光掩模制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種光掩模制造方法。根據(jù)本發(fā)明的方法，首先，采用包含曝光及蝕刻等在內(nèi)的工藝來形成待檢光掩模；隨后，在待檢光掩模經(jīng)過清洗后，進(jìn)行圖案檢查以確定所述待檢光掩模是否能采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)確定所述待檢光掩模采用修補(bǔ)設(shè)備已無法修補(bǔ)時(shí)，基于缺陷的相關(guān)信息來判斷缺陷是否能通過再加工來消除，并當(dāng)確定缺陷能通過再加工消除時(shí)，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷，并于檢驗(yàn)合格后進(jìn)行貼膜處理。本發(fā)明能有效消除孤立且巨大之缺陷，提高光掩模的生產(chǎn)良率。
【專利說明】光掩模制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝領(lǐng)域，特別是涉及一種光掩模制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體集成電路制作過程通常需要經(jīng)過多次光刻工藝，例如，在半導(dǎo)體基底的介質(zhì)層上開鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形等。光刻工藝需要一整套(幾塊多至十幾塊)相互間能精確套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光掩模。光掩模是光亥IJ工藝中復(fù)印光致抗蝕掩蔽層的“印相底片”，因此，光掩模版質(zhì)量的優(yōu)劣直接影響光刻工藝的質(zhì)量，從而影響半導(dǎo)體器件或集成電路的電學(xué)性能、可靠性和芯片成品率。隨著大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)的迅速發(fā)展，對光掩模的質(zhì)量，包括各種掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了極高的要求。
[0003]由于光掩模的質(zhì)量是影響集成電路功能和芯片成品率的重要因素之一。為保證光掩模的質(zhì)量，必須對光掩模的缺陷密度、精度及圖形質(zhì)量等進(jìn)行嚴(yán)格的控制，如圖1所示，其為現(xiàn)有光掩模制造流程。
[0004]首先，采用包含曝光及蝕刻在內(nèi)的工藝來形成待檢光掩模后，對該待檢光掩模進(jìn)行清洗，隨后再進(jìn)行圖形檢查以確定該待檢光掩模是否合格，如果合格則送入貼膜機(jī)進(jìn)行貼膜后出貨，否則進(jìn)一步判斷是否可以采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)，如果可以采用修補(bǔ)設(shè)備修補(bǔ)則對該待檢光掩模進(jìn)行修補(bǔ)，并于修補(bǔ)后再進(jìn)行清洗，并再次進(jìn)行圖案檢查，如果判斷是不可采用修補(bǔ)設(shè)備修補(bǔ)，則將該待檢光掩模廢棄。
[0005]由于判斷缺陷是否可修補(bǔ)是基于修補(bǔ)設(shè)備來確定，若待檢光掩模存在超出修補(bǔ)設(shè)備能力之外的缺陷，則該待檢光掩模會被廢棄。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種光掩模制造方法，以消除光掩模中孤立巨大的缺陷。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種光掩模制造方法，其至少包括:
[0008]I)采用包含曝光及蝕刻在內(nèi)的工藝來形成待檢光掩模；
[0009]2)在待檢光掩模經(jīng)過清洗后，進(jìn)行圖案檢查以確定所述待檢光掩模是否能采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)；
[0010]3)當(dāng)確定所述待檢光掩模采用修補(bǔ)設(shè)備已無法修補(bǔ)時(shí)，基于缺陷的相關(guān)信息來判斷缺陷是否能通過再加工來消除；
[0011]4)當(dāng)確定缺陷能通過再加工消除時(shí)，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷，并于檢驗(yàn)合格后進(jìn)行貼膜處理。
[0012]優(yōu)選地，當(dāng)確定缺陷能通過再加工消除時(shí)，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷后，并于清洗后再次進(jìn)行圖案檢查。
[0013]優(yōu)選地，所述光掩模制造方法還包括:當(dāng)確定所述待檢光掩模需要修補(bǔ)時(shí)，則采用相應(yīng)修補(bǔ)設(shè)備來修補(bǔ)所述待檢光掩模，并于清洗后再次進(jìn)行圖案檢查。
[0014]優(yōu)選地，所述缺陷的相關(guān)信息包括缺陷的尺寸及缺陷與相鄰圖案區(qū)域是否相連；更為優(yōu)選地，當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米且與相鄰圖案區(qū)域不相連，則判斷缺陷能能通過再加工來消除；更進(jìn)一步地，當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米且與相鄰圖案區(qū)域有10微米以上間隔，則判斷缺陷能通過再加工來消除。
[0015]如上所述，本發(fā)明的光掩模制造方法，具有以下有益效果:能有效消除光掩模中孤立巨大的缺陷，進(jìn)而提聞光掩|旲的廣品良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中的光掩模制造方法流程圖。
[0017]圖2顯示為本發(fā)明的光掩模制造方法流程圖。
[0018]圖3a至3f顯示為消除光掩模缺陷的流程圖。
[0019]元件標(biāo)號說明
[0020]I 待檢光掩模
[0021]11 缺陷
[0022]2 光刻膠
[0023]SI ?S8 步驟

【具體實(shí)施方式】
[0024]以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0025]請參閱圖2至圖3f。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0026]如圖2所示，本發(fā)明提供一種光掩模制造方法。
[0027]在步驟SI中，采用包含曝光及蝕刻在內(nèi)的工藝來形成待檢光掩模。
[0028]例如，如圖3a所示，其為采用曝光及蝕刻在內(nèi)的工藝所形成的待檢光掩模示意圖，該待檢光掩模I包含有缺陷11。
[0029]在步驟S2中，對待檢光掩模進(jìn)行清洗后，進(jìn)行圖案檢查以確定所述待檢光掩模是否合格，如果合格，則進(jìn)入步驟S3，否則進(jìn)入步驟S4。
[0030]在步驟S3中，將所述待檢光掩模放入貼膜機(jī)進(jìn)行貼膜后出貨。
[0031]在步驟S4中，進(jìn)一步判斷所述待檢光掩模是否可采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)，如果能則進(jìn)入步驟S5，否則進(jìn)入步驟S6。
[0032]在步驟S5中，采用修補(bǔ)設(shè)備對所述待檢光掩模進(jìn)行修補(bǔ)后進(jìn)入步驟S2，即再次進(jìn)行清洗后，接著進(jìn)行圖案檢查等。
[0033]在步驟S6中，基于缺陷的相關(guān)信息來判斷缺陷是否能通過再加工來消除，如果能則進(jìn)入步驟S7，否則進(jìn)入步驟S8。
[0034]具體地，當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米以上，且該缺陷為孤立缺陷，也就是該缺陷未與相鄰圖案區(qū)域相連，則判斷該缺陷能通過再加工被消除；更為優(yōu)選地，當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米且與相鄰圖案區(qū)域有10微米以上間隔，則判斷缺陷能通過再加工來消除
[0035]例如，如圖3a所示，該待檢光掩模I包含的缺陷11尺寸巨大且孤立。
[0036]在步驟S7中，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷，隨后再返回步驟S2。
[0037]例如，對于圖3a所的待檢光掩模1，先在該待檢光掩模I表面涂布光刻膠2,如圖3b所示；隨后，再對基于缺陷11的位置對該待檢光掩模I進(jìn)行局部曝光，如圖3c所示，由此使得缺陷11位置顯影，如圖3d所示，隨后再對該缺陷11進(jìn)行蝕刻以去除該缺陷11，如圖3e所示，最后再去除殘余的光刻膠，如圖3f所示，接著再對已去除缺陷11的待檢光掩模I進(jìn)行清洗后，接著再進(jìn)行圖案檢查等。
[0038]在步驟S8中，廢棄所述待檢光掩模。
[0039]綜上所述，本發(fā)明的光掩模制造方法能對出現(xiàn)在孤立區(qū)域之巨大缺陷進(jìn)行再加工，有效提升光掩模的生產(chǎn)良率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0040]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種光掩模制造方法，其特征在于，所述光掩模制造方法至少包括: 1)米用包含曝光及蝕刻在內(nèi)的工藝來形成待檢光掩模； 2)在待檢光掩模經(jīng)過清洗后，進(jìn)行圖案檢查以確定所述待檢光掩模是否能采用修補(bǔ)設(shè)備進(jìn)行修補(bǔ)； 3)當(dāng)確定所述待檢光掩模采用修補(bǔ)設(shè)備已無法修補(bǔ)時(shí)，基于缺陷的相關(guān)信息來判斷缺陷是否能通過再加工來消除； 4)當(dāng)確定缺陷能通過再加工消除時(shí)，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷，并于檢驗(yàn)合格后進(jìn)行貼膜處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于: 當(dāng)確定缺陷能通過再加工消除時(shí)，基于缺陷的位置對所述待檢光掩模重新進(jìn)行加工處理以消除相應(yīng)缺陷后，并于清洗后再次進(jìn)行圖案檢查。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于還包括: 當(dāng)確定所述待檢光掩模需要修補(bǔ)時(shí)，則采用相應(yīng)修補(bǔ)設(shè)備來修補(bǔ)所述待檢光掩模，并于清洗后再次進(jìn)行圖案檢查。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模制造方法，其特征在于:所述缺陷的相關(guān)信息包括缺陷的尺寸及缺陷與相鄰圖案區(qū)域是否相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模制造方法，其特征在于:當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米且與相鄰圖案區(qū)域不相連，則判斷缺陷能通過再加工來消除。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光掩模制造方法，其特征在于:當(dāng)缺陷的尺寸超過30微米且與相鄰圖案區(qū)域有10微米以上間隔，則判斷缺陷能通過再加工來消除。
【文檔編號】G03F1/72GK104375378SQ201310354226
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】張滄豈 申請人:上海凸版光掩模有限公司