陣列基板及其制備方法、顯示裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決陣列基板制造工藝復(fù)雜、透過(guò)率低的問(wèn)題。本發(fā)明的陣列基板制備方法包括：在基底上通過(guò)使用階梯曝光的構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方；在完成前述步驟的基底上形成隔離層，在隔離層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔，以及與像素電極相連的第一過(guò)孔；在完成前述步驟的基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；其中，源極、漏極分別通過(guò)源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接，漏極通過(guò)第一過(guò)孔與像素電極電連接。
【專(zhuān)利說(shuō)明】陣列基板及其制備方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TN(扭曲向列)模式的液晶顯示裝置具有響應(yīng)速度快、成本低等優(yōu)點(diǎn)，是液晶顯示裝置的一種重要模式。
[0003]如圖1所示，在TN模式的陣列基板中，薄膜晶體管的柵極21/柵線22形成在基底9上，柵絕緣層31覆蓋柵極21/柵線22，柵絕緣層31上設(shè)有半導(dǎo)體層41 (半導(dǎo)體層41加上歐姆接觸層、過(guò)渡層等即構(gòu)成薄膜晶體管的有源區(qū))、像素電極11、源極71、漏極72，源極71、漏極72與半導(dǎo)體層41電連接，漏極72還與像素電極11電連接。同時(shí)，陣列基板中還可設(shè)有數(shù)據(jù)線、公共電極線、配向膜等其他結(jié)構(gòu)(圖中未示出)；而在與陣列基板對(duì)盒的彩膜基板上，還設(shè)有公共電極等其他結(jié)構(gòu)。
[0004]如圖1所示，在現(xiàn)有的TN模式的陣列基板中，柵極21/柵線22、半導(dǎo)體層41像素電極11需要分別在不同的構(gòu)圖工藝中制造，即為制造這些結(jié)構(gòu)至少需要進(jìn)行3次光刻，因此其制備工藝復(fù)雜。
[0005]同時(shí)，柵絕緣層31覆蓋了整個(gè)基底9，即柵絕緣層31在像素電極11處也有分布，而該位置的柵絕緣層31會(huì)影響透光，從而降低陣列基板的透過(guò)率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括，針對(duì)現(xiàn)有的TN模式的陣列基板制備工藝復(fù)雜、透過(guò)率低的問(wèn)題，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單、透過(guò)率高的陣列基板及其制備方法、顯示裝置。
[0007]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板制備方法，其包括:
[0008]步驟1:在基底上通過(guò)使用階梯曝光的構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方；
[0009]步驟2:在完成前述步驟的基底上形成隔離層，在隔離層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔，以及與像素電極相連的第一過(guò)孔；
[0010]步驟3:在完成前述步驟的基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；其中，源極、漏極分別通過(guò)源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接，漏極通過(guò)第一過(guò)孔與像素電極電連接。
[0011]其中，“構(gòu)圖工藝”包括形成膜層、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等步驟，其可通過(guò)上述步驟除去膜層中不需要的部分，從而使膜層的剩余部分形成所需圖形。
[0012]其中，“階梯曝光”是指對(duì)光刻膠層的不同位置進(jìn)行不同程度的曝光，從而使顯影后的光刻膠層在不同位置的厚度不同，以便完成后續(xù)的構(gòu)圖工藝。
[0013]本發(fā)明的陣列基板制備方法中，柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，即其只需要一次曝光(IMask)工藝，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、效率高；同時(shí)，由于其陣列基板的柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其像素電極處沒(méi)有柵絕緣層，因此柵絕緣層不會(huì)對(duì)光的透過(guò)產(chǎn)生影響，透過(guò)率高。
[0014]優(yōu)選的是，所述步驟I具體包括:
[0015]步驟11、在基底上依次形成透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層；
[0016]步驟12、對(duì)光刻膠層階梯曝光并顯影，使柵極位置保留第一厚度的光刻膠層，柵線位置保留第二厚度的光刻膠層，像素電極位置保留第三厚度的光刻膠層，其余位置無(wú)光刻膠層，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度；
[0017]步驟13、除去無(wú)光刻膠區(qū)域的半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層、透明導(dǎo)電材料層；
[0018]步驟14、除去第三厚度的光刻膠層，使像素電極位置的半導(dǎo)體材料層暴露；
[0019]步驟15、除去像素電極位置的半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層，形成像素電極的圖形；
[0020]步驟16、除去厚度等于柵線位置剩余光刻膠層厚度的光刻膠層，使柵線位置的半導(dǎo)體層暴露；
[0021]步驟17、除去柵線位置的半導(dǎo)體材料層，形成柵線的圖形；
[0022]步驟18、除去剩余的光刻膠層，形成柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層的圖形。
[0023]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述步驟17具體包括:除去柵線位置的半導(dǎo)體材料層，并除去柵線位置的絕緣材料層，形成柵線的圖形。
[0024]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述步驟11還包括:在透明導(dǎo)電材料層和絕緣材料層間形成柵金屬層；所述步驟13還包括:除去無(wú)光刻膠區(qū)域的柵金屬層；所述步驟15還包括:除去像素電極位置的柵金屬層。
[0025]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述階梯曝光通過(guò)灰度掩膜板或半色調(diào)掩膜板實(shí)現(xiàn)。
[0026]優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
[0027]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層，并由感光樹(shù)脂材料制成。
[0028]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0029]優(yōu)選的是，所述步驟3具體包括:
[0030]步驟31、形成源漏金屬層；
[0031]步驟32、形成光刻膠層并曝光，在相互分開(kāi)的源極位置和漏極位置保留光刻膠層，其余位置無(wú)光刻膠層；其中，源極位置包括源極過(guò)孔，漏極位置包括漏極過(guò)孔和第一過(guò)孔；
[0032]步驟33、除去無(wú)光刻膠層區(qū)域的源漏金屬層，再除去光刻膠層，形成源極和漏極的圖形。
[0033]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，且
[0034]所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層；
[0035]所述柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方；
[0036]所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極；
[0037]所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過(guò)隔離層中的源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過(guò)隔離層中的第一過(guò)孔與像素電極電連接。
[0038]本發(fā)明的陣列基板可用上述的方法制造，因此其制造方法簡(jiǎn)單，效率高；同時(shí)，其柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其像素電極處沒(méi)有柵絕緣層，因此柵絕緣層不會(huì)對(duì)光的透過(guò)產(chǎn)生影響，透過(guò)率高。[0039]優(yōu)選的是，所述柵絕緣層和半導(dǎo)體層圖形相同，且只位于柵極上方。
[0040]優(yōu)選的是，所述柵極、柵線還包括位于透明導(dǎo)電材料層上的柵金屬層。
[0041]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0042]優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
[0043]進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層，所述隔離層由感光樹(shù)脂材料制成。
[0044]優(yōu)選的是，所述源極、漏極位于隔離層上。
[0045]解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
[0046]由于本發(fā)明的顯示裝置包括上述陣列基板，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、效率高、透過(guò)率聞。
[0047]其中，本發(fā)明的陣列基板制備方法、陣列基板、顯示裝置優(yōu)選均是用于液晶顯示的，即其陣列基板優(yōu)選為T(mén)N型的液晶顯示陣列基板，顯示裝置優(yōu)選為T(mén)N型的液晶顯示裝置，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明也可用于有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，即其陣列基板中的像素電極可相當(dāng)于有機(jī)發(fā)光二極管的陽(yáng)極或陰極。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0048]圖1為現(xiàn)有的TN模式陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0049]圖2為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0050]圖3為圖2的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0051]圖4為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖5為圖4的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖6為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0054]圖7為圖6的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0055]圖8為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0056]圖9為圖8的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0057]圖10為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0058]圖11為圖10的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖12為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0060]圖13為圖12的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖14為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0062]圖15為圖14的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0063]圖16為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0064]圖17為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板在制備過(guò)程中的一個(gè)剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0065]圖18為本發(fā)明的實(shí)施例2的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0066]圖19為圖18的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0067]其中附圖標(biāo)記為:1、透明導(dǎo)電材料層；11、像素電極；2、柵金屬層；21、柵極；22、柵線；3、絕緣材料層；31、柵絕緣層；4、半導(dǎo)體材料層；41、半導(dǎo)體層；5、平坦化層；51、源極過(guò)孔；52、漏極過(guò)孔；53、第一過(guò)孔；7、源漏金屬層；71、源極；72、漏極；8、光刻膠層；9、基底；Q1、柵極位置；Q2、柵線位置；Q3、像素電極位置；Q4、其余位置；Q71、源極位置；Q72、漏極位置?！揪唧w實(shí)施方式】
[0068]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0069]實(shí)施例1:
[0070]本實(shí)施例提供一種陣列基板制備方法，其包括:
[0071]步驟1:在基底上通過(guò)使用階梯曝光的構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方；
[0072]步驟2:在完成前述步驟的基底上形成隔離層，在隔離層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔，以及與像素電極相連的第一過(guò)孔；
[0073]步驟3:在完成前述步驟的基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；其中，源極、漏極分別通過(guò)源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接，漏極通過(guò)第一過(guò)孔與像素電極電連接。
[0074]本實(shí)施例的陣列基板制備方法中，柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中同時(shí)形成，即其只需要一次曝光(IMask)工藝，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、效率高；同時(shí)，由于其陣列基板的柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其像素電極處沒(méi)有柵絕緣層，因此柵絕緣層不會(huì)對(duì)光的透過(guò)產(chǎn)生影響，透過(guò)率高。
[0075]實(shí)施例2:
[0076]本實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，如圖2至圖19所示，其包括以下步驟:
[0077]S101、在基底9上依次形成透明導(dǎo)電材料層1、絕緣材料層3、半導(dǎo)體材料層4，并在半導(dǎo)體材料層4上涂布光刻膠層8。
[0078]優(yōu)選的，在透明導(dǎo)電材料層I和絕緣材料層3之間，還可形成柵金屬層2。
[0079]其中，透明導(dǎo)電材料層I是由透明且導(dǎo)電的材料形成的，例如氧化銦錫(ITO)，其用于形成像素電極11、柵極21、柵線22。
[0080]柵金屬層2通常由鑰、鋁等金屬或合金構(gòu)成，主要用于與透明導(dǎo)電材料層I共同形成柵極21、柵線22，從而改善柵極21、柵線22的導(dǎo)電性能。
[0081]顯然，由于具有透明導(dǎo)電材料層1，因此理論上也可不形成柵金屬層2，而直接用透明導(dǎo)電材料層I形成柵極21、柵線22。應(yīng)當(dāng)理解，若本步驟中未形成柵金屬層2，則后續(xù)步驟中“除去柵金屬層2”的操作也相應(yīng)的不再進(jìn)行。
[0082]絕緣材料層3可為氮化硅或氧化硅等，其主要用于形成柵絕緣層31，從而使柵極21與半導(dǎo)體層41絕緣并形成載流子的運(yùn)動(dòng)界面。
[0083]半導(dǎo)體材料層4是由半導(dǎo)體材料形成的，其主要用于形成半導(dǎo)體層41。優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層41 (半導(dǎo)體材料層4)由金屬氧化物半導(dǎo)體制成，例如氧化鎵銦鋅(IGZO)。
[0084]其中，在基底9上還可預(yù)先形成有緩沖層等已知結(jié)構(gòu)；各層也可采用其他已知的材料；形成各層的方法可為濺射、蒸鍍、化學(xué)氣相沉積、涂覆等已知的工藝。由于上述的形成各種膜層的材料、工藝、參數(shù)等均是已知的，故對(duì)這些內(nèi)容在本實(shí)施例中均不再詳細(xì)描述。
[0085]S102、如圖2、圖3所示，對(duì)光刻膠層8階梯曝光并顯影，在柵極位置Ql保留第一厚度的光刻膠層8，柵線位置Q2保留第二厚度的光刻膠層8，像素電極位置Q3保留第三厚度的光刻膠層8，其余位置Q4無(wú)光刻膠層8，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度。
[0086]也就是說(shuō)，通過(guò)對(duì)光刻膠層8的不同位置進(jìn)行不同程度的曝光，使顯影后的光刻膠層8如圖3所示分為三種不同的厚度，另外還有部分區(qū)域無(wú)光刻膠層8。
[0087]優(yōu)選的，階梯曝光可通過(guò)灰度掩膜板或半色調(diào)掩膜板實(shí)現(xiàn)。
[0088]S103、除去無(wú)光刻膠區(qū)域的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、透明導(dǎo)電材料層I，得到如圖4、圖5所示的結(jié)構(gòu)。
[0089]也就是說(shuō)，通過(guò)刻蝕等方法，依次除去無(wú)光刻膠區(qū)域Q4的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、透明導(dǎo)電材料層1，從而將像素電極區(qū)域Ql的透明導(dǎo)電材料層I與其他區(qū)域的透明導(dǎo)電材料層I隔開(kāi)。
[0090]其中，刻蝕可采用已知的方法進(jìn)行，依照各層材料和刻蝕工藝的不同，可以是在一次刻蝕中同時(shí)除去多個(gè)膜層，也可以是每次刻蝕只除去一個(gè)膜層；由于刻蝕工藝、刻蝕參數(shù)等均是已知的，故對(duì)這些內(nèi)容在本實(shí)施例中均不再詳細(xì)描述。
[0091]S104、除去第三厚度的光刻膠層8，使像素電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4暴露，得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0092]也就是說(shuō)，通過(guò)灰化(Ashing)工藝根據(jù)光刻膠層8的厚度差除去第三厚度的光刻膠層8，這樣像素電極位置Q3的光刻膠層8被徹底除去，其半導(dǎo)體材料層4暴露，而柵極位置Ql和柵線位置Q2的光刻膠層8只是相應(yīng)減薄，從而得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0093]其中，由于灰化工藝的特性，故柵極位置Ql和柵線位置Q2的光刻膠層8面積實(shí)際也會(huì)稍微縮小，但因其對(duì)最終產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)不會(huì)產(chǎn)生實(shí)質(zhì)影響，故圖中未示出。
[0094]S105、如圖8、圖9所示，除去像素電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2，形成像素電極11的圖形。
[0095]此時(shí)，由于像素電極位置Q3的光刻膠層8已被除去，故可通過(guò)刻蝕工藝依次除去該位置的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2，使透明導(dǎo)電材料層I暴露，形成透明像素電極11的圖形。
[0096]S106、除去厚度等于柵線位置Q2剩余光刻膠層8厚度的光刻膠層8，使柵線位置Q2的半導(dǎo)體層41暴露，得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0097]也就是說(shuō)，通過(guò)灰化工藝除去柵線位置Q2剩余的光刻膠層8 (其厚度可等于第二厚度減去第三厚度)，使該處的半導(dǎo)體層41暴露，同時(shí)，柵極位置Ql的光刻膠層8繼續(xù)減薄，從而得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0098]S107、除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，并優(yōu)選同時(shí)除去該位置的絕緣材料層3，形成柵線22的圖形，得到如圖12、圖13所示的結(jié)構(gòu)。
[0099]也就是說(shuō)，通過(guò)刻蝕工藝除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3，使柵金屬層2暴露，形成柵線22的圖形。
[0100]其中，本步驟中將柵線位置Q2的絕緣材料層3也一起除去了，從而最終產(chǎn)品中柵線22上方?jīng)]有柵絕緣層31，柵絕緣層31與半導(dǎo)體層41的圖形重合，且均只位于柵極21上方；這種工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，可選用一定的腐蝕劑直接一次將半導(dǎo)體材料層4和絕緣材料層3除去，從而簡(jiǎn)化工藝。
[0101]但是，應(yīng)當(dāng)理解，如果在本步驟中，只除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，而保留絕緣材料層3也是可行的；這樣，在最終產(chǎn)品中，在柵線22上方仍有柵絕緣層31 (但半導(dǎo)體層41僅位于柵極21上方)，該柵絕緣層31可增大柵線22與數(shù)據(jù)線間距離，從而降低二者間的耦合電容。
[0102]其中，本實(shí)施例是以具有柵金屬層2的情況為例子的，即其柵線22由柵金屬層2和透明導(dǎo)電材料層I共同組成，從而改善柵線22的導(dǎo)電性能；但應(yīng)當(dāng)理解，如果步驟SlOl中未形成柵金屬層2，則此時(shí)柵線位置Q2僅剩余透明導(dǎo)電材料層1，即柵線22也可直接由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0103]S108、如圖14、圖15所示，除去全部剩余的光刻膠層8，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41的圖形。
[0104]也就是說(shuō)，剝離全部剩余的光刻膠層8 (即柵極位置Ql的光刻膠層8)，使半導(dǎo)體層41暴露，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41的圖形。
[0105]可見(jiàn)，在本實(shí)施例中，只通過(guò)一次曝光就同時(shí)制備出了柵線22/柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、像素電極11的圖形，故其曝光次數(shù)明顯減少，制備方法簡(jiǎn)單、效率高。
[0106]同時(shí)，在本實(shí)施例的陣列基板中，柵絕緣層31不超出柵極21和柵線22的上方，即其像素電極11處沒(méi)有柵絕緣層31，因此柵絕緣層31不會(huì)對(duì)光的透過(guò)產(chǎn)生影響，透過(guò)率高。
[0107]S109、如圖16所示，形成隔離層，并在隔離層中形成與半導(dǎo)體層41相連的源極過(guò)孔51和漏極過(guò)孔52，以及與像素電極相連的第一過(guò)孔53。
[0108]優(yōu)選的，所述隔離層可為平坦化層5，平坦化層5通常由樹(shù)脂等材料制成，其除了隔離作用外，還可將薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)引起的段差“填平”，使陣列基板的表面整體上趨于平坦，以便于后續(xù)取向膜膜層均勻形成，并利于摩擦取向工藝的均勻摩擦。
[0109]當(dāng)然，如果隔離層不是平坦化層5，其也可為用于防止半導(dǎo)體層41被刻蝕的刻蝕阻擋層，或者為用于絕緣的鈍化層等其他結(jié)構(gòu)；刻蝕阻擋層、鈍化層等主要由氮化硅、氧化硅等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，它們的厚度比平坦化層5薄，故通常不起消除段差的作用，而僅用于將源極71、漏極72等與其他結(jié)構(gòu)隔開(kāi)。
[0110]具體的，上述的各過(guò)孔可通過(guò)構(gòu)圖工藝形成，即可在平坦化層5上涂布光刻膠，之后依次進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等。
[0111]由于平坦化層5通常為樹(shù)脂等材料，而其下方的半導(dǎo)體層41、像素電極11等為半導(dǎo)體、導(dǎo)體等無(wú)機(jī)材料，二者的刻蝕選擇性差別很大，故雖然不同位置的過(guò)孔深度不同，但刻蝕時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生對(duì)半導(dǎo)體層41、像素電極11等的破壞。
[0112]但優(yōu)選的，也可以是平坦化層5本身就由感光樹(shù)脂材料制成，則此時(shí)可不涂布光刻膠，而是直接對(duì)平坦化層5進(jìn)行曝光、顯影，從而在其中形成過(guò)孔。
[0113]總之，在平坦化層5中形成過(guò)孔的方法是已知的，在此不再詳細(xì)描述。
[0114]S110、形成源漏金屬層7。
[0115]源漏金屬層7由鑰、鋁等導(dǎo)電金屬或合金制成，用于形成源極71和漏極72。
[0116]其中，由于平坦化層5上具有過(guò)孔，故源漏金屬層7自然會(huì)通過(guò)源極過(guò)孔51和漏極過(guò)孔52與半導(dǎo)體層41相連，并通過(guò)第一過(guò)孔53與像素電極11相連。
[0117]S111、形成光刻膠層8并曝光，在相互分開(kāi)的源極位置Q71和漏極位置Q72保留光刻膠層8，其余位置無(wú)光刻膠層8 ;其中，源極位置Q71包括源極過(guò)孔51，漏極位置Q72包括漏極過(guò)孔52和第一過(guò)孔53 ;得到如圖17、18所示的結(jié)構(gòu)。
[0118]也就是說(shuō)，只在最終要形成源極71、漏極72的位置保留光刻膠層8，而將其余位置的光刻膠層8除去，其中源極位置Q71和漏極位置Q72相互分開(kāi)，且源極位置Q71涵蓋源極過(guò)孔51，而漏極位置Q72則涵蓋漏極過(guò)孔52以及第一過(guò)孔53。
[0119]通常而言，由于數(shù)據(jù)線需要與源極71相連，且公共電極線與數(shù)據(jù)線平行而不相交，因此，優(yōu)選可使數(shù)據(jù)線和公共電極線與源極71、漏極72同步形成；即在除去光刻膠層8時(shí)，也保留數(shù)據(jù)線位置(與源極位置Q72相連)的光刻膠層8，以及公共電極線位置(獨(dú)立位置)的光刻膠層8，從而在后續(xù)的刻蝕步驟中同時(shí)形成數(shù)據(jù)線和公共電極線。
[0120]當(dāng)然，應(yīng)當(dāng)理解，數(shù)據(jù)線和/或公共電極線也可在后續(xù)步驟中通過(guò)單獨(dú)的構(gòu)圖工藝形成，在此不做限制。
[0121]S112、除去無(wú)光刻膠覆蓋的源漏金屬層7，再除去剩余的光刻膠層8，形成數(shù)據(jù)線、公共電極線(圖中未示出)、源極71和漏極72的圖形，得到如圖19所示的結(jié)構(gòu)。
[0122]也就是說(shuō)，刻蝕除去暴露的源漏金屬層7，從而剩余兩塊分開(kāi)的源漏金屬層7，其中一塊與半導(dǎo)體層41電連接，為源極71，另一塊將半導(dǎo)體層41與像素電極11連接在一起，為漏極72。
[0123]當(dāng)然，如果在Slll步驟中也保留了數(shù)據(jù)線位置及公共電極線位置的光刻膠層8，則本步驟中會(huì)同時(shí)形成數(shù)據(jù)線和公共電極線。
[0124]S113、繼續(xù)形成配向膜(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)，完成陣列基板的制備。
[0125]實(shí)施例3:
[0126]如圖2至19所示，本實(shí)施例提供一種陣列基板，其包括柵極21、柵線22、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、像素電極11、源極71、漏極72、隔離層。
[0127]如圖19所示，本實(shí)施例的陣列基板中，柵極21、柵線22包括透明導(dǎo)電材料層I。
[0128]也就是說(shuō)，本實(shí)施例的陣列基板的柵極21、柵線22可由像素電極11的材料構(gòu)成，故它們可與像素電極11同步形成，從而簡(jiǎn)化制備工藝。
[0129]優(yōu)選的，柵極21、柵線22還包括位于透明導(dǎo)電材料層I上的柵金屬層2，即柵極
21、柵線22可由透明導(dǎo)電材料層I和柵金屬層2共同組成，從而加強(qiáng)其導(dǎo)電性能。
[0130]當(dāng)然，理論上也可沒(méi)有柵金屬層2，而直接用透明導(dǎo)電材料層I形成柵極21、柵線22。
[0131]其中，柵絕緣層31不超出柵極21和柵線22上；因此，其像素電極11處沒(méi)有柵絕緣層31，透過(guò)率高。
[0132]優(yōu)選的，柵絕緣層31和半導(dǎo)體層41圖形相同，且只位于柵極21上方。
[0133]由于柵絕緣層31和半導(dǎo)體層41圖形相同，故它們可在一次刻蝕中同時(shí)形成，制備
效率高。
[0134]當(dāng)然，柵絕緣層31也可與半導(dǎo)體層41圖形不同，并在柵線22上方也有分布(半導(dǎo)體層41只位于柵極21上方)，這樣可以增大柵線22與數(shù)據(jù)線間的距離，降低二者間的耦合電容。
[0135]優(yōu)選的，半導(dǎo)體層41由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0136]其中，隔離層覆蓋柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、柵線22、像素電極11。
[0137]優(yōu)選的，隔離層為平坦化層5，即其除了隔離外，還可用于將薄膜晶體管等引起的段差“填平”，使陣列基板的表面整體上趨于平坦，以便于后續(xù)取向膜膜層均勻形成，并利于摩擦取向工藝的均勻摩擦。[0138]優(yōu)選的，上述平坦化層5是由感光樹(shù)脂材料制成的，從而在其上形成過(guò)孔時(shí)不必
使用光刻膠等，工藝簡(jiǎn)單。
[0139]優(yōu)選的，隔離層也可為用于防止半導(dǎo)體層41被刻蝕的刻蝕阻擋層，或者為用于絕緣的鈍化層等其他結(jié)構(gòu)；刻蝕阻擋層、鈍化層等主要由氮化硅、氧化硅等無(wú)機(jī)材料構(gòu)成，它們的厚度比平坦化層5薄，故通常不起消除段差的作用，而僅用于將源極71、漏極72等與其他結(jié)構(gòu)隔開(kāi)。
[0140]源極71、漏極72位于平坦化層5上方(優(yōu)選直接設(shè)在平坦化層5上)，并分別通過(guò)平坦化層5中的源極過(guò)孔51和漏極過(guò)孔52與半導(dǎo)體層41電連接；同時(shí)，漏極72還通過(guò)平坦化層5中的第一過(guò)孔53與像素電極11電連接，從而將半導(dǎo)體層41與像素電極11連
接在一起。
[0141]當(dāng)然，本實(shí)施例的陣列基板中，還應(yīng)具有數(shù)據(jù)線、公共電極線、配向膜(圖中未示出)等其他已知結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要設(shè)置在相應(yīng)位置，只要最終能夠?qū)崿F(xiàn)數(shù)據(jù)線與源極電連接，公共電極線與彩膜基板上的公共電極電連接即可，本實(shí)施例對(duì)其不再詳細(xì)描述。
[0142]實(shí)施例4:
[0143]本實(shí)施例提供一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。
[0144]由于本實(shí)施例的顯示裝置包括上述陣列基板，因此其制備工藝簡(jiǎn)單、效率高、透過(guò)率高。
[0145]本實(shí)施例的顯示裝置可以為:液晶顯示面板、OLED顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0146]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板制備方法，其特征在于，包括: 步驟1:在基底上通過(guò)使用階梯曝光的構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方； 步驟2:在完成前述步驟的基底上形成隔離層，在隔離層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過(guò)孔和漏極過(guò)孔，以及與像素電極相連的第一過(guò)孔； 步驟3:在完成前述步驟的基底上通過(guò)構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；其中，源極、漏極分別通過(guò)源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接，漏極通過(guò)第一過(guò)孔與像素電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述步驟I具體包括: 步驟11、在基底上依次形成透明導(dǎo)電材料層、絕緣材料層、半導(dǎo)體材料層、光刻膠層； 步驟12、對(duì)光刻膠層階梯曝光并顯影，使柵極位置保留第一厚度的光刻膠層，柵線位置保留第二厚度的光刻膠層，像素電極位置保留第三厚度的光刻膠層，其余位置無(wú)光刻膠層，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度； 步驟13、除去無(wú)光刻膠區(qū)域的半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層、透明導(dǎo)電材料層； 步驟14、除去第三厚度的光刻膠層，使像素電極位置的半導(dǎo)體材料層暴露； 步驟15、除去像素電極位置的半導(dǎo)體材料層、絕緣材料層，形成像素電極的圖形； 步驟16、除去厚度等于柵線位置剩余光刻膠層厚度的光刻膠層，使柵線位置的半導(dǎo)體層暴露； 步驟17、除去柵線位置的半導(dǎo)體材料層，形成柵線的圖形；` 步驟18、除去剩余的光刻膠層，形成柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述步驟17具體包括: 除去柵線位置的半導(dǎo)體材料層，并除去柵線位置的絕緣材料層，形成柵線的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述步驟11還包括:在透明導(dǎo)電材料層和絕緣材料層間形成柵金屬層； 所述步驟13還包括:除去無(wú)光刻膠區(qū)域的柵金屬層； 所述步驟15還包括:除去像素電極位置的柵金屬層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述階梯曝光通過(guò)灰度掩膜板或半色調(diào)掩膜板實(shí)現(xiàn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述隔離層為平坦化層，并由感光樹(shù)脂材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制備方法，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的陣列基板制備方法，其特征在于，所述步驟3具體包括: 步驟31、形成源漏金屬層； 步驟32、形成光刻膠層并曝光，在相互分開(kāi)的源極位置和漏極位置保留光刻膠層，其余位置無(wú)光刻膠層；其中，源極位置包括源極過(guò)孔，漏極位置包括漏極過(guò)孔和第一過(guò)孔；步驟33、除去無(wú)光刻膠層區(qū)域的源漏金屬層，再除去光刻膠層，形成源極和漏極的圖形。
10.一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，其特征在于， 所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層； 所述柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方； 所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極； 所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過(guò)隔離層中的源極過(guò)孔、漏極過(guò)孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過(guò)隔離層中的第一過(guò)孔與像素電極電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵絕緣層和半導(dǎo)體層圖形相同，且只位于柵極上方。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵極、柵線還包括位于透明導(dǎo)電材料層上的柵金屬層。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于， 所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，` 所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的陣列基板，其特征在于， 所述隔離層為平坦化層，所述隔離層由感光樹(shù)脂材料制成。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于， 所述源極、漏極位于隔離層上。
17.一種顯示裝置，其特征在于，包括: 如權(quán)利要求10至16中任意一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1368GK103489874SQ201310451037
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司