一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上方的多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，電極結(jié)構(gòu)包括采用金屬材料制成的本體電極，還包括：襯底電極，襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成；襯底電極位于本體電極下方，且在正投影方向上與本體電極部分或完全重疊；襯底電極與本體電極電連接。該陣列基板通過在金屬材料制成的本體電極（如：數(shù)據(jù)線、源極、漏極、備用電極和信號輸入電極等）下方設(shè)置襯底電極，使本體電極能夠與柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在本體電極內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了本體電極出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)。從而也進(jìn)一步保證了采用該陣列基板的顯示裝置的顯示品質(zhì)。
【專利說明】一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無福射等特點(diǎn)已成為目前平板顯示器中的主流產(chǎn)品。目前，隨著液晶顯示器技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，高品質(zhì)的液晶顯示器成為各個(gè)生產(chǎn)廠家一致追求的目標(biāo)。
[0003]陣列基板是液晶顯示器的重要組成部分，也是用來顯示的關(guān)鍵組件。在陣列基板的制備過程中，常常會由于制備工藝中存在的一些客觀缺陷導(dǎo)致陣列基板出現(xiàn)某些質(zhì)量問題。
[0004]如針對HADS (High Advanced Super Dimension Switch,高開口率高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))模式的液晶顯示器陣列基板，柵絕緣層通常采用化學(xué)氣相沉積的方法形成在柵極的上方，有源層采用化學(xué)氣相沉積的方法形成在柵絕緣層上；源極、漏極和數(shù)據(jù)線采用濺鍍(Sputter)的方法形成在柵絕緣層上，且源極和漏極分別有一部分覆疊在柵絕緣層上，另一部分覆疊在有源層上，源極、漏極和數(shù)據(jù)線一般采用純金屬材料(如鉻、鋁、銅、鑰等)制成。由于化學(xué)氣相沉積時(shí)容易使柵絕緣層表面和有源層表面形成顆粒狀(Particle)的表面，容易導(dǎo)致源極和漏極與有源層的接觸不夠充分，從而使源極和漏極與有源層之間的接觸勢壘增大或者兩者之間接觸不穩(wěn)定；或者，顆粒狀的表面會直接導(dǎo)致源極、漏極和數(shù)據(jù)線在金屬濺鍍時(shí)其膜層中形成小缺口，從而使制備完成的源極、漏極和數(shù)據(jù)線出現(xiàn)斷路。
[0005]另外，由于源極、漏極和數(shù)據(jù)線相對像素區(qū)其他區(qū)域的斷差較大，而它們的純金屬材質(zhì)柔韌性和致密性又比較差，所以在其制備過程中也容易形成斷路。源極、漏極和數(shù)據(jù)線的斷路會直接導(dǎo)致陣列基板無法正常顯示，嚴(yán)重影響陣列基板乃至整個(gè)顯示裝置的品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】
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[0006]本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供了一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置。該陣列基板中的電極結(jié)構(gòu)通過設(shè)置襯底電極，使該電極結(jié)構(gòu)更具致密性和柔韌性。該陣列基板通過在金屬材料制成的本體電極下方設(shè)置襯底電極，使本體電極能夠與柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在本體電極內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了本體電極出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)。
[0007]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上方的多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括采用金屬材料制成的本體電極，所述電極結(jié)構(gòu)還包括:
[0008]襯底電極，所述襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成；
[0009]所述襯底電極位于所述本體電極下方，且在正投影方向上與所述本體電極部分或
完全重疊；
[0010]所述襯底電極與所述本體電極電連接。
[0011]優(yōu)選的，制成所述本體電極的金屬材料包括鉻、鑰、鋁、銅、釹鋁合金或鋁鑰合金，制成所述襯底電極的透明金屬氧化物材料包括氧化銦錫或摻銦氧化鋅。
[0012]優(yōu)選的，所述陣列基板包括顯示區(qū)，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線將所述顯示區(qū)劃分為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)，所述本體電極包括所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極中的至少一種。
[0013]優(yōu)選的，所述顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有用于起修復(fù)作用的備用電極，所述本體電極還包括備用電極。
[0014]優(yōu)選的，所述顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極在正投影方向上至少部分重疊，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極設(shè)置在同一層；所述像素電極與所述漏極電連接；所述陣列基板中還設(shè)置有公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極電連接。
[0015]優(yōu)選的，處于相對上層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)或板狀結(jié)構(gòu)。
[0016]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0017]本發(fā)明還提供一種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上方形成多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，采用金屬材料制成所述電極結(jié)構(gòu)中的本體電極，采用透明金屬氧化物材料制成所述電極結(jié)構(gòu)中的襯底電極，所述襯底電極形成在所述本體電極的下方；所述襯底電極和所述本體電極通過一次構(gòu)圖工藝形成；或者，所述襯底電極和所述本體電極通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成，所述襯底電極與所述本體電極電連接。
[0018]優(yōu)選的，該方法包括:
[0019]步驟S1:通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板上形成包括柵極和柵線的圖形，所述柵極和所述柵線采用相同材料制成；
[0020]步驟S2:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟SI的所述襯底基板上形成包括有源層和柵絕緣層的圖形；
[0021]步驟S3:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同材料制成；
[0022]步驟S4:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S3的所述襯底基板上形成包括所述本體電極的圖形；
[0023]或者，所述制備方法在所述步驟S2之后包括:步驟S3’:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述本體電極、所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同的材料制成。
[0024]優(yōu)選的，所述本體電極包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和備用電極中的至少一種，所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極和所述備用電極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層。
[0025]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的陣列基板，通過在電極結(jié)構(gòu)中設(shè)置透明金屬氧化物材料的襯底電極，使整個(gè)電極結(jié)構(gòu)更具致密性和柔韌性。該陣列基板，通過在金屬材料制成的本體電極(如:數(shù)據(jù)線、源極、漏極、備用電極和信號輸入電極等)下方設(shè)置金屬氧化物材料制成的襯底電極，使本體電極能夠與采用化學(xué)氣相沉積法形成的柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在金屬材料制成的本體電極內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了本體電極出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)。從而也進(jìn)一步保證了采用該陣列基板的顯示裝置的顯示品質(zhì)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中一種電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1中另一種電極結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖5為本發(fā)明實(shí)施例4中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0032]1.本體電極；2.襯底電極；01.襯底基板；3.柵極；4.柵絕緣層；5.有源層；6.源極；7.漏極；8.數(shù)據(jù)線；9.像素電極；11.信號輸入電極；12.公共電極；13.鈍化層；14.公共電極線。
【具體實(shí)施方式】
[0033]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明一種陣列基板及其制備方法和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0034]實(shí)施例1:
[0035]本實(shí)施例提供一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于襯底基板上方的多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，如圖1和圖2所示，電極結(jié)構(gòu)包括采用金屬材料制成的本體電極1，電極結(jié)構(gòu)還包括襯底電極2，襯底電極2采用透明金屬氧化物材料制成；襯底電極2位于本體電極I下方，且在正投影方向上與本體電極I部分重疊(如圖2)或完全重疊(如圖1);襯底電極2與本體電極I電連接。
[0036]本實(shí)施例中，本體電極I與襯底電極2在正投影方向上完全重疊。
[0037]其中，制成本體電極I的金屬材料包括鉻、鑰、鋁、銅、釹鋁合金或鋁鑰合金等，制成襯底電極2的透明金屬氧化物材料包括氧化銦錫或摻銦氧化鋅等。由于透明金屬氧化物材料比純金屬材料的致密性和柔韌性好，所以襯底電極2的設(shè)置能夠使整個(gè)電極結(jié)構(gòu)更具致密性和柔韌性。襯底電極2的厚度范圍為100-1000埃，這樣的厚度不會對整個(gè)電極結(jié)構(gòu)的厚度造成影響。
[0038]另外，利用目前的制備工藝，襯底電極2和本體電極I可以在一次曝光工藝中形成；或者，襯底電極2和本體電極I也可以在兩次曝光工藝中分別形成。
[0039]該陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，本實(shí)施例中，上述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于顯示區(qū)。
[0040]如圖3所示，該陣列基板中，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線8將顯示區(qū)劃分為多個(gè)像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極3、柵絕緣層4、有源層5，以及同層設(shè)置的源極6和漏極7。其中，柵極3和柵線同層設(shè)置在襯底基板01上且電連接，柵絕緣層4、有源層5、源極6和漏極7依次設(shè)置在柵極3的上方，源極6與數(shù)據(jù)線8同層設(shè)置且電連接；顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有顯示電極，該顯示電極為像素電極9，像素電極9設(shè)置在漏極7與柵絕緣層4之間，且像素電極9與漏極電連接。
[0041]本實(shí)施例中，本體電極包括數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7，即數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7分別做為上述電極結(jié)構(gòu)的本體電極，且數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7采用相同的材料、并在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層。襯底電極與像素電極9采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成，即數(shù)據(jù)線8下方的襯底電極、源極6下方的襯底電極和漏極7下方的襯底電極與像素電極9形成在陣列基板的同一層中。如此設(shè)置，使得陣列基板在制備過程中不會額外增加工藝步驟。像素電極9僅與漏極7下方的襯底電極電連接。
[0042]本實(shí)施例中，在金屬材料制成的數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7的正投影的下方分別設(shè)置有襯底電極，該襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成，且與采用相同透明金屬氧化物材料制成的像素電極9在同一構(gòu)圖工藝中形成。
[0043]如此設(shè)置，使金屬材料制成的數(shù)據(jù)線8能夠與柵絕緣層4緊密接觸、源極6和漏極7能夠與柵絕緣層4和有源層5緊密接觸，從而不容易在金屬材料制成的數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7的內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了數(shù)據(jù)線8、源極6和漏極7出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)。
[0044]另外，由于陣列基板中的源極6和漏極7采用上述電極結(jié)構(gòu)，即本體電極與襯底電極完全重疊，也即襯底電極對應(yīng)設(shè)置在源極6和漏極7的整個(gè)下表面，使透明金屬氧化物材料的襯底電極直接與有源層5電連接。如此設(shè)置，使源極6和漏極7與有源層5之間的接觸勢壘(即由接觸電阻而形成的接觸電勢差)減小了，從而增大了薄膜晶體管的導(dǎo)通電流；另外，也使源極6和漏極7與有源層5之間的接觸更加穩(wěn)定，從而不容易發(fā)生源極6或漏極7與有源層5之間相互虛接或斷開的問題。
[0045]需要說明的是，圖3僅為本實(shí)施例中陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖，實(shí)際陣列基板的薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線8并不能在一個(gè)剖切面上同時(shí)剖出，圖3只是將這幾個(gè)結(jié)構(gòu)示意性地放到一個(gè)圖中進(jìn)行說明，以便能更清楚地說明它們之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系。
[0046]基于上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，本實(shí)施例還提供一種該陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上方形成多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，采用金屬材料制成電極結(jié)構(gòu)中的本體電極，采用透明金屬氧化物材料制成電極結(jié)構(gòu)中的襯底電極，襯底電極形成在本體電極的下方；襯底電極和本體電極通過一次構(gòu)圖工藝形成；或者，襯底電極和本體電極通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成，襯底電極與本體電極電連接。
[0047]其制備步驟具體為:
[0048]步驟S1:采用一次構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括柵極和柵線的圖形。柵極和柵線采用相同材料制成。
[0049]在該步驟中，先通過濺射或蒸鍍在襯底基板上形成一層金屬膜(該金屬膜材料為如鉻、鑰、鋁或銅)，該金屬膜的厚度為2000-5000埃；然后通過曝光、顯影和濕刻工藝，形成包括柵極和柵線的圖形。
[0050]步驟S2:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟SI的襯底基板上形成包括柵絕緣層和有源層的圖形。
[0051]在該步驟中，先通過化學(xué)氣相沉積在完成步驟SI的襯底基板上沉積一層?xùn)沤^緣層膜(該膜層采用氮化硅材料)，該柵絕緣層膜的厚度為2000-5000埃；接著，再通過化學(xué)氣相沉積在柵絕緣層膜上沉積一層有源層膜(該膜層采用a硅材料)，該有源層膜的厚度為2000-4000埃；然后，通過一次曝光、顯影和干刻工藝，形成包括柵絕緣層和有源層的圖形。
[0052]步驟S3’:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S2的襯底基板上形成包括像素電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)線下方的襯底電極、源極和源極下方的襯底電極，以及漏極和漏極下方的襯底電極的圖形。即襯底電極和本體電極通過一次構(gòu)圖工藝形成。
[0053]在該步驟中，先通過濺射或蒸鍍在完成步驟S2的襯底基板上形成一層透明金屬氧化物膜(該膜的材料為如氧化銦錫或摻銦氧化鋅)，該金屬氧化物膜的厚度為100-1000埃；接著，再通過同樣的方法在透明金屬氧化物膜上沉積一層金屬膜(該膜層采用如鉻、鑰、鋁或銅材料)，該金屬膜的厚度為1000-6000埃。然后，采用半色調(diào)掩模板，通過曝光、顯影和第一次濕刻工藝，去除對應(yīng)薄膜晶體管溝道區(qū)以及其他不需要透明金屬氧化物的區(qū)域中的金屬氧化物膜；再通過灰化和第二次濕刻工藝，去除對應(yīng)像素電極區(qū)域的金屬膜，使像素電極區(qū)域僅剩下金屬氧化物膜；最后對剩余部分的光刻膠進(jìn)行剝離，就形成了包括像素電極、數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)線下方的襯底電極、源極和源極下方的襯底電極，以及漏極和漏極下方的襯底電極的圖形。
[0054]至此，該陣列基板及其中的電極結(jié)構(gòu)制備完畢。
[0055]需要說明的是，該陣列基板的制備方法也可以是:在步驟S2之后還包括步驟S3和步驟S4。即襯底電極和本體電極通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成。
[0056]步驟S3:在完成步驟S2的襯底基板上先形成一層透明金屬氧化物膜，然后，采用全色調(diào)掩模板，通過第一次曝光、顯影和濕刻工藝，形成包括像素電極、數(shù)據(jù)線下方的襯底電極、源極下方的襯底電極，以及漏極下方的襯底電極的圖形。
[0057]步驟S4:在完成步驟S3的襯底基板上形成一層金屬膜，采用全色調(diào)掩模板，通過第二次曝光、顯影和濕刻工藝，形成包括數(shù)據(jù)線、源極和漏極的圖形。該采用全色調(diào)掩模板，通過兩次曝光分別形成襯底電極和本體電極的方法，不僅能夠形成如圖1中所示的電極結(jié)構(gòu)(即襯底電極與本體電極完全重疊)，而且能夠形成如圖2中所示的電極結(jié)構(gòu)(即襯底電極與本體電極部分重疊)。
[0058]另外，采用半色調(diào)掩模板通過一次構(gòu)圖工藝形成襯底電極和本體電極的制備方法相比于采用全色調(diào)掩模板通過兩次構(gòu)圖工藝形成襯底電極和本體電極的制備方法，由于減少了一道曝光工藝，所以能夠使得陣列基板的制備成本更低。
[0059]實(shí)施例2:
[0060]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1不同的是，在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，陣列基板的顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有備用電極，本體電極還包括備用電極，襯底電極與顯示電極(即像素電極)采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。即備用電極下方的襯底電極與像素電極形成在陣列基板的同一層中。
[0061]其中，備用電極與數(shù)據(jù)線采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層，備用電極一般用于對短路的或斷路的數(shù)據(jù)線進(jìn)行修復(fù)。
[0062]本實(shí)施例中陣列基板的其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例1中相同，不再贅述。
[0063]該陣列基板的制備，只要在制備數(shù)據(jù)線的工藝步驟中將備用電極也同時(shí)進(jìn)行制備，在制備像素電極的工藝步驟中將備用電極下方的襯底電極也同時(shí)進(jìn)行制備即可。陣列基板的其他制備步驟與實(shí)施例1中相同。
[0064]實(shí)施例3:[0065]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1-2不同的是，如圖4所示，在實(shí)施例2的基礎(chǔ)上，柵絕緣層4還同時(shí)延伸至非顯示區(qū)；電極結(jié)構(gòu)還設(shè)置于非顯示區(qū)，延伸至非顯示區(qū)的柵絕緣層4上方還設(shè)置有信號輸入電極11，本體電極還包括信號輸入電極11，襯底電極與顯示電極(即像素電極9)采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成。即信號輸入電極11下方的襯底電極與像素電極9形成在陣列基板的同一層中。
[0066]其中，信號輸入電極11與數(shù)據(jù)線8采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成在
同一層。
[0067]信號輸入電極11包括測試信號輸入電極和顯不信號輸入電極，測試信號輸入電極一般用于向陣列基板的柵線或數(shù)據(jù)線8輸入測試信號，測試其是否正常。顯示信號輸入電極指用于與外圍電路(如驅(qū)動電路板)進(jìn)行電連接的排線電極(也叫金手指)，該電極用于向柵線或數(shù)據(jù)線8輸入顯示信號(即掃描信號)，使陣列基板正常顯示。
[0068]信號輸入電極11 一般設(shè)置在陣列基板的邊框區(qū)域。
[0069]本實(shí)施例中陣列基板的其他結(jié)構(gòu)均與實(shí)施例2中相同，不再贅述。
[0070]需要說明的是，圖4僅為本實(shí)施例中陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖，實(shí)際陣列基板的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線8和信號輸入電極11并不能在一個(gè)剖切面上同時(shí)剖出，圖4只是將這幾個(gè)結(jié)構(gòu)示意性地放到一個(gè)圖中進(jìn)行說明，以便能更清楚地說明它們之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系。
[0071]該陣列基板的制備，只要在制備數(shù)據(jù)線8的工藝步驟中將信號輸入電極11也同時(shí)進(jìn)行制備，在制備像素電極的工藝步驟中將信號輸入電極11下方的襯底電極也同時(shí)進(jìn)行制備即可。陣列基板的其他制備步驟與實(shí)施例2中相同。
[0072]實(shí)施例4:
[0073]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1-3不同的是，如圖5所示，在實(shí)施例3的基礎(chǔ)上，該陣列基板還包括公共電極12，公共電極12設(shè)置在像素電極9的上方，且像素電極9和公共電極12在正投影方向上至少部分重疊。公共電極12與像素電極9采用相同的材料(即透明金屬氧化物材料)形成。公共電極12和像素電極9之間還設(shè)置有鈍化層13，鈍化層13設(shè)置在薄膜晶體管的上方，且鈍化層13還同時(shí)延伸至非顯示區(qū)。另外，該陣列基板中還設(shè)置有公共電極線14，公共電極線14與柵極3采用相同材料，且在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層中，且公共電極線14與公共電極12電連接，如此設(shè)置，降低了公共電極12的面電阻。
[0074]該陣列基板的其他結(jié)構(gòu)與實(shí)施例3中相同，此處不再贅述。
[0075]需要說明的是，圖5僅為本實(shí)施例中陣列基板的示意性結(jié)構(gòu)圖，實(shí)際陣列基板的薄膜晶體管、數(shù)據(jù)線8和信號輸入電極11并不能在一個(gè)剖切面上同時(shí)剖出，圖5只是將這幾個(gè)結(jié)構(gòu)示意性地放到一個(gè)圖中進(jìn)行說明，以便能更清楚地說明它們之間的結(jié)構(gòu)關(guān)系。
[0076]該陣列基板的制備步驟為:在實(shí)施例3中陣列基板的制備步驟的基礎(chǔ)上，該陣列基板的制備步驟還包括:
[0077]步驟S4，:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S3’或步驟S4的襯底基板上形成包括鈍化層的圖形。
[0078]在該步驟中，先通過化學(xué)氣相沉積在完成步驟S3’或步驟S4的襯底基板上沉積一層鈍化層膜(該膜層采用氮化硅材料)，該鈍化層膜的厚度為1000-6000埃；然后，通過一次曝光、顯影和干刻工藝，形成包括鈍化層的圖形。[0079]步驟S5:采用一次構(gòu)圖工藝在完成步驟S4’的襯底基板上形成包括公共電極的圖形。
[0080]在該步驟中，先通過濺射或蒸鍍在完成步驟S4’的襯底基板上形成一層透明金屬氧化物膜(該金屬氧化物膜材料為如氧化銦錫或摻銦氧化鋅)，該金屬氧化物膜的厚度為100-1000埃；然后通過曝光、顯影和濕刻工藝，形成包括公共電極的圖形。
[0081]至此，該陣列基板及其中的電極結(jié)構(gòu)制備完畢。
[0082]實(shí)施例5:
[0083]本實(shí)施例提供一種陣列基板，與實(shí)施例1-4不同的是，與襯底電極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成的顯示電極為處于陣列基板中相對下層的公共電極。即與實(shí)施例4中的陣列基板相比，公共電極與像素電極在陣列基板中的位置進(jìn)行互換。
[0084]需要說明的是，公共電極與其他襯底電極均不相電連接。
[0085]相應(yīng)地，該陣列基板的制備步驟中，只需在實(shí)施例4的制備步驟的基礎(chǔ)上，將像素電極和公共電極的制備步驟進(jìn)行互換即可。其他制備步驟不變。
[0086]該陣列基板的其他結(jié)構(gòu)及其他制備步驟與實(shí)施例4中相同，在此不再贅述。
[0087]實(shí)施例1-5的有益效果:實(shí)施例1-5中的陣列基板通過在金屬材料制成的本體電極(如:數(shù)據(jù)線、源極、漏極、備用電極和信號輸入電極等)下方設(shè)置金屬氧化物材料制成的襯底電極，使本體電極能夠與采用化學(xué)氣相沉積法形成的柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在金屬材料制成的本體電極內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了本體電極出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)。
[0088]實(shí)施例6:
[0089]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括實(shí)施例1-5中任一的陣列基板。由于采用實(shí)施例1-5中任一的陣列基板，所以能夠進(jìn)一步保證該顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0090]該顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0091]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的陣列基板，通過在電極結(jié)構(gòu)中設(shè)置透明金屬氧化物材料的襯底電極，使整個(gè)電極結(jié)構(gòu)更具致密性和柔韌性。該陣列基板，通過在金屬材料制成的本體電極(如:數(shù)據(jù)線、源極、漏極、備用電極和信號輸入電極等)下方設(shè)置金屬氧化物材料制成的襯底電極，使本體電極能夠與采用化學(xué)氣相沉積法形成的柵絕緣層或有源層緊密接觸，從而不容易在金屬材料制成的本體電極內(nèi)部形成小缺口，進(jìn)而避免了本體電極出現(xiàn)斷路，保證了陣列基板的品質(zhì)，也進(jìn)一步保證了采用該陣列基板的顯示裝置的顯示品質(zhì)。
[0092]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板以及設(shè)置于所述襯底基板上方的多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括采用金屬材料制成的本體電極，其特征在于，所述電極結(jié)構(gòu)還包括: 襯底電極，所述襯底電極采用透明金屬氧化物材料制成； 所述襯底電極位于所述本體電極下方，且在正投影方向上與所述本體電極部分或完全重疊； 所述襯底電極與所述本體電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，制成所述本體電極的金屬材料包括鉻、鑰、鋁、銅、釹鋁合金或鋁鑰合金，制成所述襯底電極的透明金屬氧化物材料包括氧化銦錫或摻銦氧化鋅。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括顯示區(qū)，多條交叉設(shè)置的柵線和數(shù)據(jù)線將所述顯示區(qū)劃分為多個(gè)像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、源極和漏極，所述源極與所述數(shù)據(jù)線電連接；所述電極結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述顯示區(qū)，所述本體電極包括所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有用于起修復(fù)作用的備用電極，所述本體電極還包括備用電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述顯示區(qū)內(nèi)還設(shè)置有像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極在正投影方向上至少部分重疊，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極設(shè)置在同一層；所述像素電極與所述漏極電連接；所述陣列基板中還設(shè)置`有公共電極線，所述公共電極線與所述公共電極電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，處于相對上層的所述公共電極或所述像素電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)；處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極具有狹縫狀結(jié)構(gòu)或板狀結(jié)構(gòu)。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-6中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
8.—種陣列基板的制備方法，包括:在襯底基板上方形成多個(gè)電極結(jié)構(gòu)，采用金屬材料制成所述電極結(jié)構(gòu)中的本體電極，其特征在于，采用透明金屬氧化物材料制成所述電極結(jié)構(gòu)中的襯底電極，所述襯底電極形成在所述本體電極的下方；所述襯底電極和所述本體電極通過一次構(gòu)圖工藝形成；或者，所述襯底電極和所述本體電極通過兩次構(gòu)圖工藝分別形成，所述襯底電極與所述本體電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，該方法包括: 步驟S1:通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底基板上形成包括柵極和柵線的圖形，所述柵極和所述柵線采用相同材料制成； 步驟S2:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟SI的所述襯底基板上形成包括有源層和柵絕緣層的圖形； 步驟S3:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同材料制成； 步驟S4:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S3的所述襯底基板上形成包括所述本體電極的圖形；或者，所述制備方法在所述步驟S2之后包括:步驟S3’:通過一次構(gòu)圖工藝，在完成所述步驟S2的所述襯底基板上形成包括所述本體電極、所述襯底電極和處于相對下層的像素電極或公共電極的圖形，所述襯底電極與處于相對下層的所述像素電極或所述公共電極采用相同的材料制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9項(xiàng)所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，所述本體電極包括數(shù)據(jù)線、源極、漏極和備用電極中的至少一種，所述數(shù)據(jù)線、所述源極、所述漏極和所述備用電極采用相同的材料、且在同一構(gòu)圖工藝中形成在同一層。
【文檔編號】G02F1/1343GK103605242SQ201310597754
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月21日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司