陣列基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、應(yīng)用該陣列基板的顯示裝置及其制備方法。該陣列基板包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有若干像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，所述襯底基板邊緣還設(shè)置有接地引線以及與所述接地引線電連接的第一靜電防護(hù)層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法中，通過設(shè)置接地引線以及第一靜電防護(hù)層，在有靜電沖擊時(shí)，利用接地引線以及第一靜電防護(hù)層將靜電電荷泄放，從而形成有效的靜電沖擊防護(hù)機(jī)制，避免由于靜電擊穿對驅(qū)動電路造成損傷，極大的提升產(chǎn)品的可靠性。
【專利說明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、應(yīng)用該陣列基板的顯示裝置及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]平板顯示裝置相比于傳統(tǒng)的陰極射線管顯示裝置具有輕薄、驅(qū)動電壓低、沒有閃爍抖動以及使用壽命長等優(yōu)點(diǎn)，其中，液晶顯示裝置作為一種平板顯示裝置由于其具有畫面穩(wěn)定、圖像逼真、消除輻射、節(jié)省空間以及節(jié)省能耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電視、手機(jī)、顯示裝置等電子產(chǎn)品中，已占據(jù)了平面顯示領(lǐng)域的主導(dǎo)地位。
[0003]液晶顯不裝置主要包括液晶面板和電路系統(tǒng)等，液晶面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，陣列基板上設(shè)置有多個(gè)像素單元，電路系統(tǒng)用于產(chǎn)生控制各像素單元的信號。
[0004]現(xiàn)有的液晶顯示裝置中的每一個(gè)像素單元通常包括一個(gè)薄膜晶體管TFT (ThinFilm Transistor,薄膜晶體管),每個(gè)像素單元的薄膜晶體管需要與相應(yīng)驅(qū)動電路相連接，驅(qū)動電路為電路系統(tǒng)的一部分，用于為各TFT提供驅(qū)動信號。
[0005]為了減少液晶顯示裝置的總尺寸以及制造成本，現(xiàn)有技術(shù)中會將部分驅(qū)動電路，通常是將相對簡單的柵極驅(qū)動電路直接制作在陣列基板上，來代替由外接驅(qū)動芯片作為驅(qū)動電路。該種設(shè)置方式可減小顯示裝置的體積，并且制作工藝簡單，提高液晶顯示裝置的尺寸及降低制作成本。
[0006]電子產(chǎn)品的靜電防護(hù)設(shè)計(jì)是保證其能夠正常工作的必備條件之一。液晶顯示裝置作為一種電子產(chǎn)品在生產(chǎn)、運(yùn)輸、測試以及使用過程中，要面臨很多來自機(jī)械設(shè)備、人體或者是其它電子設(shè)備帶來的靜電。由于形成在陣列基板上的柵極驅(qū)動電路布線密集，外部靜電可通過陣列基板和彩膜基板之間的縫隙進(jìn)入柵極驅(qū)動電路，從而對柵極驅(qū)動電路造成損傷。
[0007]目前行業(yè)中，由于客戶以及最終消費(fèi)者對產(chǎn)品防靜電要求的提高，防止靜電擊穿已經(jīng)成為重要課題。例如，在很多液晶顯示裝置，諸如手機(jī)以及其他用戶終端都增加了靜電釋放ESD (Electro Static Discharge,靜電釋放)測試，即利用2KV以上的高壓來測試液晶顯示裝置的靜電防護(hù)能力。
[0008]然而，現(xiàn)有技術(shù)中的部分液晶顯示裝置雖然進(jìn)行了形狀以及信號的添加和改變以防止靜電擊穿，但在2KV以上的高壓測試條件下，依然容易因靜電擊穿造成的柵極驅(qū)動電路損傷，導(dǎo)致畫面顯示異常，甚至無法正常工作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009](一)要解決的技術(shù)問題
[0010]本發(fā)明的目的在于針對上述問題，提供一種陣列基板，該陣列基板能夠?qū)υO(shè)置在其上的驅(qū)動電路進(jìn)行有效的靜電防護(hù)，從而提升產(chǎn)品的可靠性；進(jìn)一步的，本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用該陣列基板的顯示裝置及該顯示裝置制備方法。
[0011](二)技術(shù)方案
[0012]本發(fā)明技術(shù)方案如下:
[0013]一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有若干像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，所述襯底基板邊緣還設(shè)置有接地引線以及與所述接地引線電連接的第一靜電防護(hù)層。
[0014]優(yōu)選的，所述第一靜電防護(hù)層覆蓋在所述驅(qū)動電路上方。
[0015]優(yōu)選的，所述驅(qū)動電路包括柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路。
[0016]優(yōu)選的，所述像素單元包括薄膜晶體管；所述接地引線與所述薄膜晶體管的柵極金屬層或者源漏金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同。
[0017]優(yōu)選的，所述像素單元還包括依次設(shè)置的柵絕緣層、鈍化層以及透明電極層，所述第一靜電防護(hù)層與所述透明電極層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，所述第一靜電防護(hù)層通過柵絕緣層和鈍化層上的過孔與所述接地引線電連接。
[0018]本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述任意一種陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置，包括上述任意一種陣列基板以及與所述陣列基板對盒的對盒基板。
[0019]優(yōu)選的，所述對盒基板上設(shè)置有與所述第一靜電防護(hù)層電連接的第二靜電防護(hù)層，且所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層的位置相對應(yīng)。
[0020]優(yōu)選的，所述對盒基板為彩膜基板。
[0021]優(yōu)選的，所述彩膜基板上還設(shè)置有平坦層，所述第二靜電防護(hù)層位于所述平坦層上方。
[0022]優(yōu)選的，所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層材質(zhì)及形狀相同。
[0023]優(yōu)選的，所述陣列基板與所述對盒基板通過封框膠粘合，且所述封框膠部分覆蓋所述第一靜電防護(hù)層，所述封框膠覆蓋所述第一靜電防護(hù)層的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物；
[0024]所述第一靜電防護(hù)層與所述第二靜電防護(hù)層通過所述導(dǎo)電顆粒物電連接。
[0025]本發(fā)明還提供了一種制備上述任意一種陣列基板的方法，該方法包括在襯底基板上形成像素單元以及與用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路的過程；還包括形成上述任意一種所述的接地引線以及第一靜電防護(hù)層的過程。
[0026]優(yōu)選的，所述形成用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路的過程包括:
[0027]在襯底基板上形成所述柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路。
[0028]優(yōu)選的，所述形成像素單元的過程包括形成薄膜晶體管的過程，所述形成接地引線的過程包括:
[0029]在襯底基板上沉積金屬薄膜；
[0030]通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的柵極金屬層圖案，或者通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的源漏金屬層圖案；且所述接地弓I線圖案位于所述襯底基板邊緣。
[0031]優(yōu)選的，所述形成像素單元的過程包括形成柵絕緣層以及鈍化層的過程；所述形成第一靜電防護(hù)層的過程包括:[0032]在形成有柵絕緣層以及鈍化層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成過孔圖案；
[0033]在形成有過孔圖案的襯底基板上沉積透明金屬薄膜；
[0034]通過構(gòu)圖工藝形成透明電極層圖案以及所述第一靜電防護(hù)層圖案，且所述第一靜電防護(hù)層覆蓋所述驅(qū)動電路上方并通過所述過孔與接地弓I線電連接。
[0035]本發(fā)明還提供了一種制備上述任意一種顯示裝置的方法:
[0036]一種顯示裝置制備方法，包括根據(jù)上述任意一種方法制備陣列基板的過程、制備與所述陣列基板對盒的對盒基板的過程以及將所述陣列基板與對盒基板對盒的過程。
[0037]優(yōu)選的，所述制備對盒基板的過程包括形成上述任意一種第二靜電防護(hù)層的過程。
[0038]優(yōu)選的，形成所述第二靜電防護(hù)層的過程包括:
[0039]在所述對盒基板的平坦層上沉積金屬薄膜；
[0040]通過構(gòu)圖工藝形成所述第二靜電防護(hù)層圖案，且所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層的位置相對應(yīng)。
[0041]優(yōu)選的，所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層材質(zhì)及形狀相同。
[0042]優(yōu)選的，所述將所述陣列基板與所述對盒基板對盒的過程包括:
[0043]在所述陣列基板周邊涂覆封框膠，且所述封框膠部分覆蓋所述第一靜電防護(hù)層，所述封框膠覆蓋所述第一靜電防護(hù)層的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物；
[0044]將所述陣列基板與對盒基板周邊通過所述封框膠粘合，且所述第一靜電防護(hù)層與所述第二靜電防護(hù)層通過所述導(dǎo)電顆粒物電連接。
[0045](三)有益效果
[0046]本發(fā)明提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法中，通過設(shè)置接地引線以及第一靜電防護(hù)層，在有靜電沖擊時(shí)，利用接地引線以及第一靜電防護(hù)層將靜電電荷泄放，從而形成有效的靜電沖擊防護(hù)機(jī)制，避免由于靜電擊穿造成柵極驅(qū)動電路等關(guān)鍵電路產(chǎn)生損傷，極大的提升了產(chǎn)品的可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0047]圖1是本發(fā)明實(shí)施例一中陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048]圖2是圖1中陣列基板在A-B方向上的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖3是圖2中陣列基板的靜電泄放路徑示意圖；
[0050]圖4是本發(fā)明實(shí)施例二中顯示裝置的部分截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0051]圖中:10:陣列基板；11:柵極驅(qū)動電路；12:接地引線；13:第二過孔；14:第一靜電防護(hù)層；21:柵絕緣層；22:鈍化層；24:透明電極層；31:彩膜基板；32:第二靜電防護(hù)層；41:封框膠；42:導(dǎo)電顆粒物。
【具體實(shí)施方式】
[0052]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0053]本發(fā)明所提供的陣列基板主要包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有若干像素單元以及與所述像素單元連接的驅(qū)動電路，本發(fā)明的主要改進(jìn)點(diǎn)之一在于，還設(shè)置了對所述驅(qū)動電路進(jìn)行靜電防護(hù)的接地結(jié)構(gòu)，所述接地結(jié)構(gòu)包括接地引線以及與所述接地引線電連接的第一靜電防護(hù)層；所述接地引線以及第一靜電防護(hù)層均設(shè)置在襯底基板的邊緣。
[0054]本實(shí)施例中利用上述接地結(jié)構(gòu)可對驅(qū)動電路進(jìn)行有效的靜電沖擊防護(hù)，通過在陣列基板邊緣設(shè)置接地引線和第一靜電防護(hù)層，在靜電沖擊來臨時(shí)，也就是說當(dāng)外部產(chǎn)生的靜電電荷通過陣列基板和與其對盒的另一基板之間的縫隙進(jìn)入時(shí)，靜電電荷首先會通過邊緣的第一靜電防護(hù)層，然后通過接地引線導(dǎo)走，而不會接觸驅(qū)動電路，從而可對驅(qū)動電路進(jìn)行靜電保護(hù)，避免靜電擊穿驅(qū)動電路造成其損傷，因此可提升陣列基板的可靠性。
[0055]上述的接地引線和第一靜電防護(hù)層可采用導(dǎo)電材料制作，例如，Cr (鉻)、Ti (鈦)、Mo (鑰)、Al (招)或Cu (銅)等普通金屬及其金屬合金材料,還可以是ITO (Indium TinOxides,銦錫氧化物)或IZO (Indium Zinc Oxide,銦鋅氧化物)等透明金屬或其混合物的導(dǎo)電材料。
[0056]優(yōu)選的是，參照圖3所示，第一靜電防護(hù)層14覆蓋在驅(qū)動電路12上方，當(dāng)然第一靜電防護(hù)層14與所述驅(qū)動電路12絕緣，此種接地結(jié)構(gòu)可形成對驅(qū)動電路的包裹結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步的對驅(qū)動電路進(jìn)行全方位的保護(hù)，靜電更加不容易接觸到驅(qū)動電路12，靜電電荷通過圖3中箭頭所示方向，即通過第一靜電防護(hù)層14以及接地引線12導(dǎo)出，從而進(jìn)一步的減少靜電沖擊對驅(qū)動電路造成的損傷，即使當(dāng)靜電電壓較高時(shí)，例如，在利用2KV以上的高壓對采用該陣列基板的顯示裝置進(jìn)行ESD測試時(shí)，該種接地結(jié)構(gòu)可對驅(qū)動電路進(jìn)行更加可靠的保護(hù)。
[0057]上述實(shí)施例中，第一靜電防護(hù)層也可以設(shè)置在驅(qū)動電路的鄰近位置，或視需求部分或者全部覆蓋驅(qū)動電路，第一靜電防護(hù)層的形狀也可以為多種，例如，四邊形、圓形、橢圓形或其他不規(guī)則形狀，在此不做限定。第一靜電防護(hù)層也可以設(shè)置成網(wǎng)格狀，以起到節(jié)省材料成本的目的。
[0058]下面結(jié)合實(shí)施例一和實(shí)施例二，對本發(fā)明加以更詳細(xì)的說明。
[0059]實(shí)施例一
[0060]本實(shí)施例中，陣列基板主要包括襯底基板，襯底基板可以是玻璃基板、石英基板或其他柔性基板等，在襯底基板上設(shè)置有若干像素單元，每一個(gè)像素單元通常包括一個(gè)TFT，TFT通常包括源極、柵極和漏極等，每一個(gè)像素單元還可以包括像素電極和公共電極觸控電極等，除此之外，還可以在陣列基板上設(shè)置觸控電極。每個(gè)像素單元的TFT需要與相應(yīng)驅(qū)動電路相連，用于為各TFT提供驅(qū)動信號。
[0061 ] 上述驅(qū)動電路主要包括柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路、公共電極驅(qū)動電路和觸控驅(qū)動電路等驅(qū)動電路，各種驅(qū)動電路可以采用外接芯片的工藝制作，也可以部分或全部設(shè)置在陣列基板上，因此，本實(shí)施例中所述的驅(qū)動電路可以是上述驅(qū)動電路中的任意一種或者多種，只要是設(shè)置在陣列基板上即可。
[0062]其中，柵極驅(qū)動電路用于將掃描信號輸出至TFT的柵極，源極驅(qū)動電路用于將數(shù)據(jù)信號輸出至數(shù)據(jù)線以提供給TFT的源極，公共電極驅(qū)動電路用于將公共電壓輸出至公共電極，觸控驅(qū)動電路用于為具有觸控功能的顯示裝置提供觸控驅(qū)動信號。
[0063]為了方便說明，參照圖1和圖2所示，本實(shí)施例中以應(yīng)用較為廣泛的GOA (GateDriver on Array，陣列基板柵極驅(qū)動)技術(shù)，即在陣列基板上設(shè)置的是柵極驅(qū)動電路為例進(jìn)行說明。[0064]該陣列基板的襯底基板邊緣設(shè)置有接地引線12以及與接地引線12連接的第一靜電防護(hù)層14，接地引線12優(yōu)選為導(dǎo)電能力較強(qiáng)的金屬線；第一靜電防護(hù)層14覆蓋在柵極驅(qū)動電路11上方。
[0065]現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元通常包括:依次設(shè)置的包括柵線及TFT柵極的柵極金屬層(圖中未示出)、用于對柵極與有源層以及源漏極金屬層間絕緣的柵絕緣層21、包括TFT溝道的有源層(圖中未示出)、包括數(shù)據(jù)線以及TFT源極和漏極的源漏金屬層(圖中未示出)、起絕緣與平坦作用的鈍化層22以及包括像素電極或公共電極的透明電極層24等功能膜層。
[0066]本實(shí)施例中的接地引線12可以與柵極金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，或者接地引線12與源漏金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，或者與其他由導(dǎo)電材料形成的功能膜層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，這樣就可以在形成柵極金屬層、源漏金屬層或者上述其他由導(dǎo)電材料形成的功能膜層的同時(shí)形成接地引線12以減少工藝步驟，降低工藝難度，節(jié)省生產(chǎn)成本。
[0067]進(jìn)一步的優(yōu)選方案是，上述的第一靜電防護(hù)層14可以與像素單元的透明電極層24同層設(shè)置且材質(zhì)相同，所述第一靜電防護(hù)層14通過過孔與所述接地引線12電連接；例如，當(dāng)接地引線12與柵極金屬層同層設(shè)置時(shí)，通過柵絕緣層21和鈍化層22上的過孔13與所述接地引線12電連接。
[0068]這樣就可以在形成透明電極層24的同時(shí)形成第一靜電防護(hù)層14，并且，可以在形成柵絕緣層和鈍化層的時(shí)候同時(shí)形成過孔13，以實(shí)現(xiàn)第一靜電防護(hù)層14與接地引線12的電連接，并保證第一靜電防護(hù)層與柵極驅(qū)動電路之間的絕緣。該種設(shè)置方式可進(jìn)一步的減少工藝步驟，降低工藝難度，節(jié)省生產(chǎn)成本。
[0069]實(shí)施例二
[0070]本發(fā)明還提供了一種應(yīng)用上述任意一種陣列基板的顯示裝置，該顯示裝置主要包括上述任意一種陣列基板以及與陣列基板相對設(shè)置的對盒基板。
[0071]該對盒基板可以視顯示裝置類型的不同而有所不同；例如，在液晶顯示裝置中，該對盒基板可以是彩膜基板，而在采用有機(jī)發(fā)光二極管OLED (Organic Light EmittingDiode,有機(jī)發(fā)光二級管)的顯不裝置中，該對盒基板可以是封裝基板等等。
[0072]由于該顯示裝置所應(yīng)用的陣列基板上設(shè)置有包括接地引線以及第一靜電防護(hù)層的接地結(jié)構(gòu)，因此可以利用接地結(jié)構(gòu)對設(shè)置在陣列基板上的驅(qū)動電路進(jìn)行有效的靜電沖擊防護(hù)，從而避免靜電擊穿驅(qū)動電路造成其損傷，因此可提升顯示裝置的可靠性和品質(zhì)。
[0073]為了方便說明，本實(shí)施例中以液晶顯示裝置為例進(jìn)行說明，同時(shí)，選擇彩膜基板作為該液晶顯示裝置的對盒基板。
[0074]為了進(jìn)一步增強(qiáng)接地結(jié)構(gòu)的靜電防護(hù)能力，參照圖4所示，本實(shí)施例中還在彩膜基板31上設(shè)置了第二靜電防護(hù)層32(當(dāng)然，第二靜電防護(hù)層也可以相應(yīng)的設(shè)置在其他類型的對盒基板上)，且所述第二靜電防護(hù)層32與所述第一靜電防護(hù)層14的位置相對應(yīng)，第一靜電防護(hù)層14與第二靜電防護(hù)層32電連接。
[0075]當(dāng)靜電沖擊來臨時(shí)，通過第二靜電防護(hù)層32、第一靜電防護(hù)層14以及接地引線12對柵極驅(qū)動電路11形成立體式的全方位靜電保護(hù)，外部靜電無法通過陣列基板10和彩膜基板31之間的縫隙進(jìn)入柵極驅(qū)動電路11，從而完全避免了靜電沖擊對柵極驅(qū)動電路11造成損傷。
[0076]第二靜電防護(hù)層32可以與第一靜電防護(hù)層14材質(zhì)及形狀相同，也可以根據(jù)實(shí)際需求選擇其他材質(zhì)或者形狀的第二靜電防護(hù)層，在此不做特殊限定。
[0077]進(jìn)一步的，當(dāng)所述對盒基板為彩膜基板上，彩膜基板上通常設(shè)置有平坦層，所述第二靜電防護(hù)層位于所述平坦層上方。
[0078]由于平坦層為位于彩膜基板上的最外層，而第二靜電防護(hù)層又位于平坦層上，因此，該第二靜電防護(hù)層為設(shè)置于彩膜基板最外層的圖形，這樣在將陣列基板與彩膜基板對盒后，便于將第一靜電保護(hù)層與第二靜電保護(hù)層電連接。
[0079]當(dāng)然，當(dāng)對盒基板不是彩膜基板時(shí)，第二靜電防護(hù)層也可以不設(shè)置在平坦層上方，可根據(jù)對盒基板的具體結(jié)構(gòu)設(shè)置；并且，第二靜電防護(hù)層也可以不設(shè)置在對盒基板的最外層，只要實(shí)現(xiàn)第二靜電防護(hù)層與第一靜電防護(hù)層的電連接即可，例如，可以在陣列基板與對盒基板之間單獨(dú)設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，利用導(dǎo)電結(jié)構(gòu)構(gòu)實(shí)現(xiàn)兩者的電連接。
[0080]優(yōu)選的方案是，參照圖4所示，由于陣列基板10與對盒基板31通常采用封框膠41粘合，為了實(shí)現(xiàn)第一靜電防護(hù)層14與第二靜電防護(hù)層32之間的電連接，可使封框膠41部分覆蓋所述第一靜電防護(hù)層14，所述封框膠41覆蓋所述第一靜電防護(hù)層14的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物42 ;所述第一靜電防護(hù)層14與所述第二靜電防護(hù)層32通過所述導(dǎo)電顆粒物42電連接。
[0081]封框膠41中添加的導(dǎo)電顆粒物42可以是外層鍍有金或者鎳等金屬的具有一定彈性的球狀樹脂顆粒，或其他形式的導(dǎo)電顆粒物。
[0082]當(dāng)然，也可以將陣列基板10與對盒基板31之間設(shè)置的隔墊物在位于第一靜電防護(hù)層14和第二靜電防護(hù)層32之間的位置采用導(dǎo)電隔墊物，利用導(dǎo)電隔墊物實(shí)現(xiàn)第一靜電防護(hù)層14與第二靜電防護(hù)層32之間的電連接，而不必單獨(dú)設(shè)置導(dǎo)電結(jié)構(gòu)等等。
[0083]上述顯示裝置可以是:液晶顯示面板、電子紙、OLED顯示面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0084]本發(fā)明還提供了一種上述陣列基板的制備方法，該方法包括在襯底基板上形成像素單元以及與用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路的過程，與現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板制備方法的主要不同之處在于，該陣列基板制備方法還包括形成接地引線以及第一靜電防護(hù)層的過程。
[0085]較佳的，當(dāng)上述的驅(qū)動電路包括柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路時(shí)，上述形成驅(qū)動電路的過程可以包括:
[0086]在襯底基板上形成所述柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路的過程。
[0087]上述接地引線可以單獨(dú)形成，例如，在襯底基板的邊緣的制作一層金屬層作為接地引線。
[0088]優(yōu)選的方案是，上述接地引線與形成像素單元的過程同時(shí)形成，例如，現(xiàn)有技術(shù)中的像素單元通常包括依次設(shè)置的柵極金屬層、柵絕緣層、有源層、源漏金屬層、鈍化層以及透明電極層等功能膜層，而本實(shí)施例中的接地引線可以與柵極金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，或者接地弓丨線與源漏金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同。
[0089]這樣就可以在形成柵極金屬層或者源漏金屬層的同時(shí)形成接地引線，可以減少工藝步驟，降低工藝難度，節(jié)省生產(chǎn)成本。
[0090]下面以在形成柵極金屬層的同時(shí)形成接地引線為例對本發(fā)明中的形成接地引線的過程加以詳細(xì)說明。
[0091]本實(shí)施例中所提供的形成接地引線過程主要包括:
[0092]步驟S11、在襯底基板上沉積金屬薄膜；
[0093]具體的，可采用磁控濺射或蒸鍍等方法在襯底基板上沉積一層金屬薄膜；金屬薄膜所選用的材料可以為Cr、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或金屬的合金,也可以為由多層金屬薄膜組成的復(fù)合薄膜。
[0094]步驟S12、通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的柵極金屬層圖案，或者通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的源漏金屬層圖案；且所述接地引線圖案位于所述襯底基板邊緣。
[0095]在本發(fā)明中，構(gòu)圖工藝，可只包括光刻工藝，或，包括光刻工藝以及刻蝕步驟，同時(shí)還可以包括打印、噴墨等其他用于形成預(yù)定圖形的工藝；光刻工藝，是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程的利用光刻膠、掩模板、曝光機(jī)等形成圖形的工藝?？筛鶕?jù)本發(fā)明中所形成的結(jié)構(gòu)選擇相應(yīng)的構(gòu)圖工藝。
[0096]例如，上述步驟S12具體過程可以是，
[0097]步驟S1211、在金屬薄膜上涂布一層光刻膠；
[0098]步驟S1212、采用普通掩膜板進(jìn)行曝光，形成對應(yīng)接地引線以及柵極金屬層的光刻膠保留區(qū)域以及對應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域；
[0099]步驟S1213、對光刻膠進(jìn)行顯影處理，顯影處理后，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠去除區(qū)域的光刻膠被去除；
[0100]步驟S1214、通過刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜；
[0101]步驟S1215、最后剝離剩余的光刻膠，留下的金屬薄膜即包括柵電極以及柵線的柵極金屬層和接地引線。
[0102]而對于柵絕緣層、有源層、源漏金屬層和鈍化層等的形成過程，則與現(xiàn)有技術(shù)中的相關(guān)工藝大致相同，具體可以包括以下步驟:
[0103]步驟S1221、在柵極金屬層以及接地引線上形成覆蓋整個(gè)襯底基板的柵絕緣層；
[0104]步驟S1222、米用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)或其他方法在柵絕緣層上依次沉積半導(dǎo)體層以及摻雜半導(dǎo)體層；然后采用磁控濺射或蒸鍍等方法沉積源漏金屬層；
[0105]步驟S1223、在源漏金屬層上涂覆一層光刻膠；
[0106]步驟S1224、通過雙色調(diào)掩模板曝光，形成對應(yīng)源電極以及漏電極區(qū)域的光刻膠完全保留區(qū)域、對應(yīng)溝道區(qū)域的光刻膠半保留區(qū)域以及對應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠完全去除區(qū)域；
[0107]步驟S1225、顯影處理后，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠完全去除區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠厚度變?。蝗缓笸ㄟ^第一次刻蝕工藝去除光刻膠完全去除區(qū)域的源漏金屬層、摻雜半導(dǎo)體層以及半導(dǎo)體層，形成有源層圖案；
[0108]步驟S1226、通過灰化工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的光刻膠，暴露出該區(qū)域的源漏
金屬層；
[0109]步驟S1227、通過第二次刻蝕工藝去除光刻膠半保留區(qū)域的源漏金屬層以及摻雜半導(dǎo)體層，并去除部分厚度的半導(dǎo)體層，形成源電極、漏電極以及溝道區(qū)域；
[0110]步驟S1228、剝離剩余的光刻膠；
[0111]步驟S1229、在源電極、漏電極及溝道區(qū)域上采用PECVD方法或者其他方式沉積形成鈍化層。
[0112]與接地引線的形成過程類似，上述第一靜電防護(hù)層可以單獨(dú)形成，例如，在陣列基板上增加一層金屬層作為第一靜電防護(hù)層。
[0113]上述第一靜電防護(hù)層也可以在形成像素單元的同時(shí)形成，例如，本實(shí)施例中的第一靜電防護(hù)層可以與像素單元的透明電極層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，這樣就可以在形成透明電極層的同時(shí)形成第一靜電防護(hù)層，此種方法可減少工藝步驟，降低工藝難度，節(jié)省生產(chǎn)成本。
[0114]因此，本實(shí)施例中，以在形成透明電極層的同時(shí)形成第一靜電防護(hù)層為例對本發(fā)明中的形成第一靜電防護(hù)層的過程加以詳細(xì)說明。
[0115]本實(shí)施例中所提供的形成第一靜電防護(hù)層的過程主要包括:
[0116]步驟S21、在形成有柵絕緣層以及鈍化層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成過孔圖案；
[0117]具體的，可以采用雙色調(diào)掩模板通過構(gòu)圖工藝在鈍化層位于漏電極上方的位置開設(shè)第一過孔，在鈍化層以及柵絕緣層位于接地引線上方的位置開設(shè)第二過孔(即為本發(fā)明中所述過孔13)，當(dāng)然，在接地引線與源漏金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同時(shí)，則僅需在鈍化層形成過孔即可。
[0118]步驟S22、在形成有過孔圖案的襯底基板上沉積透明金屬薄膜；
[0119]具體的，可以采用磁控濺射或蒸鍍等方法，在鈍化層上沉積一層透明金屬薄膜，透明金屬薄膜可以采用ITO或IZO單層膜，也可以采用為ITO和IZO復(fù)合膜。
[0120]步驟S23、通過構(gòu)圖工藝形成透明電極層圖案以及所述第一靜電防護(hù)層圖案，且所述第一靜電防護(hù)層覆蓋所述驅(qū)動電路上方并通過所述過孔與接地引線電連接。
[0121]具體可以包括以下步驟:
[0122]步驟S2311、在透明金屬薄膜上涂布一層光刻膠；
[0123]步驟S2312、采用普通掩膜板進(jìn)行曝光，形成對應(yīng)透明電極層和第一靜電防護(hù)層的光刻膠保留區(qū)域以及對應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域；
[0124]步驟S2313、對光刻膠進(jìn)行顯影處理，顯影處理后，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠去除區(qū)域的光刻膠被去除；
[0125]步驟S2314、通過刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的透明金屬薄膜；
[0126]步驟S2315、最后剝離剩余的光刻膠，留下的透明金屬薄膜為透明電極層以及第一靜電防護(hù)層，透明電極層通過第一過孔與漏電極連接，第一靜電防護(hù)層通過第二過孔(即本發(fā)明中的過孔13)與接地引線連接。
[0127]需要說明的是，透明電極層和第一靜電防護(hù)層之間互相絕緣，從而避免第一靜電防護(hù)層對顯示區(qū)域的畫面顯示造成干擾。
[0128]當(dāng)然，本實(shí)施例中的陣列基板制備方法僅僅是制備本發(fā)明所提供的陣列基板的一種實(shí)現(xiàn)方法，實(shí)際使用中還可以通過增加或減少構(gòu)圖工藝次數(shù)、選擇不同的材料或材料組合改變實(shí)現(xiàn)方法來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。[0129]本發(fā)明還提供了一種制備上述任意一種顯示裝置的方法，該方法包括采用上述實(shí)施例提供的方法制備陣列基板的過程、制備與所述陣列基板對盒的對盒基板的過程以及將所述陣列基板與對盒基板對盒的過程。
[0130]該顯示裝置的制備方法中，由于陣列基板的制備過程可以通過上述實(shí)施例的陣列基板的制備方法實(shí)現(xiàn)，從而得到設(shè)置有接地引線以及第一靜電防護(hù)層的陣列基板。
[0131]當(dāng)對盒基板上沒有設(shè)置第二靜電防護(hù)層時(shí)，對盒基板的制備方法與現(xiàn)有技術(shù)中的制備方法類似。
[0132]下面以對盒基板為彩膜基板為例說明制備對盒基板的過程，具體的可以為:
[0133]步驟S31、在襯底基板上涂布形成一層黑矩陣光刻膠層；
[0134]步驟S32、利用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成黑矩陣；
[0135]步驟S33、在襯底基板和黑矩陣上形成彩色像素層；
[0136]下面以首先制備綠色像素層為例進(jìn)行說明，具體可以包括以下步驟:
[0137]步驟S3311、采用沉積或涂覆等工藝形成綠色像素光刻膠層；
[0138]步驟S3312、利用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成綠色像素層；
[0139]步驟S3313、接著按照相同的方法制作其他顏色像素層；
[0140]步驟S3314、彩膜基板上方整體覆蓋平坦層。
[0141]當(dāng)彩膜基板上設(shè)置有第二靜電防護(hù)層時(shí)，除上述步驟外，本實(shí)施例中的彩膜基板的制備方法還包括形成第二靜電防護(hù)層的過程，具體可以包括:
[0142]步驟S41、在所述對盒基板的平坦層上沉積金屬薄膜；
[0143]具體可以為:
[0144]采用磁控濺射或蒸鍍的方法，在平坦層上沉積一層金屬薄膜，金屬薄膜可以采用ITO (Indium Tin Oxides,銦錫氧化物)或 IZO (Indium Zinc Oxide,銦鋒氧化物)單層膜，也可以采用為ITO和IZO復(fù)合膜；顯然，此處也可以采用Cr、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其金屬合金，也可以為由多層金屬薄膜組成的復(fù)合薄膜；在此不做特殊限定。
[0145]步驟S42、通過構(gòu)圖工藝形成所述第二靜電防護(hù)層圖案，且所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層的位置相對應(yīng)；
[0146]具體可以包括以下步驟:
[0147]步驟S4211、在金屬薄膜上涂布一層光刻膠；
[0148]步驟S4212、采用普通掩膜板進(jìn)行曝光，形成對應(yīng)第二靜電防護(hù)層的光刻膠保留區(qū)域以及對應(yīng)上述區(qū)域之外區(qū)域的光刻膠去除區(qū)域；
[0149]步驟S4213、對光刻膠進(jìn)行顯影處理；顯影處理后，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，光刻膠去除區(qū)域的光刻膠被去除；
[0150]步驟S4214、通過刻蝕工藝去除光刻膠去除區(qū)域的金屬薄膜；
[0151]步驟S4215、最后剝離剩余的光刻膠，留下的金屬薄膜即為第二靜電防護(hù)層。
[0152]可以理解的是，當(dāng)選擇彩膜基板之外的基板，例如封裝基板作為對盒基板時(shí)，對盒基板的制備工藝則可以不包括形成上述彩色像素層圖案以及平坦層的步驟。
[0153]進(jìn)一步的，當(dāng)通過在封框膠中添加導(dǎo)電顆粒物實(shí)現(xiàn)第一靜電防護(hù)層和第二靜電防護(hù)層之間的電連接時(shí)，將陣列基板與對盒基板對盒的過程包括:
[0154]步驟S51、在陣列基板周邊涂覆封框膠，且封框膠部分覆蓋第一靜電防護(hù)層，封框膠覆蓋第一靜電防護(hù)層的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物；
[0155]步驟S52、將陣列基板與對盒基板周邊通過封框膠粘合，且第一靜電防護(hù)層與第二靜電防護(hù)層通過導(dǎo)電顆粒物電連接。
[0156]當(dāng)然，本實(shí)施例中的顯示裝置制備方法僅僅是制備本發(fā)明所提供的顯示裝置的一種實(shí)現(xiàn)方法，實(shí)際使用中還可以通過增加或減少構(gòu)圖工藝次數(shù)、選擇不同的材料或材料組合改變實(shí)現(xiàn)方法來實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。
[0157]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板及其制備方法、顯示裝置及其制備方法中，通過設(shè)置在陣列基板上接地引線以及第一靜電防護(hù)層，在對盒基板上設(shè)置與第一靜電防護(hù)層電連接的第二靜電防護(hù)層，在有靜電沖擊時(shí)，利用接地引線、第一靜電防護(hù)層以及第二靜電防護(hù)層形成全方位的靜電沖擊防護(hù)機(jī)制，避免由于靜電擊穿造成驅(qū)動電路的損傷，極大的提升了產(chǎn)品的可靠性；并且，上述接地引線以及第一靜電防護(hù)層可以與制備像素單元的過程同時(shí)形成，從而可以避免過多的增加制備方法的難度。
[0158]以上實(shí)施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的保護(hù)范疇。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上設(shè)置有若干像素單元以及用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路，其特征在于，所述襯底基板邊緣還設(shè)置有接地引線以及與所述接地引線電連接的第一靜電防護(hù)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一靜電防護(hù)層覆蓋在所述驅(qū)動電路上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述驅(qū)動電路包括柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括薄膜晶體管；所述接地引線與所述薄膜晶體管的柵極金屬層或者源漏金屬層同層設(shè)置且材質(zhì)相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元還包括依次設(shè)置的柵絕緣層、鈍化層以及透明電極層，所述第一靜電防護(hù)層與所述透明電極層同層設(shè)置且材質(zhì)相同，所述第一靜電防護(hù)層通過柵絕緣層和鈍化層上的過孔與所述接地引線電連接。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的陣列基板以及與所述陣列基板對盒的對盒基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述對盒基板上設(shè)置有與所述第一靜電防護(hù)層電連接的第二靜電防護(hù)層，且所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層的位置相對應(yīng)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其特征在于，所述對盒基板為彩膜基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述彩膜基板上還設(shè)置有平坦層，所述第二靜電防護(hù)層位于所述`平坦層上方。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任意一項(xiàng)所述的顯示裝置，其特征在于，所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層材質(zhì)及形狀相同。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其特征在于，所述陣列基板與所述對盒基板通過封框膠粘合，且所述封框膠部分覆蓋所述第一靜電防護(hù)層，所述封框膠覆蓋所述第一靜電防護(hù)層的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物； 所述第一靜電防護(hù)層與所述第二靜電防護(hù)層通過所述導(dǎo)電顆粒物電連接。
12.—種陣列基板制備方法，包括在襯底基板上形成像素單元以及與用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路的過程；其特征在于，還包括形成權(quán)利要求1-5任意一項(xiàng)所述的接地引線以及第一靜電防護(hù)層的過程。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述形成用于驅(qū)動所述像素單元的驅(qū)動電路的過程包括: 在襯底基板上形成所述柵極驅(qū)動電路、源極驅(qū)動電路和/或公共電極驅(qū)動電路的過程。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述形成像素單元的過程包括形成薄膜晶體管的過程，所述形成接地引線的過程包括: 在襯底基板上沉積金屬薄膜； 通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的柵極金屬層圖案，或者通過構(gòu)圖工藝同時(shí)形成所述接地引線圖案以及薄膜晶體管的源漏金屬層圖案；且所述接地引線圖案位于所述襯底基板邊緣。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述形成像素單元的過程包括形成柵絕緣層以及鈍化層的過程；所述形成第一靜電防護(hù)層的過程包括: 在形成有柵絕緣層以及鈍化層的襯底基板上通過構(gòu)圖工藝形成過孔圖案； 在形成有過孔圖案的襯底基板上沉積透明金屬薄膜； 通過構(gòu)圖工藝形成透明電極層圖案以及所述第一靜電防護(hù)層圖案，且所述第一靜電防護(hù)層覆蓋所述驅(qū)動電路上方并通過所述過孔與接地引線電連接。
16.一種顯示裝置制備方法，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求11-15任意一項(xiàng)所述的方法制備陣列基板的過程、制備與所述陣列基板對盒的對盒基板的過程以及將所述陣列基板與對盒基板對盒的過程。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述制備對盒基板的過程包括形成根據(jù)權(quán)利要求書7-10任意一項(xiàng)所述的第二靜電防護(hù)層的過程。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，形成所述第二靜電防護(hù)層的過程包括: 在所述對盒基板的平坦層上沉積金屬薄膜； 通過構(gòu)圖工藝形成所述第二靜電防護(hù)層圖案，且所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層的位置相對應(yīng)。`
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述第二靜電防護(hù)層與所述第一靜電防護(hù)層材質(zhì)及形狀相同。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置制備方法，其特征在于，所述將所述陣列基板與所述對盒基板對盒的過程包括: 在所述陣列基板周邊涂覆封框膠，且所述封框膠部分覆蓋所述第一靜電防護(hù)層，所述封框膠覆蓋所述第一靜電防護(hù)層的區(qū)域內(nèi)部設(shè)置有導(dǎo)電顆粒物； 將所述陣列基板與對盒基板周邊通過所述封框膠粘合，且所述第一靜電防護(hù)層與所述第二靜電防護(hù)層通過所述導(dǎo)電顆粒物電連接。
【文檔編號】G02F1/133GK103513459SQ201310478508
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月14日
【發(fā)明者】姜文博, 陳小川, 王世君 申請人:北京京東方光電科技有限公司