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一種陣列基板和顯示裝置制造方法

文檔序號(hào):2708502閱讀:143來(lái)源:國(guó)知局
一種陣列基板和顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供了一種陣列基板和顯示裝置,所述陣列基板包括:基板,所述基板具有顯示區(qū)域、測(cè)試區(qū)域以及連接所述測(cè)試區(qū)域與所述顯示區(qū)域的連線區(qū)域;形成在所述顯示區(qū)域內(nèi)的信號(hào)線,并延伸至所述連線區(qū)域中;在所述信號(hào)線之上形成有絕緣層,并在所述連線區(qū)域內(nèi)具有過(guò)孔,暴露至少部分所述信號(hào)線;在所述絕緣層之上形成有導(dǎo)電膜層,通過(guò)所述過(guò)孔與所述信號(hào)線電連接,實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域?qū)щ娔优c顯示區(qū)域信號(hào)線的連接,從而進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,隨著顯示區(qū)域的制程去除導(dǎo)電膜層,防止殘留的導(dǎo)電膜層對(duì)panel顯示效果的影響。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種陣列基板和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種陣列基板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(LCD,Liquid Crystal Display)具有體積小、重量輕、功耗低、福射低及制造成本低等特點(diǎn),已被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如顯示器、電視、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等數(shù)字電子設(shè)備。其中,TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)是一種主要的平板顯示裝置(FPD, Flat Panel Display)。
[0003]薄膜晶體管液晶顯示器的顯示面板通常包括陣列基板、彩色濾光片基板以及填充于陣列基板和彩色濾光片基板之間的液晶層。在陣列基板的制造過(guò)程中,需要進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,通過(guò)檢測(cè)陣列基板上柵極線或數(shù)據(jù)線的斷開(kāi)和打開(kāi),或者陣列基板上的電路是否有缺陷來(lái)測(cè)試陣列基板是否有缺陷,防止在形成顯示面板之后才發(fā)現(xiàn)陣列基板存在異

巾O
[0004]陣列基板測(cè)試區(qū)域位于陣列基板的邊緣區(qū)域,通過(guò)金屬線與顯示區(qū)域內(nèi)的電路相連接,在進(jìn)行陣列基板的測(cè)試之后該測(cè)試區(qū)域已經(jīng)失效,后續(xù)進(jìn)行切割工藝形成單個(gè)液晶屏(panel)時(shí),將金屬線切斷,但是在panel邊緣可能會(huì)殘留有金屬線,直到制程結(jié)束也無(wú)法去除;金屬線殘留在單個(gè)液晶屏的臺(tái)階處,易導(dǎo)入靜電,2-3kv即會(huì)造成靜電擊傷從而使得panel出現(xiàn)顯示異常;并且金屬線延至panel玻璃邊緣,高溫高濕測(cè)試時(shí)易被腐蝕,從而導(dǎo)致水汽進(jìn)入panel內(nèi)部引起不良。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此,本實(shí)用新型提供一種陣列基板,包括:
[0006]基板,所述基板具有顯示區(qū)域、測(cè)試區(qū)域以及連接所述測(cè)試區(qū)域與所述顯示區(qū)域的連線區(qū)域;
[0007]信號(hào)線,形成在所述基板上所述顯示區(qū)域內(nèi),并延伸至所述連線區(qū)域中;
[0008]絕緣層,形成在所述信號(hào)線之上,所述絕緣層還包括過(guò)孔,所述過(guò)孔暴露至少部分位于所述連線區(qū)域內(nèi)的所述信號(hào)線;
[0009]導(dǎo)電膜層,形成在所述絕緣層之上,通過(guò)所述過(guò)孔與所述信號(hào)線電連接。
[0010]同時(shí),本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
[0011]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供的陣列基板,顯示區(qū)域中形成的信號(hào)線延伸至連線區(qū)域中,形成于連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域中的導(dǎo)電膜層在連線區(qū)域通過(guò)過(guò)孔與信號(hào)線電連接,實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域與顯示區(qū)域信號(hào)線的連接,從而進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,并且導(dǎo)電膜層在顯示區(qū)域中為像素電極或者公共電極,隨著顯示區(qū)域像素電極或公共電極的制作去除連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域上的導(dǎo)電膜層,防止殘留的導(dǎo)電膜層對(duì)panel顯示效果的影響。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】[0012]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的陣列基板和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書(shū),本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是,附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例,僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例的目的。
[0015]本實(shí)用新型的核心思想在于,在顯示區(qū)域中形成的信號(hào)線延伸至連線區(qū)域中,形成于連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域中的導(dǎo)電膜層在連線區(qū)域通過(guò)過(guò)孔與信號(hào)線電連接,實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域與顯示區(qū)域信號(hào)線的連接,從而進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,同時(shí)導(dǎo)電膜層在顯示區(qū)域中為像素電極或者公共電極,隨著顯示區(qū)域像素電極或公用電極的制作去除連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域上的導(dǎo)電膜層,防止殘留的導(dǎo)電膜層對(duì)panel顯示效果的影響。
[0016]【實(shí)施例一】
[0017]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,本實(shí)用新型提供一種陣列基板,包括:
[0018]基板10,所述基板10具有顯示區(qū)域1、測(cè)試區(qū)域3以及連接所述測(cè)試區(qū)域3與所述顯示區(qū)域I的連線區(qū)域2 ;信號(hào)線11,形成在所述基板10上所述顯示區(qū)域I內(nèi),并延伸至所述連線區(qū)域2中;絕緣層,形成在所述信號(hào)線11之上,并在所述連線區(qū)域2內(nèi)具有過(guò)孔,暴露至少部分所述信號(hào)線11 ;導(dǎo)電膜層12,形成在所述絕緣層之上,通過(guò)所述過(guò)孔與所述信號(hào)線11電連接。圖1中未明確示出絕緣層,所述絕緣層的作用在于隔離所述導(dǎo)電膜層12與所述信號(hào)線11。
[0019]所述導(dǎo)電膜層12為透明導(dǎo)電`膜層,本實(shí)施例中,優(yōu)選為ITO膜層,所述顯示區(qū)域I內(nèi)也形成有ITO膜層,所述連線區(qū)域2上的ITO膜層與所述顯示區(qū)域I上的ITO膜層相互絕緣,所述連線區(qū)域2上的ITO膜層與所述測(cè)試區(qū)域3上的ITO膜層相連接,由此可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域與信號(hào)線的連接。本實(shí)施例中,所述顯示區(qū)域I上形成的ITO膜層為像素電極。所述過(guò)孔上的導(dǎo)電膜層12上形成有保護(hù)層13,所述保護(hù)層13的材質(zhì)為光刻膠。
[0020]需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例所提供的陣列基板只是在陣列基板的制造過(guò)程的某一步驟中形成的結(jié)構(gòu),用于陣列基板的測(cè)試,因此保護(hù)層13是在陣列基板的制作過(guò)程中使用的光刻膠,在此起到保護(hù)作用,在其他實(shí)施例中,如果僅用來(lái)進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,也可以使用其他材料的保護(hù)層。在陣列基板的測(cè)試完成后繼續(xù)進(jìn)行其余的工藝制程,直至完成顯示區(qū)I上的電路以及去掉連線區(qū)域2上的導(dǎo)電膜層,避免對(duì)后續(xù)形成的液晶屏造成影響。
[0021]【實(shí)施例二】
[0022]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例二中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2所示,本實(shí)用新型提供一種陣列基板,包括:
[0023]基板20,所述基板20具有顯示區(qū)域1、測(cè)試區(qū)域3以及連接所述測(cè)試區(qū)域2與所述顯示區(qū)域I的連線區(qū)域2 ;信號(hào)線21,形成在所述基板20上所述顯示區(qū)域I內(nèi),并延伸至所述連線區(qū)域2中;絕緣層,形成在所述信號(hào)線21之上,并在所述連線區(qū)域2內(nèi)具有過(guò)孔,暴露至少部分所述信號(hào)線21 ;導(dǎo)電膜層22,形成在所述絕緣層之上,通過(guò)所述過(guò)孔與所述信號(hào)線21電連接。圖2中未明確示出絕緣層,所述絕緣層的作用在于隔離所述導(dǎo)電膜層22與所述信號(hào)線21。
[0024]所述導(dǎo)電膜層22為透明導(dǎo)電膜層本實(shí)施例中,優(yōu)選為ITO膜層,所述顯示區(qū)域I內(nèi)也形成有ITO膜層,所述連線區(qū)域2上的ITO膜層與所述顯示區(qū)域I上的ITO膜層相互絕緣,所述連線區(qū)域2上的ITO膜層與所述測(cè)試區(qū)域3上的ITO膜層相連接,由此可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域與信號(hào)線的連接。本實(shí)施例中,所述顯示區(qū)域I上形成的ITO膜層為公共電極。
[0025]同樣的,本實(shí)施例所提供的陣列基板也是在陣列基板的制造過(guò)程的某一步驟中形成的結(jié)構(gòu),用于陣列基板的測(cè)試,測(cè)試完成后繼續(xù)進(jìn)行其余的工藝制程,直至完成顯示區(qū)I上的電路以及去掉連線區(qū)域2上的導(dǎo)電膜層,避免對(duì)后續(xù)形成的液晶屏造成影響。
[0026]本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置,包括上述的陣列基板。
[0027]綜上所述,本實(shí)用新型提供的陣列基板,顯示區(qū)域中形成的信號(hào)線延伸至連線區(qū)域中,形成于連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域中的導(dǎo)電膜層在連線區(qū)域通過(guò)過(guò)孔與信號(hào)線電連接,實(shí)現(xiàn)測(cè)試區(qū)域與顯示區(qū)域信號(hào)線的連接,從而進(jìn)行陣列基板的測(cè)試,并且導(dǎo)電膜層在顯示區(qū)域中為像素電極或者公共電極,隨著顯示區(qū)域像素電極或公共電極的制作去除連線區(qū)域與測(cè)試區(qū)域上的導(dǎo)電膜層,防止殘留的導(dǎo)電膜層對(duì)panel顯示效果及信賴(lài)性的影響。
[0028]上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述,并非對(duì)本實(shí)用新型范圍的任何限定,本發(fā)明領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書(shū)的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:基板,所述基板具有顯示區(qū)域、測(cè)試區(qū)域以及連接所述測(cè)試區(qū)域與所述顯示區(qū)域的連線區(qū)域;信號(hào)線,形成在所述基板上所述顯示區(qū)域內(nèi),并延伸至所述連線區(qū)域中;絕緣層,形成在所述信號(hào)線之上,所述絕緣層還包括過(guò)孔,所述過(guò)孔暴露至少部分位于所述連線區(qū)域內(nèi)的所述信號(hào)線;導(dǎo)電膜層,形成在所述絕緣層之上,通過(guò)所述過(guò)孔與所述信號(hào)線電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述導(dǎo)電膜層為透明導(dǎo)電膜層。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述透明導(dǎo)電膜層包括位于顯示區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電膜層。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板,其特征在于,所述連線區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電膜層與所述顯示區(qū)域內(nèi)的透明導(dǎo)電膜層相互絕緣。
5.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示區(qū)域內(nèi)形成的透明導(dǎo)電膜層為像素電極。
6.如權(quán)利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述顯示區(qū)域內(nèi)形成的透明導(dǎo)電膜層為公共電極。
7.如權(quán)利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述過(guò)孔上的所述導(dǎo)電膜層上形成有保護(hù)層。
8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述保護(hù)層的材質(zhì)為光刻膠。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權(quán)利要求1?8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK203673192SQ201320863684
【公開(kāi)日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2013年12月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月25日
【發(fā)明者】賴(lài)國(guó)昌 申請(qǐng)人:廈門(mén)天馬微電子有限公司, 天馬微電子股份有限公司
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