專利名稱：一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來隨著光電技術(shù)與半導(dǎo)體制造技術(shù)的成熟，帶動(dòng)了平板顯示裝置的蓬勃發(fā)展，其中，液晶顯示裝置基于其低電壓操作、無輻射線散射、重量輕以及體積小等優(yōu)點(diǎn)，更逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管顯示器，而成為近年來顯示器產(chǎn)品的主流。如圖I所示，為液晶顯示裝置的外觀示意圖，液晶顯示裝置包括對盒的陣列基板11以及對置基板12 (例如彩膜基板)。如圖2所示，對盒工藝中，切割掉部分對置基板的示意圖，在對盒后，還需要對對 置基板12上的相對于陣列基板11的外圍電路的部分基板121切割去除。如圖3和圖4所示，圖3為現(xiàn)有的陣列基板11的俯視圖，圖4為圖3中A1-A1方向的剖視圖；如圖4所示，陣列基板11包括襯底基板4，所述襯底基板4之上的柵絕緣層6，所述柵絕緣層6之上的源漏電極層7，以及鈍化層8 ;其中，源漏電極層7中的源電極與數(shù)據(jù)線連接，數(shù)據(jù)線延伸至像素區(qū)域I邊緣至外圍電路中的部分是數(shù)據(jù)線引線；如圖3所示，位于像素區(qū)域I顯示區(qū)域的邊緣的外圍電路中，間隔排列的數(shù)據(jù)線引線2之間是空白區(qū)域，對盒工藝切割后，整個(gè)面板移動(dòng)過程中，由于數(shù)據(jù)線引線對應(yīng)的對置基板上切下部分基板的震動(dòng)，與數(shù)據(jù)線產(chǎn)生碰撞122，非常容易對數(shù)據(jù)線引線造成損傷，而形成斷線。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，通過在外圍電路的數(shù)據(jù)線引線之間的空白處，增加比數(shù)據(jù)線引線所在層更高的承托結(jié)構(gòu)，切下的部分基板由于本承托結(jié)構(gòu)的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的實(shí)施例提供一種一種陣列基板，包括外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線；所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間設(shè)有承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。其中，所述承托結(jié)構(gòu)為分層結(jié)構(gòu)。其中，所述承托結(jié)構(gòu)包括位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的柵線層；位于所述柵線層上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的源漏電極層；位于所述源漏電極層上的鈍化層。其中，所述承托結(jié)構(gòu)包括
位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的第一輔助層；位于所述第一輔助層上的柵線層；位于所述柵線層上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的源漏電極層；位于所述源漏電極層上的鈍化層。其中，所述承托結(jié)構(gòu)包括 位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層的鈍化層。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，包括形成外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線；在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。其中，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)的步驟包括在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)。其中，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。其中，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成第一輔助層；在所述第一輔助層上形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。其中，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下上述方案中，通過在外圍電路的數(shù)據(jù)線引線之間的空白處，增加比數(shù)據(jù)線引線所在層更高的承托結(jié)構(gòu)，切下的對置基板的部分基板由于本承托結(jié)構(gòu)的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線弓I線。


圖I為顯示裝置成盒后的外觀示意圖；圖2為顯示裝置將對置基板上部分基板切割后的外觀示意圖；圖3為現(xiàn)有技術(shù)中顯示裝置的陣列基板的俯視圖；圖4為現(xiàn)有技術(shù)中在對置基板切割過程中，碰撞數(shù)據(jù)線引線的示意圖；圖5為本發(fā)明的陣列基板的俯視圖；圖6為圖5中沿Al-Al方向的實(shí)施例一的縱向剖視圖；圖7為圖5中沿Al-Al方向的實(shí)施例二的縱向剖視圖；
圖8為圖5中沿Al-Al方向的實(shí)施例三的縱向剖視圖。[主要元件符號說明]I :像素區(qū)域2:數(shù)據(jù)線引線3 :承托結(jié)構(gòu)4 :襯底基板5 :柵線層6 :柵絕緣層7:源漏電極層8 :鈍化層9 :半導(dǎo)體層10 :第一輔助層11 :陣列基板12 :對置基板121 :對置基板的部分基板
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖5所示，為本發(fā)明的實(shí)施例的陣列基板的俯視圖，該陣列基板包括外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線2;所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線2之間設(shè)有承托結(jié)構(gòu)3，其中，所述承托結(jié)構(gòu)3的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線2所在層。其中，外圍電路位于陣列基板的像素區(qū)域I顯示區(qū)域的邊緣。本實(shí)施例通過在外圍電路的數(shù)據(jù)線引線2之間的空白處，增加比數(shù)據(jù)線引線2所在層更高的承托結(jié)構(gòu)3，切下的對置基板(例如彩膜基板)的部分基板121 (如圖4所示)由于本承托結(jié)構(gòu)3的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線(即SD引線)。其中，本發(fā)明的上述陣列基板的承托結(jié)構(gòu)具體可以是層狀結(jié)構(gòu)，也可以是一整塊的結(jié)構(gòu)；其中，當(dāng)承托結(jié)構(gòu)是層狀結(jié)構(gòu)時(shí)，可以在陣列基板的制作過程中同時(shí)形成，從而不增加新的工藝步驟。具體的，如圖6所示，為本發(fā)明的陣列基板的層狀承托結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例示意圖；其中，所述承托結(jié)構(gòu)3包括位于所述數(shù)據(jù)線引線2之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板4 ;位于所述襯底基板4上的柵線層5 ;位于所述柵線層5上的柵絕緣層6 ;位于所述柵絕緣層6上的半導(dǎo)體層9，進(jìn)一步的，在半導(dǎo)體層9處于同一層還可以具有摻雜半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層9上的源漏電極層7 ;位于所述源漏電極層7上的鈍化層8。具體制作時(shí)，在襯底基板4上正常進(jìn)行柵線層5的構(gòu)圖，并在需要支撐的區(qū)域，即承托結(jié)構(gòu)3所在的區(qū)域，保留部分柵線層金屬； 正常進(jìn)行柵絕緣層6、半導(dǎo)體層9、摻雜半導(dǎo)體層和源漏電極層7的成膜，除承托結(jié)構(gòu)3處外，按照正常工藝進(jìn)行，在承托結(jié)構(gòu)3處保留所有薄膜。正常工藝即在制作陣列基板的非外圍電路區(qū)域時(shí)的構(gòu)圖工藝，例如通過構(gòu)圖工藝制作陣列基板的薄膜晶體管的柵極絕緣層。所述構(gòu)圖工藝包括制作圖形的掩膜、曝光、顯影、光刻，刻蝕等過程。舉例來說，采用構(gòu)圖工藝在基板上形成柵電極，具體為首先在基板上沉積柵電極層，然后涂布光刻膠，利用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光和顯影處理來形成光刻膠圖案，接著利用該光刻膠圖案作為蝕刻掩模，通過刻蝕等工藝去除相應(yīng)的電極層，并且去除剩余的光刻膠，最終在基板上形成柵電極圖形。正常進(jìn)行鈍化層過孔工藝和透明導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)工藝，從而使數(shù)據(jù)線引線2之間的空隙對應(yīng)位置處，即承托結(jié)構(gòu)所在處，保留了各層金屬或者絕緣層，最后形成如圖6所示的承托結(jié)構(gòu)3，且該承托結(jié)構(gòu)3高于數(shù)據(jù)線引線2所在層(即源漏電極所在層，其中，數(shù)據(jù)線與源電極連接，數(shù)據(jù)線引線2是數(shù)據(jù)線延伸至外圍電路中的部分)；切下的對置基板的部分基板121 (如圖4所示)由于本承托結(jié)構(gòu)3的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，與數(shù)據(jù)線引線2還具有一定的空隙或者距離，因此，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線(即SD引線)。如圖7所示，為本發(fā)明的陣列基板的層狀承托結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例示意圖；其中，所述承托結(jié)構(gòu)3包括位于所述數(shù)據(jù)線引線2之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板4 ;位于所述襯底基板4上的第一輔助層10 (例如透明電極)；位于所述第一輔助層上的柵線層5 ;位于所述柵線層5上的柵絕緣層6 ;位于所述柵絕緣層6上的半導(dǎo)體層9，進(jìn)一步的，在半導(dǎo)體層9處于同一層還可以具有摻雜半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層9上的源漏電極層7 ;位于所述源漏電極層7上的鈍化層8。其中，第一輔助層10可以是輔助電極層，在形成柵線層5時(shí)，先形成輔助電極層，即采用透明導(dǎo)電層10，可以是ΙΤ0、銦鋅氧化物、IZO或者為其他透明金屬氧化物制作；為了節(jié)省工藝，可以在制作陣列基板的薄膜晶體管的柵電極時(shí)，同層制作該承托結(jié)構(gòu)的柵線層；進(jìn)一步的，為了節(jié)省工藝，可以在制作陣列基板的公共電極或像素電極時(shí)，在位于所述數(shù)據(jù)線引線2之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板上，保留該透明導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)，作為該承托結(jié)構(gòu)的第一輔助層；或者當(dāng)柵極層為金屬電極時(shí)，例如采用Cu制作時(shí)，為了增加Cu和玻璃的附著力，首先在襯底基板4上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法，形成一層覆蓋整個(gè)基板的緩沖層，該緩沖層可以是由鑰Mo、鈦Ti、Mo合金、Ti合金、Cu合金等金屬形成，其厚度約為5(Γ800人；該緩沖層可以替代該透明導(dǎo)電層，作為該承托結(jié)構(gòu)的第一輔助層10。該實(shí)施例與上述圖6所示的實(shí)施例的區(qū)別是在承托結(jié)構(gòu)3的下方保留透明導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)輔助層，在第一次透明導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)曝光進(jìn)行時(shí)，在承托結(jié)構(gòu)3所在區(qū)域保留光刻膠，最終保留下透明導(dǎo)電層(例如ΙΤ0)膜層，后續(xù)工藝流程與上述圖6中所示方案
一致；該實(shí)施例中，同樣由于該承托結(jié)構(gòu)3的頂面高于數(shù)據(jù)線引線2所在層(即源漏電極所在層，切下的對置基板的部分基板121 (如圖4所示)由于本承托結(jié)構(gòu)3的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，與數(shù)據(jù)線引線2還具有一定的空隙或者距離，因此，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線(即SD引線)。
如圖8所示，為本發(fā)明的陣列基板的承托結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例示意圖；其中，所述承托結(jié)構(gòu)3包括位于所述數(shù)據(jù)線引線2之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板4 ;位于所述襯底基板4上的柵絕緣層6 ;位于所述柵絕緣層6的鈍化層8。制作時(shí)，在襯底基板4上正常進(jìn)行柵線層5、柵絕緣層6、半導(dǎo)體層9、摻雜半導(dǎo)體層和源漏電極層7的制作，但刻蝕掉柵線層5、半導(dǎo)體層9、摻雜半導(dǎo)體層和源漏電極層7等，承托結(jié)構(gòu)3處外保留鈍化層8，且鈍化層8比設(shè)計(jì)厚度多沉積一定的厚度。除了過孔和承托結(jié)構(gòu)3處外的區(qū)域采用普通掩膜板(例如半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板)進(jìn)行曝光，通過刻蝕過程形成過孔同時(shí)把除了承托結(jié)構(gòu)3外的區(qū)域減薄至設(shè)計(jì)厚度，通過這種方法形成臺階(如圖8所示的承托結(jié)構(gòu)高于數(shù)據(jù)線引線所在層的部分形成的臺階)從而使切下的對置基板的部分基板121由于本承托結(jié)構(gòu)3的支撐作用，在整個(gè)面板移動(dòng)的過程中，與數(shù)據(jù)線引線2還具有一定的空隙或者距離，因此，不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線(即SD引線)。本發(fā)明的上述實(shí)施例中，說明了各種制作工藝形成的承托結(jié)構(gòu)，需要說明的是，本發(fā)明的上述實(shí)施例中的承托結(jié)構(gòu)形狀并無特殊要求，但承托結(jié)構(gòu)的面積越大，對于保護(hù)SD引線的作用越有利。如該承托結(jié)構(gòu)還可以是將數(shù)據(jù)線引線之間的空白處單獨(dú)制作的一塊凸起結(jié)構(gòu)，凸起結(jié)構(gòu)用于支撐的表面為非金屬材料制作；各種可以起到支撐切割掉的部分基板121 (如圖4所示)的支撐結(jié)構(gòu)均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明的上述實(shí)施例通過在數(shù)據(jù)線引線之間的空白區(qū)域，增加比引線所在層更高的承托結(jié)構(gòu)，切割下來的部分基板利用承托結(jié)構(gòu)的支撐左右，保證與引線有一定的間隙，減少移動(dòng)時(shí)因震動(dòng)而造成的SD引線損傷。另外，由于承托結(jié)構(gòu)處于外圍電路區(qū)域，并且與有效電路部分并無連接，因此對TFT - IXD的顯示效果與開口率等并無影響。另外，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種陣列基板的制作方法，在制作時(shí)，同時(shí)形成如上述實(shí)施例中所述的承托結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的實(shí)施例陣列基板的制作方法，包括形成外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線；在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。其中，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)的步驟包括
在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)。其中，如圖6所示，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；
在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例中，承托結(jié)構(gòu)3所在的區(qū)域，保留部分柵線層金屬、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層以及鈍化層，從而使得承托結(jié)構(gòu)的頂面高于數(shù)據(jù)線引線所在層，從而可以支撐切割下來的部分對置基板，保證與引線有一定的間隙，減少移動(dòng)時(shí)因震動(dòng)而造成的SD引線損傷。如圖7所示，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成第一氧化銦錫輔助層；在所述第一氧化銦錫輔助層上形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例中，承托結(jié)構(gòu)3所在的區(qū)域，保留部分第一氧化銦錫ΙΤ0、柵線層金屬、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏電極層以及鈍化層，從而使得承托結(jié)構(gòu)的頂面高于數(shù)據(jù)線引線所在層，從而可以支撐切割下來的部分對置基板，保證與引線有一定的間隙，減少移動(dòng)時(shí)因震動(dòng)而造成的SD引線損傷。如圖8所示，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。該實(shí)施例中，承托結(jié)構(gòu)3所在的區(qū)域，保留柵絕緣層以及鈍化層，從而使得承托結(jié)構(gòu)的頂面高于數(shù)據(jù)線引線所在層，從而可以支撐切割下來的部分對置基板，保證與引線有一定的間隙，減少移動(dòng)時(shí)因震動(dòng)而造成的SD引線損傷。
本發(fā)明的上述陣列基板的制作方法，同樣可以形成比數(shù)據(jù)線引線所在層更高的承托結(jié)構(gòu)，切割下來的部分對置基板利用承托結(jié)構(gòu)的支撐左右，保證與引線有一定的間隙，減少移動(dòng)時(shí)因震動(dòng)而造成的SD引線損傷。本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種包括上述任一陣列基板的實(shí)施例的顯示裝置。且也具有減少SD引線損傷的有益效果。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。顯示裝置的一個(gè)示例為液晶顯示裝置，其中，陣列基板與對置基板彼此對置以形成液晶盒，在液晶盒中填充有液晶材料。該對置基板例如為彩膜基板。陣列基板的每個(gè)像素單元的像素電極用于施加電場對液晶材料的旋轉(zhuǎn)的程度進(jìn)行控制從而進(jìn)行顯示操作。在一些示例中，該液晶顯示器還包括為陣列基板提供背光的背光源。以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員·來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線； 其特征在于，所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間設(shè)有承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述承托結(jié)構(gòu)為分層結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述承托結(jié)構(gòu)包括位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的柵線層；位于所述柵線層上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的源漏電極層；位于所述源漏電極層上的鈍化層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述承托結(jié)構(gòu)包括位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的第一輔助層；位于所述第一輔助層上的柵線層；位于所述柵線層上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的半導(dǎo)體層；位于所述半導(dǎo)體層上的源漏電極層；位于所述源漏電極層上的鈍化層。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述承托結(jié)構(gòu)包括位于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙對應(yīng)位置處的襯底基板；位于所述襯底基板上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層的鈍化層。
6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板。
7.—種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括形成外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線；在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成承托結(jié)構(gòu)的步驟包括在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成第一輔助層；在所述第一輔助層上形成柵線層；在所述柵線層上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層；在所述半導(dǎo)體層上形成源漏電極層；在所述源漏電極層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板的制作方法，其特征在于，在所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間形成層狀的承托結(jié)構(gòu)的步驟包括提供一襯底基板；在所述襯底基板的對應(yīng)于所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成鈍化層，得到所述數(shù)據(jù)線引線之間的空隙位置處的所述層狀的承托結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其中，陣列基板包括外圍電路，所述外圍電路中具有多個(gè)間隔排列的數(shù)據(jù)線引線；所述間隔排列的數(shù)據(jù)線引線之間設(shè)有承托結(jié)構(gòu)，所述承托結(jié)構(gòu)的頂面高于所述數(shù)據(jù)線引線所在層。本發(fā)明的方案不會(huì)損傷數(shù)據(jù)線引線。
文檔編號G02F1/1362GK102929053SQ20121043631
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者李偉, 李正勛 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司