專利名稱：一種掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩模板。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，通過掩模板對涂覆有光刻膠的目標(biāo)基板進(jìn)行光刻形成一種光刻圖案，并對光刻圖案進(jìn)行刻蝕，實(shí)現(xiàn)將掩模板上的圖案轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上是非常重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。光刻過程是通過曝光機(jī)和具有狹縫狀透光區(qū)域的掩模板對涂覆有光刻膠的目標(biāo)基板進(jìn)行掩模曝光的過程。最終將掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域形成的圖案轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上，對目標(biāo)基板進(jìn)行刻蝕，得到目標(biāo)基板上一定寬度的狹縫狀圖形結(jié)構(gòu)。在微光刻領(lǐng)域，繪制到目標(biāo)基板上的圖形結(jié)構(gòu)多數(shù)是線狀，如電路線，由于半導(dǎo)體日漸趨于小型化，圖形的線寬最小化成為各廠家的追求目標(biāo)。但是由于曝光機(jī)曝光精度的制約，目前制作出的目標(biāo)基板上的最小線寬的圖案的寬度在3iim以上(大于3iim)，對應(yīng)的掩模板上狹縫狀透光區(qū)域的線寬為3-5 u m。對于尺寸較小的顯示產(chǎn)品，如手機(jī)，減小電路之間的距離或減小電路線的寬度，對提高產(chǎn)品的分辨率或者像素的開口率都是至關(guān)重要的。實(shí)現(xiàn)微米量級線寬的圖案在半導(dǎo)體領(lǐng)域非常常見。例如，薄膜晶體管TFT結(jié)構(gòu)的源極和漏極之間的距離(縫隙寬度)需設(shè)計(jì)在微米量級，或者某些電路線的線寬需要設(shè)計(jì)在微米量級。相應(yīng)地，掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣的距離也需設(shè)計(jì)在微米量級。但是由于曝光機(jī)曝光精度的限制，目前的曝光系統(tǒng)和相應(yīng)的掩模板，在保證光刻質(zhì)量的前提下，只能制作出目標(biāo)基板上的線寬為以上的圖案，無法得到線寬為及以下的圖案。以實(shí)現(xiàn)TFT源極和漏極之間的縫隙為例，源極和漏極之間的縫隙寬度越小越好，這樣有利于提高像素的開口率，進(jìn)而提高TFT的光學(xué)特性?，F(xiàn)有實(shí)現(xiàn)3 以上線寬圖案的掩模板如圖I所示，包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域，狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的設(shè)置為直線狀結(jié)構(gòu)。圖I中所述的透光區(qū)域的狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣之間的垂直距離為3 u m，得到的縫隙的線寬不小于3 u m。如果想要得到線寬更窄的縫隙，在曝光機(jī)的曝光光源一定的情況下，只能減小掩模板上狹縫狀透光區(qū)域的寬度。但是，目標(biāo)基板上的線狀圖案，是曝光機(jī)發(fā)出的光經(jīng)掩模板上狹縫狀透光區(qū)域發(fā)生衍射得到的衍射條紋圖案，該圖案為線狀圖案。光發(fā)生衍射的條件為縫隙(狹縫狀透光區(qū)域的寬度)的寬度和入射光(曝光機(jī)發(fā)出的光)的波長相當(dāng)或差不多。當(dāng)縫隙太小時(shí)，光線通過縫隙會(huì)發(fā)生光的散射現(xiàn)象而不是光的衍射現(xiàn)象，無法形成衍射圖案。即使能夠形成衍射圖案，由于目標(biāo)基板上的光刻膠接收到的光強(qiáng)太小，導(dǎo)致圖案光刻不完全，源極和漏極之間的導(dǎo)電膜層無法被徹底刻蝕掉，造成源極和漏極之間短路。因此，現(xiàn)有技術(shù)的掩模板無法實(shí)現(xiàn)線寬更窄的圖案
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩模板，用以通過該掩模板實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板上線寬更窄的圖形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的掩模板，包括狹縫狀透光區(qū)域和不透光區(qū)域，所述狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈凸起狀。較佳地,所述凸起狀為鋸齒狀或波浪狀。 較佳地，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰?fù)蛊鸩糠种g的距離相等，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰凹進(jìn)去部分之間的距離相等。較佳地，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角形，凹進(jìn)去部分的形狀為以凹進(jìn)去的角為頂角的等腰三角形；或狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角形，凹進(jìn)去的部分的形狀為與等腰三角形共腰的等腰梯形。較佳地，所述等腰三角形的頂角范圍為15°至75°。較佳地，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣鏡像對稱。較佳地，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凸起部分之間的距離相等；和/或所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離相等。較佳地，兩邊緣上任意相對凸起部分之間的距離在I m至3 U m之間，兩邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離為3 u m。較佳地，狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀或凹狀。較佳地，當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀時(shí)，凸起部分的形狀為直角三角形或直角梯形。較佳地，當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣的兩端為凹狀時(shí)，狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣的兩端相對凸起部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣中間相對凸起部分之間的距離；或者狹縫狀透光區(qū)域所有相對凸起部分之間的距離相等，狹縫狀透光區(qū)域邊緣兩端相對凹進(jìn)去部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域邊緣中間相對凹進(jìn)去部分之間的距離。通過本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板，在曝光參數(shù)不變的情況下，可以實(shí)現(xiàn)線寬為3 U m以下的圖形結(jié)構(gòu)。


圖I為現(xiàn)有實(shí)現(xiàn)線寬為3 ii m以上的縫隙結(jié)構(gòu)的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的鋸齒狀縫隙結(jié)構(gòu)的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的波浪狀的縫隙結(jié)構(gòu)的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的縫隙邊緣兩端為凸起狀的掩模板結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成寬度均勻的線狀圖案示意圖；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成寬度不均勻的線狀圖案示意圖；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的形成寬度為3 ii m以下的TFT結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的邊緣兩端為凹狀的掩|旲板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不意圖；圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種邊緣兩端為凹狀的掩模板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種邊緣兩端為凹狀的掩模板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實(shí)施例提供的邊緣兩端為凸起狀的掩模板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種邊緣兩端為凸起狀的掩模板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種掩模板結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例提供了一種掩模板，用以通過該掩模板實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板上線寬更窄的圖形結(jié)構(gòu)。 本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板用以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板上線寬可達(dá)3pm以下的圖形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩模板，主要實(shí)現(xiàn)狹縫狀的圖形結(jié)構(gòu)。相應(yīng)地，掩模板上的透光區(qū)域?yàn)楠M縫狀透光區(qū)域。不同于圖I所示的現(xiàn)有技術(shù)的狹縫狀透光區(qū)域。本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板的狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈凸起狀，具體地，凸起狀可以是鋸齒狀或者波浪狀。本發(fā)明所述邊緣特指狹縫的縫隙邊緣，也即圖I中所示的透光區(qū)域的長邊。這是因?yàn)?，本發(fā)明所述的掩模板狹縫的寬度在微米量級，約幾微米，但是狹縫的長度，也即掩模板的長度或?qū)挾葹槊琢考墸^大掩模板長度有幾米長。因此，狹縫的長寬比較大，無需將具有幾個(gè)微米長度的狹縫的短邊設(shè)置凹凸不平狀。下面簡單說明通過本發(fā)明實(shí)施例提供的上述掩模板實(shí)現(xiàn)更窄線寬的圖形結(jié)構(gòu)的原理。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域的兩個(gè)邊緣呈鋸齒狀，或者如圖3所示，本發(fā)明實(shí)施例掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域的兩個(gè)邊緣呈波浪狀。所述狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣的凸起部分可以降低照射到目標(biāo)基板上的曝光強(qiáng)度，減小通過掩模板形成在目標(biāo)基板上的縫隙的寬度。兩個(gè)邊緣的凹進(jìn)去部分，透光性較強(qiáng)，補(bǔ)償了凸起部分導(dǎo)致曝光強(qiáng)度降低的影響。從而使得狹縫狀透光區(qū)域的邊緣凹進(jìn)去部分在目標(biāo)基板上形成的縫隙的寬度小于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣相對凹進(jìn)去部分之間的寬度。通過該凸起狀邊緣的縫隙實(shí)現(xiàn)單縫衍射，并且單縫衍射后形成在目標(biāo)基板上的縫隙為寬度一致且寬度小于3 u m的縫隙。通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，本發(fā)明提供的掩模板，縫隙寬度最小可以達(dá)到lum，大大減小了形成在目標(biāo)基板上的圖形結(jié)構(gòu)的線寬，可以實(shí)現(xiàn)線寬更窄的圖形結(jié)構(gòu)。形成的圖形結(jié)構(gòu)或者縫隙的線寬，取決于狹縫狀透光區(qū)域邊緣的凸起部分的凸起程度。本發(fā)明當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣上任意相對凸起部分之間的最小距離為Iy m，兩個(gè)邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間最大的距離為3 y m時(shí)，可保證曝光得到正常的衍射條紋(狹縫結(jié)構(gòu))，即能夠滿足衍射條件，得到正常的且完全曝光的衍射條紋。所述完全曝光即曝光后的圖案可以完全被刻蝕掉或者保留。其中，如果目標(biāo)基板上涂覆正性光刻膠，掩模板轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上的狹縫狀圖案對應(yīng)的膜層被顯影液顯影掉，該區(qū)域可以是半導(dǎo)體電路中隔離導(dǎo)電層之間的絕緣區(qū)域。如果目標(biāo)基板上涂覆負(fù)性光刻膠，掩模板轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上的狹縫狀圖案對應(yīng)的膜層不會(huì)被顯影液顯影掉，其余區(qū)域會(huì)被顯影掉。因此，留下來的圖案對應(yīng)的膜層可以是具有一定寬度的導(dǎo)線。下面通過附圖具體說明本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案。參見圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板包括形成在基板上的狹縫狀透光區(qū)域和不透光區(qū)域，透光區(qū)域形成一定圖案；其中，狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣呈凸起狀，所述凸起狀可以為鋸齒狀或者波浪狀，或其它形狀。
較佳地，為了使得形成在目標(biāo)基板上的狹縫狀結(jié)構(gòu)或縫隙更加規(guī)則(縫隙的寬度均勻)，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣鏡像對稱。較佳地，為了進(jìn)一步使得形成在目標(biāo)基板上的狹縫狀結(jié)構(gòu)或縫隙更加規(guī)則，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰?fù)蛊鸩糠种g的距離相等，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰凹進(jìn)去部分之間的距離相等。較佳地，為了更進(jìn)一步使得形成在目標(biāo)基板上的狹縫狀結(jié)構(gòu)或縫隙更加規(guī)則，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凸起部分之間的距離相等；和/或所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離相等。為了實(shí)現(xiàn)線寬小于3 的均勻線寬的縫隙，兩邊緣上任意相對凸起部分之間的距離在I y m至3 U m之間，兩邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離為3 m。(圖2中所示的兩邊緣上任意相對凸起部分之間的距離為I U m，圖3所示的兩個(gè)邊緣上任意相對凸起部分之間的距離為2 Pm)。在兩邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間距離一定時(shí)，兩邊緣上任意相對凸起部分之間的距離越大，形成的縫隙寬度越寬(縫隙寬度仍然在3 y m以內(nèi))，兩邊緣上相對凸起部分之間的距離越小，形成的縫隙寬度越窄。通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，當(dāng)兩邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間相距a，兩個(gè)邊緣上任意相對凸起部分之間相距b，形成在目標(biāo)基板上的圖案的線寬大約為(a+b) /2。因此，當(dāng)a=3 ii m，b=l ii m時(shí)，形成在目標(biāo)基板上的圖案的線寬在2 y m左右。較佳地，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩個(gè)邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角形，凹進(jìn)去部分的形狀為以凹進(jìn)去的角為頂角的等腰三角形；或狹縫狀透光區(qū)域的兩個(gè)邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角形，凹進(jìn)去的部分的形狀為與等腰三角形共腰的等腰梯形。當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域邊緣呈鋸齒狀時(shí)，凸起部分和凹進(jìn)去部分的形狀為三角形，且狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣相對凹進(jìn)去部分之間的距離一定時(shí)，可以改變頂角(凸起部分對應(yīng)的角)的范圍，即改變兩個(gè)邊緣上相對凸起部分之間的距離，從而改變形成在目標(biāo)基板上的圖案的線寬。較佳地，所述三角形的頂角(凸起部分對應(yīng)的角)可以為15度至75度之間的任一值。如果想要得到較窄的縫隙，頂角應(yīng)該大一些，如果想要得到較寬的縫隙，頂角應(yīng)該小一些。同理，也可以改變狹縫狀邊緣的凸起部分的凸起程度，從而改變兩邊緣上相對凸起部分之間的距離。較佳地，掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀或凹狀，如圖4虛線內(nèi)所示為狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端呈凸起狀結(jié)構(gòu)?；蛘呙恳贿吘壍膬啥顺拾紶罱Y(jié)構(gòu)，如圖2或圖3中虛線內(nèi)所示的狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣的兩端的結(jié)構(gòu)。當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀時(shí)，凸起部分的形狀為直角三角形或直角梯形。當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀時(shí)，形成在目標(biāo)基板上的縫隙的線寬一致，如圖5所示。當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凹狀時(shí)，形成在目標(biāo)基板上的縫隙的線寬不一致(線寬不均勻)。如圖6所示，形成的縫隙的中間部分較窄，兩端部分較寬。這是因?yàn)?，?dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端設(shè)置為凹狀時(shí)，通過掩模板透光區(qū)域的中間區(qū)域曝光強(qiáng)度低于兩端部分的曝光區(qū)域的曝光強(qiáng)度，形成在目標(biāo)基板上的狹縫中間區(qū)域的寬度較邊緣小。當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端設(shè)置為凹狀時(shí)，為了避免形成如圖6所示的寬度不均勻的縫隙，可以將狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端附近的凸起部分設(shè)置的更陡 一些。即當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣的兩端為凹狀時(shí)，狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣的兩端相對凸起部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣中間相對凸起部分之間的距離；或者狹縫狀透光區(qū)域所有相對凸起部分之間的距離相等，狹縫狀透光區(qū)域邊緣兩端相對凹進(jìn)去部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域邊緣中間相對凹進(jìn)去部分之間的距離。這樣，狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的兩端附近的凸起部分起到更大的遮光作用，使得形成在目標(biāo)基板上的縫隙較窄，最終形成的整個(gè)縫隙的寬度一致，即形成如圖5所示的圖案。狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣上任意相對凸起部分之間的距離可設(shè)置為I. 5pm，兩個(gè)邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離可設(shè)置為2. 5 Pm。同樣可以形成目標(biāo)基板上寬度為2iim的縫隙。下面以制作TFT的源極和漏極之間的縫隙(即溝道區(qū)域)為例，結(jié)合

本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案。如圖7所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT的部分結(jié)構(gòu)示意圖。具體為，柵極上方形成有源層，有源層的上方形成有源極和漏極膜層。源極和漏極之間露出有源層的部分為源極和漏極之間的縫隙。源極和漏極之間的縫隙越窄，形成的TFT越小，TFT所在像素的開口率越大，產(chǎn)品的透光性越好。但是，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的縫隙的寬度最小化是業(yè)界內(nèi)的一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)。目前，源極和漏極之間的縫隙受曝光精度的影響，形成的縫隙一般在3 ii m-5 ii m之間。如果縫隙寬度減小I U m,可以大大提高產(chǎn)品的像素開口率,提升產(chǎn)品的競爭力。本發(fā)明采用如圖2所示的狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈鋸齒狀的掩模板，實(shí)現(xiàn)圖7中的TFT的源極和漏極之間的線寬為3 u m以下的縫隙。狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的鋸齒狀的凸起部分和凹進(jìn)去部分的截面呈三角形，較佳地為等腰三角形，與等腰三角形對應(yīng)的凹進(jìn)去部分可以使得形成在陣列基板上的源極和漏極之間的縫隙的寬度更加均勻。狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣所有的凸起部分對應(yīng)的三角形頂角相同，所有凹進(jìn)去部分對應(yīng)的三角形頂角相同，任一凸起部分對應(yīng)的三角形頂角和任一凹進(jìn)去部分對應(yīng)的三角形頂角相同。并且，兩個(gè)邊緣上所有相對凹進(jìn)去部分之間的距離相等，兩個(gè)邊緣上所有相對凸起部分的之間的距離相等。這樣的設(shè)計(jì)方式有利于形成寬度一致的縫隙。
如果兩個(gè)邊緣上有些相對凸起部分頂角較大，有些相對凸起部分頂角較小。頂角較大的凸起部分對應(yīng)的凹進(jìn)去區(qū)域的面積較大，通過該凹進(jìn)去部分對應(yīng)的縫隙的光線較強(qiáng)，形成在目標(biāo)基板上的圖案較寬。相應(yīng)地，頂角較小的凸起部分對應(yīng)的凹進(jìn)去區(qū)域的面積較小，通過該凹進(jìn)去部分對應(yīng)的縫隙的光線較弱，形成在目標(biāo)基板上的圖案較窄。如果形成在目標(biāo)基板上的圖案為金屬膜層的絕緣縫隙，當(dāng)金屬膜層的絕緣縫隙較窄，可能會(huì)導(dǎo)致縫隙兩側(cè)的金屬膜層導(dǎo)通，改變器件的結(jié)構(gòu)，造成不良。狹縫狀透光區(qū)域的兩個(gè)邊緣上相對凹進(jìn)去部分之間的透光區(qū)域使得足夠光強(qiáng)的光線透過；狹縫狀透光區(qū)域的鏡像對稱邊緣的凸起部分之間的透光區(qū)域一方面用于使得光線透過，另一方面還可以降低來自曝光機(jī)的曝光強(qiáng)度；狹縫狀透光區(qū)域邊緣鏡像對稱的凹進(jìn)去部分和凸起部分綜合作用，使得透過透光區(qū)域的曝光強(qiáng)度降低，形成的有效縫隙較窄，該有效縫隙為可以被完全刻蝕掉的區(qū)域，不會(huì)導(dǎo)致源極和漏極之間短路。當(dāng)兩個(gè)邊緣上相對凹進(jìn)去部分之間的距離確定，狹縫狀透光區(qū)域的鋸齒狀邊緣的凸起部分的頂角的大小決定鏡像對稱的凸起部分之間的距離。該凸起部分對應(yīng)的三角形頂角范圍為15度至75度。
如圖8所示為本發(fā)明實(shí)施例提供的邊緣兩端為凹狀的掩模板和TFT的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖。當(dāng)曝光機(jī)和本發(fā)明上述掩模板設(shè)置好之后，將事先準(zhǔn)備好的陣列基板放置于曝光室進(jìn)行掩模曝光工藝。該陣列基板為形成有柵極11和有源層(圖8中未示出)的基板，其中，有源層上方鍍有用以形成源極和漏極的導(dǎo)電膜層12，該導(dǎo)電膜層上涂覆有正性光刻膠。掩模板22放置于形成有導(dǎo)電膜層12的基板正上方。通過掩模曝光工藝，在正性光刻膠上形成一條2 u m線寬的縫隙，通過刻蝕工藝，將掩模板上的狹縫狀透光區(qū)域?qū)?yīng)的陣列基板上的區(qū)域刻蝕掉，形成如圖7所示的源極和漏極之間的縫隙。該縫隙為2 y m，每個(gè)TFT的源極和漏極之間的縫隙至少縮小I Pm，對于小屏幕高分辨率的顯示產(chǎn)品，像素的開口率將大大提聞。需要說明的是，當(dāng)需要刻蝕出2 左右的縫隙的導(dǎo)電條，就需要在導(dǎo)電膜層上涂覆負(fù)性光刻膠。其中，透光區(qū)域兩邊緣上相對凸起部分之間相距不限于為I Pm，兩邊緣上相對凹進(jìn)去部分之間相距不限于為3pm。例如，可設(shè)置兩邊緣上相對凸起部分之間相距為I. 5 um,兩邊緣上相對凹進(jìn)去部分之間相距為2. 5 m。本發(fā)明實(shí)施例狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端均設(shè)置為凹狀。也就是說，該狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端沒有用于擋光的凸起部分。這樣可能會(huì)使得狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的兩端透光的曝光強(qiáng)度較強(qiáng)，形成的縫隙中間細(xì)兩邊寬，導(dǎo)致源極和漏極的形狀也會(huì)不規(guī)則。為了解決狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凹狀，且兩邊緣上所有相對凸起部分之間的距離相等，導(dǎo)致形成的源極和漏極之間的縫隙寬度不同。本發(fā)明實(shí)施例提供另一種掩模板設(shè)計(jì)方式。具體地，和圖8所示的掩模板狹縫狀透光區(qū)域的邊緣設(shè)置方式不同之處在于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣的兩端相對凸起部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣中間相對凸起部分之間的距離，形成的圖形如圖9所示。狹縫狀透光區(qū)域所有相對凸起部分之間的距離相等，狹縫狀透光區(qū)域邊緣兩端相對凹進(jìn)去部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域邊緣中間相對凹進(jìn)去部分之間的距離，形成的圖形如圖10所示。
圖9或圖10所示的掩模板的透光區(qū)域的設(shè)計(jì)方式相對于圖8所示的掩模板設(shè)計(jì)方式，其形成的縫隙的兩端部分寬度較小，使得整個(gè)縫隙的寬度保持一致。為了解決圖8中，狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的兩端為凹狀，導(dǎo)致形成的源極和漏極之間的縫隙寬度不同。本發(fā)明實(shí)施例提供另一種掩模板設(shè)計(jì)方式。具體地，和圖8中的掩模板透光區(qū)域的設(shè)置方式不同之處在于狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的兩端為凸起狀。凸起部分可以是如圖11所示的一個(gè)直角三角形，或如圖12所示的直角梯形，與直角相對應(yīng)的邊設(shè)置在最外側(cè)。且直角三角形或直角梯形的斜邊的傾角和透光區(qū)域中間的三角形的傾角相同(該傾角非上述頂角 )。以上掩模板的透光區(qū)域的設(shè)計(jì)方式相對于圖8所示的掩模板設(shè)計(jì)方式，其形成的縫隙的兩端部分寬度較小，使得整個(gè)縫隙的寬度保持一致。并且，圖11或圖12相對于圖9或圖10所示的掩模板設(shè)計(jì)方式，其設(shè)計(jì)方案簡單。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板的設(shè)計(jì)方式，凹進(jìn)去的部分可以是等腰梯形狀，凸起的部分可以為等腰三角形，如圖13所示。通過該結(jié)構(gòu)同樣可以形成線寬為3 Pm以下的圖形結(jié)構(gòu)。圖13所示的掩模板實(shí)現(xiàn)3 iim以下的圖形結(jié)構(gòu)的原理同圖11和圖12所示的掩模板類似，這里不再贅述。本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板，其制作過程和現(xiàn)有制作掩模板的過程相同。例如可以通過如下步驟方式實(shí)現(xiàn)。步驟一、在玻璃基板的表面蒸鍍一層金屬鉻膜層。步驟二、金屬鉻膜層上成像，形成上述狹縫狀透光區(qū)域?qū)?yīng)的圖案。掩模板的金屬鉻膜層上形成上述的具有鋸齒狀結(jié)構(gòu)的狹縫狀透光區(qū)域的邊緣。具體可以使用電子束在金屬鉻膜層上形成狹縫狀透光區(qū)域?qū)?yīng)的圖案的像。步驟三、圖案的形成?？梢酝ㄟ^刻蝕工藝將透光區(qū)域?qū)?yīng)的鉻膜層刻蝕掉，使該區(qū)域成為狹縫狀透光區(qū)域。需要說明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板的設(shè)計(jì)方式，可以實(shí)現(xiàn)任何寬度為3pm以下的圖形結(jié)構(gòu)，尤其是在半導(dǎo)體制作工藝技術(shù)領(lǐng)域，可以實(shí)現(xiàn)任何寬度為3pm以下的導(dǎo)線，或者實(shí)現(xiàn)任何寬度為3 以下的導(dǎo)線間的縫隙。并且，本發(fā)明實(shí)施例提供的狹縫狀透光區(qū)域的邊緣為凸起狀，可以為圖案規(guī)則的凸起狀，只要保證線寬低于3 ym，形成的圖形的線寬也低于3 iim即可。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的掩模板，包括狹縫狀透光區(qū)域和不透光區(qū)域，狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈凸起狀，邊緣的凸起部分可以遮擋曝光機(jī)的光強(qiáng)使得形成在目標(biāo)基板上的縫隙寬度較窄，凹進(jìn)去部分可以保證一定光強(qiáng)的光線順利通過。狹縫狀透光區(qū)域的邊緣的凹凸相間的設(shè)置方式形成的圖案狹縫較窄，相比較現(xiàn)有技術(shù)，通過曝光掩模工藝實(shí)現(xiàn)了線寬小于3 iim的圖形結(jié)構(gòu)。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種掩模板，包括狹縫狀透光區(qū)域和不透光區(qū)域，其特征在于，所述狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈凸起狀。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的掩模板，其特征在于，所述凸起狀為鋸齒狀或波浪狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰?fù)蛊鸩糠种g的距離相等，所述狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣上的任意相鄰凹進(jìn)去部分之間的距離相等。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模板，其特征在于，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角形，凹進(jìn)去部分的形狀為以凹進(jìn)去的角為頂角的等腰三角形；或 狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣呈鋸齒狀，凸起部分的形狀為以凸起的角為頂角的等腰三角 形，凹進(jìn)去的部分的形狀為與等腰三角形共腰的等腰梯形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的掩模板，其特征在于，所述等腰三角形的頂角范圍為15°至75。。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的掩模板，其特征在于，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣鏡像對稱。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模板，其特征在于，所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凸起部分之間的距離相等；和/或 所述狹縫狀透光區(qū)域的兩邊緣任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離相等。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩模板，其特征在于，兩邊緣上任意相對兩凸起部分之間的距離在I y m至3 m之間，兩邊緣上任意相對凹進(jìn)去部分之間的距離為3 u m。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8任一權(quán)項(xiàng)所述的掩模板，其特征在于，狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀或凹狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模板，其特征在于，當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域的每一邊緣的兩端為凸起狀時(shí)，凸起部分的形狀為直角三角形或直角梯形。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模板，其特征在于，當(dāng)狹縫狀透光區(qū)域每一邊緣的兩端為凹狀時(shí)，狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣的兩端相對凸起部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域兩邊緣中間相對凸起部分之間的距離；或者 狹縫狀透光區(qū)域所有相對凸起部分之間的距離相等，狹縫狀透光區(qū)域邊緣兩端相對凹進(jìn)去部分之間的距離小于狹縫狀透光區(qū)域邊緣中間相對凹進(jìn)去部分之間的距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種掩模板，涉及半導(dǎo)體工藝技術(shù)領(lǐng)域，用以通過該掩模板實(shí)現(xiàn)目標(biāo)基板上線寬更窄的圖形結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供的掩模板包括狹縫狀透光區(qū)域和不透光區(qū)域，所述狹縫狀透光區(qū)域的邊緣呈凸起狀。
文檔編號G03F1/00GK102749801SQ20121022673
公開日2012年10月24日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者謝振宇, 郭建 申請人:北京京東方光電科技有限公司