一種基板的全距調(diào)控方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種基板的全距調(diào)控方法，包括：根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得基板樣本的全距變化值；根據(jù)全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標；利用第一層全距調(diào)整后基準坐標對待曝光基板進行第一層曝光工藝。上述方法根據(jù)基板實際全距值與期望全距值得到的全距變化值，在第一層曝光過程中根據(jù)全距變化值對待曝光基板的全距初始基準坐標進行調(diào)整，便可實現(xiàn)最終全距相對于熱制程等工藝參數(shù)變更前無明顯變化，或變化量極其微小，采用簡單易行的操作實現(xiàn)在液晶盒對盒工藝過程中陣列基板與彩膜基板對盒的精準性。
【專利說明】一種基板的全距調(diào)控方法和裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板制作【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種基板的全距調(diào)控方法和裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在形成有任意類型器件圖形的基板例如薄膜晶體管(Thin Film Transistor,簡稱TFT)陣列基板的制作工藝過程中，全距(Total Pitch，簡稱TP)用于標記圖形在基板上的位置和形狀，從而對第一層曝光制程以及最后層退火制程后基板上陣列的偏移進行監(jiān)測，并為液晶盒的對盒工藝提供依據(jù)。
[0003]目前，以TFT陣列基板為例，由于薄膜晶體管(TFT)陣列基板涉及薄膜沉積制程，尤其是后續(xù)層采用的等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition,簡稱PECVD)等熱制程，將會使TFT陣列基板發(fā)生一定程度的形變，導致薄膜晶體管(TFT)陣列基板的最終全距變化，進一步導致在液晶盒對盒工藝中無法保證薄膜晶體管(TFT)基板與彩膜基板對盒時的精準性，對盒后效果不佳。第一層全距值的測量值在薄膜晶體管(TFT)陣列基板上的示意圖如圖1所示，則得到的最后層退火制程后得到的最終全距測量值與第一層全距值的測量值的對比圖如圖2所示，其中虛線表示圖1中第一層全距值的測量值，實線表示最終全距測量值。另外，PECVD等熱制程中工藝參數(shù)變更也會導致薄膜晶體管(TFT)陣列基板的全距發(fā)生變化，一般情況下，為保證薄膜晶體管(TFT)陣列基板與彩膜基板的精準對盒，需要變更彩膜工藝曝光掩膜板設計，變更過程不僅費用高昂，還將浪費大量的人力，生產(chǎn)效率也會受到極大的影響。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]針對上述缺陷，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何對基板的全距變化進行調(diào)整的問題。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種基板的全距調(diào)控方法，包括:
[0008]S1、根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得所述基板樣本的全距變化值；
[0009]S2、根據(jù)所述全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到所述待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標；
[0010]S3、利用所述第一層全距調(diào)整后基準坐標對所述待曝光基板進行第一層曝光工藝。
[0011]進一步地，所述方法還包括:
[0012]S4、將完成所述第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果所述全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為所述待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值，則進行步驟S5 ；
[0013]S5、將所述全距誤差值作為S2中所述的全距變化值，將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為S2中所述的第一層全距初始基準坐標，進行步驟S2，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0014]進一步地，在所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值的情況中，在進行步驟S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工藝所剩余的光刻膠，則所述方法還包括對該剩余的光刻膠進行去除并重新形成一層光刻膠的步驟。
[0015]進一步地，所述全距誤差值為±3 μ m。
[0016]進一步地，所述全距變化值通過以下方式獲得:
[0017]獲得所述基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及所述檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得所述基板樣本的全距變化值。
[0018]進一步地，所述全距變化值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0019]在S2中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0020]進一步地，所述全距誤差值通過以下方式獲得:
[0021]獲得所述完成所述第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為所述完成所述第一次曝光工藝的基板的全距誤差值。
[0022]進一步地，所述全距誤差值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0023]在S5中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0024]進一步地，所述全距變化值為所述實際全距值與所述期望全距值得到的差值。
[0025]進一步地，所述對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整具體包括:在所述第一層全距初始基準坐標上加或減所述差值。
[0026]進一步地，所述實際全距值減去所述期望全距值得到的差值除以所述實際全距值得到的比值。
[0027]進一步地，所述S2中對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整具體包括:根據(jù)所述比值和所述第一層全距初始基準坐標得到調(diào)整量，再用所述第一層全距初始基準坐標加或減所述調(diào)整量。
[0028]進一步地，所述S2中對第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整通過以下至少一種方式實現(xiàn):調(diào)整曝光機的位置、改變曝光機中光源的布局、改變曝光機中光源的位置、改變曝光機中光源的角度、改變曝光機中光源的正交度、改變曝光機中光源的旋轉(zhuǎn)量。
[0029]為解決上述問題，本發(fā)明還提供了一種基板的全距調(diào)控裝置，包括:全距變化值獲取模塊和調(diào)整模塊；
[0030]所述全距變化值獲取模塊根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得所述基板樣本的全距變化值；
[0031]所述調(diào)整模塊根據(jù)所述全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到所述待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0032]進一步地，所述裝置還包括:第一層曝光工藝加工模塊，利用所述第一層全距調(diào)整后基準坐標對所述待曝光基板進行第一層曝光工藝。
[0033]進一步地，所述裝置還包括:第一判斷模塊和反饋模塊；
[0034]所述第一判斷模塊將完成所述第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果所述全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為所述待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值，則進入所述反饋模塊；
[0035]所述反饋模塊將所述全距誤差值作為所述調(diào)整模塊中所述的全距變化值，將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為所述調(diào)整模塊中所述的第一層全距初始基準坐標，進入所述調(diào)整模塊，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0036]進一步地，所述全距變化值獲取模塊通過以下方式獲得所述全距變化值:
[0037]獲得所述基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及所述檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得所述基板樣本的全距變化值；
[0038]或如果所述全距變化值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0039]在所述調(diào)整模塊中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0040]進一步地，所述第一判斷模塊獲取所述全距誤差值通過以下方式獲得:
[0041]獲得所述完成所述第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為所述完成所述第一次曝光工藝的基板的全距誤差值；
[0042]或如果所述全距誤差值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0043]在所述反饋模塊中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0044](三)有益效果
[0045]本發(fā)明實施方式提供的方法可實現(xiàn)最終全距相對于初始的期望全距無明顯變化(或變化量極其微小)，保證在液晶盒對盒工藝與彩膜基板對盒的精準性。本發(fā)明實施方式提供的全距調(diào)整方法具有操作簡便易行以及零成本等優(yōu)點，同時可節(jié)省通常由于基板的全距值變化而對與該基板進行對盒的基板進行的調(diào)整所需的大量人力和物力，具有較高的推廣價值。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0046]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中第一層全距測量值在TFT陣列基板上的示意圖；
[0047]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中最終全距的測量值與第一層全距的測量值在TFT陣列基板上的對比圖；
[0048]圖3為本發(fā)明實施例中一種基板的全距調(diào)控方法的步驟流程圖；
[0049]圖4為本發(fā)明實施例中在第一層曝光過程中第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整后的測量值與第一層全距的測量值在TFT陣列基板上的對比圖；
[0050]圖5為本發(fā)明實施例中一種基板的全距調(diào)控裝置的組成示意圖?！揪唧w實施方式】
[0051]下面結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的【具體實施方式】作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。
[0052]實施例一
[0053]本實施例提供了一種基板的全距調(diào)控方法，步驟流程如圖3所示，具體包括以下步驟:
[0054]步驟S1、根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得基板樣本的全距變化值。
[0055]步驟S2、根據(jù)全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0056]步驟S3、利用第一層全距調(diào)整后基準坐標對待曝光基板進行第一層曝光工藝。
[0057]根據(jù)上述方法在第一層曝光之前根據(jù)全部曝光工藝得到的基板樣本的期望全距值與測量得到的實際全距值進行計算得到全距變化值，之后根據(jù)該全距變化值在進行第一層曝光工藝的過程中待曝光基板的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，再利用調(diào)整之后的基準坐標對待曝光基板進行第一層曝光工藝，通過在第一層曝光工藝中對基準坐標進行調(diào)整可以實現(xiàn)最終全距的變化盡可能小，提高液晶盒對盒工藝過程中的準確性。
[0058]本實施例步驟SI根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得基板樣本的全距變化值。
[0059]其中的基板樣本可以是已生產(chǎn)出來的用于使用的基板產(chǎn)品，也可以是生產(chǎn)出來專用于測試的基板，不管是用于使用的基板產(chǎn)品還是用于測試的基板，該基板樣本都是經(jīng)過至少一次的構(gòu)圖工藝(包含至少一次曝光工藝)后得到的基板?；宓钠谕嘀禐檠邪l(fā)設計過程中得到的設計值，通過實際測量得到的全距值就是基板的實際全距值。
[0060]優(yōu)選地，本實施例中的全距變化值可以是量值，也可以是比值，如果全距變化值是量值，則是實際全距值與所述期望全距值之間的差值，此時的全距變化值的單位是長度單位。另外，本實施例中的全距變化值還可以是比例值，或者簡稱為比值，即實際全距值與期望全距值的差值除以期望全距值得到的比值或該差值除以實際全距值得到的比值，此時的全距變化值的單位可以是例如ppm (百萬分之一)或類似僅表示大小和數(shù)量級的單位。
[0061]其中全距變化值通過以下方式獲得:
[0062]獲得基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得基板樣本的全距變化值。
[0063]如果基板樣本上只有一個檢測點，則獲取該檢測點上的實際全距值和期望全距值，利用這兩個數(shù)據(jù)根據(jù)上述兩種全距變化值的計算方法得到全距變化值，并直接將該檢測點的全距變化值作為該基板樣本的全距變化值；如果基板樣本上有多個檢測點，則分別獲取每個檢測點上的實際全距值和期望全距值，再按照上述方法對每個檢測點對應的實際全距值和期望全距值進行計算，得到的量值或比值就是這些檢測點的全距變化值，再對這些全距變化值做求平均計算，將得到的均值作為該基板樣本的全距變化值，或?qū)@些全距變化值用本領(lǐng)域技術(shù)人員所能想到的其他計算方法進行計算獲得本領(lǐng)域技術(shù)人員認為能夠作為該基板樣本的全距變化值的值。[0064]步驟S2、根據(jù)全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0065]其中待曝光基板是還沒有進行過曝光工藝的基板?；寮庸み^程中，先在基板表面進行光刻膠的涂覆(或者利用除涂覆工藝之外的其他工藝在基板表面形成一層光刻膠薄膜)，再根據(jù)需要選擇適合的掩膜板遮擋對其表面進行曝光。對待曝光基板進行第一層曝光工藝，是指在襯底基板上形成的第一層(需要曝光工藝才能形成的)圖案時，所作的曝光工藝，所述曝光工藝例如可以是將曝光光線透過掩膜板照射基板上的光刻膠膜。
[0066]當全距變化值有多個時，它們分別對應基板樣本上的多個檢測點；以及，在步驟S2中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0067]調(diào)整過程根據(jù)全距變化值的不同計算方法而不同:如果全距變化值為量值，則在第一層全距初始基準坐標上加或減量值。當量值是由實際全距值減去期望全距值得到的差值時，得到的結(jié)果可能是正數(shù)，也可能是負數(shù)。如果實際全距值大于期望全距值則得到的量值就是正數(shù)，這個正數(shù)為實際值超過預期值的大小，在調(diào)整過程中就需要減去這個量值，反之實際全距值小于期望全距值則得到的量值就是負數(shù)，這個負數(shù)的絕對值為實際值小于預期值的大小，在調(diào)整過程中就需要加上與這個量值絕對值相等的數(shù)值。通過在第一層全距初始基準坐標值的基礎(chǔ)上加或減上述量值，能夠克服最終全距的變化對對盒精準性的影響。
[0068]如果全距變化值為比值，則首先根據(jù)比值和第一層全距初始基準坐標得到調(diào)整量，再用第一層全距初始基準坐標加或減調(diào)整量。調(diào)整量同樣可能是正數(shù)，也可能是負數(shù)，在第一層全距初始基準坐標值的基礎(chǔ)上加上或減去上述調(diào)整量，同樣能夠克服最終全距的變化對對盒精準性的影響。
[0069]其中對第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整可以通過以下至少一種方式實現(xiàn):調(diào)整曝光機的位置、改變曝光機中光源的布局、改變曝光機中光源的位置、改變曝光機中光源的角度、改變曝光機中光源的正交度、改變曝光機中光源的旋轉(zhuǎn)量等方式，實現(xiàn)改變曝光工藝條件。通過調(diào)整曝光機的位置，就能改變曝光機與基板之間的距離，進而光源相對于掩膜板未遮擋部分的角度關(guān)系，實現(xiàn)曝光過程中對第一層全距初始基準坐標的調(diào)整。通過改變曝光機中光源的布局或者上述列舉的方式中的一種，或者通過上述幾種方式的組合也可以實現(xiàn)曝光過程中對第一層全距初始基準坐標的調(diào)整。
[0070]步驟S3、利用第一層全距調(diào)整后基準坐標對待曝光基板進行第一層曝光工藝。
[0071]經(jīng)過步驟S2的調(diào)整，能夠保證進行第一層曝光工藝得到的基板全距值在經(jīng)過后續(xù)加工工藝之后不會對最終全距值產(chǎn)生影響。
[0072]優(yōu)選地，本實施例步驟S3之后還包括以下步驟:
[0073]步驟S4、將完成第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果全距誤差值大于預設全距誤差閾值，則進行步驟S5。
[0074]步驟S5、將全距誤差值作為步驟S2中的全距變化值，將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為步驟S2中的第一層全距初始基準坐標，進行步驟S2，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0075]還需要說明的是，如果在全距誤差值大于預設全距誤差閾值的情況中，進行步驟S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工藝所剩余的光刻膠，則還包括對該剩余的光刻膠進行去除并重新形成一層光刻膠的步驟。[0076]例如，如果要進入步驟S5，則該步驟S5之前的步驟S3中的“第一層曝光工藝”所獲得的光刻膠圖形就被去除，并重新形成用于進行新的“第一層曝光工藝”的光刻膠，然后在后續(xù)再次進行的步驟S3中再重新進行“第一層曝光工藝”。
[0077]優(yōu)選地，本實施例中的全距誤差值為±3μπι。
[0078]本實施例中全距誤差值可以通過以下方式獲得:
[0079]獲得完成第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為完成第一次曝光工藝的基板的全距誤差值。
[0080]全距誤差值有多個，分別對應基板樣本上的多個檢測點；以及，在步驟S5中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0081]在全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值的情況中，在進行步驟S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工藝所剩余的光刻膠，則該方法還包括對該剩余的光刻膠進行去除并重新形成一層光刻膠的步驟。
[0082]步驟S3后，還可以對基板進行所需要的其他工藝，例如顯影、刻蝕等，具體可根據(jù)所需要的基板上的器件圖形進行選擇。
[0083]下面給出基于上述全距調(diào)控方法的一個實例具體流程為:
[0084]首先，按照一定數(shù)量的量產(chǎn)基板或者是測試基板，其中本實施例中的基板是以薄膜晶體管(TFT)陣列基板為例進行說明的，根據(jù)量產(chǎn)的基板或者測試用的基板作為基板樣本，根據(jù)一個檢測點的實際全距值與期望全距值確定全距變化值。還可以為了數(shù)據(jù)的可靠性，根據(jù)多個檢測點的實際全距值與期望全距值確定全距變化值Nppm，再就將其用于后續(xù)步驟。
[0085]在對玻璃基板的表面進行濺射沉積形成金屬膜，之后在金屬膜表面進行光刻膠的涂覆，再通過曝光機紫外線透過掩膜板照射基板上的光刻膠進行曝光，第一層曝光工藝的過程需要在考慮上述預設的最終全距變化量的基礎(chǔ)上進行。
[0086]首先，利用上述全距變化值確定對待曝光基板第一層曝光工藝過程中第一層全距(1st Layer Total Pitch)初始基準坐標(Xtl, Ytl)進行調(diào)整的調(diào)整量，調(diào)整后得到第一層全距調(diào)整后基準坐標(X’，Y’)，如果以實際全距值減去期望全距值的差值作為全距變化值，則調(diào)整量為(ΔΧ，Λ Y)，Δ X=X0-X^, AY=Ytl-Y,
[0087]然后，根據(jù)上述步驟得到調(diào)整量(ΛΧ，Λ Y)對第一層曝光工藝條件進行反饋(Feedback)。即采用第一層全距調(diào)整后基準坐標(X’，Y’)將調(diào)整量(Λ X，ΛΥ)通過曝光機的全距反饋功能對第一層曝光工藝條件進行反饋，得到新的第一層曝光工藝條件?；蛘卟捎谜{(diào)整曝光機的位置、改變曝光機中光源的布局、改變曝光機中光源的位置、改變曝光機中光源的角度、改變曝光機中光源的正角度、改變曝光機中光源的旋轉(zhuǎn)量或改變曝光工藝條件中式至少一種方式實現(xiàn)對第一層全距初始基準坐標的調(diào)整。[0088]之后，利用上述新的第一層曝光工藝條件對完成第一層薄膜沉積的基板進行第一層曝光工藝。具體地，利用新的第一層曝光工藝條件對完成第一層薄膜沉積的基板進行第一層曝光工藝，之后再將第一次曝光工藝加工后基板的實際全距值與期望全距值進行比較，得到全距誤差值，全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，一般預設全距誤差閾值為±3 μ m，則將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，滿足生產(chǎn)要求就繼續(xù)進行后續(xù)制程，可以按照此全距變化值進行批量生產(chǎn)。但是如果全距誤差值大于預設全距誤差閾值，則將該步驟得到的全距誤差值作為步驟S2中的全距變化值，將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為步驟S2中的第一層全距初始基準坐標，進行步驟S2，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標，即在不滿足生產(chǎn)要求需要重復步驟S2?S5，直到得到滿足生產(chǎn)條件的全距變化值為止。
[0089]滿足進行第一層曝光工藝條件之后的后續(xù)制程:以正性光刻膠為例，用顯影液對光刻膠曝光的部分進行溶解，留下圖案，呈現(xiàn)出所需的圖形。再把基板放入到刻蝕液(或氣體)中對去除光刻膠覆蓋的部分進行刻蝕，完成刻蝕后再用剝離液去除殘余的光刻膠，留下所需圖形的金屬薄膜，至此完成一次光刻。
[0090]薄膜晶體管(TFT)陣列基板的制作工藝中最為核心的就是光刻工藝，一次光刻完成后，還要進行若干次上述薄膜沉積和光刻工藝制程，次數(shù)一般為4?5次，還可以根據(jù)產(chǎn)品需求減少或增加薄膜沉積和光刻的次數(shù)。完成一次光刻工藝之后通過等離子體增強化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱PECVD)等熱制程形成絕緣體或者半導體薄膜，這是決定薄膜晶體管特性的重要工藝。之后再次進行光刻，將絕緣體或者半導體薄膜加工成所需要的圖形。
[0091]在基板的最后層退火制程完成后確定最終全距，如果最終全距滿足生產(chǎn)要求，則確定按照將上述步驟S3得到的第一層曝光工藝條件進行量產(chǎn)，否則選用新的一批基板重復上述步驟S2?S5，直到最終全距滿足生產(chǎn)要求，再按照確定的第一層工藝條件進行量產(chǎn)。采用上述在第一層曝光過程中對第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整之后，得到的最終全距的測量值與第一層全距的測量值在TFT陣列基板上的對比如圖4所示。
[0092]綜上所述，本發(fā)明根據(jù)薄膜晶體管(TFT)陣列基板全距測量的實際值與設計值的差值得到第一層曝光的偏差量，如果該偏差量較大(一般情況單點超過±3 μ m被認為是偏差量較大)就需要對曝光機進行反饋。在第一層曝光過程中添加與預設的最終全距等量相反的補償值，可實現(xiàn)最終全距相對于熱制程(如PECVD)等工藝參數(shù)變更前無明顯變化(或變化量極其微小)，確保第一層和后續(xù)各層面板圖形的準確性，以保證薄膜晶體管(TFT)陣列基板與彩膜基板在液晶盒對盒工藝實現(xiàn)精準對盒。本發(fā)明提供的方法具有操作簡便易行以及零成本等優(yōu)點，同時可節(jié)省通常由于薄膜晶體管(TFT)陣列基板最終全距變化而變更彩膜工藝曝光掩膜板設計所需的大量人力和物力，具有較高的推廣價值。同時，該方法適用于調(diào)控所有因為第一層后各種工藝參數(shù)變化導致的最終全距變化，還適用于所有類型的薄膜晶體管(TFT)陣列基板最終全距的調(diào)控。
[0093]基于上述全距調(diào)控方法，本實施例還提供了一種基板的全距調(diào)控裝置，組成示意圖如圖5所示，包括:全距變化值獲取模塊10和調(diào)整模塊20。
[0094]全距變化值獲取模塊10根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得基板樣本的全距變化值；[0095]調(diào)整模塊20根據(jù)全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0096]對全距初始基準坐標進行調(diào)整之后要進行第一層曝光，所以該裝置還包括:第一層曝光工藝加工模塊30，利用第一層全距調(diào)整后基準坐標對待曝光基板進行第一層曝光工藝。
[0097]優(yōu)選地，第一層曝光工藝結(jié)束后還要對上述調(diào)整模塊的調(diào)整量是否符合要求進行判斷，因此本實施例提供的裝置還包括:第一判斷模塊40和反饋模塊50。
[0098]第一判斷模塊40將完成第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果全距誤差值大于預設全距誤差閾值，則進入反饋模塊50。
[0099]反饋模塊50將全距誤差值作為調(diào)整模塊20中的全距變化值，將第一層全距調(diào)整后基準坐標作為調(diào)整模塊20中的第一層全距初始基準坐標，進入調(diào)整模塊，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
[0100]對于全距變化值獲取模塊10獲得全距變化值可以通過以下方式實現(xiàn):
[0101]獲得基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得基板樣本的全距變化值；
[0102]或如果全距變化值有多個，分別對應基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0103]在調(diào)整模塊20中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0104]第一判斷模塊40獲取全距誤差值通過以下方式獲得:
[0105]獲得完成第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為完成第一次曝光工藝的基板的全距誤差值；
[0106]或如果全距誤差值有多個，分別對應基板樣本上的多個檢測點；以及，
[0107]在反饋模塊50中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
[0108]通過上述基板全距調(diào)控裝置，調(diào)整模塊根據(jù)全距變化值獲取模塊提供的全距變化量進行調(diào)整，再按照調(diào)整后的基準坐標進行第一層曝光工藝的加工。之后再對得到的第一次曝光工藝的基板的實際全距值進行判斷，如果滿足要求就按照此全距變化值進行批量生產(chǎn)，否則就進入反饋模塊，以全距誤差值作為新的全距變化量重新進行調(diào)整，直至符合要求為止。該裝置根據(jù)薄膜晶體管(TFT)陣列基板實際全距值與期望全距值進行計算得到的全距變化值，在第一層曝光過程中根據(jù)此全距變化值對待曝光基板的全距初始基準坐標進行調(diào)整，便可實現(xiàn)最終全距相對于熱制程(如PECVD)等工藝參數(shù)變更前無明顯變化(或變化量極其微小)，保證在液晶盒對盒工藝與彩膜基板對盒的精準性。本發(fā)明提供的全距調(diào)整方法具有操作簡便易行以及零成本等優(yōu)點，同時可節(jié)省通常由于薄膜晶體管(TFT)陣列基板的全距值變化而變更彩膜工藝曝光掩膜板設計所需的大量人力和物力，具有較高的推廣價值。
[0109]以上實施方式僅用于說明本發(fā)明，而并非對本發(fā)明的限制，有關(guān)【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本發(fā)明的范疇，本發(fā)明的專利保護范圍應由權(quán)利要求限定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板的全距調(diào)控方法，其特征在于，所述方法包括: 51、根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得所述基板樣本的全距變化值； 52、根據(jù)所述全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到所述待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標； 53、利用所述第一層全距調(diào)整后基準坐標對所述待曝光基板進行第一層曝光工藝。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括: 54、將完成所述第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果所述全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為所述待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值，則進行步驟S5 ； 55、將所述全距誤差值作為S2中所述的全距變化值，將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為S2中所述的第一層全距初始基準坐標，進行步驟S2，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，在所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值的情況中，在進行步驟S3之前，如果待曝光的基板上有之前曝光工藝所剩余的光刻膠，則所述方法還包括對該剩余的光刻膠進行去除并重新形成一層光刻膠的步驟。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距誤差值為±3μπι。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距變化值通過以下方式獲得:` 獲得所述基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及所述檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得所述基板樣本的全距變化值。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距變化值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及， 在S2中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
7.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距誤差值通過以下方式獲得: 獲得所述完成所述第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為所述完成所述第一次曝光工藝的基板的全距誤差值。
8.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述全距誤差值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及， 在S5中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距變化值為所述實際全距值與所述期望全距值得到的差值。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整具體包括:在所述第一層全距初始基準坐標上加或減所述差值。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述全距變化值為所述實際全距值減去所述期望全距值得到的差值除以所述實際全距值得到的比值。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述S2中對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整具體包括:根據(jù)所述比值和所述第一層全距初始基準坐標得到調(diào)整量，再用所述第一層全距初始基準坐標加或減所述調(diào)整量。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述S2中對第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整通過以下至少一種方式實現(xiàn):調(diào)整曝光機的位置、改變曝光機中光源的布局、改變曝光機中光源的位置、改變曝光機中光源的角度、改變曝光機中光源的正交度、改變曝光機中光源的旋轉(zhuǎn)量。
14.一種基板的全距調(diào)控裝置，其特征在于，所述裝置包括:全距變化值獲取模塊和調(diào)整模塊； 所述全距變化值獲取模塊根據(jù)已完成全部曝光工藝的基板樣本的實際全距值，與該基板的期望全距值，獲得所述基板樣本的全距變化值； 所述調(diào)整模塊根據(jù)所述全距變化值，對待曝光基板的第一層曝光工藝中的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整，得到所述待曝光基板的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括:第一層曝光工藝加工模塊，利用所述第一層全距調(diào)整后基準坐標對所述待曝光基板進行第一層曝光工藝。
16.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述裝置還包括:第一判斷模塊和反饋模塊； 所述第一判斷模塊將完成所述第一次曝光工藝的基板的實際全距值，與該基板的期望全距值進行比較，獲得全距誤差值；如果所述全距誤差值小于等于預設全距誤差閾值，則將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為`所述待曝光基板的第一層曝光工藝的標準全距基準坐標，如果所述全距誤差值大于所述預設全距誤差閾值，則進入所述反饋模塊； 所述反饋模塊將所述全距誤差值作為所述調(diào)整模塊中所述的全距變化值，將所述第一層全距調(diào)整后基準坐標作為所述調(diào)整模塊中所述的第一層全距初始基準坐標，進入所述調(diào)整模塊，獲得新的第一層全距調(diào)整后基準坐標。
17.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，所述全距變化值獲取模塊通過以下方式獲得所述全距變化值: 獲得所述基板樣本上的至少一個檢測點的實際全距值以及所述檢測點的期望全距值，根據(jù)全距變化值最大的檢測點的全距變化值獲得所述基板樣本的全距變化值； 或如果所述全距變化值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及， 在所述調(diào)整模塊中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距變化值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
18.如權(quán)利要求16所述的裝置，其特征在于，所述第一判斷模塊獲取所述全距誤差值通過以下方式獲得: 獲得所述完成所述第一次曝光工藝的基板上的多個檢測點的實際全距值以及這些檢測點的期望全距值，將全距誤差值最大的檢測點的全距誤差值作為所述完成所述第一次曝光工藝的基板的全距誤差值； 或如果所述全距誤差值有多個，分別對應所述基板樣本上的多個檢測點；以及， 在所述反饋模塊中，是針對至少一個檢測點，根據(jù)該檢測點的全距誤差值對該檢測點處對應的第一層全距初始基準坐標進行調(diào)整。
【文檔編號】G02F1/1333GK103499902SQ201310355960
【公開日】2014年1月8日 申請日期:2013年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月15日
【發(fā)明者】羅麗平, 許朝欽, 贠向南, 金基用, 周子卿, 孔令燚 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司