技術(shù)編號：2714004
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及光刻，公開一種掩模板，包括不透光區(qū)域，還包括第一半透光區(qū)域；第二半透光區(qū)域；所述第二半透光區(qū)域的透光率小于第一半透光區(qū)域的透光率。該掩模板可以解決因為光刻膠厚度差異導致的過刻不良的工藝問題。專利說明一種掩模板 [0001] 本發(fā)明涉及光刻，具體涉及一種掩模板。 背景技術(shù) [0002] 圖1所示為現(xiàn)有大面積半透過掩模板曝光過程示意圖，如圖1所示，由于金屬線2 的存在使得基板1朝向掩模板4的表面產(chǎn)生高度差，光刻膠3涂覆后的表面為一個平面，且...
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