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一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法

文檔序號:2711759閱讀:121來源:國知局
一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,以減小數(shù)據(jù)線與公共電極之間的耦合電容,降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。所述陣列基板,包括:由柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)而成的像素區(qū)域,所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有像素電極;與所述像素電極配合產(chǎn)生電場的條狀的公共電極,所述公共電極與所述像素電極之間設(shè)有絕緣層;所述公共電極僅設(shè)置于所述像素電極上方。
【專利說明】一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域,尤其涉及一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD )現(xiàn)已廣泛的應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,如家庭、公共場所、辦公場所以及個(gè)人電子相關(guān)產(chǎn)品等。其中,基于超平面高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)(Hyperplane Advanced Super Dimension Switch,HADS)的液晶顯不器由于具備高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn),因此得到越來越多的應(yīng)用。HADS模式液晶顯示裝置通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場,使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn),從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率,大大提高TFT-1XD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)。
[0003]現(xiàn)有的HADS模式TFT-1XD中,公共電極和像素電極由透明導(dǎo)體制成,從而增加了開口率和透光率,并且公共電極和像素電極之間所形成的空間比上、下基板間的空間更狹窄,從而在公共電極和像素電極之間形成邊緣電場,使得液晶分子在平行于基板的平面方向上發(fā)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換,從而提高液晶層的透光效率。但是,如圖1所示,在HADS模式的TFT-LCD中,數(shù)據(jù)線I的像素電極2上方設(shè)置與數(shù)據(jù)線I相平行的條狀的公共電極3,而所述公共電極3與所述數(shù)據(jù)線I之間存在耦合電容,所述耦合電容會增加數(shù)據(jù)線的負(fù)載,造成整個(gè)液晶面板的功耗大大增加,同時(shí)也會帶來顯示時(shí)的泛綠(Greenish)以及串?dāng)_(crosstalk)等不良影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種陣列基板、顯示面板和顯示裝置,以減小數(shù)據(jù)線與公共電極之間的耦合電容,降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0005]本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板,包括:由柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)而成的像素區(qū)域,所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有像素電極;與所述像素電極配合產(chǎn)生電場的條狀的公共電極,所述公共電極與所述像素電極之間設(shè)有絕緣層;所述公共電極僅設(shè)置于所述像素電極上方。
[0007]優(yōu)選的,所述公共電極的延伸方向與所述數(shù)據(jù)線的延伸方向相同。本發(fā)明實(shí)施例中,公共電極與數(shù)據(jù)線具有相同的延伸方向,有利于減少耦合電容。
[0008]優(yōu)選的,分別位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)且距離所述數(shù)據(jù)線最近的兩個(gè)所述公共電極之間的距離為11微米至18微米。
[0009]優(yōu)選的,條狀的所述公共電極在每一所述像素區(qū)域內(nèi)等距排布。發(fā)明實(shí)施例中,公共電極等距排布,能夠形成較均勻的電場,具有更好的光特性。
[0010]優(yōu)選的,所述數(shù)據(jù)線所在的層與所述公共電極所在的層之間設(shè)置有樹脂層。[0011]優(yōu)選的,所述樹脂層設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線所在的層與所述像素電極所在的層之間。
[0012]優(yōu)選的,還包括薄膜晶體管TFT,所述TFT設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi),且所述TFT的柵極與所述柵線同層設(shè)置,所述TFT的源極和漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板,包括如上實(shí)施例提供的陣列基板。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0016]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置,包括如上實(shí)施例提供的顯示面板。
[0017]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0019]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0021]附圖標(biāo)記:
[0022]1、數(shù)據(jù)線;2、像素電極;3、公共電極;4、絕緣層;5、樹脂層。
【具體實(shí)施方式】
[0023]下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)現(xiàn)過程進(jìn)行詳細(xì)說明。需要注意的是,自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實(shí)施例是示例性的,僅用于解釋本發(fā)明,而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0024]參見圖2,本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板,包括:由柵線(未示出)和數(shù)據(jù)線I圍設(shè)而成的像素區(qū)域,像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有像素電極2 ;與像素電極2配合產(chǎn)生電場的條狀的公共電極3,公共電極3與像素電極2之間設(shè)有絕緣層4 ;公共電極3僅設(shè)置于像素電極2上方。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解,該絕緣層4通常為透明的層?,F(xiàn)有技術(shù)提供的方案中,將公共電極完全覆蓋在數(shù)據(jù)線上方,造成數(shù)據(jù)線上的負(fù)載過大,并且覆蓋在數(shù)據(jù)線上的公共電極與數(shù)據(jù)線之間的電容在功耗方面占比最大,導(dǎo)致整個(gè)液晶面板的功耗大大增加。在本發(fā)明實(shí)施例中,通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小。
[0025]優(yōu)選的,公共電極3的延伸方向與數(shù)據(jù)線I的延伸方向相同。公共電極3與數(shù)據(jù)線I具有相同的延伸方向,有利于減少耦合電容。
[0026]優(yōu)選的,考慮電極邊緣電場對透過率的影響,分別位于數(shù)據(jù)線I兩側(cè)且距離數(shù)據(jù)線I最近的兩個(gè)公共電極3之間的距離L為11微米至18微米。
[0027]優(yōu)選的,條狀的公共電極3在每一像素區(qū)域內(nèi)等距排布。公共電極3等距排布,能夠形成較均勻的電場,具有更好的光特性。
[0028]參見圖3,其附圖標(biāo)記與圖2所示陣列基板具有相同含義。圖3所示的陣列基板與圖2所示的陣列基板不同之處在于,為了防止數(shù)據(jù)線I對電場造成的干擾,數(shù)據(jù)線I所在的層與公共電極3所在的層之間設(shè)置有樹脂層5。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該了解,該樹脂層5通常采用樹脂材料形成透明的層,且該樹脂材料由于其具有較低的介電常數(shù)和比較大的厚度,對于降低數(shù)據(jù)線I對液晶電場的不利影響有很大的改善作用。
[0029]需要說明的是,樹脂層5可以設(shè)置在數(shù)據(jù)線I所在的層與公共電極3所在的層之間的任意一層;優(yōu)選地,在數(shù)據(jù)線I所在的層與像素電極2所在的層之間設(shè)置樹脂層5,能夠有效減少數(shù)據(jù)線I對液晶電場造成的干擾,并且不會影響到公共電極3與像素電極2之間的存儲電容。
[0030]優(yōu)選的,還包括薄膜晶體管TFT,TFT設(shè)置于像素區(qū)域內(nèi),且TFT的柵極與柵線同層設(shè)置,TFT的源極和漏極與數(shù)據(jù)線I同層設(shè)置。需要說明的是,除了公共電極及其關(guān)聯(lián)設(shè)計(jì)與現(xiàn)有技術(shù)不同之外,其他部分均可以使用所有合適的現(xiàn)有技術(shù)。例如,可能包括鈍化層、
有源層等等。
[0031]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0032]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示面板,包括如上實(shí)施例提供的陣列基板。
[0033]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0034]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置,包括如上實(shí)施例提供的顯示面板。該顯示裝置可以是:液晶顯示面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0035]本發(fā)明實(shí)施例有益效果如下:通過設(shè)置條狀的公共電極,且公共電極僅與像素電極相對設(shè)置,而數(shù)據(jù)線的上方不設(shè)置公共電極,使公共電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合電容減小,從而降低數(shù)據(jù)線負(fù)載,從而減小功耗;同時(shí)也降低耦合電容帶來的顯示不良影響。
[0036]顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣,倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi),則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,包括:由柵線和數(shù)據(jù)線圍設(shè)而成的像素區(qū)域,所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有像素電極;與所述像素電極配合產(chǎn)生電場的條狀的公共電極,所述公共電極與所述像素電極之間設(shè)有絕緣層;其特征在于,所述公共電極僅設(shè)置于所述像素電極上方。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述公共電極的延伸方向與所述數(shù)據(jù)線的延伸方向相同。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,分別位于所述數(shù)據(jù)線兩側(cè)且距離所述數(shù)據(jù)線最近的兩個(gè)所述公共電極之間的距離為11微米至18微米。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,條狀的所述公共電極在每一所述像素區(qū)域內(nèi)等距排布。
5.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的陣列基板,其特征在于,所述數(shù)據(jù)線所在的層與所述公共電極所在的層之間設(shè)置有樹脂層。
6.如權(quán)利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述樹脂層設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線所在的層與所述像素電極所在的層之間。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,還包括薄膜晶體管TFT,所述TFT設(shè)置于所述像素區(qū)域內(nèi),且所述TFT的柵極與所述柵線同層設(shè)置,所述TFT的源極和漏極與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置。
8.—種顯示面板,包括如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求8所述的顯示面板。
【文檔編號】G02F1/1333GK103941453SQ201410140645
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2014年4月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月9日
【發(fā)明者】張新霞, 儲松南, 呂鳳珍 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
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