一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。該陣列基板包括氧化物有源層，所述氧化物有源層包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將氧化物有源層中的部分區(qū)域進(jìn)行金屬化處理形成金屬氧化物導(dǎo)體層，由于金屬氧化物導(dǎo)體層具有導(dǎo)體特征，可有效減小源漏電極層的電阻且最大程度降低源漏電極層發(fā)生斷線的幾率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示作為一種重要的平板顯示方式，近十多年有了飛速的發(fā)展。液晶顯示有輕、薄、低能耗等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用與電視、計(jì)算機(jī)、手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等現(xiàn)代化信息設(shè)備。近年來(lái)，氧化物薄膜晶體管(Oxide TFT)因遷移率高備受業(yè)界關(guān)注。氧化物因較高的遷移率可減小薄膜晶體管尺寸，提升分辨率。提升分辨率同時(shí)需減小源漏電極線的寬度，但這樣導(dǎo)致金屬線容易發(fā)生斷線現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003](一)要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種顯示裝置、陣列基板及其制作方法，以克服現(xiàn)有技術(shù)中源漏電極線電阻值較大且容易發(fā)生斷線的缺陷。
[0005](二)技術(shù)方案
[0006]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明一方面提供一種陣列基板，包括:氧化物有源層，所述氧化物有源層包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域。
[0007]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層和源漏電極層，
[0008]所述半導(dǎo)體區(qū)域和刻蝕阻擋層的位置相對(duì)應(yīng)；
[0009]所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域與所述源漏電極位置相對(duì)應(yīng)。
[0010]優(yōu)選地，所述陣列基板還包括柵極、柵極絕緣層、像素電極層和鈍化層。
[0011]優(yōu)選地，所述氧化物有源層包括InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO中的至少一種。
[0012]另一方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，包括:
[0013]形成氧化物有源層的圖案，所述氧化物有源層的圖案包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域的圖案和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案。
[0014]優(yōu)選地，所述制作方法還包括:
[0015]形成刻蝕阻擋層的圖案；
[0016]將氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分進(jìn)行金屬化處理，形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域，而被刻蝕阻擋層覆蓋未進(jìn)行金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體區(qū)域；
[0017]通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)形成源漏電極的圖案和金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案；其中，所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案與源漏電極的圖案位置相對(duì)應(yīng)。
[0018]優(yōu)選地，所述氧化物有源層包括InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO中的至少一種。
[0019]優(yōu)選地，所述金屬化處理具體為:在100-300°C的還原性氣氛中處理30_120min。
[0020]優(yōu)選地，所述還原性氣氛包括氫氣或含氫等離子體。
[0021]再一方面，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。[0022](三)有益效果
[0023]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將氧化物有源層中的部分區(qū)域形成金屬氧化物導(dǎo)體層，由于金屬氧化物導(dǎo)體層具有導(dǎo)體特征，可有效減小源漏電極層的電阻且最大程度降低源漏電極發(fā)生斷線的幾率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板結(jié)構(gòu)平面圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中柵極完成后的截面圖；
[0026]圖3為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中刻蝕阻擋層制作完成后截面圖；
[0027]圖4為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中數(shù)據(jù)線層制作完成后截面圖；
[0028]圖5為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中過(guò)孔工藝制作完成后截面圖；
[0029]圖6為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板中像素電極工藝制作完成后整個(gè)陣列基板截面圖；
[0030]圖7為本發(fā)明實(shí)施例陣列基板制作方法流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說(shuō)明本發(fā)明，但不用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
[0032]實(shí)施例一
[0033]本實(shí)施例中提供一種陣列基板，該陣列基板以底柵結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說(shuō)明。
[0034]如圖1和圖6所示，該陣列基板包括基板0，在基板O上設(shè)有柵極11、柵極絕緣層
21、氧化物有源層、刻蝕阻擋層23、源漏電極層31、鈍化層41和像素電極層51 ;所述鈍化層41上設(shè)有過(guò)孔42，像素電極層51通過(guò)過(guò)孔42與漏電極連接。
[0035]所述氧化物有源層包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域22和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域24 ；
[0036]所述半導(dǎo)體區(qū)域22和刻蝕阻擋層23的位置相對(duì)應(yīng)；
[0037]所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域24與源漏電極31的位置相對(duì)應(yīng)，且位于源漏電極31的下方。
[0038]其中，氧化物有源層包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。當(dāng)然,該氧化物有源層的材質(zhì)除了列舉出來(lái)的幾種，也可以為與上述材料具有相同或相似特征的其他材料。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將氧化物有源層中與刻蝕阻擋層相對(duì)應(yīng)的部分進(jìn)行金屬化處理形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域，由于金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域具有導(dǎo)體特征，可有效減小源漏電極層的電阻且最大程度降低數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線的幾率。
[0040]實(shí)施例二
[0041]本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板，該陣列基板與實(shí)施例一不同之處在于，本實(shí)施例中的陣列基板為頂柵結(jié)構(gòu)。
[0042]該陣列基板可以包括基板，在基板上設(shè)有像素電極層、源漏電極層、氧化物有源層、阻擋層、柵絕緣層和柵極，其中，所述像素電極層與漏電極連接。
[0043]其中，該氧化物有源層包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域；
[0044]所述半導(dǎo)體區(qū)域和刻蝕阻擋層的位置相對(duì)應(yīng)；
[0045]所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域與源漏電極層的位置相對(duì)應(yīng)，且位于源漏電極層的上方。
[0046]其中，氧化物有源層包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。當(dāng)然,該氧化物有源層的材質(zhì)除了列舉出來(lái)的幾種，也可以為與上述材料具有相同或相似特征的其他材料。
[0047]需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例陣列基板的改進(jìn)主要為氧化物有源層的改進(jìn)，其他層結(jié)構(gòu)可參照現(xiàn)有技術(shù)中的頂柵結(jié)構(gòu)，在此不再贅述。
[0048]實(shí)施例三
[0049]如圖7所示，基于實(shí)施例一的陣列基板結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法，其具體包括:
[0050]在基板上形成柵極的圖案；
[0051]具體的，參考圖2，在基板O上沉積柵金屬膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極11的圖案，該構(gòu)圖工藝具體包括:曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝，也可以為打印、絲網(wǎng)印刷能工藝。
[0052]形成柵極絕緣層、氧化物有源層和刻蝕阻擋層的圖案；
[0053]具體的，參考圖3，在完成步驟I的基板上沉積柵絕緣材料、氧化物半導(dǎo)體材料22和刻蝕阻擋層材料，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成柵極絕緣層21、氧化物半導(dǎo)體和刻蝕阻擋層23的圖案。
[0054]其中，氧化物半導(dǎo)體包括InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。當(dāng)然，除了列舉出來(lái)的幾種優(yōu)選的材料，具有與上述材料相同或相似的其他氧化物材料同樣適用。
[0055]將氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分進(jìn)行金屬化處理，形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域，而被刻蝕阻擋層覆蓋未進(jìn)行金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體區(qū)域；
[0056]具體的，參考圖4，本步驟中，將氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分進(jìn)行金屬化處理，形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域24，其中，金屬化處理是在100-300°C的還原性氣氛中處理30-120min，還原性氣氛包括氫氣或含氫等離子體。采用在100-300°C的還原性氣氛中發(fā)生還原反應(yīng)30-120min，可最大程度的確保氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分可以充分地、有效地被還原成金屬氧化物導(dǎo)體。若該溫度過(guò)低，將影響還原反應(yīng)的還原效果，并且會(huì)延長(zhǎng)該反應(yīng)時(shí)間，降低了生產(chǎn)效率；若該溫度過(guò)高，容易將氧化物有源層中被刻蝕阻擋層覆蓋的不需要進(jìn)行金屬化處理的部分受到化學(xué)作用，進(jìn)而影響該結(jié)構(gòu)性能；同樣，若時(shí)間過(guò)短，將導(dǎo)致還原反應(yīng)進(jìn)行地不充分，若時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，將延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間，降低生產(chǎn)效率。
[0057]經(jīng)過(guò)金屬化處理后得到的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域具有導(dǎo)體特征，因此，有效減小源漏電極層的電阻且最大程度降低源漏電極層發(fā)生斷線的幾率。
[0058]其中，被刻蝕阻擋層覆蓋的氧化物有源層為半導(dǎo)體區(qū)域22。
[0059]通過(guò)一次構(gòu)圖工藝形成源漏電極層的圖案和金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案；
[0060]繼續(xù)參考圖4，為了節(jié)省工藝，設(shè)置源漏電極31的圖案和金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域24的圖案在同一次構(gòu)圖工藝中完成。其中，金屬氧化物導(dǎo)體24的圖案與源漏電極31的圖案位置相對(duì)應(yīng)，且位于源漏電極31的下方。
[0061]具體包括:在經(jīng)過(guò)金屬化處理后的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域24上沉積源漏金屬層，該兩層膜層結(jié)構(gòu)共同經(jīng)過(guò)一次曝光工藝后，首先對(duì)源漏金屬層進(jìn)行一次刻蝕，形成源漏電極層的圖案，更換刻蝕液，繼續(xù)對(duì)金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域進(jìn)行刻蝕，形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案；該源漏電極層的圖案和金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案可以相同，當(dāng)然也可以不同。
[0062]形成鈍化層，并形成過(guò)孔；
[0063]參考圖5，在完成上述步驟的基板上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成鈍化層41及過(guò)孔42。
[0064]通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極的圖案。
[0065]參考圖6，在完成上述步驟的基板上，通過(guò)構(gòu)圖工藝形成像素電極51的圖案。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分進(jìn)行金屬化處理形成金屬氧化物導(dǎo)體層，由于金屬氧化物導(dǎo)體層具有導(dǎo)體特征，可有效減小數(shù)據(jù)線的電阻且最大程度降低數(shù)據(jù)線發(fā)生斷線的幾率。
[0067]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中采用的構(gòu)圖工藝為現(xiàn)有技術(shù)中通常采用的曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。
[0068]另外，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板，所述顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0069]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和替換，這些改進(jìn)和替換也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括:氧化物有源層，其特征在于， 所述氧化物有源層包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括刻蝕阻擋層和源漏電極層， 所述半導(dǎo)體區(qū)域和刻蝕阻擋層的位置相對(duì)應(yīng)； 所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域與所述源漏電極位置相對(duì)應(yīng)。
3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括柵極、柵極絕緣層、像素電極層和鈍化層。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物有源層包括InGaZnO, InGaO, ITZO、AlZnO 中的至少一種。
5.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 形成氧化物有源層的圖案，所述氧化物有源層的圖案包括未經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的半導(dǎo)體區(qū)域的圖案和經(jīng)過(guò)金屬化處理過(guò)的金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案。
6.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 形成刻蝕阻擋層的圖案； 對(duì)氧化物有源層中未被刻蝕阻擋層覆蓋的部分進(jìn)行金屬化處理，形成金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域，而被刻蝕阻擋層覆蓋未進(jìn)行金屬化處理的部分形成半導(dǎo)體區(qū)域； 通過(guò)構(gòu)圖工藝同時(shí)形成源漏電極的圖案和金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案；其中，所述金屬氧化物導(dǎo)體區(qū)域的圖案與源漏電極的圖案位置相對(duì)應(yīng)。
7.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，包括:所述氧化物有源層包括InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO 中的至少一種。
8.如權(quán)利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述金屬化處理具體為:在100-300°C的還原性氣氛中處理30-120min。
9.如權(quán)利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述還原性氣氛包括氫氣或含氫等離子體。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】G02F1/136GK103474439SQ201310446288
【公開(kāi)日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】王盛 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司