤空區(qū)域；
[0022]與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于本發(fā)明實(shí)施例的公共電極層在至少一個所述交疊區(qū)域設(shè)置具有鏤空區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，從而能夠減小公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積，進(jìn)而能夠減小Cg。和/或Cd。的電容值。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1a?圖1d為本發(fā)明實(shí)施例中位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖2為本發(fā)明實(shí)施例中HADS (High advanced dimens1n switch,高透過率高級維場開關(guān))模式顯示裝置包括的陣列基板的俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]為了清楚說明本發(fā)明實(shí)施例的方案，下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0026]需要說明的是，附圖中各層膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0027]較佳地，本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，包括:柵線、數(shù)據(jù)線、以及與柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域；
[0028]所述公共電極層包括位于至少一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，且位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含至少一個鏤空區(qū)域。
[0029]實(shí)施中，與現(xiàn)有技術(shù)相比，在本發(fā)明實(shí)施例中，由于本發(fā)明實(shí)施例的公共電極層在至少一個所述交疊區(qū)域設(shè)置具有鏤空區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，從而能夠減小公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積；
[0030]因此，本發(fā)明實(shí)施例能夠減小Cg。和/或Cd。的電容值；從而可以在一定程度上降低陣列基板的功耗、以及避免顯示不良的發(fā)生。
[0031]較佳地，公共電極層包括位于各個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部。
[0032]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部的具體結(jié)構(gòu)不變的情況下，設(shè)置鏤空結(jié)構(gòu)部的交疊區(qū)域的個數(shù)越多，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積越小，Cgc和/或(^。的電容值越?。灰虼?，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部的具體結(jié)構(gòu)不變的情況下，在公共電極層包括位于各個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部時，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積最小，Cgc和/或Cd。的電容值最小。
[0033]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部的大小，可以與對應(yīng)的交疊區(qū)域大小相匹配；也可以與對應(yīng)的交疊區(qū)域大小不匹配；
[0034]比如，以位于一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部為例，如圖1a所示，位于交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2的大小，與對應(yīng)的交疊區(qū)域I大小相匹配；如圖1b所示，位于交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2的大小，與對應(yīng)的交疊區(qū)域I大小不匹配，此時，位于交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2的大小略大于對應(yīng)的交疊區(qū)域I大小。
[0035]需要說明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部只需要滿足包含至少一個鏤空區(qū)域即可；而位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的具體個數(shù)、形狀、大小、以及排列方式等可以根據(jù)需要任意設(shè)定。
[0036]較佳地，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部可以包含一個鏤空區(qū)域，也可以包含多個鏤空區(qū)域。
[0037]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的大小不變的情況下，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的個數(shù)越多，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積越小，Cgc和/或cd。的電容值越小。
[0038]較佳地，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的形狀可以為規(guī)則形狀，也可以為不規(guī)則形狀。
[0039]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的形狀為規(guī)則形狀時，其制作復(fù)雜度比較低。
[0040]較佳地，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的大小可以根據(jù)需要任意設(shè)定。
[0041]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的個數(shù)不變的情況下，位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域越大，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積越小，Cgc和/或cd。的電容值越小。
[0042]較佳地，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含多個鏤空區(qū)域時，該多個鏤空區(qū)域可以規(guī)則排列，也可以雜亂排列。
[0043]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的多個鏤空區(qū)域規(guī)則排列時，其制作復(fù)雜度比較低。
[0044]下面以位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的個數(shù)為分類依據(jù)，分別對位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域的幾種較佳的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0045]一、位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含多個鏤空區(qū)域。
[0046]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含多個鏤空區(qū)域；
[0047]所述多個鏤空區(qū)域呈矩陣式排布。
[0048]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的多個鏤空區(qū)域呈矩陣式排布時，其制作復(fù)雜度比較低。
[0049]較佳地，如圖1a所示，位于交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
[0050]實(shí)施中，在位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)時，其制作復(fù)雜度比較低。
[0051]較佳地，如圖1c所示，位于交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2包含的各所述鏤空區(qū)域3為圓形。
[0052]實(shí)施中，柵線和數(shù)據(jù)線一般為長條形，在公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間存在交疊區(qū)域時，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間存在的交疊區(qū)域一般為長方形；因此，與所述鏤空區(qū)域?yàn)槠渌螤钕啾?，在各所述鏤空區(qū)域?yàn)閳A形時，可以保證公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積比較小，Cgc和/或cd。的電容值比較小。
[0053]二、位于交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含一個鏤空區(qū)域。
[0054]較佳地，如圖1d所示，位于所述交疊區(qū)域I的鏤空結(jié)構(gòu)部2包含一個鏤空區(qū)域3 ；
[0055]所述一個鏤空區(qū)域3為長方形。
[0056]實(shí)施中，柵線和數(shù)據(jù)線一般為長條形，在公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間存在交疊區(qū)域時，公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間存在的交疊區(qū)域一般為長方形；因此，與所述鏤空區(qū)域?yàn)槠渌螤钕啾?，在所述一個鏤空區(qū)域?yàn)殚L方形時，可以保證公共電極層與柵線和/或數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積比較小，Cgc和/或cd。的電容值比較小，另外，制作復(fù)雜度也比較低。
[0057]較佳地，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域滿足:對于所述鏤空區(qū)域的邊框上的任意一點(diǎn)，其距離所述交疊區(qū)域的邊框的最小值不小于2微米。
[0058]實(shí)施中，對于所述鏤空區(qū)域的邊框上的任意一點(diǎn)，其距離所述交疊區(qū)域的邊框的最小值不小于2微米；可以在一定程度上避免漏光問題的發(fā)生。
[0059]較佳地，所述公共電極層、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線分別位于不同層，所述陣列基板還包括:
[0060]位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層；其中，所述中間層包括鈍化層和/或樹脂層，所述鈍化層的材料包括二氧化硅或氮化硅中的一種或多種。
[0061]實(shí)施中，通過在所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間、以及在所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間制作中間層，可以增大所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的距離，以及增大所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間的距離；
[0062]而本案的發(fā)明人在發(fā)明過程中注意到:公共電極層與柵線所在膜層之間的距離越大，cg。的電容值越?。活愃频?，公共電極層與數(shù)據(jù)線所在膜層之間的距離越大，cd。的電容值越小；因此，本發(fā)明實(shí)施例能夠減小Cg。和cd。的電容值；從而可以在一定程度上降低陣列基板的功耗、以及避免顯示不良的發(fā)生。
[0063]需要說明的是，根據(jù)所述公共電極層、所述柵線所在膜層與所述數(shù)據(jù)線所在膜層的膜層順序不同，位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層可以為同一膜層，也可以為不同膜層；
[0064]比如，在所述公共電極層位于所述柵線所在膜層和所述數(shù)據(jù)線所在膜層之間時，位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層(第一中間層)、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層(第二中間層)為不同膜層；
[0065]在所述柵線所在膜層位于所述公共電極層和所述數(shù)據(jù)線所在膜層之間，且在所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間設(shè)置中間層時，位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層為同一膜層；
[0066]在所述數(shù)據(jù)線所在膜層位于所述公共電極層和所述柵線所在膜層之間，且在所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間設(shè)置中間層時，位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層為同一膜層。
[0067]具體實(shí)施中，可以根據(jù)應(yīng)用需要設(shè)定中間層的厚度；比如，在設(shè)定中間層的厚度時，綜合考慮減小Cg。和Cd。的電容值的效果、以及陣列基板的厚度。
[0068]較佳地，可以通過增加或減少鈍化層和/或樹脂層的膜層數(shù)量，以獲得具有設(shè)定厚度的中間層。
[0069]較佳地，所述中間層的厚度的取值不小于2微米。
[0070]實(shí)施中，所述中間層的厚度的取值不小于2微米，可以保證減小Cg。和Cd。的電容值的效果比較好。
[0071]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板可以為任一種滿足如下條件的陣列基板:其包括:柵線、數(shù)據(jù)線、以及與柵線和數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域；
[0072]比如，HADS模式顯示裝置包括的陣列基板，或者，IADS(Innovative advanceddimens1n switch,創(chuàng)新高級維場開關(guān))模式顯示裝置包括的陣列基板。
[0073]實(shí)施例
[0074]下面以HADS模式顯示裝置中陣列基板包括的一個像素單元的結(jié)構(gòu)為例，對本發(fā)明實(shí)施例的方案進(jìn)行說明。
[0075]如圖2所示，HADS模式顯示裝置的陣列基板包括:相互交叉以界定像素單元的柵線10和數(shù)據(jù)線20，位于該像素單元內(nèi)且相互電性連接的TFT(薄膜晶體管)30和像素電極40，與柵線10同層設(shè)置且相互絕緣的公共電極線50，以及通過過孔60與公共電極線50電性連接的公共電極層70 ；
[0076]電性絕緣的公共電極層70與柵線10之間存在交疊區(qū)域A，且電性絕緣的公共電極層70與數(shù)據(jù)線20之間存在交疊區(qū)域B ；
[0077]公共電極層70包括位于像素電極40正上方的多個鏤空區(qū)域71，以便公共電極層70與像素電極40之間能夠形成邊緣電場；以及公共電極層70包括位于TFT 30正上方的鏤空區(qū)域72，以避免公共電極層70對TFT 30造成干擾；另外，公共電極層70還包括位于交疊區(qū)域A和交疊區(qū)域B的具有鏤空區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部2，且位于交疊區(qū)域A和交疊區(qū)域B的鏤空結(jié)構(gòu)部2均呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
[0078]實(shí)施中，電性絕緣的公共電極層與柵線之間存在交疊區(qū)域，且電性絕緣的公共電極層與數(shù)據(jù)線之間存在交疊區(qū)域，因此，Cgc和cd。的電容值均比較大；而由于公共電極層在該交疊區(qū)域設(shè)置呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)的鏤空結(jié)構(gòu)部，因此，能夠減小公共電極層與柵線之間的實(shí)際交疊面積，以及減小公共電極層與數(shù)據(jù)線之間的實(shí)際交疊面積，進(jìn)而能夠減小Cgc^PCd。的電容值。
[0079]較佳地，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括:本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板。
[0080]實(shí)施中，本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板中的Cg。和/或Cd。的電容值減小了，使得所述陣列基板的功耗、以及顯示不良問題的發(fā)生概率在一定程度上降低了，因此，包括本發(fā)明實(shí)施例中的陣列基板的顯示裝置的功耗、以及顯示不良問題的發(fā)生概率也在一定程度上降低了。
[0081]較佳地,所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED (Organic Light EmittingD1de，有機(jī)發(fā)光二極管)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0082]盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實(shí)施例作出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實(shí)施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。
[0083]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:柵線、數(shù)據(jù)線、以及與所述柵線和所述數(shù)據(jù)線電性絕緣的公共電極層，其中，所述公共電極層與所述柵線之間存在至少一個交疊區(qū)域，和/或，所述公共電極層與所述數(shù)據(jù)線之間存在至少一個交疊區(qū)域，其特征在于， 所述公共電極層包括位于至少一個所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部，且位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含至少一個鏤空區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含多個鏤空區(qū)域； 所述多個鏤空區(qū)域呈矩陣式排布。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部呈網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，各所述鏤空區(qū)域?yàn)閳A形。
5.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含一個鏤空區(qū)域； 所述一個鏤空區(qū)域?yàn)殚L方形。
6.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，位于所述交疊區(qū)域的鏤空結(jié)構(gòu)部包含的鏤空區(qū)域滿足:對于所述鏤空區(qū)域的邊框上的任意一點(diǎn)，其距離所述交疊區(qū)域的邊框的最小值不小于2微米。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層、所述柵線與所述數(shù)據(jù)線分別位于不同層，所述陣列基板還包括: 位于所述柵線所在膜層和所述公共電極層之間、以及位于所述數(shù)據(jù)線所在膜層和所述公共電極層之間的中間層；其中，所述中間層包括鈍化層和/或樹脂層，所述鈍化層的材料包括二氧化硅和氮化硅中的一種或多種。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述中間層的厚度的取值不小于2微米。
9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1?8任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號】G02F1/1333GK104267546SQ201410484505
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月19日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月19日
【發(fā)明者】寧策, 吳俊緯, 張玉婷 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司