陣列基板及其制作方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠改善ADS?TFT-LCD的顯示面板的畫面泛綠現(xiàn)象，且易于實(shí)現(xiàn)。所述陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的縱橫交錯(cuò)的柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極，所述公共電極包括透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層之下的第一輔助導(dǎo)電層，所述公共電極的第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊。本發(fā)明應(yīng)用于液晶顯示器。
【專利說明】陣列基板及其制作方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)型薄膜晶體管液晶顯示器(Advanced Super DimensionSwitch Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,簡(jiǎn)稱 ADS TFT-LCD)通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場(chǎng)以及狹縫電極與板狀電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)形成多維電場(chǎng)，使顯示面板內(nèi)的狹縫電極間和狹縫電極正上方的液晶分子都能夠產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，從而提高液晶分子工作效率并增大了透光效率。其顯示效果主要由顯示面板決定。顯示面板包括陣列基板、彩膜基板和位于兩塊基板之間的液晶分子層。
[0003]ADS TFT-1XD的顯示面板常出現(xiàn)畫面泛綠等不良現(xiàn)象。畫面泛綠產(chǎn)生的主要原因在于陣列基板上設(shè)置的公共電極的電壓發(fā)生畸變，即公共電極的電壓的波形發(fā)生偏離，或者公共電極的電壓發(fā)生衰減，即電壓的數(shù)值隨著傳輸距離的增加而減小，因此可以通過防止公共電極的電壓發(fā)生畸變衰減來防止畫面泛綠等不良現(xiàn)象的出現(xiàn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，能夠改善ADS TFT-1XD的顯示面板的畫面泛綠現(xiàn)象，實(shí)現(xiàn)較為簡(jiǎn)單。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板，采用如下技術(shù)方案:
[0006]一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的縱橫交錯(cuò)的柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極，所述公共電極包括透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層之下的第一輔助導(dǎo)電層，所述公共電極的第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊。
[0007]所述的陣列基板，還包括薄膜晶體管和像素電極，所述公共電極還包括位于所述薄膜晶體管的外圍和所述像素電極的外圍之間的第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與所述第一輔助導(dǎo)電層一體成型，所述透明導(dǎo)電層位于所述第二輔助導(dǎo)電層之上。
[0008]所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬。
[0009]所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線。
[0010]所述第一輔助導(dǎo)電層位于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的正上方，且所述第一輔助導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影小于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影。
[0011]所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的部分。
[0012]所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的厚度為900?1500人。
[0013]以上所述的陣列基板包括襯底基板、位于襯底基板上的縱橫交錯(cuò)的柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極，公共電極包括透明導(dǎo)電層和位于透明導(dǎo)電層之下的第一輔助導(dǎo)電層，公共電極的第一輔助導(dǎo)電層與柵線或數(shù)據(jù)線重疊。具有如上所述結(jié)構(gòu)的陣列基板上設(shè)置的公共電極包括第一輔助導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層，其中第一輔助導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層并聯(lián)，共同構(gòu)成公共電極，因此公共電極的電阻較小，降低了公共電極電壓的畸變衰減，使得公共電極的電壓的波形不易發(fā)生偏離，且公共電極的電壓的數(shù)值隨著傳輸距離的增加而無明顯減小，改善了畫面泛綠現(xiàn)象，提高了 ADS TFT-1XD的顯示效果。
[0014]本發(fā)明的第二方面提供了一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0015]為了進(jìn)一步解決上述問題，本發(fā)明的第三方面還提供了一種陣列基板的制作方法，包括:
[0016]在所述襯底基板上依次形成包括柵線的圖形、包括數(shù)據(jù)線的圖形，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線縱橫交錯(cuò)；
[0017]在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊；
[0018]在所形成的所述第一輔助導(dǎo)電層的圖形之上，形成包括所述透明導(dǎo)電層的圖形。
[0019]在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括第一輔助導(dǎo)電層的同時(shí)形成第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與所述第一輔助導(dǎo)電層一體成型，所述第二輔助導(dǎo)電層位于所述陣列基板的薄膜晶體管的外圍和像素電極的外圍之間；
[0020]所述在所形成的所述第一輔助導(dǎo)電層的圖形上，形成包括所述透明導(dǎo)電層的圖形包括:
[0021]在所形成的第一輔助導(dǎo)電層和第二輔助導(dǎo)電層的圖形之上，形成包括透明導(dǎo)電層的圖形。
[0022]所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬。
[0023]所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的厚度為900?1500人。
[0024]在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊包括:
[0025]所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線；或，
[0026]所述第一輔助導(dǎo)電層位于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的正上方，且所述第一輔助導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影小于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影；或，
[0027]所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的部分。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的第一種陣列基板的平面示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1所示的陣列基板的A-A’截面示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的圖1所示的陣列基板的B-B’截面示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種陣列基板的數(shù)據(jù)線截面示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的第二種陣列基板的薄膜晶體管截面示意圖；
[0034]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種陣列基板的數(shù)據(jù)線橫截面示意圖；[0035]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的第三種陣列基板的薄膜晶體管截面示意圖；
[0036]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作方法的流程圖；
[0037]圖9a_圖9d為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作過程示意圖。
[0038]附圖標(biāo)記說明:
[0039]
I一襯底基板；2—4冊(cè)線；21一撕極；
3—柵極絕緣層;4 一有源層;5—數(shù)據(jù)線;
51 —源極；52—漏極；6—像素電極；
7—銑化層；8—公共電極； 81—第一輔助導(dǎo)電層；
82—透明導(dǎo)電層；83—第二輔助導(dǎo)電層。
【具體實(shí)施方式】
[0040]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0041]實(shí)施例一
[0042]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1-圖3所示，該陣列基板包括襯底基板
1、位于襯底基板I上的縱橫交錯(cuò)的柵線2、數(shù)據(jù)線5和公共電極8，公共電極8包括透明導(dǎo)電層82和位于透明導(dǎo)電層82之下的第一輔助導(dǎo)電層81，公共電極的第一輔助導(dǎo)電層81與柵線2或數(shù)據(jù)線5重疊。
[0043]具有如上所述結(jié)構(gòu)的陣列基板上設(shè)置的公共電極包括第一輔助導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層，其中第一輔助導(dǎo)電層和透明導(dǎo)電層并聯(lián)，共同構(gòu)成公共電極，因此公共電極的電阻較小，降低了公共電極電壓的畸變衰減，使得公共電極的電壓的波形不易發(fā)生偏離，且公共電極的電壓的數(shù)值隨著傳輸距離的增加而無明顯減小，改善了畫面泛綠現(xiàn)象，提高了 ADSTFT-1XD的顯示效果。
[0044]進(jìn)一步地，為了更好的降低公共電極8的電阻，公共電極8還可以包括位于薄膜晶體管的外圍和像素電極6的外圍之間的第二輔助導(dǎo)電層83，第二輔助導(dǎo)電層83與第一輔助導(dǎo)電層81 —體成型，透明導(dǎo)電層82位于第二輔助導(dǎo)電層83之上。
[0045]具體地，第一輔助導(dǎo)電層81優(yōu)選為導(dǎo)電性良好的金屬材料，如銅、鋁、銀、鑰、鉻等；透明導(dǎo)電層82優(yōu)選為氧化銦錫、氧化銦鋅等透明導(dǎo)電物；第二輔助導(dǎo)電層83與第一輔助導(dǎo)電層81—體成型，也優(yōu)選為如銅、鋁、銀、鑰、鉻等導(dǎo)電性良好的金屬材料。
[0046]目前，公共電極8—般采用的是氧化銦錫、氧化銦鋅等透明導(dǎo)電物，具有良好的透光性。在本發(fā)明實(shí)施例中公共電極8包括第一輔助導(dǎo)電層81、透明導(dǎo)電層82或第二輔助導(dǎo)電層83，而第一輔助導(dǎo)電層81和第二輔助導(dǎo)電層83選用的是不透光的金屬材料。因此，為了保證陣列基板上不透明的第二輔助導(dǎo)電層83的設(shè)置不對(duì)ADS TFT-1XD顯示面板的透過率產(chǎn)生影響，第二輔助導(dǎo)電層83在陣列基板上的正投影的寬度及位置應(yīng)滿足陣列基板與彩膜基板對(duì)盒時(shí)，彩膜基板上的黑矩陣可以將第二輔助導(dǎo)電層83遮蓋。類似地，為了保證陣列基板上不透明的第一輔助導(dǎo)電層81的設(shè)置不對(duì)ADS TFT-1XD顯示面板的透過率產(chǎn)生影響，第一輔助導(dǎo)電層81在陣列基板上的正投影的寬度及位置也需要進(jìn)行合理設(shè)置，示例性地可以采用如下幾種方案進(jìn)行設(shè)置:
[0047]方案一，第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋數(shù)據(jù)線5，如圖1-圖3所示，第一輔助導(dǎo)電層81位于數(shù)據(jù)線5上方，第一輔助導(dǎo)電層81的寬度大于數(shù)據(jù)線5的寬度，因此可以在最大程度上降低公共電極8的電阻，但第一輔助導(dǎo)電層81的寬度需要小于彩膜基板上相應(yīng)位置的黑矩陣的寬度，才可以不對(duì)ADS TFT-1XD的顯示面板的透過率造成影響。第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋數(shù)據(jù)線5時(shí)，還可以有效降低數(shù)據(jù)線5與像素電極6之間的段差，使陣列基板表面平滑，取向膜易于涂覆，而且不易形成摩擦不充分區(qū)域，使液晶分子具有較好的取向，在一定程度上還可以改善漏光現(xiàn)象。
[0048]方案二，第一輔助導(dǎo)電層81位于數(shù)據(jù)線5的正上方，如圖4和圖5所示，第一輔助導(dǎo)電層81在襯底基板I上的正投影小于數(shù)據(jù)線5在襯底基板I上的正投影。第一輔助導(dǎo)電層81的設(shè)置可以微弱降低公共電極8的電阻，無法降低數(shù)據(jù)線5與像素電極6之間的段差，但不會(huì)對(duì)ADS TFT-1XD的顯示面板的透過率產(chǎn)生影響。
[0049]方案三，第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋數(shù)據(jù)線5的部分，如圖6和圖7所示，這種設(shè)計(jì)可以在一定程度上降低公共電極8的電阻，也可以有效降低數(shù)據(jù)線5上第一輔助導(dǎo)電層8覆蓋一側(cè)的段差，在一定程度上起到防止漏光的作用。
[0050]類似地，第一輔助導(dǎo)電層81也可以覆蓋柵線2 ;或者第一輔助導(dǎo)電層81位于柵線2的正上方，且第一輔助導(dǎo)電層81在襯底基板I上的正投影小于柵線2在襯底基板I上的正投影；或者第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋柵線2的部分。
[0051]需要說明的是，第一輔助導(dǎo)電層81和第二輔助導(dǎo)電層83與柵線2或者數(shù)據(jù)線5的相對(duì)位置不局限于以上所述幾種，只要第一輔助導(dǎo)電層81和第二輔助導(dǎo)電層83的設(shè)置既可以降低公共電極8的電阻，又不影響ADS TFT-1XD的顯示面板的透過率即可，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不進(jìn)行限制。
[0052]具體地，陣列基板的結(jié)構(gòu)包括襯底基板1，襯底基板I優(yōu)選為透光性好的玻璃基板、石英基板、塑料基板等。
[0053]如圖1、圖2和圖3所示，位于襯底基板I上的是柵線2，柵線2可以為單層結(jié)構(gòu)也可以為多層結(jié)構(gòu)。柵線2為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以為銅、鋁、銀、鑰、鉻、釹、鎳、錳、鈦、鉭、鎢等材料或以上各種元素組成的合金；柵線2為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以為銅\鈦、銅\鑰、鑰\鋁\鑰等。柵線2可以直接位于襯底基板I上，也可以在柵線2與襯底基板I之間設(shè)置緩沖層，緩
沖層可以為氮化硅或者氧化硅。柵線2的厚度優(yōu)選為3500?4400人。
[0054]位于柵線2上的是柵極絕緣層3，如圖1、圖2和圖3所示。柵極絕緣層3可以為氮化硅、氧化硅或氮氧化硅等材料，其可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為由氮化硅或氧化硅構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。柵極絕緣層3的厚度優(yōu)選為3550?4450 (A0
[0055]位于柵極絕緣層3上的是有源層4，如圖1、圖2和圖3所示。有源層4可以為多晶硅、非晶硅、單晶硅、半導(dǎo)體氧化物等多種半導(dǎo)體材料，可以為單層結(jié)構(gòu)也可以為多層結(jié)構(gòu)。有源層4的厚度優(yōu)選為2000?2600人。
[0056]位于有源層4上的是數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52，如圖1、圖2和圖3所示。數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52可以為單層結(jié)構(gòu)也可以為多層結(jié)構(gòu)。數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以為銅、鋁、銀、鑰、鉻、釹、鎳、錳、鈦、鉭、鎢等材料或以上各種元素組成的合金；數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52為多層結(jié)構(gòu)時(shí)，可以為銅\鈦、銅\鑰、鑰\鋁\鑰等。
[0057]像素電極6與漏極52電連接，位于柵極絕緣層3上，如圖1、圖2和圖3所示。像素電極6通常選用氧化銦錫、氧化銦鋅等透明導(dǎo)電物。像素電極6的厚度優(yōu)選為400?700 A。
[0058]如圖1、圖2和圖3所示，位于數(shù)據(jù)線5、源極51、漏極52和像素電極6上的是鈍化層7，鈍化層7可以為氮化硅、氧化硅或者氮氧化硅的單層結(jié)構(gòu)，也可以為氮化硅或氧化硅構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)。此外，還可以選用有機(jī)樹脂作為鈍化層7所用的材料，例如丙烯酸類樹
月旨、聚酰亞胺和聚酰胺等。鈍化層7的厚度優(yōu)選為200?5000人。
[0059]位于鈍化層7上的是公共電極8，如圖1、圖2和圖3所示。公共電極8包括第一輔助導(dǎo)電層81、透明導(dǎo)電層82和第二輔助導(dǎo)電層83。第一輔助導(dǎo)電層81和第二輔助導(dǎo)電層83優(yōu)選為導(dǎo)電性良好的金屬材料，如銅、鋁、銀、鑰、鉻等；透明導(dǎo)電層82優(yōu)選為氧化銦錫、氧化銦鋅等透明導(dǎo)電物。第一輔助導(dǎo)電層81和第二輔助導(dǎo)電層83的厚度優(yōu)選為900?1500 A0透明導(dǎo)電層82的厚度優(yōu)選為400?700 A。
[0060]此外，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括如上所述的陣列基板。該顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、有機(jī)發(fā)光二極管面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0061]實(shí)施例二
[0062]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制作方法，如圖8所示，該陣列基板的制作方法包括:
[0063]步驟S801、在襯底基板上依次形成包括柵線的圖形、包括數(shù)據(jù)線的圖形，柵線和數(shù)據(jù)線縱橫交錯(cuò)。
[0064]經(jīng)過上述步驟之后的陣列基板如圖9a和圖9b所示。其具體實(shí)施過程可以如下所述:
[0065]首先，可以通過濺射、熱蒸發(fā)等方法在襯底基板I上形成一層?xùn)沤饘倌?。在形成柵金屬膜之前，還可以在襯底基板I上先形成一層緩沖層。在柵金屬膜上涂覆一層光刻膠，使用具有包括柵線2和柵極21圖形的掩膜板進(jìn)行遮蓋，然后曝光、顯影、刻蝕，最后剝離光刻膠，形成包括柵線2和柵極21的圖案。
[0066]其次，可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積等方法在柵線2和柵極21的圖案上形成柵極絕緣層3。
[0067]再次，可以通過濺射等方法在柵極絕緣層3上形成半導(dǎo)體薄膜，使用具有包括有源層4的圖形的掩膜板進(jìn)行遮蓋，進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，最后剝離光刻膠，形成包括有源層4的圖案。
[0068]接著，可以通過濺射或者熱蒸發(fā)等方法，在有源層4上形成一層數(shù)據(jù)線金屬膜。在數(shù)據(jù)線金屬膜上涂覆一層光刻膠，然后使用具有包括數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52的圖形的掩膜板進(jìn)行遮蓋，進(jìn)行曝光、顯影和刻蝕，最后剝離光刻膠，形成包括數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52的圖案。
[0069]然后，可以通過濺射等方法在包括數(shù)據(jù)線5、源極51和漏極52的圖案上形成一層透明導(dǎo)電薄膜，然后使用具有包括像素電極6的圖形的掩膜板進(jìn)行遮蓋，然后經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等步驟，最后剝離光刻膠，形成包括像素電極6的圖案。其中像素電極6與漏極52電連接。
[0070]最后，可以通過等離子體化學(xué)氣相沉積等方法在形成了包括像素電極6的圖案的襯底基板I上形成一層鈍化層7。
[0071]如圖8所示，該陣列基板的制作方法還包括:
[0072]步驟S802、在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，第一輔助導(dǎo)電層與柵線或數(shù)據(jù)線重疊。
[0073]經(jīng)過上述步驟之后的陣列基板如圖9c和圖9d所示。其具體實(shí)施過程可以如下所述:
[0074]可以使用濺射或者熱蒸發(fā)等方法在形成的包括數(shù)據(jù)線5的圖案上形成一層第一導(dǎo)電薄膜，使用具有包括第一輔助導(dǎo)電層81圖形的掩膜板進(jìn)行遮蓋，經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等步驟后，剝離光刻膠，形成包括第一輔助導(dǎo)電層81的圖案。第一輔助導(dǎo)電層81優(yōu)選為導(dǎo)電性良好的金屬材料，如銅、鋁、銀、鑰、鉻等。第一輔助導(dǎo)電層81的厚度優(yōu)選為900?1500 A0
[0075]進(jìn)一步地，可以通過對(duì)掩膜板上第一輔助導(dǎo)電層81圖形的不同設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)第一輔助導(dǎo)電層81與柵線或者數(shù)據(jù)線相對(duì)位置的不同，例如第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋柵線2或數(shù)據(jù)線5 ;第一輔助導(dǎo)電層81位于柵線2或數(shù)據(jù)線5的正上方，且第一輔助導(dǎo)電層81在襯底基板I上的正投影小于柵線2或數(shù)據(jù)線5在襯底基板I上的正投影；第一輔助導(dǎo)電層81覆蓋柵線2或數(shù)據(jù)線5的部分。
[0076]此外，為了進(jìn)一步降低公共電極8的電阻，還可以在所形成的數(shù)據(jù)線5的圖形上形成包括公共電極8的第一輔助導(dǎo)電層81的同時(shí)形成第二輔助導(dǎo)電層83,第二輔助導(dǎo)電層83與第一輔助導(dǎo)電層81 —體成型，第二輔助導(dǎo)電層83位于陣列基板上薄膜晶體管的外圍和像素電極6的外圍之間。由于第二輔助導(dǎo)電層83和第一輔助導(dǎo)電層81 —體成型，因此第二輔助導(dǎo)電層83也選用銅、鋁、銀、鑰、鉻等導(dǎo)電性良好的金屬材料，第二輔助導(dǎo)電層83的厚度優(yōu)選為900?1500人。
[0077]步驟S803、在所形成的第一輔助導(dǎo)電層的圖形之上，形成包括透明導(dǎo)電層的圖形。
[0078]可以通過濺射等方法，在所形成的第一輔助導(dǎo)電層81的圖形上，形成一層第二導(dǎo)電薄膜。使用具有包括透明導(dǎo)電層82圖形的掩膜板遮蓋，進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕等步驟，然后剝離光刻膠，形成包括透明導(dǎo)電層82的圖案，最后形成如圖1、圖2和圖3所示的陣列基板的結(jié)構(gòu)。
[0079]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，包括襯底基板、位于所述襯底基板上的縱橫交錯(cuò)的柵線、數(shù)據(jù)線和公共電極，其特征在于， 所述公共電極包括透明導(dǎo)電層和位于所述透明導(dǎo)電層之下的第一輔助導(dǎo)電層，所述公共電極的第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，還包括薄膜晶體管和像素電極，其特征在于， 所述公共電極還包括位于所述薄膜晶體管的外圍和所述像素電極的外圍之間的第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與所述第一輔助導(dǎo)電層一體成型，所述透明導(dǎo)電層位于所述第二輔助導(dǎo)電層之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層位于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的正上方，且所述第一輔助導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影小于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的厚度為900-1500人。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板。
9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在所述襯底基板上依次形成包括柵線的圖形、包括數(shù)據(jù)線的圖形，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線縱橫交錯(cuò)； 在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊； 在所形成的所述第一輔助導(dǎo)電層的圖形之上，形成包括所述透明導(dǎo)電層的圖形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括第一輔助導(dǎo)電層的同時(shí)形成第二輔助導(dǎo)電層，所述第二輔助導(dǎo)電層與所述第一輔助導(dǎo)電層一體成型，所述第二輔助導(dǎo)電層位于所述陣列基板的薄膜晶體管的外圍和像素電極的外圍之間； 所述在所形成的所述第一輔助導(dǎo)電層的圖形上，形成包括所述透明導(dǎo)電層的圖形包括: 在所形成的第一輔助導(dǎo)電層和第二輔助導(dǎo)電層的圖形之上，形成包括透明導(dǎo)電層的圖形。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的材質(zhì)為金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板的制作方法，其特征在于， 所述第一輔助導(dǎo)電層和所述第二輔助導(dǎo)電層的厚度為900-1500 A。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊包括: 所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊包括: 所述第一輔助導(dǎo)電層位于所述柵線或所述數(shù)據(jù) 線的正上方，且所述第一輔助導(dǎo)電層在所述襯底基板上的正投影小于所述柵線或所述數(shù)據(jù)線在所述襯底基板上的正投影。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所形成的數(shù)據(jù)線的圖形上形成包括公共電極的第一輔助導(dǎo)電層，所述第一輔助導(dǎo)電層與所述柵線或所述數(shù)據(jù)線重疊包括: 所述第一輔助導(dǎo)電層覆蓋所述柵線或所述數(shù)據(jù)線的部分。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK103454798SQ201310390431
【公開日】2013年12月18日 申請(qǐng)日期:2013年8月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】周紀(jì)登 申請(qǐng)人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司