專利名稱：7350納米帶通紅外濾光片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種濾光片，特別是7350納米帶通紅外濾光片。
背景技術(shù)：
在自然界，任何物體在絕對(duì)零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。帶通紅外濾光片過濾、截止可見光同時(shí)允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。帶通紅外濾光片的質(zhì)量直接影響探測的精度和靈敏度。目前的紅外濾光片在檢測S02氣體中也有應(yīng)用，但是檢測精度不高，在實(shí) 際過程中不能夠很好的滿足需要。就目前用于S02氣體探測中的7350納米帶通紅外濾光片，檢測精度不高、透過率和信噪比低，精度差，有時(shí)候出現(xiàn)誤測的現(xiàn)象，不能滿足市場發(fā)展的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，適用于檢測S02氣體的7350納米帶通紅外濾光片。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的7350納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、ZnS為鍍膜材料的第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層包含由內(nèi)向外依次排列的220nm厚度的Ge層、318nm厚度的SiO層、150nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、148]11]1厚度的66層、365111]1厚度的5;[0層、162111]1厚度的66層、116111]1厚度的5;[0層、25111111厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、554nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、512nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、35Inm厚度的Ge層、559nm厚度的SiO層、105nm厚度的Ge層、815nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、344nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、165nm厚度的Ge層、827nm厚度的SiO層、364nm厚度的Ge層、348nm厚度的SiO層、359nm厚度的Ge層、842nm厚度的SiO層、378nm厚度的Ge層、407nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層和IOOnm厚度的SiO層，所述第二鍍膜層包含由內(nèi)向外依次排列的107nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZNS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、860nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、1639nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、724nm厚度的ZnS層、392nm厚度的Ge層和157nm厚度的ZnS層。上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在IOnm左右。通過上述的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了該紅外濾波片適用于檢測S02氣體，且中心波長定位為7350納米，透過率90 %，可增加對(duì)S02氣體的分辨能力，提高檢測精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。本實(shí)用新型得到的7350納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為7350±1%納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于0. I %，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是可適用于檢測S02氣體，增加對(duì)S02氣體的分辨能力，提高檢測精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。

圖I是實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示 意圖；圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。圖中第一鍍膜層I、基板2、第二鍍膜層3。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。實(shí)施例如圖I所示，本實(shí)施例提供的7350納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層I和以Ge、ZnS為鍍膜材料的第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I包含由內(nèi)向外依次排列的220nm厚度的Ge層、318nm厚度的SiO層、150nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、365nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、116nm厚度的SiO層、25Inm厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、554nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、512nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、35Inm厚度的Ge層、559nm厚度的SiO層、105nm厚度的Ge層、815nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、344nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、165nm厚度的Ge層、827nm厚度的SiO層、364nm厚度的Ge層、348nm厚度的SiO層、359nm厚度的Ge層、842nm厚度的SiO層、378nm厚度的Ge層、407nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層和IOOnm厚度的SiO層，所述第二鍍膜層3包含由內(nèi)向外依次排列的107nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZNS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、860nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、1639nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、724nm厚度的ZnS層、392nm厚度的Ge層和157nm厚度的ZnS層。本實(shí)施提供的7350納米帶通紅外濾光片，其實(shí)測曲線如圖2所示，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為7350± I %納米，峰值透過率達(dá)90%以上，截止區(qū)透過率小于0. I %，大大提高了信噪比。
權(quán)利要求1.一種7350納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板(2)，以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層(I)和以Ge、ZnS為鍍膜材料的第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)包含由內(nèi)向外依次排列的220nm厚度的Ge層、318nm厚度的SiO層、150nm厚度的Ge層、455nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、365nm厚度的SiO層、162nm厚度的Ge層、116nm厚度的SiO層、25Inm厚度的Ge層、265nm厚度的SiO層、143nm厚度的Ge層、554nm厚度的SiO層、148nm厚度的Ge層、512nm厚度的SiO層、190nm厚度的Ge層、177nm厚度的SiO層、35Inm厚度的Ge層、559nm厚度的SiO層、105nm厚度的Ge層、815nm厚度的SiO層、133nm厚度的Ge層、258nm厚度的SiO層、344nm厚度的Ge層、647nm厚度的SiO層、165nm厚度的Ge層、827nm厚度的SiO層、364nm厚度的Ge層、348nm厚度的SiO層、359nm厚度的Ge層、842nm厚度的SiO層、378nm厚度的Ge層、407nm厚度的SiO層、189nm厚度的Ge層和IOOnm厚度的SiO層，所述第二鍍膜層(3)包含由內(nèi)向外依次排列的107nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZNS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、860nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、820nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、1639nm厚度的ZnS層、430nm厚度的Ge層、724nm厚度的ZnS層、392nm厚度的Ge層和157nm厚度的ZnS層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種7350納米帶通紅外濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Ge、SiO為鍍膜材料的第一鍍膜層和以Ge、ZnS為鍍膜材料的第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是第一鍍膜層由不同厚度的Ge和SiO交互排列而成，第二鍍膜層由不同厚度的Ge和ZnS交互排列而成，所述第一鍍膜層和第二鍍膜層最內(nèi)側(cè)均為Ge。本實(shí)用新型得到的7350納米帶通紅外濾光片，能實(shí)現(xiàn)中心波長定位為7350±1％納米，峰值透過率達(dá)90％以上，截止區(qū)透過率小于0.1％，大大提高了信噪比，為精確測量所需測量的氣體提供了基本保證，特別是可適用于檢測SO2氣體，增加對(duì)SO2氣體的分辨能力，提高檢測精度，更好的滿足實(shí)際中的使用要求。
文檔編號(hào)G02B5/20GK202472017SQ20122009090
公開日2012年10月3日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年3月12日
發(fā)明者呂晶 申請人:杭州麥樂克電子科技有限公司