相位差膜的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種相位差膜的制造方法，包含：提供微結(jié)構(gòu)基材，具有多條凸出部分以及多條凹入部分彼此交錯排列；形成光配向?qū)佑谠撐⒔Y(jié)構(gòu)基材上；以及以偏極紫外光由該微結(jié)構(gòu)基材上照射該光配向?qū)?，其中，該偏極紫外光與該微結(jié)構(gòu)基材的正向夾有擴散角度實質(zhì)上介于20°～60°，以均勻照射該光配向?qū)硬⑹乖摴馀湎驅(qū)有纬删坏呐湎蚪恰?br> 【專利說明】相位差膜的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜的制造方法，且特別是有關(guān)于一種3D相位差膜的制造方 法。

【背景技術(shù)】
[0002] 近年來由于顯示技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對于立體（3D)影像顯示技術(shù)的需求成為目前 相當(dāng)熱口的課題之一，所謂立體影像顯示技術(shù)，是根據(jù)人眼的視覺特性，當(dāng)左眼與右眼分別 觀看相同的影像內(nèi)容但具有不同相位差的二影像時，人眼會觀察到立體影像。從而3D相位 差膜的制造即成為當(dāng)今顯示工業(yè)技術(shù)開發(fā)的重點之一。
[0003] 在制作3D相位差膜的方法上，目前已知技術(shù)已掲示像是"多次磨擦配向法"、"液 晶ISO相制作法"W及"機械加工法"等不同方式。所謂"多次磨擦配向法"是利用在配向 膜上所形成的掩膜，W光刻蝕刻方式將掩膜圖案化后，將未覆蓋掩膜的部分區(qū)域配向膜磨 擦配向，之后去除掩膜，再次W另一掩膜搭配光刻蝕刻方式，將前一掩膜所覆蓋，尚未配向 的另一部分區(qū)域配向膜磨擦配向，藉W形成兩種不同的配向角的配向膜區(qū)域，而兩種不同 的配向角可使穿透光具有波程差，即完成3D相位差膜的制作。然而"多次磨擦配向法"的 制程繁復(fù)，在量產(chǎn)上仍有疑慮；美國專利US5926241提出"液晶ISO相制作法"，則是先于基 板涂布液晶層，將液晶層加熱至無相位差的ISO相，利用紫外光搭配光掩模使部分區(qū)域的 液晶層固化，再降溫使先前未固化的另一部分液晶層排列，再次W紫外光搭配光掩模使該 區(qū)域的液晶層固化，形成兩種不同相位差的液晶相，即可使穿透光具有波程差，完成3D相 位差膜的制作。然而"液晶ISO相制作法"因為液晶層的兩區(qū)域是分別在兩種溫度下固化， 在兩者交界處容易產(chǎn)生液晶分子排列奈亂而漏光，所W具有顯示品質(zhì)下降的問題；日本專 利JP2001-100150提出的"機械加工法"則提出將現(xiàn)有的液晶相位差膜貼附于硬質(zhì)基板上， 利用刀具切割刮除部分區(qū)域，使未刮除與已刮除兩區(qū)域之間具有相位差值，W達到3D相位 差膜的效果，然此方式卻有刀具在反復(fù)操作下容易變形，從而造成良率下降的問題，亦不利 于量產(chǎn)。綜上所述，一種簡便、利于量產(chǎn)且具有良好顯示品質(zhì)的3D相位差膜的制造方法，仍 是當(dāng)今顯示工業(yè)技術(shù)亟需開發(fā)的重點方向。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種3D相位差膜的制造方法，其步驟簡便而有利于量產(chǎn)，同時亦能避 免前述漏光疑慮，具有良好的顯示品質(zhì)。
[0005] 本發(fā)明的一個方面是提出一種相位差膜的制造方法，包含提供微結(jié)構(gòu)基材，微結(jié) 構(gòu)基材具有多條凸出部分W及多條凹入部分彼此交錯排列；形成光配向?qū)佑谖⒔Y(jié)構(gòu)基材 上；W及W偏極紫外光由微結(jié)構(gòu)基材上方照射光配向?qū)?，其中，偏極紫外光與微結(jié)構(gòu)基材的 正向夾有擴散角度實質(zhì)上介于20°?60°，W均勻照射光配向?qū)硬⑹构馀湎驅(qū)泳鶆虻匦?成配向角。
[0006] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述偏極紫外光是W紫外線面光源搭配凹透鏡或擴散 板散射形成。
[0007] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述形成光配向?qū)拥姆绞绞菍⒐馀湎驑渲琖旋轉(zhuǎn)涂 布、線棒涂布、浸沾式涂布、狹縫式涂布或卷對卷涂布方式，涂布于規(guī)則性微結(jié)構(gòu)上。
[0008] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述光配向樹脂為光致交聯(lián)型（photo-in化ced cross-linking)樹脂、光致異構(gòu)型（Photo-Isomerization)樹脂、光致裂解型 (Photo-DecompoSition)樹脂、或上述樹脂的混合樹脂。
[0009]在本發(fā)明的一實施方式中，上述光致交聯(lián)型樹脂包含肉桂酸醋基（cinnamate)、香 豆素醋基（coumarin)、苯基苯己帰麗基（chalcone)、馬來醜亞胺基（maleimide)、唾晰麗基 (quinoline)、雙苯亞甲基化is化en巧lidene))、或上述該些不飽和雙鍵基團的組合。
[0010] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述W偏極紫外光由微結(jié)構(gòu)基材上方照射光配向?qū)拥?步驟中，照射劑量是5?180mJ/cm2。
[0011] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述凸出部分與凹入部分的高度差是1?3微米。
[0012] 在本發(fā)明的一實施方式中，上述凸出部分的寬度與上述高度差的比值是60? 600。
[0013] 在本發(fā)明的一實施方式中，進一步包含形成液晶層于光配向?qū)由稀?br> [0014] 本發(fā)明的相位差膜的制造方法是利用具有交錯排列的多條凸出部分W及多條凹 入部分的微結(jié)構(gòu)，致使凸出部分上方液晶層與凹入部分上方液晶層的厚度不同，因此通過 凸出部分上方液晶層的顯示影像光線與通過凹入部分上方液晶層的顯示影像光線，兩者經(jīng) 過液晶層受到影響的程度即不同，從而順利制造出提供左右眼具有相位差的相同影像。因 此，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明相位差膜的制造方法僅須單步驟配向制程即可，不僅避免了 已知技術(shù)中制程繁復(fù)不適合量產(chǎn)，且更因其簡便的制程而能具有更高的良率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015] 本發(fā)明的上述和其他方面、特征及其他優(yōu)點參照說明書內(nèi)容并配合附圖得到更清 楚的了解，其中：
[0016] 圖1繪示根據(jù)本發(fā)明一實施方式的相位差膜于第一步驟中的局部上視圖；
[0017] 圖2繪示圖1中沿線段2的剖面圖；
[0018] 圖3繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜于第二步驟中的局部剖面圖；
[0019] 圖4繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜于第H步驟中的局部剖面圖；
[0020] 圖5繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜進行第H步驟后的局部上視圖；
[0021] 圖6繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜的局部剖面圖；
[0022] 圖7顯示本發(fā)明比較例1-2與實施例1-4的相位差膜顯示照片；
[002引其中，符號說明：
[0024] 100;相位差膜 106 ;偏極紫外光
[002引 102;微結(jié)構(gòu)基材 108 ;液晶層
[002引 102a;凸出部分 110;顯示影像光線
[0027] 10化：凹入部分 112;顯示影像光線
[002引 104;光配向?qū)印?br>
【具體實施方式】
[0029] 為了使本揭示內(nèi)容的敘述更加詳盡與完備，下文針對了本發(fā)明的實施態(tài)樣與具體 實施方式提出了說明性的描述；但這并非實施或運用本發(fā)明【具體實施方式】的唯一形式。以 下所揭露的各實施方式，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實施方式中附加其 他的實施方式，而毋須進一步的記載或說明。在以下描述中，將詳細敘述許多特定細節(jié)以使 讀者能夠充分理解以下的實施方式。然而，可在無所述特定細節(jié)的情況下實踐本發(fā)明的實 施方式。
[0030] 請先參照圖1以及圖2,圖1繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜100于第一步驟中 的局部上視圖，圖2繪示圖1中沿線段2的剖面圖。在本發(fā)明相位差膜的制造方法中，首先 提供微結(jié)構(gòu)基材102,微結(jié)構(gòu)基材102具有多條凸出部分102a以及多條凹入部分102b彼此 交錯排列。如圖1以及圖2所示，多條凸出部分102a與多條凹入部分102b交錯排列構(gòu)成具 有周期性高低圖案的微結(jié)構(gòu)基材102。微結(jié)構(gòu)基材102作為本發(fā)明3D相位差膜的一部分， 故具備光可穿透性即可。微結(jié)構(gòu)基材102例如可以是完全透明、半透明、無色或有色，可視 不同需求作適當(dāng)?shù)倪x擇。微結(jié)構(gòu)基材102的材質(zhì)例如可以是玻璃、三乙酸酯纖維素（TAC)、 聚對苯二甲酸乙二醇（PET)、二乙酰基纖維素、乙酸酯丁酸酯纖維素、聚醚砜、丙烯酸系樹 月旨、聚尿烷系樹脂、聚酯、聚碳酸酯、聚砜、聚醚、三甲基戊烯、聚醚酮、（甲基）丙烯腈等，但 不以此為限。微結(jié)構(gòu)基材102所具有的周期性高低圖案，即彼此交錯排列的多條凸出部分 102a與多條凹入部分102b，目的在于制造其穿透光的波程差，以分別提供左右眼具備不同 波程，而具有相位差的相同影像，從而形成3D立體影像的視覺效果。舉例言之，多條凸出部 分102a穿透的光是提供右眼的影像，而由多條凹入部分102b穿透的光則是提供左眼的影 像，反之亦可。至于由多條凸出部分102a穿透的光與由多條凹入部分102b穿透的光，兩者 之間具有波程差的原因于后述將詳細說明之。在本發(fā)明的一實施方式中，凸出部分l〇2a與 凹入部分102b的高度差實質(zhì)上是1?3微米。在本發(fā)明的另一實施方式中，凸出部分102a 的寬度與上述高度差的比值是60?600。換言之，凸出部分102a的寬度例如可以是60? 1800微米，而凹入部分102b的寬度例如可以與凸出部分102a的寬度相同，但不以此為限， 即微結(jié)構(gòu)基材102的結(jié)構(gòu)可視需求作適度的調(diào)整變化，只要微結(jié)構(gòu)基材102具備周期性的 凸出部分102a與凹入部分102b，可制造其穿透光的波程差以分別提供左右眼不同相位的 相同影像，可呈現(xiàn)3D立體影像的視覺效果即可。
[0031] 圖3繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜100于第二步驟中的局部剖面圖。請參照 圖3,在提供微結(jié)構(gòu)基材102后，接著形成光配向?qū)?04于微結(jié)構(gòu)基材102上。所謂"光配向 層"，是指被偏極化的紫外光以特定方向照射后，即可具有表面異向性，進而使其上方的液 晶分子順向排列產(chǎn)生特定配向的薄膜。形成光配向?qū)?04的方式可將光配向樹脂以旋轉(zhuǎn)涂 布、線棒涂布、浸沾式涂布、狹縫式涂布或卷對卷涂布方式等薄膜制程方法，涂布于微結(jié)構(gòu) 基材102上。而光配向樹脂的材料例如可選用具有"光致異構(gòu)化（photo-isomerization) "、 "光致交聯(lián)（photo-crosslinking) "、或"光致裂解（photo-decomposition) " 的反應(yīng)性質(zhì)的 化學(xué)材料，換言之，光配向樹脂包含光致交聯(lián)型樹脂、光致異構(gòu)型樹脂、光致裂解型樹脂、或 上述樹脂的混合樹脂。所謂"光致異構(gòu)化"是指具有感光性高分子聚合物材料受到光激發(fā) 而產(chǎn)生異構(gòu)化反應(yīng)，其感光部位通常是不飽和雙鍵，而異構(gòu)物組態(tài)通常分為Cis (或E)構(gòu)型 及Trans (或Z)構(gòu)型，偏極化紫外光會使Cis構(gòu)型轉(zhuǎn)換為Trans構(gòu)型，從而具有表面異向性 (即具配向性），光致異構(gòu)型材料例如可以是偶氮（Azo Dyes)系化合物，但不以此為限；而 "光致交聯(lián)"是指側(cè)鏈型高分子材料經(jīng)偏極化紫外光照射，發(fā)生光誘導(dǎo)交聯(lián)而產(chǎn)生配向性的 情形，光致交聯(lián)型材料例如可以是包含肉桂酸酯基（cinnamate)、香豆素酯基（coumarin)、 苯基苯乙稀麗基（chalcone)、馬來醜亞胺基（maleimide)、喧琳麗基（quinoline)、雙苯 亞甲基（bis(b enZylidene))或上述不飽和雙鍵基團的組合的材料，但亦不以此為限；"光 致裂解"是指高分子本身不具有感光基團，而是利用較高能量的偏極化紫外光照射，使 高分子鍵結(jié)產(chǎn)生非均向的斷裂而具有配向性的情形，光致裂解材料例如可以是聚亞酰胺 (Polyimide)、聚酰胺（Polyamide)、聚酯（Polyester)、聚氨酯（Polyurethane)或上述材料 的組合，但不以此為限。如圖3所示，光配向?qū)?04形成于微結(jié)構(gòu)基材102上，覆蓋微結(jié)構(gòu)基 材102所有凸出部分102a與凹入部分102b，意即光配向?qū)?04形成于所有凸出部分102a 的表面、側(cè)壁以及凹入部分l〇2b的表面上。光配向?qū)?04例如可以是共形薄膜（conformal film)，即其于微結(jié)構(gòu)基材102的凸出部分102a的表面、側(cè)壁以及凹入部分102b的表面上 的厚度均等，但不以此為限。此外，光配向?qū)?04的厚度例如可以是5?100納米之間，可 依材料特性在不影響其光穿透性，并具有液晶分子配向的功效下作適度調(diào)整。
[0032] 圖4繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜100于第三步驟中的局部剖面圖，圖5繪 示本發(fā)明一實施方式的相位差膜1〇〇進行第三步驟后的局部上視圖。請先參照圖4,在微結(jié) 構(gòu)基材102上形成光配向?qū)?04后，接著以偏極紫外光106由微結(jié)構(gòu)基材102上照射光配 向?qū)?04,使光配向?qū)?04被偏極紫外光106照射，形成具有表面異向性的薄膜。值得注意 的是，為使微結(jié)構(gòu)基材102各處上方的光配向?qū)?04均能順利反應(yīng)形成統(tǒng)一的配向角a，偏 極紫外光106與微結(jié)構(gòu)基材102的正向夾有擴散角度0，以均勻照射光配向?qū)?04并使光 配向?qū)?04均勻地形成配向角a (如圖5所示），擴散角度0實質(zhì)上是20°?60°。明確 言之，于上一步驟中形成光配向?qū)?04于微結(jié)構(gòu)基材102的凸出部分102a的頂面和側(cè)壁、 以及凹入部分l〇2b的表面上之后，在本步驟的偏極紫外光106照射反應(yīng)時，以散射的偏極 紫外光106照射前述各位置，使光配向?qū)?04各處（包含凸出部分102a的頂面、凹入部分 102b的表面以及凸出部分102a的側(cè)壁）均能充分受光并進行化學(xué)反應(yīng)，形成如圖5所示的 統(tǒng)一的配向角a。使偏極紫外光106具有擴散角度0的方式，例如可以是以偏極紫外線面 光源，搭配凹透鏡或擴散板形成擴散效果、或是采用非平行的偏極紫外線光源等，但不以所 述方式為限。配向角a例如可以是〇?180°，依照其搭配的液晶材料特性以及整體顯示 的需求而訂。在本發(fā)明的一實施方式中，配向角a是45°。此外，為使光配向?qū)?04各處 均能充分反應(yīng)，偏極紫外光106的照射劑量亦應(yīng)依照光配向?qū)?04所選用的材料特性作適 度調(diào)整。在本發(fā)明的一實施方式，偏極紫外光106由微結(jié)構(gòu)基材102上方照射光配向?qū)?04 的步驟中，偏極紫外光106的照射劑量是5?180mJ/cm 2。值得注意的是，本發(fā)明的相位差 膜的制造方法中，微結(jié)構(gòu)基材102上的光配向?qū)?04,以具有擴散角度0大于20°的偏極 紫外光106照射，即可使光配向?qū)?04各處（包含凸出部分102a的頂面、凹入部分102b的 表面以及凸出部分102a的側(cè)壁）充分反應(yīng)并形成統(tǒng)一的配向角a。
[0033] 圖6繪示本發(fā)明一實施方式的相位差膜100的局部剖面圖。請參照圖6,在偏極紫 外光106由微結(jié)構(gòu)基材102上方照射光配向?qū)?04,使光配向?qū)?04反應(yīng)配向后，接著形成 液晶層108于光配向?qū)?04上。如圖6所示，液晶層108的液晶分子會受到光配向?qū)?04 配向的引導(dǎo)而規(guī)整排列。當(dāng)顯示影像由圖6所示的相位差膜100下方進入并穿透時，通過 凸出部分102a上方液晶層108的顯示影像光線110與通過凹入部分102b上方液晶層108 的顯示影像光線112,兩者經(jīng)過液晶層108并受其影響的程度不同，此即造成了顯示影像光 線110和顯示影像光線112兩者之間具有相位差，而兩者之間的相位差例如可以是1/2入， 但不以此為限。據(jù)此，顯示影像光線110和顯示影像光線112即可分別提供左右眼具有相 位差的相同影像，呈現(xiàn)3D立體影像的視覺效果。
[0034] 綜上所述，本發(fā)明相位差膜的制造方法與已知技術(shù)中"多次磨擦配向法"、"液晶 ISO相制作法"以及"機械加工法"完全不同。最主要的差別在于：上述各種已知技術(shù)在制 造提供左右眼具有相位差的相同影像的原理均是以兩種不同的配向方式形成，而本發(fā)明相 位差膜則是統(tǒng)一的配向方向，利用具有交錯排列的多條凸出部分l〇2a以及多條凹入部分 102b的微結(jié)構(gòu)，致使凸出部分102a上方液晶層108與凹入部分102b上方液晶層108的厚 度不同，因此通過凸出部分102a上方液晶層108的顯示影像光線110與通過凹入部分102b 上方液晶層108的顯示影像光線112,兩者經(jīng)過液晶層108受到影響的程度即不同，從而順 利制造出提供左右眼具有相位差的相同影像。據(jù)此，本發(fā)明相位差膜的制造方法僅須單步 驟配向制程即可，不僅避免了已知技術(shù)中制程繁復(fù)不適合量產(chǎn)，且更因其簡便的制程而能 具有更高的良率。
[0035] 另一方面，本發(fā)明相位差膜的制造方法的單步配向制程雖較已知技術(shù)簡便，尚需 配合具有擴散角度9的偏極紫外光106,方能使光配向?qū)?04各處均能充分反應(yīng)形成配向， 在不產(chǎn)生漏光情形的前提下，顯示品質(zhì)良好的立體影像。以下詳述本發(fā)明各實施例與比較 例的實驗過程以及驗證結(jié)果 ：
[0036] 首先提供如前述圖1、圖2所示的微結(jié)構(gòu)基材102,微結(jié)構(gòu)基材102是將UV膠利用 模具壓印后，曝照于UV光下使其定型后脫模制成。
[0037] 如前述圖3所示，接著形成光配向?qū)?04于微結(jié)構(gòu)基材102上，光配向?qū)?04的形 成方式如下：將甲乙酮（methylethylketone)與環(huán)戊酮（cyclopentanone)以1 :1的重量 比配制成混合溶劑3. 5g。再取光配向樹脂（瑞士 Rolic，型號R0P103,肉桂酸酯系，固含量 10%)0. 5g，加入前述的3. 5g混合溶劑中，故在此4g的混合溶液中，光配向樹脂的固含量已 稀釋至1. 25%。將前述4g的光配向樹脂混合溶液以旋轉(zhuǎn)涂布法（轉(zhuǎn)速3, OOOrpm，40秒）涂 布于微結(jié)構(gòu)基材102上，并將已涂布前述4g的光配向樹脂混合溶液的微結(jié)構(gòu)基材102,放入 溫度設(shè)定為l〇〇°C的烘箱內(nèi)烘烤2分鐘以去除溶劑，取出靜置待其回復(fù)至室溫，即形成光配 向?qū)?04于微結(jié)構(gòu)基材102上。
[0038] 如前述圖4和圖5所不，以偏極紫外光106由微結(jié)構(gòu)基材102上方照射光配向?qū)?104,其中所使用的偏極紫外光106的配向角度是45°，并分別以不同的擴散角度0 (0為 2°、8°、15°、22°、30°以及60° )照射微結(jié)構(gòu)基材102上的光配向?qū)?04,使光配向?qū)?104中的光配向樹脂反應(yīng)產(chǎn)生配向效果，即制得本發(fā)明的比較例1-2以及實施例1-4的相位 差膜。
[0039] 最后如前述圖6所示，制作液晶層108于比較例1-2以及實施例1-4的相位差膜 上。制作液晶層108的方式是先取液晶固體2g(雙折射率差為0. 14)，加入環(huán)戊酮Sg以得 到固含量20%的液晶涂布液。將液晶涂布液分別以旋轉(zhuǎn)涂布法（轉(zhuǎn)速1，OOOrpm，20秒）涂 布于上開以不同擴散角度9(2°、8°、15°、22°、30°以及60° )所制得的比較例1-2、實 施例1-4的相位差膜上。將已涂布液晶涂布液的比較例1-2、實施例1-4的相位差膜，放入 溫度設(shè)定為6(TC的烘箱內(nèi)烘烤5分鐘W去除溶劑，取出靜置待其回復(fù)至室溫。最后將比較 例1-2、實驗例1-4的相位差膜上的液晶涂布液，W照射劑量120mJ/cm2的紫外光曝照固化。
[0040]W上各比較例1-2與各實施例1-4的實驗結(jié)果如圖7所示，并整理如下表1 ;
[0041]表 1、
[0042]

【權(quán)利要求】
1. 一種相位差膜的制造方法，包含： 提供微結(jié)構(gòu)基材，所述微結(jié)構(gòu)基材具有多條凸出部分以及多條凹入部分彼此交錯排 列； 形成光配向?qū)佑谒鑫⒔Y(jié)構(gòu)基材上；以及 以偏極紫外光由所述微結(jié)構(gòu)基材上方照射所述光配向?qū)樱? 其中，所述偏極紫外光與所述微結(jié)構(gòu)基材的正向夾有擴散角度實質(zhì)上介于20°? 60°，以均勻照射所述光配向?qū)硬⑹顾龉馀湎驅(qū)有纬删坏呐湎蚪恰?br> 2. 如權(quán)利要求1所述的相位差膜的制造方法，其中所述偏極紫外光是以紫外線面光源 搭配凹透鏡或擴散板散射形成。
3. 如權(quán)利要求1所述的相位差膜的制造方法，其中，形成光配向?qū)拥姆绞绞菍⒐馀湎?樹脂以旋轉(zhuǎn)涂布、線棒涂布、浸沾式涂布、狹縫式涂布或卷對卷涂布方式，涂布于所述微結(jié) 構(gòu)基材上。
4. 如權(quán)利要求3所述的相位差膜的制造方法，所述光配向樹脂為光致交聯(lián)型樹脂、光 致異構(gòu)型樹脂、光致裂解型樹脂、或上述樹脂的混合樹脂。
5. 如權(quán)利要求4所述的相位差膜的制造方法，其中上述光致交聯(lián)型樹脂包含肉桂酸酯 基、香豆素酯基、苯基苯乙烯酮基、馬來酰亞胺基、喹啉酮基、雙苯亞甲基、或上述不飽和雙 鍵基團的組合。
6. 如權(quán)利要求1所述的相位差膜的制造方法，其中以偏極紫外光由所述微結(jié)構(gòu)基材上 方照射所述光配向?qū)拥牟襟E中，照射劑量是5?180mJ/cm2。
7. 如權(quán)利要求1所述的相位差膜的制造方法，其中所述凸出部分與所述凹入部分的高 度差是1?3微米。
8. 如權(quán)利要求7所述的相位差膜的制造方法，其中所述凸出部分的寬度與所述高度差 的比值是60?600。
9. 如權(quán)利要求1所述的相位差膜的制造方法，進一步包含： 形成液晶層于所述光配向?qū)由稀?br> 【文檔編號】G02B5/30GK104375229SQ201310354524
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】洪維澤, 邱大任, 吳昱寯 申請人:遠東新世紀股份有限公司