一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種亞像素區(qū)域光線透過(guò)率較高的液晶面板和顯示裝置。所述陣列基板包括：基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間用于絕緣第一電極和第二電極的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面。
【專利說(shuō)明】一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
[0003]液晶顯示器按照顯示模式可以分為:扭曲向列(Twisted Nematic, TN)型,平面轉(zhuǎn)換(In Plane Switching, IPS)型和高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(AdvancedSuper Dimension Switch,ADS)型。其中，ADS模式液晶顯示器通過(guò)液晶顯示器中同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極層與不同層設(shè)置的面狀公共電極層間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，該電場(chǎng)為水平電場(chǎng)，該水平電場(chǎng)使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、狹縫電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。針對(duì)不同應(yīng)用，ADS技術(shù)的改進(jìn)技術(shù)有高透過(guò)率1-ADS技術(shù)、高開(kāi)口率H-ADS和高分辨率S-ADS技術(shù)等。
[0004]現(xiàn)有ADS模式液晶面板，在亞像素區(qū)域周圍的非顯示區(qū)域不可避免地設(shè)置各種電極結(jié)構(gòu)，例如設(shè)置有柵線或數(shù)據(jù)線等結(jié)構(gòu)，由于像素電極和公共電極位于不同層，二者之間形成的電場(chǎng)受亞像素周圍電極結(jié)構(gòu)的影響，尤其是受柵線、數(shù)據(jù)線等上方分布的絕緣層的影響，使得電場(chǎng)具有一定衰減，另外，由于亞像素顯示區(qū)域的面積有限，公共電極的為平面狀結(jié)構(gòu)，公共電極和像素電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度不夠理想，尤其是公共電極邊緣與像素電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度較小，影響亞像素區(qū)域光線的穿透率，不利于實(shí)現(xiàn)高透過(guò)率、廣視角的液晶面板和顯示裝置。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種亞像素區(qū)域光線透過(guò)率較高的液晶面板和顯示裝置。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板，包括:基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，以及位于第一電極和第二電極之間的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；
[0007]其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面。
[0008]較佳地，還包括位于所述基板與所述第二電極之間的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，所述第二電極依照所述第二絕緣層的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀。
[0009]較佳地，所述基板具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，所述第二電極依照所述基板的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀。
[0010]較佳地，所述凹槽區(qū)域沿與所述第一方向垂直的第二方向的縱截面為倒立的梯形狀。
[0011]較佳地，所述凹槽狀第二電極的至少一個(gè)側(cè)表面與所述基板之間的夾角非0°且
非 90。。
[0012]較佳地，所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面，所述凹槽狀第二電極的至少一個(gè)側(cè)表面與所述基板之間的夾角為30°?75°
[0013]較佳地，所述第二絕緣層的凹槽區(qū)域的深度等于或小于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度。
[0014]較佳地，所述第一電極由一個(gè)或多個(gè)沿第一方向延伸的子電極組成，所述第一電極距離所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面的最短距離為I?4.5um。
[0015]較佳地，還包括:位于各亞像素周圍沿第一方向分布的多條柵線和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條數(shù)據(jù)線，所述第二絕緣層位于所述柵線上；或者還包括:
[0016]位于各亞像素周圍沿第一方向分布的多條數(shù)據(jù)線和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條柵線，所述第二絕緣層位于所述數(shù)據(jù)線上。
[0017]較佳地，所述第二絕緣層為透明樹(shù)脂或黑色遮光樹(shù)脂。
[0018]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種液晶面板，包括上述任一方式的陣列基板。
[0019]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括所述液晶面板。
[0020]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間用于絕緣第一電極和第二電極的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面。第一電極和第二電極之間的面積增加，二者之間形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，尤其是亞像素區(qū)域的邊緣形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，提高了亞像素區(qū)域光線的透過(guò)率。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0022]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0023]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0024]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0025]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的陣列基板結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板制作方法流程圖之一；
[0027]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板制作方法流程圖之二。
【具體實(shí)施方式】
[0028]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板、液晶面板及顯示裝置，用以提供一種亞像素區(qū)域光線透過(guò)率較高的液晶面板和顯示裝置，以及提供一種制作工藝較簡(jiǎn)單的陣列基板的制作方法。
[0029]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種改進(jìn)的ADS顯示模式的陣列基板和液晶面板。所述陣列基板包括基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間用于絕緣第一電極和第二電極的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面，像素電極和公共電極的表面積增加，像素電極和公共電極之間形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，亞像素區(qū)域(如紅色、綠色或藍(lán)色亞像素區(qū)域等)的邊緣形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，提高了亞像素區(qū)域光線的透過(guò)率。
[0030]優(yōu)選地，像素電極和公共電極疊層設(shè)置。本實(shí)用新型其中一種實(shí)施方式為像素電極和公共電極均為曲面狀；另兩種實(shí)施方式為像素電極和公共電極其中之一為曲面狀；上述實(shí)施方式均可以提高亞像素區(qū)域光線的透過(guò)率。
[0031]更優(yōu)選地，位于基板上距離基板較近的像素電極(或公共電極)為曲面狀，位于基板上距離基板較遠(yuǎn)的公共電極(或像素電極)為平面狀，像素電極和公共電極之間形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，亞像素區(qū)域的邊緣形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，提高了亞像素區(qū)域光線的透過(guò)率。
[0032]曲面狀的像素電極(或公共電極)可以有多種實(shí)現(xiàn)方式，較佳地，像素電極或公共電極設(shè)置為凹槽狀，凹槽狀的電極結(jié)構(gòu)包括側(cè)表面和底面，曲面狀電極結(jié)構(gòu)相比較平面狀電極結(jié)構(gòu)可以增加像素電極或公共電極的電極，增加像素電極和公共電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度，尤其增加像素電極邊緣電場(chǎng)強(qiáng)度，提高亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)。當(dāng)然，曲面狀的像素電極或公共電極不限于為凹槽狀結(jié)構(gòu)，也可以為其他任何凹凸不平狀結(jié)構(gòu)。
[0033]需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型實(shí)施例附圖中的各功能膜層的厚度不代表真實(shí)的厚度，各膜層之間的相對(duì)厚度也不代表真實(shí)的相對(duì)厚度，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的附圖僅用于示意性地說(shuō)明本實(shí)用新型。
[0034]以下將結(jié)合附圖具體說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、液晶面板及顯示裝置。
[0035]本實(shí)用新型以凹槽狀第二電極為例說(shuō)明，形成凹槽狀第二電極至少有以下兩種實(shí)施方式:方式一:在表面平整的基板上設(shè)置第二絕緣層，對(duì)第二絕緣層進(jìn)行構(gòu)圖工藝形成具有凹槽區(qū)域的絕緣層，第二電極依照第二絕緣層置于其上形成對(duì)應(yīng)的凹槽狀第二電極；該實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)在于第二絕緣層的刻蝕條件較簡(jiǎn)單，實(shí)現(xiàn)工藝難度較小。方式二:直接在基板上制作凹槽狀區(qū)域，第二電極依照基板的形狀置于其上形成對(duì)應(yīng)的凹槽狀第二電極，該實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)在于無(wú)需第二絕緣層，直接在基板上制作凹槽區(qū)域，陣列基板的厚度相對(duì)較薄。
[0036]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的基板為襯底基板。襯底基板可以選用玻璃基板或柔性基板等。
[0037]本實(shí)用新型將以包括一個(gè)亞像素(如紅色、綠色或藍(lán)色亞像素區(qū)域等)的陣列基板局部示意圖為例說(shuō)明，即在陣列基板中僅體現(xiàn)一個(gè)亞像素區(qū)域的膜層結(jié)構(gòu)。以下將通過(guò)附圖分別具體說(shuō)明包括上述兩種方式形成的第二電極的陣列基板。
[0038]實(shí)施例一:
[0039]參見(jiàn)圖1，為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的截面示意圖，包括:
[0040]基板I ;
[0041]位于基板I上的多個(gè)亞像素，所述亞像素的區(qū)域設(shè)置有第一電極11、第二電極12、第一絕緣層13和第二絕緣層14 ；[0042]第二絕緣層14位于基板I上；
[0043]第二電極12位于第二絕緣層14上；
[0044]第一絕緣層13位于第二電極12上；
[0045]第一電極11位于第一絕緣層13上；
[0046]其中，第二絕緣層14具有沿第一方向(如圖1垂直于紙面的方向)延伸的凹槽區(qū)域，第二電極12依照第二絕緣層14的形狀設(shè)置于其上形成表面為曲面的第二電極12，該第二電極12的形狀為凹槽狀。
[0047]凹槽狀的第二電極12位于凹槽狀第二絕緣層的凹槽的底部和凹槽的側(cè)表面。
[0048]第一電極11和第二電極12其中之一為公共電極，另一為像素電極；公共電極(或像素電極)為凹槽狀的電極結(jié)構(gòu)，像素電極(或公共電極)位于凹槽狀的電極上方，凹槽狀的公共電極(或像素電極)的橫向?qū)挾纫欢〞r(shí)，表面積增加，公共電極和像素電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度增加，尤其是位于亞像素區(qū)域邊緣的電場(chǎng)強(qiáng)度增加，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，從而提高了亞像素區(qū)域光線的穿透率，最終提高了圖像的顯示品質(zhì)。
[0049]所述第一電極可以為類似于第二電極的凹槽狀結(jié)構(gòu)，也可以為水平狀電極結(jié)構(gòu)，這里不做限制。例如:第二電極12也可以根據(jù)依照凹槽狀的第一絕緣層13，形成表面為曲面的第二電極12，該第二電極12的形狀為凹槽狀。
[0050]優(yōu)選地，參見(jiàn)圖1，第一電極11為水平狀電極，第二電極12為凹槽狀電極。
[0051]優(yōu)選地，參見(jiàn)圖1，凹槽區(qū)域沿與第一方向垂直的第二方向的縱截面為倒立的梯形狀，換句話說(shuō)，凹槽的底面積小于底面相對(duì)的凹槽的開(kāi)口面積，凹槽為上寬下窄的結(jié)構(gòu)。即凹槽狀第二電極12的兩個(gè)側(cè)表面至少其中一個(gè)側(cè)表面與基板I之間的夾角α非0°且非90° (也即夾角α大于0°且小于90° )。當(dāng)然，凹槽狀第二電極12的兩個(gè)側(cè)表面與基板I之間的夾角α可以相等或不相等。
[0052]進(jìn)一步地，凹槽狀第二電極12的兩個(gè)側(cè)表面分別與基板I之間的夾角α為30?75。。
[0053]更進(jìn)一步地，凹槽狀第二電極12的兩個(gè)側(cè)表面至少之一與基板之間的夾角α相等，優(yōu)選地，α值為45°。
[0054]上述凹槽狀第二電極沿第一方向延伸的兩個(gè)側(cè)表面至少之一與基板之間的夾角α非90°，凹槽的兩個(gè)側(cè)表面相對(duì)于基板具有一定坡度角，因此位于凹槽底部的第二電極部分和位于側(cè)表面上的第二電極部分之間不容易形成斷裂，進(jìn)一步提高了陣列基板的良品率。
[0055]較佳地，所述第二絕緣層的凹槽區(qū)域的深度等于或小于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度。當(dāng)?shù)诙^緣層的凹槽區(qū)域的深度等于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度，則說(shuō)明凹槽區(qū)域的底部不設(shè)置有第二絕緣層，這樣的設(shè)置方式可以降低陣列基板的厚度。
[0056]較佳地，所述第二絕緣層可以但不限于為透明樹(shù)脂或黑色樹(shù)脂等制作的膜層。
[0057]當(dāng)?shù)诙姌O位于亞像素顯示區(qū)域時(shí)，第二絕緣層可以為透明樹(shù)脂，以實(shí)現(xiàn)不影響像素的開(kāi)口率。
[0058]當(dāng)?shù)诙姌O位于亞像素非顯示區(qū)域時(shí)，例如當(dāng)?shù)谝浑姌O為像素電極時(shí)，第一電極幾乎占據(jù)整個(gè)亞像素顯示區(qū)域，第二電極的面積大于第一電極的面積，第二電極沿第一方向的兩個(gè)側(cè)面位于亞像素區(qū)域之間的非顯示區(qū)域，因此，第二絕緣層為黑色樹(shù)脂層時(shí)，位于與彩膜基板黑矩陣相對(duì)應(yīng)的區(qū)域，黑色樹(shù)脂層還可以進(jìn)一步起到黑矩陣的作用，防止液晶面板漏光的現(xiàn)象。
[0059]實(shí)施例一提供的第一電極可以由一個(gè)子電極組成，也可以由多個(gè)子電極組成。
[0060]參見(jiàn)圖2，第一電極11由多個(gè)子電極111組成，多個(gè)子電極111的排列方式可以平行或部分子電極111平行，多個(gè)子電極111的設(shè)置方式不做限制。
[0061 ] 如圖3所示，第一電極11由一個(gè)子電極111組成，子電極111為條狀電極，條狀電極的兩側(cè)(即條狀電極沿第一方向延伸的邊緣)分別與凹槽狀區(qū)域的兩個(gè)側(cè)表面之間的最短距離s大約為Ium?4.5um。
[0062]通過(guò)液晶光學(xué)模擬軟件模擬發(fā)現(xiàn)，第二絕緣層的厚度為1.1um?3.6um，第一電極的寬度為2.5um?6um，液晶的效率約提高一倍。s大約為Ium?4.5um時(shí)，液晶的效率更高，較佳地，s為1.5um?3.5um液晶的效率更高。
[0063]較佳地，本實(shí)用新型所述陣列基板在相鄰亞像素之間設(shè)置有沿第一方向分布的多條柵線和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條數(shù)據(jù)線(也即相互交叉的柵線和數(shù)據(jù)線限定出亞像素)，所述第二絕緣層位于所述柵線上，該第二絕緣層一方面可以起到凹陷區(qū)域的作用，另一方面還可以減小柵線和其它一些電極之間的寄生電容，或者避免柵線周圍的電場(chǎng)對(duì)黑矩陣膜層造成電極化，使得黑矩陣表面感應(yīng)出電荷，造成液晶面板殘像的問(wèn)題。
[0064]參見(jiàn)圖4，或者，本實(shí)用新型所述陣列基板在相鄰亞像素之間設(shè)置有沿第一方向分布的多條數(shù)據(jù)線15和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條柵線(圖4中未體現(xiàn)柵線)，第二絕緣層14位于數(shù)據(jù)線15上覆蓋整條數(shù)據(jù)線15，該第二絕緣層14 一方面可以起到凹陷區(qū)域的作用，另一方面還可以減小數(shù)據(jù)線和其它一些電極之間的寄生電容，或者可以避免數(shù)據(jù)線周圍的電場(chǎng)對(duì)黑矩陣膜層造成電極化，使得黑矩陣表面感應(yīng)出電荷，造成液晶面板殘像的問(wèn)題。
[0065]本實(shí)用新型上述實(shí)施例提供的陣列基板，對(duì)于高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)ADS模式的液晶面板，例如對(duì)應(yīng)超精細(xì)的單一條狀電極像素結(jié)構(gòu)或公共電極結(jié)構(gòu)，靠近基板的第二電極邊緣形成一定傾斜角度的斜坡，可以有效提高像素的穿透率。
[0066]實(shí)施例二:
[0067]實(shí)施例二提供的另一方式的陣列基板，與實(shí)施例一不同之處在于，形成第二電極的方式不同，實(shí)施例一提供的陣列基板，第二電極按照上述方式一實(shí)現(xiàn)，實(shí)施例二提供的陣列基板，第二電極按照上述方式二實(shí)現(xiàn)，實(shí)施例一中除第二電極的形成方式不同于實(shí)施例二，其他較佳的實(shí)施方式均適用于實(shí)施例二，例如第一電極的設(shè)置方式、凹槽側(cè)表面與基板之間的夾角、第一電極距離第二電極側(cè)表面的距離，以及數(shù)據(jù)線和柵線的設(shè)置方式和有益效果等均適用于實(shí)施二。
[0068]參見(jiàn)圖5，陣列基板包括:
[0069]基板I ;
[0070]位于基板I上的多個(gè)亞像素，所述亞像素的區(qū)域設(shè)置有第一電極11、第二電極12和第一絕緣層13 ；
[0071]第二電極12位于基板I上；
[0072]第一絕緣層13位于第二電極12上；
[0073]第一電極11位于第一絕緣層13上；[0074]其中，基板I上具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，第二電極12依照基板I的形狀設(shè)置于其上形成表面為曲面的第二電極12，該第二電極12的形狀為凹槽狀。
[0075]公共電極(或像素電極)為凹槽狀的電極結(jié)構(gòu)，像素電極(或公共電極)位于凹槽狀的電極上方，凹槽狀的公共電極(或像素電極)的橫向?qū)挾纫欢〞r(shí)，表面積增加，公共電極和像素電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度增加，尤其是位于亞像素區(qū)域邊緣的電場(chǎng)強(qiáng)度增加，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，從而提高了亞像素區(qū)域光線的穿透率，最終提高了圖像的顯示品質(zhì)。
[0076]較佳地，實(shí)施例一和實(shí)施例二提供的所述第一電極和第二電極為透明導(dǎo)電電極，例如可以為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)等。
[0077]上述兩個(gè)實(shí)施例僅是本實(shí)用新型提供的較優(yōu)選的實(shí)施方式，在具體實(shí)施過(guò)程中陣列基板不限于上述兩種實(shí)施方式，例如第一電極和第二電極均為曲面或第一電極為曲面的情況。所述曲面不限于為凹槽狀，也可以為其他結(jié)構(gòu)。對(duì)于多個(gè)子電極構(gòu)成的第一電極，可以在每一個(gè)子電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置具曲面狀的公共電極，也可以在靠近邊緣的子電極對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置曲面狀電極，這里不做具體限定。
[0078]以下將具體說(shuō)明上述實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法:
[0079]實(shí)施例三:陣列基板的制作方法。
[0080]陣列基板的制作方法整體包括以下步驟:
[0081]在基板上形成位于亞像素的區(qū)域中的第一電極和第二電極圖形以及位于第一電極和第二電極之間的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面。
[0082]針對(duì)第一實(shí)施例提供的陣列基板，參見(jiàn)圖6，在基板上形成位于亞像素的區(qū)域中的第一電極和第二電極圖形以及位于第一電極和第二電極之間的第一絕緣層具體為:
[0083]S11、在所述基板上形成一層設(shè)定厚度的絕緣層，采用構(gòu)圖工藝在該絕緣層上預(yù)設(shè)區(qū)域形成具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，具有凹槽區(qū)域的絕緣層為第二絕緣層；
[0084]S12、在形成有所述第二絕緣層的基板上形成一層導(dǎo)電膜層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成位于所述第二絕緣層上的第二電極圖形，所述第二電極依照所述第二絕緣層的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀；
[0085]S13、在形成有所述第二電極的基板上形成一層絕緣層，該絕緣層為用于絕緣所述第二電極和待形成的第一電極的第一絕緣層；
[0086]S14、在形成有所述第一絕緣層的基板上形成一層導(dǎo)電膜層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成位于所述第一絕緣層上方的第一電極圖形。
[0087]較佳地，所述第二絕緣層的凹槽區(qū)域的深度等于或小于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度。當(dāng)?shù)诙^緣層的凹槽區(qū)域的深度等于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度，則說(shuō)明凹槽區(qū)域的底部不設(shè)置有第二絕緣層，這樣的設(shè)置方式可以降低陣列基板的厚度。
[0088]針對(duì)第二實(shí)施例提供的陣列基板，參見(jiàn)圖7，在基板上形成位于亞像素的區(qū)域中的第一電極和第二電極圖形以及位于第一電極和第二電極之間的第一絕緣層具體為:
[0089]S21、在所述基板上的預(yù)設(shè)區(qū)域形成具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域；
[0090]S22、在形成有凹槽區(qū)域的基板上形成一層導(dǎo)電膜層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成位于所述基板上的第二電極圖形，所述第二電極依照所述基板的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀；[0091]S23、在形成有所述第二電極的基板上形成一層絕緣層，該絕緣層為用于絕緣所述第二電極和待形成的第一電極的第一絕緣層；
[0092]S24、在形成有所述第一絕緣層的基板上形成一層導(dǎo)電膜層，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成位于所述第一絕緣層上方的第一電極圖形。
[0093]優(yōu)選地，上述任一種陣列基板的實(shí)現(xiàn)方法，所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面至少之一與所述基板之間的夾角非0°且非90°。
[0094]進(jìn)一步地，所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面至少之一與所述基板之間的夾角為45。。
[0095]優(yōu)選地，所述第一電極由一個(gè)沿第一方向延伸的子電極組成，所述子電極距離所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面的最短距離為Ium?4.5um。
[0096]優(yōu)選地，上述任一種陣列基板的實(shí)現(xiàn)方法，還包括制作薄膜晶體管、柵線和數(shù)據(jù)線的過(guò)程。
[0097]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種液晶面板，包括上述任一種方式的陣列基板。所述液晶面板還可以包括彩膜基板或包括設(shè)置在陣列基板上的彩膜層，只要包括上述實(shí)施例提供的陣列基板即可，彩膜的設(shè)置不做限制。
[0098]本實(shí)用新型所述構(gòu)圖工藝可以成膜、曝光、顯影、光刻刻蝕等部分或全部步驟。其中，成膜工藝可以采用沉積、旋涂、涂覆等方式等實(shí)現(xiàn)。。
[0099]本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種顯示裝置，包括上述液晶面板，所述顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯不器，或液晶電視等。
[0100]綜上所述，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種陣列基板，包括基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間用于絕緣第一電極和第二電極的第一絕緣層；所述第一電極和第二電極其中之一為公共電極，另一為像素電極；其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面，像素電極和公共電極的表面積增加，像素電極和公共電極之間形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，亞像素區(qū)域(如紅色、綠色或藍(lán)色亞像素區(qū)域等)的邊緣形成的電場(chǎng)強(qiáng)度更大，提高了亞像素區(qū)域邊緣加在液晶上的有效電場(chǎng)，提高了亞像素區(qū)域光線的透過(guò)率。
[0101]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:基板，位于所述基板上的亞像素，所述亞像素所在區(qū)域設(shè)置有第一電極和第二電極，還包括位于第一電極和第二電極之間的第一絕緣層； 其中，所述第一電極和第二電極至少之一的表面為曲面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括位于所述基板與所述第二電極之間的第二絕緣層，所述第二絕緣層具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，所述第二電極依照所述第二絕緣層的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述基板具有沿第一方向延伸的凹槽區(qū)域，所述第二電極依照所述基板的形狀設(shè)置于其上形成凹槽狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽區(qū)域沿與所述第一方向垂直的第二方向的縱截面為倒立的梯形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽狀第二電極的至少一個(gè)側(cè)表面與所述基板之間的夾角非0°且非90°。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述凹槽狀第二電極的至少一個(gè)側(cè)表面與所述基板之間的夾角為30°?75°。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層的凹槽區(qū)域的深度等于或小于除所述凹槽區(qū)域之外的區(qū)域的厚度。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極由一個(gè)或多個(gè)沿第一方向延伸的子電極組成，所述第一電極距離所述凹槽狀第二電極的兩個(gè)側(cè)表面的最短距離為I?4.5umο
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括:位于各亞像素周圍沿第一方向分布的多條柵線和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條數(shù)據(jù)線，所述第二絕緣層位于所述柵線上；或者還包括: 位于各亞像素周圍沿第一方向分布的多條數(shù)據(jù)線和沿與第一方向垂直的第二方向分布的多條柵線，所述第二絕緣層位于所述數(shù)據(jù)線上。
10.一種液晶面板，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一權(quán)項(xiàng)所述的陣列基板。
11.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求10所述的液晶面板。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK203480176SQ201320599518
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】王孝林 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司