一種小型化y波導尾纖的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種小型化Y波導尾纖的制備方法，包括：將硅晶圓劃切成陣列；將硅塊陣列端面磨斜成15度角；對硅塊陣列進行清洗；裝夾硅塊陣列并進行調平處理；光纖處理；光纖的裝卡和定軸；光纖入槽；曝光粘接；光纖頭切割；光纖陣列裝夾；光纖陣列磨拋；光纖陣列劃切；及單個硅塊處理。本發(fā)明的方法能夠實現(xiàn)小尺寸(1.8(長)×1.3(寬)×1.5(高)mm)Y波導尾纖的制備，進而減小Y波導器件體積，并且該工藝技術適用于批量生產(chǎn)，一次可以同時磨拋10排(210根)尾纖，能夠實現(xiàn)較高的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】一種小型化Y波導尾纖的制備方法

【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于光電子器件領域，具體地，涉及一種小型化光纖陀螺用小型化Y波導尾纖的制備方法。

【背景技術】
[0002]在諸多光纖陀螺的實現(xiàn)方案中，使用Y波導集成光學器件(簡稱Y波導)的閉環(huán)干涉式光纖陀螺具有檢測靈敏度高、標度因數(shù)穩(wěn)定性好、動態(tài)范圍寬、易于數(shù)字輸出等優(yōu)點，成為光纖陀螺的主流方案。
[0003]目前，閉環(huán)干涉式光纖陀螺(簡稱陀螺)已經(jīng)向小型化方向發(fā)展，陀螺直徑從I1mm減小到90mm，甚至更小。因此陀螺中的Y波導器件尺寸也得相應減小。Y波導包括封裝殼、芯片、輸入尾纖、輸出尾纖四部分結構，Y波導器件尺寸減小，這四部分結構的尺寸也需要相應減小。
[0004]小型化Y波導尾纖與正常尺寸的Y波導尾纖有著相當大的不同，正常尺寸的Y波導尾纖磨拋前，單個硅塊的尺寸約為3.5 (長)X 2 (寬)X 1.8 (高)mm，保偏光纖位于寬度方向的中心位置，即保偏光纖與硅塊兩側的距離均為1mm，研磨拋光后單個硅塊的尺寸約為3.3 (長)X2 (寬)X 1.8 (高)mm。而小型化Y波導尾纖磨拋前，單個硅塊的尺寸約為
2.0(長)X1.3(寬)X1.5(高)mm,保偏光纖不位于寬度方向的中心位置,而是與娃塊一個側邊的距離為1mm，與硅塊另一側邊的距離為0.3mm，研磨拋光后單個硅塊的尺寸約為
1.8 (長)X 1.3 (寬)X 1.5 (高)mm，長度與寬度方向幾乎縮小一半。由于存在上述尺寸上及結構上不對稱的差異，小型化Y波導尾纖的制備存在如下技術難點:
[0005](I)由于小型化尾纖的硅塊長度比正常尺寸尾纖的硅塊長度幾乎縮小一半，磨拋前，其長度只有2_。由于硅塊的端面需要磨拋，磨拋時還需要將硅塊伸出磨拋夾具一段距離。此外，由于在一次磨拋的同時裝夾多排硅塊進行磨拋，需要考慮各排硅塊之間的裝夾公差，避免出現(xiàn)在磨拋結束后，有的硅塊已經(jīng)拋光到，而有的硅塊還未研磨到的現(xiàn)象，硅塊伸出磨拋夾具的距離不能太短。綜合以上考慮，硅塊能裝夾的長度不能超過1.2mm，如此小的裝夾長度，還必須保證經(jīng)過研磨拋光后的端面角度在15° ±1°的范圍內，要實現(xiàn)該工藝存在很大難度；
[0006](2)由于小型化尾纖的光纖在硅塊上的位置不居中，離最近的一側的距離只有
0.3mm，在磨拋結束后，將整排尾纖劃切成單個尾纖時存在很大難度。整排尾纖中，每個尾纖單元的寬度周期是1.5_，劃切后寬度只有1.3_，刀片消耗的寬度為0.2_。劃切難度在于:一是體積過小，劃切時，由于粘接面積小，容易發(fā)生硅塊與粘接材料脫離的現(xiàn)象，導致劃切位置與設計時的位置不對應，進而使得整排尾纖報廢；二是在硅塊部位，劃切刀片與光纖之間的距離只有0.3mm，在硅塊外部，由于是整排硅塊上的所有光纖都合成一束纏繞在一起，因此在硅塊外部，劃切刀片與光纖的距離小于0.3mm，劃切刀片與光纖的距離過近，在劃切過程中很容易出現(xiàn)刀片劃到光纖，導致光纖損傷甚至斷裂的現(xiàn)象。


【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明要解決的技術問題是:針對現(xiàn)有技術中的不足，提供一種小型化Y波導尾纖的制備方法，以實現(xiàn)小型化Y波導尾纖的整排定軸、磨拋及劃切成單個，確保光纖端面角度及質量滿足使用要求。
[0008]為解決上述技術問題，根據(jù)本發(fā)明的方法包括以下技術方案:
[0009]一種小型化Y波導尾纖的制備方法，包括以下步驟:
[0010]S1、將已經(jīng)腐蝕出V型槽的硅晶圓切成多個長度為2.2mm的硅塊陣列；
[0011]S2、用粒度為10 μ m的磨料對各個硅塊陣列進行研磨，將硅塊陣列磨成長度為
2.0mm、端面為15° ±0.5°角的娃塊陣列；
[0012]S3、分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗硅塊陣列，然后用氫氟酸將硅塊表面的二氧化硅腐蝕干凈，再用去離子水進行超聲清洗并吹干；
[0013]S4、裝夾其中一排硅塊陣列，使得硅塊陣列的第一個V型槽的磨斜成15°角的端面位于電荷耦合探測器的顯微鏡視場的中心位置；旋轉電荷耦合探測器，直至硅塊陣列的V型槽的上表面與電荷耦合探測器的圖像采集系統(tǒng)自帶軟件上的“十”字線的水平線平行；
[0014]S5、將保偏光纖按需求長度進行截取，并將截取到的光纖纏繞成光纖線圈，將其中一端的光纖頭用光纖熱撥器剝除涂覆層，再用光纖切割刀切割裸纖的光纖頭，使其端面平整；
[0015]S6、裝夾經(jīng)步驟S5處理后的保偏光纖，使光纖涂覆層剝離端口基本與硅塊陣列的V型槽寬槽與窄槽的交界處對齊；同時，調節(jié)光纖的前后位置，使光纖位于硅塊陣列中第一個V型槽的上方；并在硅塊陣列的V型槽內涂適量紫外固化膠；
[0016]S7、根據(jù)實際需求,使保偏光纖的慢軸垂直于娃塊陣列的上表面或者是平行于娃塊陣列的上表面；
[0017]S8、將保偏光纖放入經(jīng)步驟S4處理后的硅塊陣列的第一個V型槽內，使光纖帶涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的寬槽位置，光纖無涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的窄槽位置，并用壓片將保偏光纖壓??；之后使用紫外曝光燈進行曝光固化處理，并在固化完畢后移走光纖壓片；
[0018]S9、重復步驟S5至S8，依次將硅塊陣列的其余V型槽都粘上光纖；
[0019]S10、重復步驟S4-S9步，將經(jīng)步驟SI處理得到的多個硅塊陣列都粘上光纖；
[0020]SI 1、用光纖劃筆逐根將伸出硅塊的光纖頭劃斷；
[0021]S12、用粒度為3 μ m的磨料對粘好光纖的硅塊陣列的經(jīng)步驟S2處理后的端面部分進行研磨，控制研磨速率在2-6 μ m/min,研磨長度達到200 μ m后用粒度為I μ m的磨料進行研磨，控制研磨速率在0.3-0.8 μ m/min,研磨長度達到50 μ m后，再用拋光液進行拋光，硅塊陣列經(jīng)磨拋后的長度為1.8_左右，然后進行超聲清洗；
[0022]S13、將經(jīng)前述步驟處理后的任一排硅塊陣列粘貼到藍膜上，并將保偏光纖順直粘在藍膜上，將藍膜放在劃片機的切割盤上，并通過抽真空進行吸附；
[0023]S14、將硅塊陣列劃切成單個硅塊，之后用氮氣吹干，并將單個硅塊的尾纖纏繞成圈，由此完成小型化Y波導尾纖的制備。
[0024]進一步地，所述步驟SI中的硅晶圓為110晶面，且根據(jù)定軸光纖直徑腐蝕出V型槽，對于包層直徑為125 μ m的光纖，V型槽寬度為140 μ m?200 μ m ;對于包層直徑為80 μ m的光纖，V型槽寬度為80 μ m?120 μ m。
[0025]進一步地，在所述步驟SI的實施過程中，劃切前要用藍膜粘貼硅晶圓的背面，且必須將藍膜與硅晶圓之間的氣泡趕出。
[0026]與現(xiàn)有技術相比，根據(jù)本發(fā)明的小型化Y波導尾纖的制備方法具有有益的技術效果:
[0027]根據(jù)本發(fā)明的方法能夠實現(xiàn)小尺寸(1.8 (長)X 1.3 (寬)X 1.5 (高)mm) Y波導尾纖的制備，進而減小Y波導器件體積，并且該工藝技術適用于批量生產(chǎn)，一次可以同時磨拋10排(210根)尾纖，能夠實現(xiàn)較高的生產(chǎn)效率，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]圖1是腐蝕出V型槽的硅晶圓的示意圖；
[0029]圖2是劃切成整排的硅塊陣列的示意圖；
[0030]圖3是端面磨成15°角的硅塊陣列的側視圖；
[0031]圖4是保偏光纖定軸系統(tǒng)的示意圖；
[0032]圖5示出了保偏光纖的兩個應力區(qū)邊沿均與“十”字線的垂直線相切；
[0033]圖6是根據(jù)本發(fā)明的方法的流程示意圖；
[0034]圖7是本發(fā)明采用的小型化硅塊磨拋專用夾具的側視圖；
[0035]圖8是圖7中的小型化硅塊磨拋專用夾具的立體圖；
[0036]圖9是本發(fā)明采用的光纖夾具的立體圖；
[0037]圖10是本發(fā)明采用的硅塊固定夾具的立體圖。

【具體實施方式】
[0038]下面將結合附圖和具體實施例對根據(jù)本發(fā)明的小型化Y波導尾纖的制備方法做進一步詳細的說明。
[0039]目前閉環(huán)干涉式光纖陀螺已經(jīng)向小型化方向發(fā)展，因此其對元器件的尺寸要求也越來越小。Y波導器件是光纖陀螺的關鍵元器件之一，其封裝尺寸也向小型化方向發(fā)展，針對這種小型化Y波導器件的應用，我們提出一種小型化Y波導尾纖的制備方法，解決了小尺寸硅塊陣列的磨拋裝卡問題及劃切問題，可實現(xiàn)高效率批量生產(chǎn)。本發(fā)明的方法可以實現(xiàn)小型化Y波導尾纖的制備，并且減小Y波導器件的封裝尺寸。
[0040]請參考圖6，根據(jù)本發(fā)明的方法包括以下步驟:
[0041](I)將已經(jīng)腐蝕出V型槽的硅晶圓(如圖1所示)粘貼在藍膜上，然后將該硅晶圓切成多個長度為2.2mm的硅塊陣列(如圖2所示)。
[0042]實踐中，可以采用光刻顯影的方式在硅晶圓上形成腐蝕窗口，并采用氫氧化鉀溶液腐蝕出V型槽。并且可以使用劃片機對硅晶圓進行切割。硅晶圓可以使110晶面，且根據(jù)定軸光纖直徑腐蝕出V型槽，對于包層直徑為125 μ m的光纖，V型槽寬度為HOym?200 μ m ;對于包層直徑為80 μ m的光纖，V型槽寬度為80 μ m?120 μ m。此外，劃切前要用藍膜粘貼硅晶圓的背面，且必須將藍膜與硅晶圓之間的氣泡趕出。
[0043](2)采用粒度為10 μ m的磨料對各個硅塊陣列進行研磨，將這些硅塊陣列磨成長度為2.0mm、端面為15° ±0.5°角的硅塊陣列(請參考圖3)。
[0044]實踐中，可以采用小型化硅塊磨拋專用夾具裝夾這些硅塊陣列，并將該夾具安裝在磨拋機上。通常，小型化硅塊磨拋專用夾具由一個底座8、一個15°角度基準塊9、一個卡塊10、五個固定塊夾具11及五個壓板12裝配而成，每個固定塊夾具能裝卡兩排硅塊13，通過該夾具能將硅塊陣列磨成端面15°角(請參考圖7、圖8)。
[0045](3)將硅塊陣列分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗，然后用氫氟酸將硅塊表面的二氧化硅腐蝕干凈，再用去離子水進行超聲清洗并吹干。
[0046](4)裝夾其中一排硅塊陣列，使得硅塊陣列的第一個V型槽的磨斜成15°角的端面位于電荷耦合探測器的顯微鏡視場的中心位置；旋轉電荷耦合探測器，直至硅塊陣列的V型槽的上表面與電荷耦合探測器的圖像采集系統(tǒng)自帶軟件上的“十”字線的水平線平行。
[0047]實踐中，可以利用三維可調的硅塊固定夾具(請參考圖4和圖10)裝夾硅塊陣列，通過調節(jié)硅塊固定夾具底部的三軸位移臺，使得硅塊陣列第一個V型槽的磨斜成15°角的端面位于電荷耦合探測器3的顯微鏡視場的中心位置。
[0048]進行本步驟的目的是使硅塊V型槽上表面與基準線的水平線平行，后續(xù)再將保偏光纖的慢軸與基準線的垂直線或水平線調平行，即使得保偏光纖慢軸與硅塊上表面垂直或平行。
[0049](5)將包層直徑為125 μ m或80 μ m的保偏光纖按需求長度進行截取，并將截取到的光纖纏繞成光纖線圈，其中一端光纖頭留出1cm長，用光纖熱剝機將留出光纖頭的一端剝去約2cm的光纖涂覆層，將該端的光纖頭制成為裸纖，再用光纖切割刀切割該光纖頭，使其端面平整。
[0050]該步驟的目的是切割出平整的光纖端面，便于在圖像采集系統(tǒng)中能夠觀察到清晰的端面，能夠識別應力區(qū)。
[0051](6)裝夾經(jīng)步驟(5)處理后的保偏光纖，使光纖涂覆層剝離端口基本與硅塊陣列的V型槽寬槽6與窄槽7 (參考圖2)的交界處對齊。同時，通過三維位移臺調節(jié)光纖的前后位置，使光纖位于硅塊陣列中第一個V型槽的上方；并在硅塊陣列的V型槽內涂適量紫外固化膠。
[0052]實踐中，可以將經(jīng)步驟(5)處理后的保偏光纖裝卡到如圖9所示的定軸光纖卡具(圖4中的位置I處)上。通過將光纖裝夾到光纖夾具中部的細長凹槽中，可實現(xiàn)光纖的固定。涂適量紫外固化膠的目的是為了將光纖與硅塊粘接在一起。
[0053](7)根據(jù)實際需求,旋轉保偏光纖,使保偏光纖的慢軸垂直于娃塊陣列的上表面或者是平行于硅塊陣列的上表面。
[0054]實踐中，可以移動電荷耦合探測器3，使其聚焦到保偏光纖的端面；同時通過三軸位移臺調節(jié)光纖的位置，確保光纖端面在電荷耦合探測器的顯微鏡的視場中心；然后調節(jié)圖像采集軟件上的“十”字線位置，并旋轉光纖，直至保偏光纖的兩個應力區(qū)邊沿均與“十”字線的垂直線相切(參考圖5，使用保偏光纖慢軸傳光)或與“十”字線的水平線相切(使用保偏光纖快軸傳光)。
[0055](8)然后將保偏光纖放入經(jīng)步驟S4處理后的第一個V型槽內，使光纖帶涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的寬槽6(圖2)位置，光纖無涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的窄槽7 (圖2)位置；之后用光纖壓片壓住保偏光纖，用紫外曝光燈進行曝光固化處理，固化完畢后移走光纖壓片。
[0056]實踐中，可以移動電荷耦合探測器3，使其顯微鏡聚焦至硅塊陣列端面，之后進行上述操作。
[0057]上述的三維可調的硅塊固定夾具、定軸光纖卡具、電荷耦合探測器3可采用如圖4示意的保偏光纖定軸系統(tǒng)，該保偏光纖定軸系統(tǒng)包括光纖裝夾系統(tǒng)、硅塊裝夾系統(tǒng)、電荷耦合探測器、面包板4、圖像采集系統(tǒng)五部分。面包板用于固定光纖裝夾系統(tǒng)、硅塊裝夾系統(tǒng)、電荷耦合探測器，如圖4所示。光纖裝夾系統(tǒng)由一套四維微調架及一個光纖夾具裝配而成，四維微調架分別由X、Y、Z及ΘΧ四個軸組成，三個平移軸可實現(xiàn)光纖的三軸位移，ΘΧ為旋轉軸，可實現(xiàn)光纖的軸向旋轉。光纖夾具如圖9所示，通過將光纖裝夾到光纖夾具中部的細長凹槽中，可實現(xiàn)光纖的固定。硅塊裝夾系統(tǒng)由一套X、Y、Z三維微調架及硅塊固定夾具裝配而成，其中，硅塊固定夾具如圖10所示，將硅塊陣列放到圖10所示的夾具立板上的矩形槽中即可。圖像采集系統(tǒng)由圖像采集卡、計算機及帶“十”字線的圖像采集軟件組成，圖像采集卡通過同軸電纜與電荷耦合探測器相連接，可實現(xiàn)硅塊端面及光纖端面的觀察。
[0058](9)重復步驟(5)-(8)，依次將硅塊陣列的其余V型槽都粘上光纖。
[0059](10)重復步驟(4)-(9)步，將經(jīng)步驟(I)處理得到的多個硅塊陣列都粘上光纖。
[0060](11)用光纖劃筆逐根將伸出硅塊的光纖頭劃斷。
[0061](12)先用粒度為3 μ m的磨料對粘好光纖的硅塊陣列的經(jīng)步驟(2)處理的端面部分進行研磨，控制研磨速率約為2μηι?6 μ m/min,研磨長度達到200μηι后用粒度為Ιμπι的磨料進行研磨，控制研磨速率約為0.3 μ m?0.8 μ m/min,研磨長度達到50 μ m后,再用拋光液進行拋光，硅塊陣列經(jīng)磨拋后的長度為1.8_左右，然后進行超聲清洗。
[0062]實踐中，可以先將粘好光纖的多個硅塊陣列裝卡到如上所述的小型化硅塊磨拋夾具(如圖7和圖8所示)上，并將該夾具安裝到磨拋機上，之后進行磨拋操作。
[0063]本步驟的目的是通過小型化硅塊磨拋專用夾具將光纖端面及硅塊端面拋光成15°角，以便與Y波導芯片端面對接，經(jīng)過拋光的光纖端面能夠減小端面的散射損耗。
[0064](13)將經(jīng)前述步驟處理后的任意一個硅塊陣列粘貼在藍膜中心位置，并將保偏光纖順直(即使其不彎曲)粘在藍膜上，將藍膜放在劃片機的切割盤上，并通過抽真空進行吸附。
[0065](14)將硅塊陣列劃切成單個硅塊，之后用氮氣吹干，并將單個硅塊的尾纖纏繞成圈，由此完成小型化Y波導尾纖的制備。
[0066]操作過程中，可以將劃片機程序中的包絡線與硅塊陣列上的劃切線5進行對準，并使包絡線中心線處于劃切線5的中心位置；然后從無光纖一側開始進刀劃切，刀片與藍膜的接觸點與硅塊端面之間的距離為47mm，進刀量為40mm，確保將硅塊剛劃開即停止進刀，避免進刀量過大導致光纖劃傷；劃片機的切割盤以1.5mm的周期進行移動，將整排硅塊劃切成單個硅塊。
[0067]當將整批硅塊陣列都劃切成單個硅塊之后，將硅塊從藍膜上取下，用氮氣吹干，并將單個硅塊的尾纖纏繞成圈，完成整批小型化Y波導尾纖的制備。
[0068]在此，需要說明的是，本說明書中未詳細描述的內容，是本領域技術人員通過本說明書中的描述以及現(xiàn)有技術能夠實現(xiàn)的，因此，不做贅述。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非用來限制本發(fā)明的保護范圍。對于本領域的技術人員來說，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，可以對本發(fā)明做出若干的修改和替換，所有這些修改和替換都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。
【權利要求】
1.一種小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、將已經(jīng)腐蝕出V型槽的硅晶圓切成多個長度為2.2mm的硅塊陣列； 52、用粒度為10μ m的磨料對各個硅塊陣列進行研磨，將硅塊陣列磨成長度為2.0mm,端面為15° ±0.5°角的娃塊陣列； 53、分別用丙酮、酒精、去離子水超聲清洗硅塊陣列，然后用氫氟酸將硅塊表面的二氧化硅腐蝕干凈,再用去離子水進行超聲清洗并吹干； 54、裝夾其中一排硅塊陣列，使得硅塊陣列的第一個V型槽的磨斜成15°角的端面位于電荷耦合探測器的顯微鏡視場的中心位置；旋轉電荷耦合探測器，直至硅塊陣列的V型槽的上表面與電荷耦合探測器的圖像采集系統(tǒng)自帶軟件上的“十”字線的水平線平行； 55、將保偏光纖按需求長度進行截取，并將截取到的光纖纏繞成光纖線圈，將其中一端的光纖頭用光纖熱撥器剝除涂覆層，再用光纖切割刀切割裸纖的光纖頭，使其端面平整； 56、裝夾經(jīng)步驟S5處理后的保偏光纖，使光纖涂覆層剝離端口基本與硅塊陣列的V型槽寬槽與窄槽的交界處對齊；同時，調節(jié)光纖的前后位置，使光纖位于硅塊陣列中第一個V型槽的上方；并在硅塊陣列的V型槽內涂適量紫外固化膠； 57、根據(jù)實際需求，使保偏光纖的慢軸垂直于硅塊陣列的上表面或者是平行于硅塊陣列的上表面； 58、將保偏光纖放入經(jīng)步驟S4處理后的硅塊陣列的第一個V型槽內，使光纖帶涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的寬槽位置，光纖無涂覆層的部位置于硅塊陣列中V型槽的窄槽位置，并用壓片將保偏光纖壓??；之后使用紫外曝光燈進行曝光固化處理，并在固化完畢后移走光纖壓片； 59、重復步驟S5至S8，依次將硅塊陣列的其余V型槽都粘上光纖； 510、重復步驟S4-S9步，將經(jīng)步驟SI處理得到的多個硅塊陣列都粘上光纖； 511、用光纖劃筆逐根將伸出硅塊的光纖頭劃斷； 512、用粒度為3μ m的磨料對粘好光纖的硅塊陣列的經(jīng)步驟S2處理后的端面部分進行研磨，控制研磨速率在2-6 μ m/min,研磨長度達到200 μ m后用粒度為I μ m的磨料進行研磨，控制研磨速率在0.3-0.8 μ m/min,研磨長度達到50 μ m后，再用拋光液進行拋光，硅塊陣列經(jīng)磨拋后的長度為1.8_左右，然后進行超聲清洗； 513、將經(jīng)前述步驟處理后的任一排硅塊陣列粘貼到藍膜上，并將保偏光纖順直粘在藍膜上，將藍膜放在劃片機的切割盤上，并通過抽真空進行吸附； 514、將硅塊陣列劃切成單個硅塊，之后用氮氣吹干，并將單個硅塊的尾纖纏繞成圈，由此完成小型化Y波導尾纖的制備。
2.根據(jù)權利要求1所述的小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，所述步驟SI中的硅晶圓為110晶面，且根據(jù)定軸光纖直徑腐蝕出V型槽，對于包層直徑為125 μ m的光纖，V型槽寬度為14(^111?200 4 111;對于包層直徑為80 μ m的光纖，V型槽寬度為80 μ m?120 μ m0
3.根據(jù)權利要求1所述的小型化Y波導尾纖的制備方法，其特征在于，在所述步驟SI的實施過程中，劃切前要用藍膜粘貼硅晶圓的背面，且必須將藍膜與硅晶圓之間的氣泡趕出。
【文檔編號】G02B6/36GK104238032SQ201410484197
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月19日 優(yōu)先權日:2014年9月19日
【發(fā)明者】黃韜, 宋武, 汪飛琴, 鄭國康, 夏君磊 申請人:北京航天時代光電科技有限公司