專利名稱：金屬線及陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域尤其涉及一種金屬線及陣列基板的制作方法。
背景技術(shù)：
隨著人們對(duì)液晶顯示器品質(zhì)要求的不斷提高，高分辨率是液晶顯示器發(fā)展的一個(gè)大趨勢(shì)。為了將產(chǎn)品從現(xiàn)有的200ppi提升至300ppi以上，數(shù)據(jù)線的線寬也需要逐漸減小-從4um以上降低到2-3um，這也對(duì)生產(chǎn)工藝提出了更高的要求。傳統(tǒng)的生產(chǎn)工藝一般采用控制曝光顯影之后金屬線所對(duì)應(yīng)的光刻膠的尺寸和刻蝕之后的尺寸來取得合適的金屬線線寬，但是由于曝光設(shè)備的解析度是有限制的，所以曝光顯影之后金屬線所對(duì)應(yīng)的光刻膠的尺寸無法進(jìn)一步減小，進(jìn)而無法得到寬度更小的金屬線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例所要解決的技術(shù)問題在于提供一種金屬線及陣列基板的制作方法，能夠減小金屬線的線寬，從而提高液晶顯示器的開口率。本申請(qǐng)的一方面，提供一種金屬線的制作方法，包括形成金屬層；在所述金屬層上涂覆光刻膠層；使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域；使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。進(jìn)一步的，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于所述金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值。進(jìn)一步的，所述金屬層為源漏金屬層，所述光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。進(jìn)一步的，在使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線的寬度為1. O 2. 5um。進(jìn)一步的，所述金屬線為公共電極線或者柵線。本申請(qǐng)的另一方面，還提供一種金屬線的制作方法，包括形成金屬層；在所述金屬層上涂覆光刻膠層；
使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域；使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。進(jìn)一步的，所述金屬層為源漏金屬層，所述第一次曝光的光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域；所述第二次曝光的光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線、源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極向四周延伸預(yù)設(shè)距離所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以使所述源極和漏極所對(duì)應(yīng)的所述光刻膠層在第二次曝光中寬度不減小。進(jìn)一步的，所述第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值。進(jìn)一步的，在使用所述第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線的寬度為1. O 2. 5um。進(jìn)一步的，所述金屬線為公共電極線或者柵線。本申請(qǐng)的再一方面還提供一種陣列基板的制作方法，包括上述任一項(xiàng)所述的金屬線的制作方法。本發(fā)明實(shí)施例的金屬線及陣列基板的制作方法，通過對(duì)金屬層上涂覆的光刻膠層進(jìn)行兩次曝光，且第一次曝光與第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，使得光刻膠層的光刻膠保留區(qū)域的寬度能夠進(jìn)一步減小預(yù)設(shè)間距值，進(jìn)而使得形成的金屬線的寬度進(jìn)一步減小，提聞了液晶顯不器的開口率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作方法的流程示意圖之一；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中第一次曝光與第二次曝光之間錯(cuò)位的示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作過程中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之一；圖4為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作過程中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；圖5為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作過程中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之三；圖6為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作過程中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之四；圖7為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作過程中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖之五；圖8圖為本發(fā)明實(shí)施例中金屬線制作方法的流程示意圖之二。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供一種金屬線及陣列基板的制作方法，能夠減小金屬線的線寬，從而提聞液晶顯不器的開口率。以下描述中，為了說明而不是為了限定，提出了諸如特定系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、接口、技術(shù)之類的具體細(xì)節(jié)，以便透切理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)清楚，在沒有這些具體細(xì)節(jié)的其它實(shí)施例中也可以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。在其它情況中，省略對(duì)眾所周知的裝置、電路以及方法的詳細(xì)說明，以免不必要的細(xì)節(jié)妨礙本發(fā)明的描述。實(shí)施例一本實(shí)施例提供一種金屬線的制作方法，如圖1所示，該方法包括步驟101、形成金屬層；首先需要說明的是，本實(shí)施例的金屬線的制作方法是陣列基板的制作過程的一部分，關(guān)于陣列基板其他部分的制作方法，如公共電極、像素電極、柵線等結(jié)構(gòu)的制作方法，不是本發(fā)明關(guān)注的重點(diǎn)，故在此不做詳細(xì)介紹。本實(shí)施例中的金屬線可以是數(shù)據(jù)線，也可以是公共電極線、柵線等。下面以數(shù)據(jù)線的制作為例對(duì)本發(fā)明的方法做詳細(xì)說明。當(dāng)需要制作數(shù)據(jù)線時(shí)，作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，所需要形成的金屬層可以是源漏金屬層1，如圖3所示，源漏金屬層I形成在絕緣層3上，具體的，該絕緣層3可以是柵極絕緣層，另外，當(dāng)陣列基板的層結(jié)構(gòu)發(fā)生改變時(shí)，源漏金屬層I也可以根據(jù)需要形成在其他層結(jié)構(gòu)上，本發(fā)明在此不作限定。另外，當(dāng)需要制作的金屬線為公共電極線、柵線時(shí)，該金屬層可以是柵金屬層。步驟102、在所述金屬層上涂覆光刻膠層；如圖3所示，在形成源漏金屬層I后，再在該源漏金屬層I上涂覆一層光刻膠層2。步驟103、使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠不保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域；如圖4所示，使用第一掩膜版對(duì)光刻膠層2進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠不保留區(qū)域21和光刻膠保留區(qū)域22，其中，光刻膠保留區(qū)域22包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。舉例來說，曝光設(shè)備的解析度為4um，則光刻膠保留區(qū)域22的寬度最小可以是4um，即數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的寬度為4um。步驟104、使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。如圖2所示，圖中實(shí)線所示為第一次曝光中第一掩膜版的圖形，在對(duì)光刻膠層2進(jìn)行第一次曝光后，繼續(xù)使用第一掩膜版對(duì)第一次曝光后的光刻膠保留區(qū)域22進(jìn)行第二次曝光，產(chǎn)生第二光刻膠不保留區(qū)域23和第二光刻膠保留區(qū)域24，如圖5所示，第二光刻膠不保留區(qū)域23在第一次曝光中未被曝光但在第二次曝光中被曝光；第二光刻膠保留區(qū)域24在兩次曝光中均未被曝光。圖5為圖2沿A-A’方向的剖面圖，圖2中虛線所示為第二次曝光中第一掩膜版的圖形，其中，第一次曝光與第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，舉例來說，當(dāng)預(yù)設(shè)間距值為lum，則第一次曝光與第二次曝光在光刻膠層上的位置相距l(xiāng)um。為了準(zhǔn)確定位第一次曝光和第二次曝光的位置，本實(shí)施例可以在第一掩膜版上制作兩套對(duì)位標(biāo)記，在兩次曝光工藝中分別與基板上的對(duì)位標(biāo)記進(jìn)行對(duì)位，而掩膜版上兩套對(duì)位標(biāo)記之間的距離設(shè)置為第一次曝光和第二次曝光的錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，如上面舉例所述的lum，這樣使用一個(gè)掩膜版就可以進(jìn)行兩次不同的曝光，節(jié)省了制作成本。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，如圖2所示，第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的金屬線的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的數(shù)據(jù)線的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值，即第二次曝光的圖形相對(duì)于第一次曝光的圖形沿X軸方向移動(dòng)預(yù)設(shè)間距值。舉例來說，當(dāng)預(yù)設(shè)間距值為Ium時(shí)，第二次曝光后金屬線所對(duì)應(yīng)區(qū)域的寬度為3um，這也就意味著最終形成的金屬線與僅進(jìn)行第一次曝光形成的數(shù)據(jù)線相比，寬度減小了 lum。進(jìn)一步的，本實(shí)施例在使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。如圖6所示，在進(jìn)行顯影處理之后，光刻膠不保留區(qū)域21和第二光刻膠不保留區(qū)域23的光刻膠被去除，露出源漏金屬層I ;第二光刻膠保留區(qū)域24的光刻膠依然存在，用于保護(hù)其下方的源漏金屬層I不被刻蝕。在刻蝕過程中，除了光刻膠不保留區(qū)域21和第二光刻膠不保留區(qū)域23的源漏金屬層會(huì)被刻蝕掉以外，第二光刻膠保留區(qū)域24的邊緣的源漏金屬層也會(huì)被刻蝕，也就是說，最終形成的數(shù)據(jù)線10的寬度要小于第二光刻膠保留區(qū)域24的寬度，一般情況下，當(dāng)?shù)诙饪棠z保留區(qū)域24的寬度為3um時(shí)，通過控制刻蝕時(shí)間，最終形成的數(shù)據(jù)線10的寬度為1. O 2. 5um。本實(shí)施例的數(shù)據(jù)線的制作方法，通過對(duì)源漏金屬層上涂覆的光刻膠層進(jìn)行兩次曝光，且第一次曝光與第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，使得光刻膠層的光刻膠保留區(qū)域的寬度能夠進(jìn)一步減小預(yù)設(shè)間距值，進(jìn)而使得形成的數(shù)據(jù)線的寬度進(jìn)一步減小。實(shí)施例二本實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)線的制作方法，如圖8所示，該方法包括步驟201、形成金屬層；本實(shí)施例中的金屬線可以是數(shù)據(jù)線，也可以是公共電極線、柵線等。下面以數(shù)據(jù)線的制作為例對(duì)本發(fā)明的方法做詳細(xì)說明。當(dāng)需要制作數(shù)據(jù)線時(shí)，作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，源漏金屬層形成在絕緣層上，具體的，該絕緣層可以是柵極絕緣層，另外，當(dāng)陣列基板的層結(jié)構(gòu)發(fā)生改變時(shí)，源漏金屬層也可以根據(jù)需要形成在其他層結(jié)構(gòu)上，本發(fā)明在此不作限定。另外，當(dāng)需要制作的金屬線為公共電極線、柵線時(shí)，該金屬層可以是柵金屬層。步驟202、在所述金屬層上涂覆光刻膠層；在形成源漏金屬層后，再在該源漏金屬層上涂覆一層光刻膠層。步驟203、使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠不保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域；在光刻膠層涂覆完成后，使用第一掩膜版對(duì)該光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠不保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。舉例來說，曝光設(shè)備的解析度為4um，則光刻膠保留區(qū)域的寬度最小可以是4um，即數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域的寬度為4um。
步驟204、使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。與實(shí)施例一不同的是，本實(shí)施例中采用第二掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，形成第二光刻膠不保留區(qū)域和第二光刻膠保留區(qū)域，第二掩膜版的圖形不同于第一掩膜版的圖形，作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，第二次曝光的第二光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域、源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極向四周延伸預(yù)設(shè)距離所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以使源極和漏極所對(duì)應(yīng)的光刻膠層在第二次曝光中寬度不減小。作為本發(fā)明的一種實(shí)施方式，第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的金屬線的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的數(shù)據(jù)線的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值。舉例來說，第一掩膜版與第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位的預(yù)設(shè)間距值為lum，則源極和漏極向四周延伸的預(yù)設(shè)距離不小于lum，這樣，即使第二掩膜版相對(duì)于第一掩膜版移動(dòng)了lum，最終形成的源極、漏極和溝道區(qū)域還是第一次曝光所形成的圖形，其大小和寬度沒有發(fā)生改變，在第二次曝光后，只有金屬線所對(duì)應(yīng)區(qū)域的寬度發(fā)生了改變。進(jìn)一步的，本實(shí)施例在使用所述第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。在進(jìn)行顯影處理之后，光刻膠不保留區(qū)域和第二光刻膠不保留區(qū)域的光刻膠被去除，露出源漏金屬層；第二光刻膠保留區(qū)域的光刻膠依然存在，用于保護(hù)其下方的源漏金屬層不被刻蝕。在刻蝕過程中，除了光刻膠不保留區(qū)域和第二光刻膠不保留區(qū)域的源漏金屬層會(huì)被刻蝕掉以外，第二光刻膠保留區(qū)域的邊緣的源漏金屬層也會(huì)被刻蝕，也就是說，最終形成的數(shù)據(jù)線的寬度要小于第二光刻膠保留區(qū)域的寬度，一般情況下，當(dāng)光刻膠保留區(qū)域的寬度為3um時(shí)，通過控制刻蝕時(shí)間，最終形成的數(shù)據(jù)線10的寬度為1. O 2. 5um。本實(shí)施例的金屬線的制作方法，通過對(duì)源漏金屬層上涂覆的光刻膠層進(jìn)行兩次曝光，且第一次曝光與第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，使得光刻膠層的光刻膠保留區(qū)域的寬度能夠進(jìn)一步減小預(yù)設(shè)間距值，進(jìn)而使得形成的金屬線的寬度進(jìn)一步減小。本實(shí)施例還提供一種陣列基板的生產(chǎn)方法，包括實(shí)施例一或者實(shí)施例二的金屬線的制作方法，金屬線的制作方法是陣列基板的制作過程的一部分，關(guān)于陣列基板其他部分的制作方法，如公共電極、像素電極、柵線等結(jié)構(gòu)的制作方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)可獲知，故在此不做詳細(xì)介紹。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬線的制作方法，其特征在于，包括 形成金屬層； 在所述金屬層上涂覆光刻膠層； 使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域； 使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于所述金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述金屬層為源漏金屬層，所述光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的金屬線的制作方法，其特征在于，在使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括 對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線的寬度為1.O 2.5um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述金屬線為公共電極線或者柵線。
7.一種金屬線的制作方法，其特征在于，包括 形成金屬層； 在所述金屬層上涂覆光刻膠層； 使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域； 使用第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述金屬層為源漏金屬層，所述第一次曝光的光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域；所述第二次曝光的光刻膠保留區(qū)域包括后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線、源極和漏極所對(duì)應(yīng)的區(qū)域以及源極和漏極向四周延伸預(yù)設(shè)距離所對(duì)應(yīng)的區(qū)域，以使所述源極和漏極所對(duì)應(yīng)的所述光刻膠層在第二次曝光中寬度不減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述第一掩膜版與所述第二掩膜版之間的圖形錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值，是沿垂直于金屬線的方向錯(cuò)位所述預(yù)設(shè)間距值，以使經(jīng)過第二次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度比僅經(jīng)過第一次曝光之后形成的光刻膠保留區(qū)域的寬度減小所述預(yù)設(shè)間距值。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬線的制作方法，其特征在于，在使用所述第二掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光之后，還包括 對(duì)進(jìn)行第二次曝光后的光刻膠層進(jìn)行顯影處理，并對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線、源極和漏極。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線的寬度為L(zhǎng) 0 2. 5um。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬線的制作方法，其特征在于，所述金屬線為公共電極線或者柵線。
13.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括權(quán)利要求1-10任一項(xiàng)所述的金屬線的制作方法。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了一種金屬線及陣列基板的制作方法，涉及液晶顯示領(lǐng)域，能夠減小金屬線的線寬。本發(fā)明實(shí)施例的金屬線的制作方法，包括形成金屬層；在所述金屬層上涂覆光刻膠層；使用第一掩膜版對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行第一次曝光，形成光刻膠保留區(qū)域和光刻膠不保留區(qū)域；使用所述第一掩膜版對(duì)所述光刻膠保留區(qū)域的光刻膠層進(jìn)行第二次曝光，所述第一次曝光與所述第二次曝光之間錯(cuò)位預(yù)設(shè)間距值。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK103034049SQ20121054011
公開日2013年4月10日 申請(qǐng)日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者曹占鋒, 戴天明, 姚琪, 孔祥春 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司