專利名稱：像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的薄膜晶體管液晶顯示器的生產(chǎn)條件下，在柵線(Gate Line)和數(shù)據(jù)線(Data Line)的交叉部位經(jīng)常會發(fā)生靜電擊穿，從而導(dǎo)致產(chǎn)生數(shù)據(jù)線和柵線短路不良(Data-Gate Short,簡稱DGS不良)。同理，在公共電極線(Common Line)和數(shù)據(jù)線(DataLine)的交叉部位也經(jīng)常會發(fā)生靜電擊穿，從而導(dǎo)致產(chǎn)生公共電極線和數(shù)據(jù)線短路不良 (Data-Common Short,簡稱DCS 不良)如圖I所示，為一種像素的柵線與信號線交叉區(qū)結(jié)構(gòu)的截面示意圖(截面沿信號線方向)。從圖中可以看出，該像素結(jié)構(gòu)中，在基板11和第二保護(hù)層12之間的層結(jié)構(gòu)中，布設(shè)有數(shù)據(jù)線13和柵線14。在數(shù)據(jù)線13和柵線14交叉位置會形成寄生電容。當(dāng)該寄生電容發(fā)生靜電擊穿時，會導(dǎo)致DGS不良。當(dāng)然，對于陣列基板上的其他會產(chǎn)生交叉的信號傳輸線之間也存在上述由靜電釋放(Electro-Static discharge,簡稱ESD)而導(dǎo)致的短路問題,如公共電極線和數(shù)據(jù)線之間、維修線和數(shù)據(jù)線/柵線之間都存在上述現(xiàn)象。對于DGS等由ESD造成的線不良，通用的方法都是在設(shè)備上尋找產(chǎn)生靜電的原因，現(xiàn)有技術(shù)中會通過降低滾輪的傳輸速度、增加防靜電液的使用以及增加除靜電離子槍以及降低干法刻蝕(Dry Etch)中的輸入功率等方法去解決，但這些都無法完全消除靜電，導(dǎo)致DGS、DCS等由ESD引起的線不良的風(fēng)險一直存在。因此，現(xiàn)有技術(shù)的像素結(jié)構(gòu)至少存在針對上述容易發(fā)生靜電擊穿的寄生電容部分沒有提供任何保護(hù)措施，一旦被擊穿便難以完全修復(fù)，即使采取現(xiàn)有修復(fù)手段，也只能將該線不良修復(fù)成為點象素不良，從而會影響產(chǎn)品質(zhì)量和良品率的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及液晶顯示裝置，保護(hù)交叉的信號傳輸線之間的寄生電容不被擊穿。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)，包括多個功能層，且所述多個功能層中包括交叉設(shè)置于不同層的第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的交叉處形成有寄生電容，所述像素結(jié)構(gòu)還包括至少一個與所述寄生電容并聯(lián)的保護(hù)電容，所述保護(hù)電容設(shè)置于所述多個功能層中的一個能夠?qū)щ姷墓δ軐由?，且所述保護(hù)電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述第一信號傳輸線為柵線或公共電極線，所述第二信號傳輸線為數(shù)據(jù)線。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述像素結(jié)構(gòu)中還包括像素電極，所述保護(hù)電容的兩個電極與像素電極位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極通過第一過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第二過孔與所述柵線電連接。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述柵線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與柵線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第三過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述數(shù)據(jù)線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第四過孔與所述柵線電連接。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述像素結(jié)構(gòu)包括透明公共電極，所述保護(hù)電容的兩個電極與該像素結(jié)構(gòu)中ITO公共電極層位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極通過第五過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極直接與所述柵線電連接?！ど鲜龅南袼亟Y(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)電容的數(shù)量可為多個，所述多個保護(hù)電容的擊穿電壓不同。上述的像素結(jié)構(gòu)，其中，所述保護(hù)電容通過切斷維修部而斷開與第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線連接，所述切斷維修部用于在維修時斷開，以切斷所述保護(hù)電容與所述第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的電連接。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板，所述陣列基板上設(shè)置有上述的像素結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例還提供了一種液晶顯示裝置，包括上述的陣列基板。本發(fā)明實施例具有如下優(yōu)點中的至少一個針對陣列基板上的由于ESD引起的不良(如柵線和數(shù)據(jù)線處發(fā)生的DGS不良，公共電極線和數(shù)據(jù)線處發(fā)生的DCS不良，維修線和柵線/數(shù)據(jù)線處發(fā)生的靜電釋放導(dǎo)致短路不良等)，本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中，在陣列基板的某一導(dǎo)電的功能層形成一個平面保護(hù)電容(該平面保護(hù)電容器可以在像素電極膜層，源漏金屬層，柵金屬層或ITO公共電極層中設(shè)置均可)，使該保護(hù)電容與信號傳輸線交叉區(qū)域的寄生電容并聯(lián)，通過對保護(hù)電容器參數(shù)設(shè)計使保護(hù)電容的擊穿電壓小于寄生電容的擊穿電壓，從而實現(xiàn)對寄生電容的保護(hù)，防止出現(xiàn)TFT器件上的信號傳輸線短路導(dǎo)致的器件失效或無法修復(fù)。本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中，預(yù)留了修復(fù)點實現(xiàn)對保護(hù)電容的維修當(dāng)在該保護(hù)電容形成后，可以實現(xiàn)保護(hù)電容形成之后對于DGS-ESD或DCS-ESD等問題的保護(hù)。靜電積累到超出保護(hù)電容器承受能力時，保護(hù)電容首先被擊穿后釋放了靜電，之后通過維修點切除保護(hù)電容器，即可恢復(fù)對于器件的電路的功能。


圖I表示現(xiàn)有的一種像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2表不本發(fā)明實施例的保護(hù)電容和寄生電容的等效電路不意圖；圖3表示本發(fā)明實施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4表示本發(fā)明實施例的另一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5表示本發(fā)明實施例的再一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖6表示本發(fā)明實施例的又一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實施例方式本發(fā)明實施例的像素結(jié) 構(gòu)、陣列基板及液晶顯示裝置中，通過在陣列基板的某一個導(dǎo)電功能層上設(shè)置至少一個與所述寄生電容并聯(lián)的保護(hù)電容，使得所述保護(hù)電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓，利用該保護(hù)電容實現(xiàn)對寄生電容的保護(hù)。本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)，用于薄膜晶體管液晶顯示器的陣列基板，該陣列基板上設(shè)置有多個功能層，且所述多個功能層中包括交叉設(shè)置于不同層的第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的交叉處形成有寄生電容，所述像素結(jié)構(gòu)還包括至少一個與所述寄生電容并聯(lián)的保護(hù)電容，所述保護(hù)電容設(shè)置于多個功能層中的一個能夠?qū)щ姷墓δ軐由?，且所述保護(hù)電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓。上述的寄生電容和保護(hù)電容的等效電路示意圖如圖2所示，其中保護(hù)電容Cl與寄生電容C2并聯(lián)設(shè)置，即電容Cl和C2兩端的電壓V是一致的，而由于保護(hù)電容的擊穿電壓Vl大于器件正常工作時工作電壓，同時Vl小于所述寄生電容C2的擊穿電壓V2，故在沒有靜電時，器件正常工作。而當(dāng)靜電發(fā)生時，靜電會引起電壓V升高，當(dāng)V達(dá)到Vl及其以上值時，由于保護(hù)電容Cl的擊穿電壓Vl小于寄生電容C2擊穿電壓V2，保護(hù)電容相對寄生電容較薄弱，故會首先被擊穿，進(jìn)而釋放靜電，從而寄生電容得到了保護(hù)，器件電路也得到了保護(hù)。而被擊穿后的保護(hù)電容可以通過激光切割等方法進(jìn)行維修，斷開其與第一信號傳輸線或第二信號傳輸線之間的電連接即可實現(xiàn)發(fā)生ESD而發(fā)生短路不良的器件功能的恢復(fù)。在本發(fā)明的具體實施例中，該保護(hù)電容設(shè)置于陣列基板的其中一個能夠?qū)щ姷墓δ軐由?，因此，該保護(hù)電容的兩個電極是在平行于陣列基板的方向上相對設(shè)置，而不是像寄生電容那樣兩個電極在垂直于陣列基板的方向上相對設(shè)置，通過這種方式來設(shè)置保護(hù)電容相對簡單，容易調(diào)整保護(hù)電容參數(shù)使得其擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓，這將在后面進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)描述。在本發(fā)明的具體實施例中，該保護(hù)電容可以用于保護(hù)各種類型的寄生電容，如陣列基板上交叉的數(shù)據(jù)線與柵線之間的寄生電容，又如陣列基板上維修線與柵線/數(shù)據(jù)線之間的寄生電容，再如陣列基板上的公共電極線與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容等。在本發(fā)明的具體實施例中，只要寄生電容由交叉的信號傳輸線產(chǎn)生，則可以通過設(shè)置一個擊穿電壓相對較小的保護(hù)電容與該寄生電容并聯(lián)，來實現(xiàn)對該寄生電容進(jìn)行保護(hù)即可。在本發(fā)明的具體實施例中，該保護(hù)電容的位置并不具體限定，其可以位于陣列基板上的任意一個導(dǎo)電功能層，只需要在該功能層設(shè)置一個保護(hù)電容設(shè)置區(qū)域，然后將該保護(hù)電容的兩極分別與產(chǎn)生寄生電容的信號傳輸線對應(yīng)電連接即可，這些都是現(xiàn)有的工藝流程可以做到的。下面均以信號傳輸線為數(shù)據(jù)線和柵線為例對幾種保護(hù)電容的位置進(jìn)行詳細(xì)說明。<實現(xiàn)方式一 >
在實現(xiàn)方式一中，所述像素結(jié)構(gòu)中還包括像素電極，保護(hù)電容的兩個電極與像素電極位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極通過第一過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第二過孔與所述柵線電連接。在此預(yù)先說明如下I、在本發(fā)明實施例的同一張附圖中，具有相同填充的結(jié)構(gòu)單元(如圖3中的3021、3022和301)表不位于相同的層。 2、本發(fā)明實施例的附圖中僅示出與保護(hù)電容相關(guān)的結(jié)構(gòu)，而省略了對其他結(jié)構(gòu)的圖示，因此并不代表面板的實際結(jié)構(gòu)。3、本發(fā)明實施例的附圖中的結(jié)構(gòu)單元的形狀、尺寸等僅僅是示意，并不表示實際 情況。如圖3所示，本發(fā)明實施例的一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖，其中，該保護(hù)電容302與像素電極301位于同一層，其中保護(hù)電容302的一個電極3022通過一個過孔與數(shù)據(jù)線13電連接，而另一個電極3021通過一個過孔與所述柵線14電連接。如圖3所示，在實現(xiàn)方式一中，由于像素電極、柵線和數(shù)據(jù)線位于不同的層(根據(jù)不同的液晶顯示器類型，相對位置關(guān)系可能有所變化，但均位于不同的層)，因此，需要通過過孔來連接電容的電極和柵線/數(shù)據(jù)線。這種方式下，與已有的像素結(jié)構(gòu)的區(qū)別僅在于，需要將柵線和數(shù)據(jù)線進(jìn)行一定的延伸，以保證能夠在柵線和數(shù)據(jù)線的延伸部的上方形成保護(hù)電容的電極，進(jìn)而能夠?qū)崿F(xiàn)過孔電連接。而在像素電極這一層，也僅僅是多了兩個電極。因此，相對于現(xiàn)有技術(shù)的面板制作工藝，其不需要增加工藝過程，而只需要改變Mask的結(jié)構(gòu)，以便形成如圖3所示的數(shù)據(jù)線結(jié)構(gòu)、柵線結(jié)構(gòu)和像素電極層結(jié)構(gòu)。由于不需要改變現(xiàn)有技術(shù)的工藝流程，而可以預(yù)先設(shè)計保護(hù)電容的位置參數(shù)、電極距離參數(shù)、電極大小參數(shù)等，因此設(shè)計方式非常靈活。同時，通過過孔來連接不同層的導(dǎo)電體完全屬于現(xiàn)有技術(shù)的范疇，在此不作進(jìn)一步詳細(xì)描述。這種方式下，以ADS (或稱 AD-SDS, ADvanced Super Dimension Switch,高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù))陣列基板為例對該陣列基板的工藝過程為例。其中，ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-IXD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋(pushMura)等優(yōu)點。具體到ADS陣列基板，需要改變的是在沉積柵金屬薄膜后，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成柵電極和柵線時，需要保證柵線具有一延伸部，其他均相同； 而在沉積源漏金屬薄膜，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極以及數(shù)據(jù)線的圖形時，需要改變掩模板的形狀，保證數(shù)據(jù)線具有一延伸部，其他均相同；在形成鈍化層之后，要在現(xiàn)有的過孔工藝中增加兩個過孔柵線延伸部和數(shù)據(jù)線延伸部的上方的過孔。
而在沉積透明導(dǎo)電膜層，通過構(gòu)圖工藝形成像素電極的過程中，需要預(yù)先設(shè)計像素電極形狀，以保留一定的區(qū)域來形成保護(hù)電容，當(dāng)然，應(yīng)該保證形成的保護(hù)電容與像素電極分離，且該保護(hù)電容的兩個電極通過兩個過孔分別與柵線延伸部和數(shù)據(jù)線延伸部電連接。上述的過程并沒有改變工藝流程，只不過在流程過程中進(jìn)行形狀的改變，或者過孔數(shù)量的改變，實現(xiàn)簡單。<實現(xiàn)方式二 >在實現(xiàn)方式二中，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述柵線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與柵線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第三過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
如圖4所示，本發(fā)明實施例的另一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖，可以發(fā)現(xiàn)，其與圖3所示的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，所述電極3021和3022的填充不同，也就是說，所述保護(hù)電容302的位置發(fā)生了變化，其中，所述保護(hù)電容302與柵線14位于同一層，其中保護(hù)電容302的一個電極3022通過一個過孔與數(shù)據(jù)線13電連接，而另一個電極3021直接與所述柵線14電連接。這種方式下，相對于實現(xiàn)方式一而言，從工藝流程上看，該保護(hù)電容的形成相對較早，因此，保護(hù)電容也能夠更早的發(fā)揮作用。這種方式下，以ADS陣列基板為例，該陣列基板的工藝過程中，需要改變的是在沉積柵金屬薄膜后，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成柵電極和柵線時，同時形成保護(hù)電容，該保護(hù)電容的一個電極與柵線連接；在形成柵絕緣及有源層薄膜之后，需要在保護(hù)電容與信號線相連的另一個電極的位置形成過孔；在沉積源漏金屬薄膜，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極以及數(shù)據(jù)線的圖形時，需要改變掩模板的形狀，保證數(shù)據(jù)線通過過孔與位于柵金屬層的保護(hù)電容的另一個電極電連接。<實現(xiàn)方式三>在實現(xiàn)方式三中，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述數(shù)據(jù)線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第四過孔與所述柵線電連接。如圖5所示，本發(fā)明實施例的另一種像素結(jié)構(gòu)的示意圖，可以發(fā)現(xiàn)，其與圖3所示的結(jié)構(gòu)的區(qū)別在于，所述電極3021和3022的填充不同，也就是說，所述保護(hù)電容302的位置發(fā)生了變化，其中，所述保護(hù)電容302與數(shù)據(jù)線13位于同一層，其中保護(hù)電容302的一個電極3021通過一個過孔與柵線14電連接，而另一個電極3022直接與所述數(shù)據(jù)線13電連接。這種方式下，相對于實現(xiàn)方式一而言，從工藝流程上看，該保護(hù)電容的形成相對較早，因此，保護(hù)電容也能夠更早的發(fā)揮作用。這種方式下，以ADS陣列基板為例對該陣列基板的工藝過程為例，需要改變的是在沉積柵金屬薄膜后，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成柵電極和柵線時，需要保證柵線具有一延伸部，其他均相同；在形成柵絕緣層與有源層薄膜之后，需要形成一過孔，該過孔與柵線的延伸部連接;在沉積源漏金屬薄膜，采用掩模板通過構(gòu)圖工藝形成源漏電極以及數(shù)據(jù)線的圖形時，同時形成保護(hù)電容，該保護(hù)電容的一個電極直接與數(shù)據(jù)線連接，而另一個電極通過過孔與柵線延伸部電連接?！磳崿F(xiàn)方式四〉以上的三種實現(xiàn)方式均可以對扭曲向列技術(shù)TN(Twisted Nematic,簡稱TN)模式及ADS模式同時實現(xiàn)保護(hù)，但對于ADS模式，由于器件本身的設(shè)置，存在兩個ITO膜層(其中像素電極所在的膜層為第二 ITO膜層)，因此，對于ADS模式的像素結(jié)構(gòu)，還可以在第一層ITO膜層做一個保護(hù)電容器，保護(hù)電容器的一個電極連接?xùn)啪€，而另外一個電極利用第五過孔連接數(shù)據(jù)線。上述實現(xiàn)方式四的實現(xiàn)方式與前面三種實現(xiàn)方式并沒有本質(zhì)區(qū)別，在此不再進(jìn)一 步詳細(xì)描述。以上列舉了本發(fā)明實施例的保護(hù)電容的幾種可能的實現(xiàn)方式，但應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明實施例的保護(hù)電容并不局限于以上的位置設(shè)計，只要其位于某一層，然后能夠與柵線和數(shù)據(jù)線連接即可。在本發(fā)明的具體實施例中，保護(hù)電容的位置相對比較自由，而且也容易通過設(shè)計保護(hù)電容的電極間距離、電極相對面積大小等因素來保證其擊穿電壓小于寄生電容的擊穿電壓，以實現(xiàn)對寄生電容的保護(hù)。在本發(fā)明的具體實施例中，該保護(hù)電容可以設(shè)計成平行電容器，環(huán)形電容器，U型電容器或者其他形狀的電容器。在本發(fā)明的具體實施例中，一個像素結(jié)構(gòu)中可能存在多處的寄生電容，而且由于設(shè)計與工藝問題，該多處寄生電容的膜層可能不同，故形成電容的擊穿電壓不同，這種情況下，可以設(shè)置多個保護(hù)電容來對應(yīng)該多處存在的寄生電容，而當(dāng)多處寄生電容本身就是并聯(lián)的情況下，本發(fā)明實施例的所述保護(hù)電容的數(shù)量為多個，所述多個保護(hù)電容的擊穿電壓不同，以形成階梯保護(hù)。所述的多個保護(hù)電容可以位于同一層，也可以位于不同的層，在此并不限定。以下對上述的階梯保護(hù)的結(jié)構(gòu)詳細(xì)說明如下。如圖6所示，數(shù)據(jù)線13和柵線14形成了兩個寄生電容303和304，假定兩個寄生電容的擊穿電壓分別為Vl和V2，而基于本發(fā)明實施例的方法也形成了兩個保護(hù)電容302和305，且保護(hù)電容302和305的擊穿電壓分別為V3和V4，其中V3 < Vl < V4 < V2。 假定只有一個保護(hù)電容302，則保護(hù)電容302正常時，其可以同時保護(hù)寄生電容303和304，但一旦電壓達(dá)到V3時，保護(hù)電容被擊穿后，就無法保護(hù)寄生電容了。而基于圖6所示的結(jié)構(gòu)，當(dāng)保護(hù)電容302被擊穿后，剩余的正常工作的保護(hù)電容305還能夠?qū)纳娙?04形成保護(hù)，減少了維修點的出現(xiàn)。當(dāng)然，上述的結(jié)構(gòu)中，也可以將兩個寄生電容303和304作為一個整體來看，利用兩個保護(hù)電容302和305進(jìn)行保護(hù)，此時，電壓之間的關(guān)系如下V3 < V4 < Vl < V2。當(dāng)然，也可以針對某一個寄生電容設(shè)置多個保護(hù)電容，以實現(xiàn)保護(hù)，結(jié)合圖6說明如下。假定只存在一個寄生電容303，而設(shè)計兩個保護(hù)電容302和305，此時可以對保護(hù)電容302和305的大小做計算并作出ESD擊穿風(fēng)險評估。進(jìn)而通過設(shè)計保護(hù)電容的樣式、尺寸參數(shù)等來保證保護(hù)電容302和305的擊穿電壓值均小于寄生電容303的擊穿電壓，當(dāng)保護(hù)電容的數(shù)量增加時，保證保護(hù)電容302的擊穿電壓值均小于寄生電容303的擊穿電壓即可。當(dāng)然，針對某一個寄生電容設(shè)置的多個保護(hù)電容的電壓可以相同，以實現(xiàn)保護(hù)的冗余備份。而所述多個保護(hù)電容的擊穿電壓也可以不同，以形成階梯保護(hù)。所述的多個保護(hù)電容可以位于同一層，也可以位于不同的層，在此并不限定。在本發(fā)明的具體實施例中，可以在每一個保護(hù)電容和第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的連接線上設(shè)置切斷維修點。當(dāng)保護(hù)電容被擊穿后，即可通過該切斷維修點，切斷保護(hù)電容和第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的電連接。也就是說，所述保護(hù)電容通過切斷維修部而斷開與第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線連接，所述切斷維修部用 于在維修時斷開，以切斷所述保護(hù)電容與所述第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的電連接。針對陣列基板上的由于ESD引起的DGS不良(如柵線和數(shù)據(jù)線處發(fā)生的DGS不良，公共電極線和數(shù)據(jù)線處發(fā)生的DCS不良，維修線和柵線/數(shù)據(jù)線處發(fā)生的短路不良等)，本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中，在陣列基板的某一層形成一個平面保護(hù)電容(其可以在像素電極膜層，柵金屬層或源漏金屬層或者ADS像素結(jié)構(gòu)中的第一層ITO膜層均可)，使該保護(hù)電容與信號傳輸線交叉區(qū)域的寄生電容并聯(lián)，通過對保護(hù)電容器參數(shù)設(shè)計使保護(hù)電容的擊穿電壓小于寄生電容的擊穿電壓，從而實現(xiàn)對寄生電容的保護(hù)，防止出現(xiàn)TFT器件上的信號傳輸線短路導(dǎo)致的器件失效或無法修復(fù)。本發(fā)明實施例的像素結(jié)構(gòu)中，預(yù)留了修復(fù)點實現(xiàn)對保護(hù)電容的維修當(dāng)在該保護(hù)電容形成后，可以實現(xiàn)對于保護(hù)電容形成之后對于DGS-ESD等的保護(hù)及維修等。靜電積累到超出保護(hù)電容器承受能力時，保護(hù)電容首先被擊穿后釋放了靜電，之后通過維修點切除保護(hù)電容器，即可恢復(fù)器件的電學(xué)功能。本發(fā)明實施例同時還提供一種陣列基板，所述陣列基板上包括上述描述的任意一種像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實施例同時還提供一種顯示裝置，包括上述的陣列基板。所述顯示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED (有機(jī)電致發(fā)光二極管)面板、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的像素結(jié)構(gòu)，包括多個能夠?qū)щ姷墓δ軐樱宜龆鄠€功能層中包括交叉設(shè)置于不同層的第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的交叉處形成有寄生電容，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)還包括至少一個與所述寄生電容并聯(lián)的保護(hù)電容，所述保護(hù)電容設(shè)置于所述多個功能層中的一個功能層上，且所述保護(hù)電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一信號傳輸線為柵線，所述第二信號傳輸線為數(shù)據(jù)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)中還包括像素電極，所述保護(hù)電容的兩個電極與像素電極位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極通過第一過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第二過孔與所述柵線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述柵線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與柵線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第三過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)電容的兩個電極與所述數(shù)據(jù)線位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極與數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極通過第四過孔與所述柵線電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素結(jié)構(gòu)包括透明公共電極，所述保護(hù)電容的兩個電極與公共電極位于同一層，所述保護(hù)電容的一個電極通過第五過孔與所述數(shù)據(jù)線電連接，所述保護(hù)電容的另一個電極與所述柵線電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任意一項所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)電容的數(shù)量為多個，所述多個保護(hù)電容的擊穿電壓不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求I中所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)電容通過切斷維修部而斷開與第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線連接，所述切斷維修部用于在維修時斷開， 以切斷所述保護(hù)電容與所述第一信號傳輸線和/或第二信號傳輸線的電連接。
9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板上包括權(quán)利要求1-8中任意一項所述的像素結(jié)構(gòu)。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及液晶顯示裝置，該像素結(jié)構(gòu)包括多個能夠?qū)щ姷墓δ軐樱宜龆鄠€功能層中包括交叉設(shè)置于不同層的第一信號傳輸線和第二信號傳輸線，所述第一信號傳輸線和第二信號傳輸線的交叉處形成有寄生電容，所述像素結(jié)構(gòu)還包括至少一個與所述寄生電容并聯(lián)的保護(hù)電容，所述保護(hù)電容設(shè)置于所述多個功能層中的一個功能層上，且所述保護(hù)電容的擊穿電壓小于所述寄生電容的擊穿電壓。本發(fā)明保護(hù)交叉的信號傳輸線之間的寄生電容不被擊穿。
文檔編號G02F1/1362GK102929055SQ20121043637
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月5日
發(fā)明者張明, 郝昭慧, 尹雄宣 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司