一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法，用以在光阻層上實(shí)現(xiàn)一種孔徑更小、或者狹縫更窄，或者線條的寬度更小的圖形。所述曝光用掩模板，包括：掩模板本體，位于所述掩模板本體出光側(cè)用于防衍射的膜層；所述掩模板本體上設(shè)置透光區(qū)域和不透光區(qū)域；所述防衍射的膜層上至少與所述掩模板本體的透光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域；所述防衍射的膜層為折射率n>1的膜層。
【專利說明】一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，顯示用基板主要包括對(duì)盒而置的彩膜基板和陣列基板。彩膜基板上主要設(shè)置有彩色濾光片(即圖案化的彩色樹脂層)，陣列基板上主要設(shè)置有像素陣列。近年來，隨著人們對(duì)高開口率及高亮度顯示面板的不斷需求，開發(fā)出一種彩色濾光片直接形成在陣列基板上(Color filter On Array,簡稱COA)的技術(shù),通過COA技術(shù)形成的彩色濾光陣列基板為COA基板。
[0003]無論是彩膜基板還是COA基板，均包括制作彩色濾光片的過程、制作黑矩陣的過程，以及制作彩色樹脂層上過孔的過程。所述彩色濾光片、黑矩陣，以及彩色樹脂層均為光阻層。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)在光阻層上制作彩色濾光片、黑矩陣或過孔，通過對(duì)對(duì)應(yīng)圖形的掩模板進(jìn)行曝光、然后對(duì)曝光后的樹脂層進(jìn)行顯影得到。在曝光過程中，掩模板位于曝光設(shè)備上，通過移動(dòng)曝光設(shè)備使得掩模板靠近待曝光光阻層，也就是采用大面積接近式曝光方式曝光，獲得一定線寬的黑矩陣或相鄰彩色濾光片之間的狹縫，或者獲得一定寬度的孔徑。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)，掩模板通常是單層式結(jié)構(gòu)，掩模板設(shè)置有遮光區(qū)域和透光區(qū)域。由于曝光機(jī)與待曝光的膜層之間的距離最小約300 μ m,曝光光線經(jīng)過狹縫或孔照射掩模板下方的光阻層，此過程中，會(huì)發(fā)生光的衍射，使得光阻層上曝光區(qū)域大于掩模板上的透光區(qū)域，得到的孔徑、狹縫或黑矩陣的寬度較大。
[0006]隨著顯示屏像素越來越高，要求圖形的精細(xì)度也越來越高，現(xiàn)有技術(shù)光阻層上制作彩色濾光片、黑矩陣或過孔得到的圖形的精細(xì)度已經(jīng)無法滿足要求，應(yīng)用在顯示產(chǎn)品上會(huì)影響像素的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法，用以在光阻層上實(shí)現(xiàn)一種孔徑更小、或者狹縫更窄，或者線條的寬度更小的圖形，從而提高顯示用基板上像素的開口率。
[0008]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光用掩模板，包括:掩模板本體，位于所述掩模板本體出光側(cè)用于防衍射的膜層；
[0009]所述掩模板本體上設(shè)置透光區(qū)域和不透光區(qū)域；
[0010]所述防衍射的膜層上至少與所述掩模板本體的透光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域；
[0011]所述防衍射的膜層為折射率η>1的膜層。
[0012]較佳地，所述防衍射的膜層透光區(qū)域的折射率η滿足:1〈η ( 10。[0013]較佳地，所述防衍射的膜層透光區(qū)域的折射率η滿足:1〈η ( 2。
[0014]較佳地，所述掩模板本體與所述防衍射的膜層之間可拆裝連接。
[0015]較佳地，所述防衍射的膜層的厚度為I?300μπι。
[0016]較佳地，所述防衍射的膜層為有機(jī)樹脂層。
[0017]較佳地，所述防衍射的膜層與所述掩模板本體之間的距離為50?200μπι。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示用基板的制作方法，包括以下步驟:
[0019]在襯底基板上形成一層光阻層；
[0020]將與所述光阻層上待形成的圖形對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板置于所述光阻層的上方；
[0021]采用曝光設(shè)備對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，曝光設(shè)備發(fā)出的光線先后經(jīng)過所述曝光用掩模板的入光側(cè)、出光側(cè)和所述光阻層，曝光后的光阻層經(jīng)顯影工藝形成所述圖形；
[0022]其中，所述曝光用掩模板為上述任一方式的曝光用掩模板。
[0023]較佳地，所述在襯底基板上形成一層光阻層，具體為:在襯底基板上形成一層黑色樹脂層或彩色樹脂層。
[0024]較佳地，在所述光阻層上方放置曝光用掩模板以及曝光形成預(yù)設(shè)圖形，具體為:
[0025]在形成有黑色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的黑矩陣圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的黑矩陣圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域；
[0026]采用曝光設(shè)備對(duì)所述黑色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的黑色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述黑矩陣圖形；或者
[0027]在形成有彩色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的彩色濾光片圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的彩色濾光片圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域；
[0028]采用曝光設(shè)備對(duì)所述彩色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的彩色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述彩色濾光片圖形。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供一種曝光設(shè)備，其上設(shè)置有曝光用掩模板，所述曝光用掩模板為上述任一方式的曝光用掩模板。
[0030]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供一種曝光用掩模板，包括:掩模板本體，位于所述掩模板本體出光側(cè)的防衍射的膜層；所述掩模板本體上設(shè)置透光區(qū)域和不透光區(qū)域；所述防衍射的膜層上至少與所述透光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域設(shè)置有透光區(qū)域。當(dāng)曝光設(shè)備對(duì)所述掩模板下方的光阻層進(jìn)行曝光時(shí)，光線先后經(jīng)過掩模板本體、防衍射的膜層以及光阻層，光線經(jīng)過防衍射的膜層時(shí)，光線不會(huì)或很少發(fā)生衍射現(xiàn)象，在光阻層上的曝光圖形的面積等于或者約等于所述掩模板本體上的透光區(qū)域的面積，得到的曝光圖案的精確度更高，相應(yīng)地，光阻層上制作的孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小，可以提高顯示用基板上像素的開口率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0031]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光用掩模板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光時(shí)所述曝光用掩模板與光線之間關(guān)系示意圖；
[0033]圖3為圖2所示的掩模板中防衍射的膜層和光線之間關(guān)系的放大示意圖；[0034]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示用基板的制作方法流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種曝光用掩模板、曝光設(shè)備及顯示用基板的制作方法，用以在光阻層上實(shí)現(xiàn)一種孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小的圖形，從而提高顯示用基板上像素的開口率。
[0036]需要說明的是，顯影工藝的原理是利用一定濃度的顯影液將樹脂溶解掉。本發(fā)明下述黑色樹脂層和彩色樹脂層未曝光部分均可以被顯影液顯影掉。
[0037]所述黑色樹脂層主要由堿溶性樹脂、黑色顏料和光聚合引發(fā)劑組成。所述彩色樹脂層主要由堿溶性樹脂、彩色顏料和光聚合引發(fā)劑組成。
[0038]以下將結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案。
[0039]參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的曝光用掩模板，包括:
[0040]掩模板本體I，位于掩模板本體I出光側(cè)用于防衍射的膜層2 ；
[0041]掩模板本體I上設(shè)置透光區(qū)域和不透光區(qū)域；
[0042]防衍射的膜層2上至少與掩模板本體I上的透光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域；
[0043]所述防衍射的膜層2為折射率η>1的膜層。
[0044]具體地，掩模板本體I為任何具有透光區(qū)域和不透光區(qū)域的掩模板結(jié)構(gòu)，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板本體I主要指具有孔狀透光區(qū)域或具有狹縫狀透光區(qū)域的結(jié)構(gòu)，曝光后的目標(biāo)圖形為過孔、狹縫或線條(線條例如黑矩陣)等結(jié)構(gòu)；
[0045]防衍射的膜層2為任何折射率η>1的膜層。
[0046]一般地，曝光工序在空氣中進(jìn)行，空氣的折射率ns=l。
[0047]上述圖1所示的掩模板結(jié)構(gòu)，在具體實(shí)施過程中，參見圖2，曝光設(shè)備位于掩模板本體I的上方，待曝光的膜層3 (例如黑矩陣BM膜層)位于防衍射的膜層2的下方，曝光時(shí)，曝光設(shè)備發(fā)出的光線(光線如圖2中單箭頭所示)從掩模板本體I的入光側(cè)先后經(jīng)掩模板本體I和防衍射的膜層2的透光區(qū)域，照射到黑矩陣BM膜層3上。由于掩模板本體I上的透光區(qū)域的圖形為孔狀或狹縫狀，光線經(jīng)過時(shí)，極容易產(chǎn)生光的衍射現(xiàn)象。當(dāng)光線先后經(jīng)過掩模板本體I和防衍射的膜層2時(shí)，防衍射的膜層2的折射率η>1，即防衍射的膜層2的折射率大于空氣的折射率，光線經(jīng)過防衍射的膜層2后具有向透光區(qū)域的方向匯聚的效果，相比較現(xiàn)有技術(shù)光線經(jīng)掩模板本體后直接照射到待曝光的膜層上，本發(fā)明提供的掩模板曝光后黑色樹脂層上曝光區(qū)域面積減小，相應(yīng)地，形成的孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小，得到的圖案的精細(xì)度越高，因此可以提高顯示裝置圖像的分辨率。
[0048]防衍射的膜層的折射率越大，光線向透光區(qū)域的中心方向移動(dòng)的距離越大，防衍射的膜層的厚度越大，光線向透光區(qū)域的中心方向移動(dòng)的距離越大。形成的孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小。
[0049]具體地，如圖3所示，為圖2所示的掩模板中防衍射的膜層的放大示意圖，設(shè)厚度為h的防衍射的膜層，入射光線的入射角為α，入射點(diǎn)為C點(diǎn)，出射光線的出射點(diǎn)為A點(diǎn)，帶箭頭的虛線為參考線(即光在空氣中的傳播方向)，經(jīng)過防衍射的膜層的出射光線與參考線之間的距離ΑΒ，根據(jù)幾何關(guān)系，滿足如下公式(1-1)和公式(1-2):
[0050]AB=h* (tan a-tan β ) (1-1);[0051]n=sin α /sin β (1-2)；
[0052]其中，h為防衍射的膜層的厚度，α為光線經(jīng)過掩模板本體后入射到防衍射的膜層表面的入射角，β為光線在防衍射的膜層中的折射角，η為防衍射的膜層的折射率。h、α、η為已知。
[0053]公式(1-1)和公式(1-2)的變形式為如下公式(1-3):
[0054]AB=h*(Uina-Uin/?)= h*(tan?s'n a ^ _)(1-3);
Vn2 -sin2 a
[0055]由上述公式(1-3)可以進(jìn)一步說明，防衍射的膜層的折射率n越大光線的偏折角度更大，光線向透光區(qū)域的中心方向移動(dòng)的距離AB越大，防衍射的膜層的厚度h越大，光線向透光區(qū)域的中心方向移動(dòng)的距離AB越大。
[0056]圖1所示的 掩模板，防衍射的膜層2的透光區(qū)域的折射率η可以在I~100之間(不包含I)。
[0057]較佳地，圖1所示的掩模板，防衍射的膜層2的透光區(qū)域的折射率η滿足:1<η ( 10。
[0058]更優(yōu)選地，圖1所示的掩模板，防衍射的膜層2的透光區(qū)域的折射率η滿足:Kn ≤ 2。
[0059]現(xiàn)有技術(shù)提供的掩模板，實(shí)施曝光工藝時(shí)，掩模板本體與待曝光的膜層之間的最近距離約300 μ m。
[0060]較佳地，防衍射的膜層的厚度可以為I~300μπι的范圍內(nèi)，即防衍射的膜層的最大厚度不超過掩模板本體與待曝光的膜層之間的距離。更優(yōu)選地，防衍射的膜層的厚度為I~200 μ m,較佳地，防衍射的膜層的厚度為I~100 μ m。
[0061]當(dāng)防衍射的膜層的厚度小于掩模板本體與待曝光的膜層之間的距離時(shí)，優(yōu)選地，所述防衍射的膜層與所述掩模板本體之間的距離為O~200 μ m，優(yōu)選范圍為50~200 μ m。
[0062]進(jìn)一步地，所述防衍射的膜層可以為有機(jī)樹脂層，具體地該有機(jī)樹脂層為非膠狀的具有一定硬度的有機(jī)樹脂層。例如，具體實(shí)施時(shí)可以但也不限于通過光固化工藝對(duì)膠狀有機(jī)樹脂層固化得到固化后的有機(jī)樹脂層。
[0063]圖1所不的掩模板中的防衍射的膜層2的設(shè)置方式不止一種。其中一種實(shí)施方式為:整個(gè)膜層為可透光的膜層；另一種實(shí)施方式為:在與掩模板本體上的透光區(qū)域?qū)?yīng)的位置設(shè)置有透光區(qū)域。
[0064]本發(fā)明圖1所示的掩模板，掩模板本體I和防衍射的膜層2之間可拆裝連接，也可以固定連接。當(dāng)防衍射的膜層2為整個(gè)膜層為可透光的膜層時(shí)，該防衍射的膜層2可以通用，即適用于整體尺寸一致的掩模板本體I上。此時(shí)，掩模板本體I和防衍射的膜層2之間設(shè)置為可拆裝連接，可以在不同的掩模板本體I上反復(fù)使用同一塊防衍射的膜層2。
[0065]所述可拆裝連接的實(shí)施方式可以但不限于為卡扣連接或插配連接等。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種曝光設(shè)備，其上設(shè)置有曝光用掩模板，所述曝光用掩模板為上述實(shí)施例提供的任一方式的掩模板。
[0067]本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板為曝光用掩模板。
[0068]參見圖4本發(fā)明實(shí)施例提供一種顯示用基板的制作方法，包括以下步驟:
[0069]SI 1、在襯底基板上形成一層光阻層；[0070]S12、將與所述光阻層上待形成的圖形對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板置于所述光阻層的上方；
[0071]S13、采用曝光設(shè)備對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，曝光設(shè)備發(fā)出的光線先后經(jīng)過所述曝光用掩模板的入光側(cè)、出光側(cè)和所述光阻層，曝光后的光阻層經(jīng)顯影工藝形成所述圖形；
[0072]其中，所述曝光用掩模板為上述實(shí)施例提供的任一方式的曝光用掩模板。
[0073]參見圖2，曝光設(shè)備位于掩模板本體I的上方，待曝光的膜層3 (例如黑矩陣BM膜層)位于防衍射的膜層2的下方，曝光時(shí)，曝光設(shè)備發(fā)出的光線(光線如圖2中單箭頭所示)從掩模板本體I的入光側(cè)先后經(jīng)掩模板本體I和防衍射的膜層2的透光區(qū)域，照射到黑矩陣BM膜層3上。由于掩模板本體I上的透光區(qū)域的圖形為孔狀或狹縫狀，光線經(jīng)過時(shí)，極容易產(chǎn)生光的衍射現(xiàn)象。當(dāng)光線先后經(jīng)過掩模板本體I和防衍射的膜層2時(shí)，防衍射的膜層2的折射率η>1，即防衍射的膜層2的折射率大于空氣的折射率，光線經(jīng)過防衍射的膜層2后具有向透光區(qū)域的方向匯聚的效果，相比較現(xiàn)有技術(shù)光線經(jīng)掩模板本體后直接照射到待曝光的膜層上，本發(fā)明提供的掩模板曝光后黑色樹脂層上曝光區(qū)域面積減小，相應(yīng)地，形成的孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小，得到的圖案的精細(xì)度越高，因此可以提高顯示裝置圖像的分辨率。
[0074]較佳地，在襯底基板上形成一層光阻層，具體為:在襯底基板上形成一層黑色樹脂層或彩色樹脂層。
[0075]較佳地，在所述光阻層上方放置曝光用掩模板以及曝光形成預(yù)設(shè)圖形，具體為:
[0076]在形成有黑色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的黑矩陣圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的黑矩陣圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域；
[0077]采用曝光設(shè)備對(duì)所述黑色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的黑色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述黑矩陣圖形；或者
[0078]在形成有彩色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的彩色濾光片圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的彩色濾光片圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域；
[0079]采用曝光設(shè)備對(duì)所述彩色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的彩色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述彩色濾光片圖形。
[0080]所述顯示用基板可以為彩膜基板也可以為陣列基板，所述陣列基板為采用彩色濾光片直接形成在陣列基板上(Color filter On Array,簡稱COA)的技術(shù)形成的COA基板。
[0081]其中，需要說明的是，上述襯底基板，可以是未涂覆任何膜層或者未形成任何圖案的空白玻璃、石英、樹脂等基板，也可以是為制備彩膜基板、COA基板等而形成有一定膜層或圖案的半成品基板，本發(fā)明不做限定。
[0082]顯示用基板的制作方法其中一種實(shí)施方式為:
[0083]在彩膜基板上制作黑矩陣的過程，黑矩陣的線寬越小，顯示裝置的分辨率可以做到越高。黑矩陣采用黑色樹脂層制作而成。
[0084]具體地:
[0085]步驟一:在襯底基板上形成一層黑色樹脂層；該黑色樹脂層的光刻性質(zhì)與負(fù)性光刻膠層的光刻性質(zhì)類似，即曝光區(qū)域可以保留，未曝光區(qū)域可以被顯影掉。[0086]步驟二:將與所述黑色樹脂層上待形成的圖形對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板置于所述黑色樹脂層的上方；即所述掩模板的透光區(qū)域與所述彩膜基板上待形成的黑矩陣的圖形對(duì)應(yīng)，即所述掩模板的透光區(qū)域的圖形與黑矩陣的圖形三維大小和形狀相類似。
[0087]步驟三:采用曝光設(shè)備對(duì)所述黑色樹脂層進(jìn)行曝光，曝光設(shè)備發(fā)出的光線先后經(jīng)過所述曝光用掩模板的入光側(cè)、出光側(cè)和所述黑色樹脂層，曝光后的黑色樹脂層經(jīng)顯影工藝形成所述圖形；
[0088]具體地，在形成有黑色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的黑矩陣圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的黑矩陣圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域；
[0089]采用曝光設(shè)備對(duì)所述黑色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的黑色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述黑矩陣圖形。
[0090]其中,所述曝光用掩模板為上述實(shí)施例提供的任一方式的曝光用掩模板。
[0091]根據(jù)上述實(shí)驗(yàn)步驟針對(duì)如下不同參數(shù)進(jìn)行相應(yīng)的實(shí)驗(yàn)。
[0092]假設(shè)以下案例所使用的BM掩模板(M ask)線寬為6 μ m。
[0093]實(shí)施方案1:
[0094]在Mask與玻璃基板之間插入一層高折射率薄膜，該薄膜的厚度為5 μ m,折射率為
1.5，黑色樹脂層經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為7.7μπι。
[0095]實(shí)施方案2:
[0096]在Mask與玻璃基板之間插入一層高折射率薄膜，該薄膜的厚度為15 μ m，折射率為1.5，黑色樹脂層經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為7.1 μ m。
[0097]實(shí)施方案3:
[0098]在Mask與玻璃基板之間插入一層高折射率薄膜，該薄膜的厚度為25 μ m,折射率為1.5，黑色樹脂層經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為6.5μπι。
[0099]實(shí)施方案4:
[0100]在Mask與玻璃基板之間插入一層高折射率薄膜，該薄膜的厚度為50 μ m,折射率為1.5，黑色樹脂層經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為5 μ m。
[0101]實(shí)施方案5:
[0102]在Mask與玻璃基板之間插入一層高折射率薄膜，該薄膜的厚度為25 μ m,折射率為1.9，黑色樹脂層經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為6 μ m。
[0103]對(duì)比方案1:
[0104]曝光設(shè)備中Mask和玻璃基板之間沒有插入其他介質(zhì)，在白玻璃上涂布黑色樹脂層，經(jīng)過前烘、曝光、顯影等工藝，檢測BM線寬為8 μ m。
[0105]所述高折射率薄膜為本發(fā)明圖1所示的防衍射的膜層2。
[0106]由此可見，實(shí)施方案I?實(shí)施方案5相比較對(duì)比方案1，得到的BM線寬明顯較低，低于8 μ m。實(shí)施方案4采用較厚的防衍射的膜層時(shí)，BM線寬較小，可以達(dá)到5 μ m。
[0107]上述實(shí)施例以制作黑矩陣為例說明，如果需要制作過孔或狹縫，可以在正性光刻膠上制作過孔或狹縫，掩模板上透光區(qū)域?qū)?yīng)過孔或狹縫，得到的過孔的孔徑或狹縫的寬度較小，這里就不 列舉。
[0108]本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板及顯示用基板的制作方法，可以實(shí)現(xiàn)不改變現(xiàn)有技術(shù)中曝光設(shè)備和掩模板的結(jié)構(gòu)，只需要在掩模板上設(shè)置一個(gè)可拆裝的防衍射的膜層，即折射率大于空氣折射率的高折射率薄膜即可，在保證高折射率薄膜不影響待形成的膜層的質(zhì)量即可。本發(fā)明提供的掩模板曝光后黑色樹脂層或彩色樹脂層上曝光區(qū)域面積減小，相應(yīng)地，形成的孔徑更小、或者形成的狹縫更窄，或者形成的線條的寬度更小，得到的圖案的精細(xì)度越高，因此可以提高顯示裝置圖像的分辨率。
[0109]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種曝光用掩模板，其特征在于，包括:掩模板本體，位于所述掩模板本體出光側(cè)用于防衍射的膜層； 所述掩模板本體上設(shè)置透光區(qū)域和不透光區(qū)域； 所述防衍射的膜層上至少與所述掩模板本體的透光區(qū)域?qū)?yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域； 所述防衍射的膜層為折射率η>1的膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述防衍射的膜層透光區(qū)域的折射率η滿足:1〈η< 10。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述防衍射的膜層透光區(qū)域的折射率η滿足:1〈η < 2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述掩模板本體與所述防衍射的膜層之間可拆裝連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述防衍射的膜層的厚度為I?300 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述防衍射的膜層為有機(jī)樹脂層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光用掩模板，其特征在于，所述防衍射的膜層與所述掩模板本體之間的距離為50?200 μ m。
8.—種顯示用基板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 在襯底基板上形成一層光阻層； 將與所述光阻層上待形成的圖形對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板置于所述光阻層的上方； 采用曝光設(shè)備對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，曝光設(shè)備發(fā)出的光線先后經(jīng)過所述曝光用掩模板的入光側(cè)、出光側(cè)和所述光阻層，曝光后的光阻層經(jīng)顯影工藝形成所述圖形； 其中，所述曝光用掩模板為權(quán)利要求1-7任一所述的曝光用掩模板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在襯底基板上形成一層光阻層，具體為:在襯底基板上形成一層黑色樹脂層或彩色樹脂層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述光阻層上方放置曝光用掩模板以及曝光形成預(yù)設(shè)圖形，具體為: 在形成有黑色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的黑矩陣圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的黑矩陣圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域； 采用曝光設(shè)備對(duì)所述黑色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的黑色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述黑矩陣圖形；或者 在形成有彩色樹脂層的襯底基板上方放置與待形成的彩色濾光片圖形相對(duì)應(yīng)的曝光用掩模板，曝光用掩模板的掩模板本體上與待形成的彩色濾光片圖形對(duì)應(yīng)的區(qū)域?yàn)橥腹鈪^(qū)域，其余區(qū)域?yàn)檎诠鈪^(qū)域； 采用曝光設(shè)備對(duì)所述彩色樹脂層進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的彩色樹脂層進(jìn)行顯影工藝，形成所述彩色濾光片圖形。
11.一種曝光設(shè)備，其上設(shè)置有曝光用掩模板，其特征在于，所述曝光用掩模板為權(quán)利要求1-7任一所述的曝光用掩模板。
【文檔編號(hào)】G03F7/00GK103941551SQ201410141112
【公開日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月9日
【發(fā)明者】何璇, 郭煒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司