一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種低功耗液晶面板。所述陣列基板包括：基板，位于所述基板上呈矩陣分布的亞像素，所述亞像素區(qū)域設(shè)置有由一個(gè)或多個(gè)沿第一方向延伸的條狀電極組成的第一電極，還包括位于第一電極下方通過絕緣層相絕緣的第二電極；所述第一電極為像素電極，所述第二電極為公共電極；或者，所述第一電極為公共電極，所述第二電極為像素電極；其中，在絕緣層上至少與所述相鄰兩個(gè)條狀電極之間的狹縫相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域。
【專利說明】一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]液晶顯示器按照顯示模式可以分為:扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型,平面轉(zhuǎn)換(In Plane Switching, IPS)型和高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(AdvancedSuper Dimension Switch,ADS)型。其中，ADS模式液晶顯示器通過液晶顯示器中同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與面狀電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，該電場(chǎng)為水平電場(chǎng)，該水平電場(chǎng)使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-1XD的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(push Mura)等優(yōu)點(diǎn)。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過率1-ADS技術(shù)、高開口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0004]ADS模式液晶顯示器，像素電極和公共電極位于不同層，二者之間通過絕緣層相絕緣，像素電極和公共電極之間的形成的多維電場(chǎng)，電場(chǎng)線經(jīng)過所述絕緣層，所述絕緣層對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度造成一定衰減，使得實(shí)際作用在液晶分子上的電場(chǎng)強(qiáng)度小于像素電極和公共電極之間施加的驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度，液晶分子可能無法正常偏轉(zhuǎn)或偏轉(zhuǎn)效果不太理想，要想達(dá)到理想偏轉(zhuǎn)狀態(tài)的液晶分子，需要在像素電極和公共電極之間施加更大的驅(qū)動(dòng)電壓。因此，現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的液晶面板的功耗較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明公開了一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種低功耗液晶面板。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括:基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間的絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；
[0007]位于不同層的第一電極和第二電極包括正對(duì)交疊區(qū)域和非正對(duì)交疊區(qū)域；
[0008]其中，在所述絕緣層上至少與所述非正對(duì)交疊相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域。
[0009]較佳地，所述第二電極位于所述基板上，所述絕緣層位于所述第二電極上，所述第一電極位于所述絕緣層上；所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為板狀電極或狹縫狀電極。
[0010]較佳地，所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為板狀電極，在所述絕緣層上與所述狹縫狀第一電極的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。[0011]較佳地，所述鏤空區(qū)域在基板的投影與所述狹縫狀第一電極的狹縫在基板上的投
影重疊。
[0012]較佳地，所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為狹縫狀電極，在所述絕緣層上與所述第一電極的狹縫和第二電極的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
[0013]較佳地，狹縫狀第一電極和狹縫狀第二電極錯(cuò)位重疊，至少一側(cè)的狹縫狀第一電極和狹縫狀第二電極裸露在外。
[0014]較佳地，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述絕緣層還位于所述柵線和數(shù)據(jù)線之間且位于柵線和數(shù)據(jù)線正對(duì)交疊對(duì)應(yīng)的區(qū)域，柵線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層；和/或
[0015]數(shù)據(jù)線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層。
[0016]較佳地，還包括位于所述亞像素區(qū)域與所述像素電極相連的薄膜晶體管，所述絕緣層為單層絕緣層，所述絕緣層與所述薄膜晶體管的鈍化層或柵極絕緣層位于同一層。
[0017]較佳地，還包括位于所述亞像素區(qū)域與所述像素電極相連的薄膜晶體管，所述絕緣層為雙層絕緣層，所述雙層絕緣層的其中之一與所述薄膜晶體管的鈍化層位于同一層，所述雙層絕緣層中的另一與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層位于同一層。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種液晶面板，包括上述陣列基板。
[0019]本發(fā)明實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括上述液晶面板。
[0020]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，包括:基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素區(qū)域設(shè)置有第一電極 、第二電極，以及位于第一電極和第二電極之間的絕緣層，所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；位于不同層的第一電極和第二電極包括正對(duì)交疊區(qū)域和非正對(duì)交疊區(qū)域；其中，在所述絕緣層上至少與所述非正對(duì)交疊相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域。在所述絕緣層上至少與所述非正對(duì)交疊相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域，電場(chǎng)線經(jīng)過該鏤空區(qū)域時(shí)不受絕緣層的影響，避免了鏤空區(qū)域設(shè)置有絕緣層導(dǎo)致電場(chǎng)衰減的問題，降低了驅(qū)動(dòng)液晶分子正常工作時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓，降低了液晶面板的功耗。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板截面示意圖；
[0022]圖2為圖1所不的陣列基板俯視不意圖之一；
[0023]圖3為圖1所不的陣列基板俯視不意圖之二；
[0024]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板截面示意圖；
[0026]圖6為圖1所示的陣列基板結(jié)構(gòu)俯視示意圖之三；
[0027]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的包括薄膜晶體管的陣列基板截面示意圖；
[0028]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的狹縫狀第一電極或第二電極的其中一種結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0029]本發(fā)明公開了一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種低功耗液晶面板。[0030]本發(fā)明實(shí)施例基于寬視角、高透過率的液晶面板，具體地，基于像素電極和公共電極位于陣列基板上不同層且通過絕緣層相絕緣的液晶面板，像素電極和/或公共電極為狹縫狀電極，相鄰狹縫之間設(shè)置有條狀電極。通過在絕緣層上至少與所述相鄰兩個(gè)條狀電極之間的狹縫相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域，減小絕緣層對(duì)公共電極和像素電極之間電場(chǎng)強(qiáng)度的衰減，從而實(shí)現(xiàn)低功耗液晶面板。
[0031]需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例附圖中的各功能膜層的厚度不代表真實(shí)的厚度，各膜層之間的相對(duì)厚度也不代表真實(shí)的相對(duì)厚度，本發(fā)明實(shí)施例提供的附圖僅用于示意性地說明本發(fā)明。
[0032]以下將結(jié)合附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板、液晶面板和顯示裝置。
[0033]本發(fā)明將以液晶面板中的一個(gè)亞像素(如紅色、綠色或藍(lán)色亞像素區(qū)域等)對(duì)應(yīng)的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)示意圖為例說明。
[0034]參見圖1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的截面示意圖，包括:
[0035]基板I ;
[0036]位于基板I上的亞像素，所述亞像素區(qū)域設(shè)置有第一電極11和第二電極12，以及位于第一電極11和第二電極12之間的絕緣層13 ;第一電極11和第二電極12其中之一為公共電極，另一為像素電極；
[0037]位于不同層的第一電極11和第二電極12包括正對(duì)交疊區(qū)域a和非正對(duì)交疊區(qū)域b ；
[0038]其中，在絕緣層13上至少與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域，使得第一電極11的至少一側(cè)裸露在外。
[0039]所述鏤空區(qū)域可以是具有一定圖案的鏤空區(qū)域，例如，絕緣層與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，即與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域不設(shè)置絕緣層；或者在與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的部分區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
[0040]如圖2,為圖1所不的陣列基板俯視不意圖；
[0041]圖2所示的絕緣層與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的所有區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。即鏤空區(qū)域在第一基板上的投影面積等于第一電極和第二電極的非正對(duì)交疊區(qū)域b在基板上的投影面積。
[0042]圖3所示的絕緣層與非正對(duì)交疊區(qū)域b相對(duì)應(yīng)的部分區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域，鏤空區(qū)域的圖案可以為圓、橢圓、多邊形，狹縫等。圖3所示的鏤空區(qū)域b為狹縫狀。即鏤空區(qū)域在第一基板上的投影面積小于于第一電極和第二電極的非正對(duì)交疊區(qū)域b在基板上的投影面積。
[0043]參見圖4，當(dāng)為第一電極和第二電極之間施加電壓，例如為第一電極施加數(shù)據(jù)線號(hào)電壓VData，為第二電極施加公共電壓Vcom時(shí)，二者之間形成電場(chǎng)，該電場(chǎng)作用于陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子上，使得液晶分子發(fā)生一定偏轉(zhuǎn)。
[0044]以包括彩膜基板和陣列基板的液晶面板為例說明，如圖4所示，設(shè)基板I為第一基板，還包括與第一基板I相對(duì)設(shè)置的第二基板2，以及位于第一基板I和第二基板2之間的液晶層3 ;第二基板2上靠近液晶層3 —側(cè)設(shè)置有彩色樹脂層21。附圖中的彩色樹脂層僅是示意性說明，并不代表真實(shí)的彩色樹脂層的設(shè)置方式，此外，彩膜基板不僅包括彩色樹脂層，還包括黑矩陣等其他膜層。[0045]如圖2中帶箭頭的線段為電場(chǎng)線。絕緣層13僅位于第一電極11和第二電極12之間正對(duì)交疊區(qū)域，在第一電極11和第二電極12非正對(duì)交疊區(qū)域未設(shè)置絕緣層。電場(chǎng)經(jīng)過第一電極11與第二電極12的非正對(duì)交疊區(qū)域時(shí)，不經(jīng)過絕緣層13，降低了絕緣層13對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的衰減作用，從而實(shí)現(xiàn)低功耗液晶面板。
[0046]上述陣列基板，其中一種優(yōu)選的實(shí)施方式為:
[0047]參見圖1，第二電極12位于基板I上，絕緣層13位于第二電極12上，第一電極11位于絕緣層13上；第一電極11為狹縫狀電極，第二電極12為板狀電極或狹縫狀電極。
[0048]當(dāng)然不限于第一電極為板狀電極，第二電極為狹縫狀電極。
[0049]當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極均為狹縫狀時(shí)，第一電極和第二電極可以設(shè)置為二者存在正對(duì)交疊區(qū)域，也可以設(shè)置為二者不存在正對(duì)交疊區(qū)域。
[0050]以下將通過附圖具體說明上述優(yōu)選的實(shí)施方式。
[0051]參見圖1，第一電極11為狹縫狀電極，第一電極11由多個(gè)條狀電極組成。
[0052]第二電極12為板狀電極，即無任何圖案的面狀電極。
[0053]在絕緣層13上與狹縫狀第一電極11的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
[0054]優(yōu)選地，鏤空區(qū)域在基板I上的投影與狹縫狀第一電極11的狹縫在基板I上的投
影重疊。
[0055]參見圖5，第一電極11為狹縫狀電極，第一電極11由多個(gè)條狀電極組成。第二電極12為狹縫狀電極，第二電極12由多個(gè)條狀電極組成。
[0056]在絕緣層13上與第一電極11的狹縫和第二電極12的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
[0057]優(yōu)選地，鏤空區(qū)域在基板I的投影與狹縫狀第一電極11和狹縫狀第二電極12的狹縫在基板I上的投影重疊。
[0058]優(yōu)選的，狹縫狀第一電極11和狹縫狀第二電極12之間的絕緣層與兩個(gè)電極部分重疊，且狹縫狀第一電極11和狹縫狀第二電極12錯(cuò)位重疊(非完全正對(duì))，即絕緣層的設(shè)置使得至少有一側(cè)的狹縫狀第一電極11和狹縫狀第二電極裸露在外。這樣同一側(cè)裸露在外的狹縫狀第一電極11和狹縫狀第二電極12不經(jīng)過絕緣層13，降低了絕緣層13對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的衰減作用，從而實(shí)現(xiàn)低功耗液晶面板。
[0059]圖1和圖5所示的陣列基板可以適用于高級(jí)超維場(chǎng)開關(guān)(Advanced SuperDimension Switch，ADS)模式的液晶面板或者其變型，ADS模式或者其變型的液晶面板中的第一電極和第二電極之間可以形成多維電場(chǎng)，該多維電場(chǎng)可以提高了液晶工作效率并增大了透光效率。
[0060]此外，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，優(yōu)選地，所述絕緣層還位于所述柵線和數(shù)據(jù)線之間且位于柵線和數(shù)據(jù)線正對(duì)交疊對(duì)應(yīng)的區(qū)域，柵線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層或者設(shè)置部分絕緣層；和/或數(shù)據(jù)線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層或者設(shè)置部分絕緣層。
[0061]參見圖6，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板俯視示意圖，包括位于第一基板(圖6中未示出)上交叉排列的多條柵線4和多條數(shù)據(jù)線5。一個(gè)亞像素區(qū)域由相鄰的兩條柵線4和相鄰的兩條數(shù)據(jù)線5圍設(shè)而成。以下以第一電極為像素電極，第二電極為公共電極為例說明。亞像素區(qū)域包括像素電極11和公共電極12 ；[0062]為了更進(jìn)一步降低絕緣層對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的衰減作用，參見圖6，柵線4與像素電極11和公共電極12之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層，即設(shè)置鏤空區(qū)域；
[0063]數(shù)據(jù)線5與像素電極11和公共電極12之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層，即設(shè)置鏤空區(qū)域。
[0064]同理，數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的鏤空區(qū)域可以是具有一定圖案的鏤空區(qū)域，即鏤空區(qū)域在第一基板上的投影面積小于數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的狹縫在第一基板上的投影面積。
[0065]或者數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的鏤空區(qū)域?yàn)榕c數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的狹縫大小和形狀一致的鏤空區(qū)域，即數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的鏤空區(qū)域在第一基板上的投影面積等于數(shù)據(jù)線與條狀電極之間的狹縫在第一基板上的投影面積，且二者的投影重疊。
[0066]圖6所示的第一電極11包括多個(gè)條狀電極111沿?cái)?shù)據(jù)線5延伸的方向設(shè)置，在具體實(shí)施時(shí)，條狀電極111還可以沿柵線4延伸的方向設(shè)置。
[0067]較佳地，參見圖7，所述亞像素區(qū)域還設(shè)置有與所述像素電極相連的薄膜晶體管，薄膜晶體管包括柵極71、柵極絕緣層72、有源層73、源極和漏極74、刻蝕阻擋層75(該層為可選項(xiàng)，對(duì)于金屬氧化物薄膜晶體管可以設(shè)置刻蝕阻擋層)和鈍化層76 ；
[0068]絕緣層13為單層絕緣層，絕緣層13與鈍化層76位于同一層、或者與柵極絕緣層72位于同一層，或者還可以與刻蝕阻擋層75位于同一層等。
[0069]圖7所示的陣列基板，絕緣層13與柵極絕緣層72位于同一層。在制作薄膜晶體管的柵極絕緣層時(shí)，同時(shí)保留位于第一電極和第二電極之間正對(duì)交疊區(qū)域的絕緣層，去除亞像素區(qū)域內(nèi)其他區(qū)域的絕緣層。
[0070]較佳地，所述絕緣層為雙層絕緣層，所述雙層絕緣層的其中之一與所述薄膜晶體管的鈍化層位于同一層，所述雙層絕緣層中的另一與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層位于同一層。
[0071 ] 所述狹縫狀的第一電極和第二電極包括多個(gè)條狀電極。
[0072]較佳地，所述第一電極中的各條狀電極和第二電極中的各條狀電極為直線型電極，例如圖6所示，第一電極11中的各條狀電極111為直線型電極。直線型條狀電極構(gòu)成的像素電極或公共電極可以使得液晶分子呈單疇排列。
[0073]較佳地，所述第一電極或第二電極中的各條狀電極的中間區(qū)域具有彎折點(diǎn)，各條狀電極朝向同一設(shè)定方向彎折，使得條狀電極的兩端點(diǎn)和彎折點(diǎn)構(gòu)成一個(gè)以彎折點(diǎn)為頂點(diǎn)的等腰三角形。具有彎折點(diǎn)的各條狀電極組成的像素電極或公共電極可以使得液晶分子雙單疇排列，這樣的設(shè)置方式可以增加液晶面板的視角，提高圖像的顯示品質(zhì)。
[0074]具體地，以第一電極為例說明，如圖8所示，第一電極11包括多個(gè)排列方向一致的條狀電極111每一條狀電極111的中間區(qū)域朝向第一設(shè)定方向彎折，使得條狀電極111的兩端(圖8中的a端和b端)和彎折點(diǎn)(圖8中的O點(diǎn))構(gòu)成一個(gè)以彎折點(diǎn)為頂點(diǎn)的等腰三角形(如圖8中閉合的虛線構(gòu)成的等腰三角形所示)。
[0075]較佳地，所述第一電極和第二電極中的各條狀電極的形狀為尖括弧“〈”或“〉”或圓括弧狀或
[0076]本發(fā)明實(shí)施例提供的絕緣層可以是單獨(dú)制作的一層絕緣層，也可以是制作薄膜晶體管中的某一或某幾層絕緣層時(shí)保留公共電極和像素電極之間正對(duì)交疊處的絕緣層，其他區(qū)域的絕緣層去除。
[0077]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種液晶面板，包括上述任一種方式的陣列基板。所述液晶顯示面板還可以包括彩膜基板或包括設(shè)置在陣列基板上的彩膜層，只要包括上述實(shí)施例提供的陣列基板即可，彩膜的設(shè)置不做限制。
[0078]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括所述液晶面板，該顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視等。
[0079]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的液晶面板，包括:位于第一基板上的像素陣列，位于第二基板上的彩色樹脂層；所述像素陣列中所述亞像素區(qū)域設(shè)置有由一個(gè)或多個(gè)沿第一方向延伸的條狀電極組成的第一電極，還包括位于像素電極下方通過絕緣層相絕緣的面狀第二電極；其中，在絕緣層上至少與所述相鄰兩個(gè)條狀電極之間的狹縫相對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域。在第一電極和第二電極之間施加電壓，第一電極和第二電極之間形成電場(chǎng)，所述電場(chǎng)的電場(chǎng)線經(jīng)過相鄰兩個(gè)條狀電極之間的區(qū)域。由于絕緣層與相鄰兩個(gè)條狀電極之間的狹縫對(duì)應(yīng)區(qū)域?yàn)殓U空區(qū)域，電場(chǎng)線經(jīng)過該區(qū)域時(shí)不受絕緣層的影響，避免了絕緣層與相鄰兩個(gè)條狀電極之間的狹縫對(duì)應(yīng)區(qū)域設(shè)置有絕緣層導(dǎo)致電場(chǎng)衰減的問題，降低了驅(qū)動(dòng)液晶分子正常工作時(shí)驅(qū)動(dòng)電壓，降低了液晶面板的功耗。
[0080]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間的絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極； 位于不同層的第一電極和第二電極包括正對(duì)交疊區(qū)域和非正對(duì)交疊區(qū)域； 其中，在所述絕緣層上至少與所述非正對(duì)交疊區(qū)域相對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有鏤空區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二電極位于所述基板上，所述絕緣層位于所述第二電極上，所述第一電極位于所述絕緣層上；所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為板狀電極或狹縫狀電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為板狀電極，在所述絕緣層上與所述狹縫狀第一電極的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述鏤空區(qū)域在基板的投影與所述狹縫狀第一電極的狹縫在基板上的投影重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為狹縫狀電極，所述第二電極為狹縫狀電極，在所述絕緣層上與所述第一電極的狹縫和第二電極的狹縫對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，狹縫狀第一電極和狹縫狀第二電極錯(cuò)位重疊，至少一側(cè)的狹縫狀第一電極和狹縫狀第二電極裸露在外。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述絕緣層還位于所述柵線和數(shù)據(jù)線之間且位于柵線和數(shù)據(jù)線正對(duì)交疊對(duì)應(yīng)的區(qū)域，柵線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層；和/或 數(shù)據(jù)線與第一電極和第二電極之間的區(qū)域不設(shè)置絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述亞像素區(qū)域與所述像素電極相連的薄膜晶體管，所述絕緣層為單層絕緣層，所述絕緣層與所述薄膜晶體管的鈍化層或柵極絕緣層位于同一層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述亞像素區(qū)域與所述像素電極相連的薄膜晶體管，所述絕緣層為雙層絕緣層，所述雙層絕緣層的其中之一與所述薄膜晶體管的鈍化層為位于同一層，所述雙層絕緣層中的另一與所述薄膜晶體管的柵極絕緣層位于同一層。
10.一種液晶面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的液晶面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK103488004SQ201310446733
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】王孝林 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司