一種掩模板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及光刻【技術領域】，公開一種掩模板，包括不透光區(qū)域，還包括：第一半透光區(qū)域；第二半透光區(qū)域；所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。該掩模板可以解決因為光刻膠厚度差異導致的過刻不良的工藝問題。
【專利說明】一種掩模板
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及光刻【技術領域】，具體涉及一種掩模板。
【背景技術】
[0002] 圖1所示為現有大面積半透過掩模板曝光過程示意圖，如圖1所示，由于金屬線2 的存在使得基板1朝向掩模板4的表面產生高度差，光刻膠3涂覆后的表面為一個平面，且 光刻膠3涂覆后的表面與掩模板4的襯底基板5之間的距離相同；由于基板1朝向掩模板 4的表面存在高度差，因此，基板1朝向掩模板4的表面上各區(qū)域涂覆的光刻膠3的厚度存 在厚度差；如圖1中所示，氏為半曝光區(qū)域的光刻膠3的厚度，H 2為半曝光區(qū)域的光刻膠3 的厚度，H3為不曝光區(qū)域的光刻膠3的厚度，其中H2小于氏。
[0003] 圖2所示為圖1中所示的基板1顯影后的光刻膠分布示意圖，如圖2所示，現有技 術中的掩模板4中，與基板1上需要半曝光區(qū)域相對的部分透光率相同，導致基板1涂覆的 光刻膠3在曝光顯影之后，與氏對應部位剩余的光刻膠3的厚度為H n，與H2對應部位剩余 的光刻膠3的厚度為H21，H31為不曝光區(qū)域的光刻膠3的厚度，H 21依然小于Hn。
[0004] 后續(xù)工藝中需要采用灰化工藝將Hn區(qū)域以及H21區(qū)域的光刻膠3灰化，以對這兩 個區(qū)域進行刻蝕等工藝。
[0005] 在基板1的加工過程中，在對基板1上涂覆的光刻膠3進行曝光顯影后，必須保證 氏區(qū)域剩余的光刻膠3的厚度H n不為零，同時保證H2區(qū)域剩余的光刻膠3的厚度H21不為 零；但是，在對基板1上涂覆的光刻膠3進行曝光顯影的工藝后，氏區(qū)域剩余的光刻膠3的 厚度H n較難控制，導致：
[0006] 當氏區(qū)域剩余的光刻膠3的厚度Hn偏薄時，H2區(qū)域剩余的光刻膠3的厚度H 21可 能為零，進而導致此區(qū)域基板1的上表面失去光刻膠3的保護，在后續(xù)的刻蝕過程可能產生 過刻導致不良。
[0007] 當氏區(qū)域剩余的光刻膠3的厚度Hn偏厚時，在后續(xù)過程中需要將氏區(qū)域剩余的 光刻膠3的厚度H n全部灰化掉時，可能將H3區(qū)域的光刻膠3全部灰化，導致基板1上與H3 的區(qū)域對應的上表面失去光刻膠3的保護，在后續(xù)的刻蝕過程導致此區(qū)域產生過刻不良。
【發(fā)明內容】
[0008] 本發(fā)明提供了一種掩模板，該掩模板可以解決因為光刻膠厚度差異導致的過刻不 良的工藝問題。
[0009] 為達到上述目的，本發(fā)明提供以下技術方案：
[0010] 一種掩模板，包括不透光區(qū)域，還包括：
[0011] 第一半透光區(qū)域；
[0012] 第二半透光區(qū)域；
[0013] 所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。
[0014] 基板在未涂覆光刻膠之前，其設有金屬線的區(qū)域的表面要高出沒有設置金屬線的 區(qū)域的表面，因此在基板上涂覆光刻膠之后，基板設有金屬線的區(qū)域中光刻膠的厚度要小 于沒有金屬線區(qū)域中光刻膠的厚度；上述掩模板與基板正對時，第一半透光區(qū)域用于覆蓋 基板中不存在金屬線、且需要進行半曝光的區(qū)域，第二半透光區(qū)域用于覆蓋基板中存在金 屬線、且需要進行半曝光的區(qū)域；因此，在曝光過程中，紫外線透過第一半透光區(qū)域對基板 中不存在金屬線、且需要進行半曝光的區(qū)域內的光刻膠進行半曝光，紫外線透過第二半透 光區(qū)域對基板中存在金屬線、且需要進行半曝光的區(qū)域的光刻膠進行半曝光；由于掩模板 中第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率，曝光后，第二半透光區(qū)域對應 的區(qū)域中的光刻膠的曝光量小于第一半透光區(qū)域對應的區(qū)域中光刻膠的曝光量，因此，在 對曝光后的光刻膠進行顯影工藝后，第二半透光區(qū)域對應去除的光刻膠的厚度比第一半透 光區(qū)域對應去除的光刻膠的厚度小，進而減小第二半透光區(qū)域對應剩余的光刻膠的厚度和 第一半透光區(qū)域對應剩余的光刻膠的厚度之間的差異。此時，即使第一半透光區(qū)域覆蓋的 區(qū)域內的光刻膠顯影后剩余的厚度很薄，第二半透光區(qū)域覆蓋的基板區(qū)域顯影后也會有光 刻膠的保護，因此可以減少在后續(xù)的刻蝕過程中第二半透光區(qū)域覆蓋的基板區(qū)域過刻不良 現象的發(fā)生。
[0015] 因此，上述掩模板可以解決因為光刻膠厚度差異導致的過刻不良的工藝問題。 [0016] 優(yōu)選地，所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率，包括： [0017] 所述襯底基板中與所述第一半透光區(qū)域和第二半透光區(qū)域對應位置設有半透光 膜層，且所述半透光膜層覆蓋所述第一半透光區(qū)域和所述第二半透光區(qū)域部位的透光率相 同，所述半透光膜層覆蓋所述第二半透光區(qū)域的部位設有寬度尺寸小于曝光機分辨率尺寸 的遮光層。
[0018] 優(yōu)選地，所述遮光層為金屬材料制備的遮光層。
[0019] 優(yōu)選地，所述遮光層為黑矩陣材料制備的遮光層。
[0020] 優(yōu)選地，所述遮光層的寬度尺寸為1?2um。
[0021] 優(yōu)選地，所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率，包括：
[0022] 在所述襯底基板與所述第一半透光區(qū)域相對的區(qū)域設有第一半透光膜，在所述襯 底基板與所述第二半透光區(qū)域相對的區(qū)域設有第二半透光膜，所述第一半透光膜的透光率 大于所述第二半透光膜的透光率。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023] 圖1為現有大面積半透過掩模板曝光過程示意圖；
[0024] 圖2為圖1中所示的基板顯影后的光刻膠分布示意圖；
[0025] 圖3為本發(fā)明實施例提供的掩模板曝光過程示意圖；
[0026] 圖4為圖3中所示的基板顯影后的光刻膠分布示意圖。
【具體實施方式】
[0027] 下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；?本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0028] 請參考圖3和圖4,圖3為本發(fā)明實施例提供的掩模板曝光過程示意圖；圖4為圖 3中所示的基板顯影后的光刻膠分布示意圖。
[0029] 如圖3所示，本發(fā)明提供的一種掩模板4,包括不透光區(qū)域C，還包括：
[0030] 第一半透光區(qū)域A ;
[0031] 第二半透光區(qū)域B;
[0032] 所述第二半透光區(qū)域B的透光率小于第一半透光區(qū)域A的透光率。
[0033] 基板1在未涂覆光刻膠3之前，其設有金屬線2的區(qū)域的表面要高出沒有設置金 屬線2的區(qū)域的表面，因此在基板1上涂覆光刻膠3之后，基板1設有金屬線2的區(qū)域中光 刻膠3的厚度d 2要小于沒有金屬線2區(qū)域中光刻膠3的厚度屯；上述掩模板4與基板1正 對時，第一半透光區(qū)域A用于覆蓋基板1中不存在金屬線2、且需要進行半曝光的區(qū)域，第二 半透光區(qū)域B用于覆蓋基板1中存在金屬線2、且需要進行半曝光的區(qū)域；因此，在曝光過 程中，紫外線8透過第一半透光區(qū)域A對基板1中不存在金屬線2、且需要進行半曝光的區(qū) 域內的光刻膠3進行半曝光，紫外線8透過第二半透光區(qū)域B對基板1中存在金屬線2、且 需要進行半曝光的區(qū)域的光刻膠3進行半曝光；由于掩模板4中第二半透光區(qū)域B的透光 率小于第一半透光區(qū)域A的透光率，曝光后，第二半透光區(qū)域B對應的區(qū)域中的光刻膠3的 曝光量小于第一半透光區(qū)域A對應的區(qū)域中光刻膠3的曝光量，因此，在對曝光后的光刻膠 3進行顯影工藝后，第二半透光區(qū)域B對應去除的光刻膠3的厚度比第一半透光區(qū)域A對應 去除的光刻膠3的厚度小，進而減小第二半透光區(qū)域B對應剩余的光刻膠3的厚度h 2和第 一半透光區(qū)域A對應剩余的光刻膠3的厚度h之間的差異。此時，即使第一半透光區(qū)域A 覆蓋的區(qū)域內的光刻膠3顯影后剩余的厚度h很薄，第二半透光區(qū)域B覆蓋的基板1區(qū)域 顯影后也會有光刻膠3的保護，因此可以減少在后續(xù)的刻蝕過程中第二半透光區(qū)域B覆蓋 的基板1區(qū)域過刻不良現象的發(fā)生，即可以減少基板上存在金屬線2、且需要進行半曝光的 區(qū)域過刻不良現象的發(fā)生。
[0034] 因此，上述掩模板4可以解決因為光刻膠3厚度差異導致的過刻不良的工藝問題。
[0035] -種優(yōu)選的實施例中，第二半透光區(qū)域B的透光率小于第一半透光區(qū)域A的透光 率，可以有多種方式實現，如：
[0036] 方式一：如圖3所示，所述襯底基板5中與所述第一半透光區(qū)域A和第二半透光區(qū) 域B對應位置設有半透光膜層6,且所述半透光膜層6覆蓋所述第一半透光區(qū)域A和所述第 二半透光區(qū)域B部位的透光率相同，所述半透光膜層6覆蓋所述第二半透光區(qū)域B的部位 設有寬度尺寸小于曝光機分辨率尺寸的遮光層7。
[0037] 由于遮光層7的寬度尺寸小于曝光機分辨率尺寸，紫外線8照射到第二半透光區(qū) 域B時會受到遮光層7的衍射作用，從而可以使第二半透光區(qū)域B的透光率小于第一半透 光區(qū)域A的透光率。
[0038] 方式二：在所述襯底基板5與所述第一半透光區(qū)域A相對的區(qū)域設有第一半透光 膜，在所述襯底基板5與所述第二半透光區(qū)域B相對的區(qū)域設有第二半透光膜，所述第一半 透光膜的透光率大于所述第二半透光膜的透光率。
[0039] 在上述實施例的方式一的基礎上，優(yōu)選地，
[0040] 遮光層7為金屬材料制備的遮光層；或者，
[0041] 遮光層7為黑矩陣材料制備的遮光層。
[0042] 當然，遮光層還可以是由其它不透光材料制備的遮光層。
[0043] 在上述實施例的方式一的基礎上，優(yōu)選地，
[0044] 遮光層7的寬度尺寸為1?2um。
[0045] 顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明實施例進行各種改動和變型而不脫離本發(fā) 明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術 的范圍之內，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內。
【權利要求】
1. 一種掩模板，包括不透光區(qū)域，其特征在于，還包括： 第一半透光區(qū)域； 第二半透光區(qū)域； 所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。
2. 根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第 一半透光區(qū)域的透光率，包括： 所述襯底基板中與所述第一半透光區(qū)域和第二半透光區(qū)域對應位置設有半透光膜層， 且所述半透光膜層覆蓋所述第一半透光區(qū)域和所述第二半透光區(qū)域部位的透光率相同，所 述半透光膜層覆蓋所述第二半透光區(qū)域的部位設有寬度尺寸小于曝光機分辨率尺寸的遮 光層。
3. 根據權利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述遮光層為金屬材料制備的遮光層。
4. 根據權利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述遮光層為黑矩陣材料制備的遮光 層。
5. 根據權利要2?4任一項所述的掩模板，其特征在于， 所述遮光層的寬度尺寸為1?2um。
6. 根據權利要求1所述的掩模板，其特征在于，所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第 一半透光區(qū)域的透光率，包括： 在所述襯底基板與所述第一半透光區(qū)域相對的區(qū)域設有第一半透光膜，在所述襯底基 板與所述第二半透光區(qū)域相對的區(qū)域設有第二半透光膜，所述第一半透光膜的透光率大于 所述第二半透光膜的透光率。
【文檔編號】G03F1/00GK104155842SQ201410345060
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年7月18日 優(yōu)先權日:2014年7月18日
【發(fā)明者】王德帥, 曲連杰 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司