專利名稱：陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陣列基板和ー種具有該陣列基板的顯示面板。更具體地講，本發(fā)明涉及ー種具有提高的開ロ率和提高的透光率的陣列基板和ー種具有該陣列基板的顯示面板。
背景技術(shù)：
為了在液晶顯示(IXD)裝置中實(shí)現(xiàn)寬的視角，已經(jīng)開發(fā)了板內(nèi)切換(IPS)模式IXD裝置和邊緣場切換(FFS)模式IXD裝置。在IPS模式IXD裝置中，像素電極和共電極形成在單個基板上，使得形成在這兩個電極之間的水平電場(或橫向電場)可以控制液晶指向矢。在IPS模式LCD裝置中，液晶分子在與基板的取向?qū)踊酒叫械钠矫鎯?nèi)旋轉(zhuǎn)。因此，當(dāng)觀眾觀看時，折射指數(shù)各向異性的差別小，當(dāng)從剖視圖來看時，液晶層包含具有彼此相反的兩個旋轉(zhuǎn)方向的液晶分子，這就補(bǔ)償了光的相差，從而實(shí)現(xiàn)寬的視角。FFS模式LCD裝置使用橫向電場,在利用橫向電場來使液晶分子取向的方式方面，F(xiàn)FS模式IXD裝置與IPS模式IXD基本相同。然而，在FFS模式IXD裝置中，像素電極和共電極形成在不同的層上，從而FFS模式LCD裝置既利用水平電場又利用垂直電場來使液晶分子取向。FFS模式IXD裝置利用垂直電場來使液晶分子取向，使得FFS模式IXD裝置的透光率優(yōu)于IPS模式LCD裝置的透光率。此外，F(xiàn)FS模式LCD裝置的液晶分子沿基本水平的方向移動，從而FFS模式IXD裝置的視角與IPS模式IXD裝置的視角基本相同。此外，F(xiàn)FS模式IXD裝置的開ロ率優(yōu)于IPS模式IXD裝置的開ロ率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種具有提聞的開ロ率和提聞的透光率的陣列基板。本發(fā)明還提供ー種具有上述陣列基板的顯示面板。在本發(fā)明的一方面，陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、多個共電極、屏蔽電極和像素電極。柵極線在基礎(chǔ)基板上沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸。共電極形成在基礎(chǔ)基板的多個像素區(qū)域中。共電極彼此分開。屏蔽電極形成在數(shù)據(jù)線下方，并形成在彼此相鄰的像素區(qū)域中形成的共電極之間。屏蔽電極接收與施加到共電極的電壓相同的電壓。像素電極與共電極疊置。像素電極具有多個形成在其上的開ロ。在本發(fā)明的另一方面，顯示面板包括陣列基板和相對基板。陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、多個共電極、屏蔽電極和像素電極。柵極線在基礎(chǔ)基板上沿第一方向延伸。數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸。共電極形成在基礎(chǔ)基板的多個像素區(qū)域中。共電極彼此分開。屏蔽電極形成在數(shù)據(jù)線下方，并形成在彼此相鄰的像素區(qū)域中形成的共電極之間。屏蔽電極接收與施加到共電極的電壓相同的電壓。像素電極與共電極疊置。像素電極具有多個形成在其上的開ロ。相對基板結(jié)合到陣列基板。根據(jù)陣列基板和具有該陣列基板的顯示面板，共電極圖案的電場可以防止像素電極和數(shù)據(jù)線之間的耦合，從而可以將像素電極和數(shù)據(jù)線之間的距離最小化，因此可以提高開ロ率和透光率。


通過參考下面的結(jié)合附圖考慮時的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上面的和其它優(yōu)點(diǎn)將容易變得明顯，其中圖I是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例的顯示面板的平面圖；圖2是沿圖I中的Ι-Γ線截取的剖視圖； 圖3A至圖3G是示出制造圖2中的陣列基板的方法的剖視圖和平面圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施例的陣列基板的平面圖；圖5是沿圖4中的ΙΙ-ΙΓ線截取的剖視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的陣列基板的平面圖；圖7是沿圖6中的ΙΙΙ-ΙΙΓ線截取的剖視圖；圖8A至圖8C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造的樣品的顯示面板的剖視圖；圖8D是示出根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的顯示面板的剖視圖。
具體實(shí)施例方式下文中，參照示出了本發(fā)明實(shí)施例的附圖來更充分地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，并不應(yīng)該被解釋為限于這里闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例使得本公開將是徹底和完整的，并將把本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。在附圖中，為了清晰起見，可夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ斑B接到”另一元件或?qū)踊蛘摺敖Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，它可以直接在另一元件或?qū)由稀⒅苯舆B接到另一元件或?qū)踊蛘咧苯咏Y(jié)合到另一元件或?qū)?，或者可以存在中間元件或中間層。相反，當(dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀薄ⅰ爸苯舆B接到”另一元件或?qū)踊蛘摺爸苯咏Y(jié)合到”另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個或多個相關(guān)所列項(xiàng)的任意組合和全部組合。應(yīng)該理解的是，雖然術(shù)語第一、第二、第三等可以在這里用來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語僅是用來將ー個元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可以被稱為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。為了描述方便，在這里可以使用空間相對術(shù)語，諸如“在......之
下”“在......下方”、“下面的”、“在......上方”、“上面的”等來描述如附圖中示出的一
個元件或特征與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包括除附圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將隨后被定位為“在”其它元件或特
征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在......下方”可以包括“在......上方”和“在......下
方”兩個方位?？蓪⒀b置另外定位(旋轉(zhuǎn)90度或處于其它方位)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。這里使用的術(shù)語只是出于描述具體實(shí)施例的目的，而不意在成為本發(fā)明的限制。除非上下文另外清楚地指出，否則這里所使用的単數(shù)形式也意在包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解的是，當(dāng)術(shù)語“包括”和/或“包含”在本說明書中使用時，表明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或添加ー個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。在這里參照作為本發(fā)明的理想化的實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，將預(yù)料到例如由制造技術(shù)和/或公差造成的示圖的形狀變化。因
此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該被理解為限于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而是將包括例如由制造造成的形狀上的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)通常會在其邊緣處具有倒圓的或者彎曲的特征和/或具有注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的ニ元變化。同樣，由注入形成的埋區(qū)會導(dǎo)致在埋區(qū)和發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中的ー些注入。因此，附圖中示出的區(qū)域本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀不意在示出裝置的區(qū)域的真實(shí)形狀，并不意在限制本發(fā)明的范圍。除非另外限定，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)的意思與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的意思相同。還應(yīng)該理解的是，除非這里明確定義，否則術(shù)語(諸如那些在通用字典里定義的術(shù)語)應(yīng)該被解釋為其意思與相關(guān)領(lǐng)域上下文中它們的意思一致，并且將不以理想化或過于正式的含義來解釋它們的意思。下文中，將參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明。實(shí)施例I圖I是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例I的顯示面板的平面圖。圖2是沿圖I中的Ι-Γ線截取的剖視圖。參照圖I和圖2,顯不面板包括陣列基板110a、相對基板200和置于陣列基板IlOa和相對基板200之間的液晶層300。陣列基板IOOa包括第一基礎(chǔ)基板101。第一基礎(chǔ)基板101包含諸如玻璃的光學(xué)透明且不導(dǎo)電的材料。在第一基礎(chǔ)基板101中了限定多個像素區(qū)域。沿第一方向“X”延伸的多條柵極線GLn-I和GLn以及沿與第一方向“X”交叉的第二方向“Y”延伸的多條數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1形成在第一基礎(chǔ)基板101上。開關(guān)元件、像素電極和共電極形成在每個像素區(qū)域中。這里“η”和“m”是自然數(shù)。例如，開關(guān)元件TR、像素電極PEl和共電極圖案CEPn可以形成在像素區(qū)域Pl中。開關(guān)元件TR電連接到第(η)柵極線GLn和第(m)數(shù)據(jù)線DLm，像素電極PE電連接到開關(guān)元件TR。第(η)共電極圖案CEPn與像素電極PE疊置并形成在像素電極PE下方。開關(guān)元件TR包括柵電極GE，從第(η)柵極線GLn延伸；源電極SE，從第(m)數(shù)據(jù)線DLm延伸；漏電極DE，與源電極SE分開，通過溝道部件140a電連接到源電極SE。第(η)柵極線GLn和柵電極GE是通過將第一金屬層圖案化而形成的第一金屬圖案。柵極絕緣層130形成在柵極線GL和柵電極GE上。溝道部件140a包括半導(dǎo)體層141和形成在半導(dǎo)體層141上的歐姆接觸層142。半導(dǎo)體層141包含非晶硅。歐姆接觸層142包含以高濃度摻雜η+離子的非晶硅。第(m)數(shù)據(jù)線DLm、源電極SE和漏電極DE是通過將第二金屬層圖案化而形成的第二金屬圖案。像素電極PE通過第一接觸孔Hl電連接到開關(guān)元件TR的漏電極DE。S卩，具有形成在其上的第一接觸孔Hl的鈍化膜160形成在開關(guān)元件TR上。像素電極PE具有形成在其上的多個開ロ 0P。開ロ OP可以彼此分開。在這個實(shí)施例中，沿第一方向“X”以V形形成開ロ 0P。可選擇地，開ロ OP可以具有其它形狀，諸如沿第二方向“Y”的V形?？蛇x擇地，可以沿與第一方向“ X”和第二方向“ Y”平行的方向形成穿過像素電極PE的開ロ 0P。第(η)共電極圖案CEPn形成在像素區(qū)域Pl和P2中，其中，像素區(qū)域Pl和P2沿第一方向“X”布置以與第一像素電極PEl和第二像素電極ΡΕ2疊置。第(η)共電極圖案CEPn與第(η)柵極線GLn平行地形成。第(η_1)共電極圖案CEPn-I與第(η_1)柵極線GLn-I平行地形成以與電連接到第(η-i)柵極線GLn-I的像素電極(未示出)疊置。結(jié)果，沿第二方向“ Y”延伸的數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1被形成為與第(η)共電極圖案CEPn交叉。第(η)共電極圖案CEPn的與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1交叉的部分可以用作屏蔽電極SDE。 可以將相同電平的電壓施加到屏蔽電極和共電極圖案。在屏蔽電極SDE處形成的電場可以防止第(m)數(shù)據(jù)線DLm和像素電極PE之間的耦合，從而可以減小第(m)數(shù)據(jù)線DLm和第一像素電極PEl之間的耦合電容。因此，第一像素電極PEl延伸到與第(m)數(shù)據(jù)線DLm相鄰的區(qū)域，從而可以提高顯示面板的開ロ率。第(η)共電極圖案CEPn和第(η_1)共電極圖案CEPn-I電連接到多個橋電極BE。每個橋電極BE通過第二接觸孔Η2和Η3與共電極圖案CEPn和CEPn-I接觸，其中，穿過柵極絕緣層130和鈍化膜160形成第二接觸孔Η2和Η3。柵極絕緣層130和鈍化膜160形成在第(η)共電極圖案CEPn和第一像素電極PEl之間。當(dāng)將電壓施加到第(η)共電極圖案CEPn和第一像素電極PEl時，產(chǎn)生垂直電場和水平電場。因此，通過垂直電場和水平電場來調(diào)節(jié)液晶分子的取向角度，從而可以控制透光率。開關(guān)元件、共電極圖案和像素電極形分別形成在多個像素區(qū)域Ρ2、Ρ3和Ρ4中。相對基板200包括第二基礎(chǔ)基板201、形成在第二基礎(chǔ)基板201上的光阻擋圖案210和與像素區(qū)域?qū)?yīng)的濾色器230。第二基礎(chǔ)基板201可以包含光學(xué)透明材料，諸如為玻
璃基底。光阻擋圖案210與柵極線GLn-I和GLn和數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1對應(yīng)地形成在第二基礎(chǔ)基板201上?？梢匀コc形成有數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1的區(qū)域?qū)?yīng)的光阻擋圖案210。當(dāng)共電極圖案CEPn-I和CEPn形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1下方時，可以通過共電極圖案CEPn-I和CEPn來屏蔽從第一基礎(chǔ)基板101的后表面入射的光。因此，可以去除與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1對應(yīng)的光阻擋圖案210。與陣列基板IOOa的每個像素區(qū)域?qū)?yīng)地形成濾色器230。濾色器230可以包括紅濾色器、綠濾色器和藍(lán)濾色器。圖3A至圖3G是示出制造圖2中的陣列基板的方法的剖視圖和平面圖。參照圖I和圖3A,在基礎(chǔ)基板101上形成第一透明導(dǎo)電層110。第一透明導(dǎo)電層110可以包含諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、非晶氧化銦錫(a-ITO)等的光學(xué)透明且導(dǎo)電的材料。使用光致抗蝕劑圖案將第一透明導(dǎo)電層110圖案化，以形成沿第一方向“X”延伸的多個共電極圖案CEPn-I和CEPn。參照圖3B,陣列基板IOOa包括顯示區(qū)域DA和外圍區(qū)域PA,顯示區(qū)域DA具有限定在其上的多個像素區(qū)域，外圍區(qū)域PA圍繞顯示區(qū)域PA。在沿第一方向“ X”在顯示區(qū)域DA
上布置的像素區(qū)域上形成共電極圖案CEPl、CEP2、.......CEPn-I和CEPn。通過使用下面
的制造エ藝在沿第一方向“ X”布置的像素區(qū)域上形成電連接到預(yù)定的柵極線的多個像素電扱。參照圖I和圖3C，在具有共電極圖案CEPn-I和CEPn的基礎(chǔ)基板101上形成第一 金屬層(未示出)。第一金屬層可以包含諸如鋁(Al)、鋁合金等的鋁系金屬、諸如鑰(Mo)、鑰合金等的鑰系金屬以及包含鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、銀(Ag)、銅(Cu)、它們的合金等的金屬。第一金屬層可以包括單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在一個示例中，第一金屬層可以包含鑰(Mo)、鑰鉭(MoTa)、鑰鎢(MoW)和鋁鎳(AlNi)。在另ー示例中，第一金屬層可以包含鑰(Mo)和隨后形成在鑰(Mo)上的鋁(Al)。在又一示例中，第一金屬層可以包含鈦(Ti)和隨后形成在鈦(Ti)上的鋁(Al)。在再一示例中，第一金屬層可以包含鑰(Mo)、隨后形成在鑰(Mo)上的鋁(Al)和隨后形成在鋁(Al)上的鑰(Mo)。利用光致抗蝕劑圖案將第一金屬層圖案化，以形成第一金屬圖案。第一金屬圖案包括柵極線GLn-I和GLn以及開關(guān)元件TR的柵電極GE。在具有第一金屬圖案的基礎(chǔ)基板101上形成柵極絕緣層130。參照圖3D，第一金屬圖案可以包括橋線BL。橋線BL沿與第一方向“X”交叉的第
二方向“ Y”延伸以與共電極圖案CEPl、CEP2........CEPn-I和CEPn的邊緣部分接觸，其
中“ η ”是自然數(shù)。將共電壓通過橋線BL施加到共電極圖案CEPI、CEP2........CEPn-1和
CEPn0在這個實(shí)施例中，由第一金屬層形成橋線BL。可選擇地，可以由下面描述的第二金屬層形成橋線BL。此外，可以由形成第一像素電極PEl的第二透明導(dǎo)電層形成橋線BL。參照圖I和圖3Ε，在具有柵極絕緣層130的基礎(chǔ)基板101上形成溝道層(未示出)，并利用光致抗蝕劑圖案將溝道層圖案化，以形成島狀開關(guān)元件TR的溝道部件140a。溝道層包括半導(dǎo)體層141和形成在半導(dǎo)體層141上的歐姆接觸層142。半導(dǎo)體層141包含非晶硅。歐姆接觸層142包含以高濃度度摻雜η+離子的非晶硅。在具有溝道部件140a的基礎(chǔ)基板101上形成第二金屬層150。第二金屬層150可以包含諸如鋁(Al)、鋁合金等的鋁系金屬、諸如鑰(Mo)、鑰合金等的鑰系金屬以及包含鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、銀(Ag)、銅(Cu)、它們的合金等的金屬。第二金屬層150可以包括單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。在一個示例中，第二金屬層150可以包含鑰(Mo)、鑰鉭(MoTa)、鑰鎢(MoW)和鋁鎳(AlNi)。在另ー示例中，第二金屬層150可以包含鑰(Mo)和隨后形成在鑰(Mo)上的鋁(Al)。在又一示例中，第二金屬層150可以包含鈦(Ti)和隨后形成在鈦(Ti)上的鋁(Al)。在再一示例中，第二金屬層150可以包含鑰(Mo)、隨后形成在鑰(Mo)上的鋁(Al)和隨后形成在鋁(Al)上的鑰(Mo)。利用光致抗蝕劑將第二金屬層150圖案化，以形成第二金屬圖案。第二金屬圖案包括多條數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1以及開關(guān)元件TR的源電極SE和漏電極DE。然后，利用源電極SE和漏電極DE去除歐姆接觸層142，以形成開關(guān)元件TR的溝道區(qū)域。參照圖I和圖3F，在具有第二金屬圖案的基礎(chǔ)基板101上形成鈍化膜160。蝕刻鈍化膜160以形成暴露源電極DE的第一接觸孔Hl。蝕刻鈍化膜160和柵極絕緣層130以形成分別暴露第(η)共電極圖案CEPn和第(η_1)共電極圖案CEPn-I的第二接觸孔Η2和第三接觸孔Η3。然后，在具有第一接觸孔Η1、第二接觸孔Η2和第三接觸孔Η3的基礎(chǔ)基板101上形成第二透明導(dǎo)電層(未示出)。第二透明導(dǎo)電層可以包含諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、非晶氧化銦錫(a-ITO)等的光學(xué)透明且導(dǎo)電的材料。
利用光致抗蝕劑圖案將第二透明導(dǎo)電層圖案化，以形成透明電極圖案。透明電極圖案包括第一像素電極PEl和橋電極BE。在第一像素區(qū)域Pl中形成第一像素電極PE1，其中，第一像素電極PEl具有形成在其上的多個開ロ 0P。第一像素電極PEl通過第一接觸孔Hl電連接到漏電極DE。如圖3G中所示，橋電極BE通過第二接觸孔H2和第三接觸孔H3與第(η)共電極圖案CEPn和第(η-i)共電極圖案CEPn-I接觸。下文中，相同的標(biāo)號將用于表不與那些在實(shí)施例I中描述的組件相同的組件，并將僅提供對它們的簡要描述。實(shí)施例2圖4是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例2的陣列基板的平面圖。圖5是沿圖4中的II-II'線截取的剖視圖。參照圖4和圖5，陣列基板IOOb包括多條柵極線GLn-I和GLn、多條數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1、多個共電極圖案CEPn-I和CEPn、屏蔽電極SDE、開關(guān)元件TR、像素電極PE和橋電極BE。柵極線GLn-I和GLn沿第一方向“X”延伸。數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1沿與第一方向“X”交叉的第二方向“Y”延伸。在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1下方形成溝道圖案140c。溝道圖案140c包括半導(dǎo)體層。在沿第一方向“X”布置的像素區(qū)域Pl和P2中形成共電極圖案CEPn。由共電極圖案CEP產(chǎn)生的電場可以防止數(shù)據(jù)線DLm和第一像素電極PEl之間的耦合，以減小數(shù)據(jù)線DLm和第一像素電極PEl之間的耦合電容。因此，第一像素電極PEl延伸到與數(shù)據(jù)線DLm相鄰的區(qū)域，以提聞陣列基板的開ロ率。屏蔽電極SDE分別形成在共電極圖案CEPn-I和CEPn與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1之間，并與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1疊置?？梢詫⑾嗤娖降碾妷菏┘拥狡帘坞姌O和共電極圖案。屏蔽電極SDE可以阻擋通過基礎(chǔ)基板101的后表面入射的光。因此，可以防止將光施加到形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1下方的溝道圖案140c。例如，當(dāng)使用閃爍方法以預(yù)定的周期將光提供到陣列基板IOOb時，光電流可以流過溝道圖案140c，從而在顯示面板中產(chǎn)生瀑布現(xiàn)象。因此，屏蔽電極SDE可以阻擋入射到溝道圖案140c的光，從而可以防止瀑布現(xiàn)象。屏蔽電極SDE可以包含光學(xué)不透明材料。例如，可以由形成柵極線GLn-I和GLn的柵極金屬層形成屏蔽電極SDE。屏蔽電極SDE可以防止第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的漏光。因此，可以不在面對陣列基板IOOb的相對基板上與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1對應(yīng)的區(qū)域中形成光阻
擋圖案。開關(guān)元件TR包括柵電極GE，連接到第(η)柵極線GLn ;源電極SE，連接到第(m) 數(shù)據(jù)線DLm ;漏電極DE，與源電極SE分開，通過溝道部件140b連接到源電極SE。溝道部件 140b形成在源電極SE和漏電極DE下方。第一像素電極PEl具有形成在其上的多個開口 0P。例如，開口 OP可以彼此分開。 在這個實(shí)施例中，沿第一方向“X”以V形形成開口 0P?？蛇x擇地，開口 OP可以具有其它形狀，諸如沿第二方向“Y”的V形?？蛇x擇地，可以沿與第一方向“X”和第二方向“Y”平行的方向形成開口 0P。橋電極BE與彼此分開的共電極圖案CEPn-I和CEPn電接觸?？梢詫⒔Y(jié)合到實(shí)施例I的陣列基板IOOa的相對基板200應(yīng)用到實(shí)施例2的顯示面板，并將省略關(guān)于上面的元件的進(jìn)一步說明。下文中，將參照附圖3A至3G和圖5來描述制造根據(jù)實(shí)施例2的陣列基板IOOb的 方法。參照圖3A和圖3B，在沿第一方向布置在第一基礎(chǔ)基板101上的像素區(qū)域中形成多個共電極圖案CEPn-I和CEPn。在如圖3C中所示的制造第一金屬圖案的工藝中，形成屏蔽電極SDE。在如圖3E中所示的制造第二金屬圖案的工藝中，通過一個掩模將溝道層141和 142以及第二金屬層150圖案化。例如，可以在具有第一金屬層的第一基礎(chǔ)基板101上順序沉積溝道層141和142以及第二金屬層150。然后，通過光致抗蝕劑圖案作為掩模同時地將溝道層141和142以及第二金屬層150圖案化，以形成第二金屬圖案。第二金屬圖案包括溝道圖案。即，在開關(guān)元件TR的源電極SE和漏電極DE下方形成溝道部件140b，在數(shù)據(jù)線 DLm和DLm+1下方形成溝道圖案140c?？蛇x擇地,在制造第二金屬圖案的工藝中，可以通過與制造實(shí)施例I的陣列基底的方法中描述的掩模不同的掩模將溝道層和第二金屬層圖案化。然后，形成像素電極PE和橋電極BE的工藝可以與圖3F和圖3G的描述中的工藝基本相同。實(shí)施例3圖6是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例3的陣列基板的平面圖。圖7是沿圖6中的 IH-Iir線截取的剖視圖。參照圖6和圖7，陣列基板IOOc包括多條柵極線GLn-I和GLn、多條數(shù)據(jù)線DLm和 DLm+1、第一開關(guān)元件TR1、第二開關(guān)元件TR2、第一像素電極PE1、第二像素電極PE2、第一共電極CEl、第二共電極CE2、屏蔽電極SDE和橋電極BE。第一開關(guān)元件TRl電連接到第(η)柵極線GLn、第(m)數(shù)據(jù)線DLm和第一像素電極 PE1。第一共電極CEl形成在第一像素電極PEl下方，以在形成第一像素電極PEl的區(qū)域中與第一像素電極PEl疊置。第二開關(guān)元件TR2電連接到第(η)柵極線GLn、第(m+1)數(shù)據(jù)線DLm+1和第二像素電極PE2。第二共電極CE2形成在第二像素電極PE2下方，以在形成有第二像素電極PE2 的區(qū)域中與第二像素電極PE2疊置。
屏蔽電極SDE形成在數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1下方，以電接觸彼此相鄰的第一共電極 CEl和第二共電極CE2。可以將相同電平的電壓施加到屏蔽電極和共電極。在屏蔽電極SDE 處形成的電場可以防止第(m)數(shù)據(jù)線DLm和像素電極PE之間的耦合，從而可以減小第(m) 數(shù)據(jù)線DLm和像素電極PE之間的耦合電容。因此，第一像素電極PEl和第二像素電極PE2 延伸到與數(shù)據(jù)線DL相鄰的區(qū)域，從而可以提高顯示面板的開口率。屏蔽電極SDE阻擋從基板基底101的后表面入射的光，以防止產(chǎn)生瀑布現(xiàn)象。此夕卜，可以通過屏蔽電極SDE來阻擋第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的漏光?？梢詮拿鎸﹃嚵谢錓OOc的相對基板中與數(shù)據(jù)線DLm和DLm+1對應(yīng)的區(qū)域去除光阻擋圖案。 屏蔽電極SDE可以包含光學(xué)不透明材料。例如，可以由形成柵極線GLn-I和GLn的柵極金屬層形成屏蔽電極SDE?？梢詫⒔Y(jié)合到實(shí)施例I的陣列基板IOOa的相對基板200應(yīng)用到實(shí)施例3的顯示面板，并將省略關(guān)于上面的元件的進(jìn)一步說明。下文中，將參照圖3A至圖3G和圖7來詳細(xì)描述制造根據(jù)實(shí)施例3的陣列基板IOOc 的方法。參照圖3A和圖7，可以在第一基礎(chǔ)基板101上形成光學(xué)不透明且導(dǎo)電的層，利用光致抗蝕劑圖案作為掩模在像素區(qū)域Pl和P2中分別形成第一共電極CEl和第二共電極CE2。然后，在如圖3C中所示的制造第一金屬圖案的工藝中，形成電連接到沿第一方向布置的像素區(qū)域Pl和P2的屏 蔽電極SDE?？梢酝ㄟ^如在實(shí)施例2中描述的形成工藝在具有屏蔽電極SDE的第一基礎(chǔ)基板 101上形成第二金屬圖案和像素電極PE。可選擇地，可以通過如在實(shí)施例I中描述的形成工藝來形成第二金屬圖案和像素電極PE。圖8A至圖8C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例制造的樣品的顯示面板的剖視圖。圖8A是示出根據(jù)本發(fā)明一個實(shí)施例制造的第一樣品的顯示面板的剖視圖。參照圖8A，在根據(jù)第一樣品的陣列基板IOOa的像素區(qū)域中形成共電極圖案CEP，在共電極圖案 CEP上形成數(shù)據(jù)線DL。在像素區(qū)域中形成第一像素電極PEl和第二像素電極PE2，以與數(shù)據(jù)線DL分開。詳細(xì)地講，數(shù)據(jù)線DL與第一像素電極PEl分開大約2. O μ m，數(shù)據(jù)線DL與第二像素電極PE2分開大約2. O μ m。即，為了通過共電極圖案CEP來減小第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的耦合，數(shù)據(jù)線DL和第一像素電極PEl之間的距離為大約2. O μ m， 數(shù)據(jù)線DL和第二像素電極PE2之間的距離為大約2. O μ m。由于數(shù)據(jù)線DL與第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的距離均為大約 2. O μ m，所以在相對基板上形成光阻擋圖案210以與第一像素電極PEl和第二像素電極 PE2的邊緣疊置大約2. 5μπι，以阻擋從間隔區(qū)域的漏光。光阻擋圖案210的寬度為大約 13. 5 μ m0圖SB是示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例制造的第二樣品的顯示面板的剖視圖。參照圖8B，在第二樣品的陣列基板IOOb上形成共電極圖案CEP，在共電極圖案CEP上形成屏蔽電極SDE，并在屏蔽電極SDE上形成數(shù)據(jù)線DL。然后，在像素區(qū)域中形成第一像素電極PEl和第二像素電極PE2，以與數(shù)據(jù)線DL分開。詳細(xì)地講，數(shù)據(jù)線DL與第一像素電極PEl分開大約2. O μ m，數(shù)據(jù)線DL與第二像素電極PE2分開大約2. Ομπι。即，為了通過共電極圖案CEP來減小第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的耦合，與第一樣品相同，數(shù)據(jù)線DL和第一像素電極PEl之間的距離為大約2. O μ m,數(shù)據(jù)線DL和第二像素電極PE2之間的距離為大約2. O μ m。光阻擋圖案210的寬度為大約13. 5μπι。圖SC是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例制造的第三樣品的顯示面板的剖視圖。參照圖8C，在根據(jù)第三樣品的陣列基板IOOc的像素區(qū)域中獨(dú)立地形成共電極CEl和CE2。在第一共電極CEl和第二共電極CE2的間隔區(qū)域中形成屏蔽電極SDE。屏蔽電極SDE的兩個邊緣與第一共電極CEl和第二共電極CE2疊置，以電連接到第一共電極CEl和第二共電極 CE2。
屏蔽電極SDE可以減小數(shù)據(jù)線DL與第一像素電極PEl和第二像素電極ΡΕ2之間的耦合。與第一樣品相同，數(shù)據(jù)線DL和第一像素電極PEl之間的距離為大約2.0 μ m，數(shù)據(jù)線DL和第二像素電極PE2之間的距離為大約2. O μ m。形成在相對基板200上的光阻擋圖案210的寬度為大約13. 5μπι。圖8D是示出作為根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的對比樣品的顯示面板的剖視圖。參照圖8D，在對比樣品中，第一共電極CEl和第二共電極CE2形成在彼此相鄰的像素區(qū)域Pl和Ρ2中，數(shù)據(jù)線DL形成在第一共電極CEl和第二共電極CE2的間隔區(qū)域中，第一像素電極PEl和第二像素電極ΡΕ2形成在第一共電極CEl和第二共電極CE2上。光阻擋圖案210與數(shù)據(jù)線DL對應(yīng)地形成在面對陣列基板100的相對基板200上。根據(jù)圖8D中的顯示面板，在第一共電極CEl和第二共電極CE2與數(shù)據(jù)線DL之間產(chǎn)生耦合，在第一像素電極PEl和第二像素電極ΡΕ2之間產(chǎn)生耦合。因此，數(shù)據(jù)線DL與第一共電極CEl和第二共電極CE2分開大約4. O μ m，以使耦合作用最小化。此外，數(shù)據(jù)線DL 與第一像素電極PEl和第二像素電極PE2分開大約4. O μ m，以使耦合作用最小化。為了阻擋從數(shù)據(jù)線DL與第一像素電極PEl和第二像素電極PE2之間的間隔區(qū)域的漏光，應(yīng)該在相對基板200上形成光阻擋圖案210，以與第一像素電極PEl和第二像素電極PE2的邊緣疊置大約4. Oym至大約4. 5μπι。因此，光阻擋圖案210的寬度為大約 21. O μ m0下面的表I示出如圖8A至圖8C中所示的第一至第三樣品和如圖8D中所示的對比樣品的數(shù)據(jù)。表I
第一樣品第二樣品第三樣品對比樣品
DL PE2. O μ m2. O μ m2. O μ m4. O μ m
PE—LB2. 5 μ m2. 5 μ m2. 5 μ m4. 0-4. 5 μ m
光阻擋圖案的寬度13. 5μιη13. 5μιη13. 5μιη21. Ομιη
開口率56%56%56%47%參照表1，與對比樣品相比，第一至第三樣品的數(shù)據(jù)線和像素電極之間的間隔 (DL_PE)均變窄。此外，與對比樣品相比，像素電極和光阻擋圖案之間的疊置寬度(PE_LB)均變窄。因此，第一至第三樣品的光阻擋圖案的寬度也均小于對比樣品的光阻擋圖案的寬度。詳細(xì)地講，第一至第三樣品的數(shù)據(jù)線和像素電極之間的間隔(DL_PE)均為大約 2. O μ m ;相反，對比樣品的DL_PE為大約4. O μ m。此外，第一至第三樣品的像素電極和光阻擋圖案之間的疊置寬度(PE_LB)均為大約2. 5 μ m ;相反，對比樣品的PE_LB為大約4. O μ m 至大約4. 5 μ m。因此，第一至第三樣品的光阻擋圖案的寬度為大約13. 5 μ m ;相反，對比樣品的光阻擋圖案的寬度為大約21. Ομπι。結(jié)果，與對比樣品相比，第一至第三樣品的光阻擋圖案的寬度變窄，使得第一至第三樣品的開口率大于對比樣品的開口率。即，第一至第三樣品的開口率均為大約56% ;然而，對比樣品的開口率為大約47%。因此，與對比樣品相比，樣品的開口率增加大約10%。在上面描述的樣品中，光阻擋圖案形成在相對基板上?？蛇x擇地，可以從相對基板上去除光阻擋圖案。即，當(dāng)在陣列基板上形成包含光學(xué)不透明材料的屏蔽電極SDE時，可以從相對基板去除光阻擋圖案。在這種情況下，開口率可以增加到大于大約56%。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在陣列基板上形成共電極圖案，以防止在數(shù)據(jù)線和共電極圖案的像素電極之間產(chǎn)生耦合，從而可以使像素電極和數(shù)據(jù)線之間的距離最小化，因此，可以提聞開口率。此外，在數(shù)據(jù)線下方形成包含光學(xué)不透明材料的屏蔽電極，從而減小數(shù)據(jù)線和像素電極之間的耦合。此外，屏蔽電極可以阻擋入射到形成在數(shù)據(jù)線下方的溝道圖案的光，從而防止瀑布現(xiàn)象。當(dāng)在陣列基板上形成屏蔽電極時，可以在面對陣列基板的相對基板上的與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的區(qū)域中去除光阻擋圖案。結(jié)果，可以提高顯示面板的透光率。雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，但是應(yīng)該理解的是，本發(fā)明不應(yīng)當(dāng)限于這些示例性實(shí)施例，而是在如權(quán)利要求所保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以做出各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，所述陣列基板包括 基礎(chǔ)基板； 柵極線，柵極線在基礎(chǔ)基板上沿第一方向延伸； 數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸； 多個共電極，所述多個共電極形成在基礎(chǔ)基板的多個像素區(qū)域中； 像素電極，像素電極具有形成在像素電極上的多個開口， 其中，共電極與像素電極的全部的所述多個開口疊置，且共電極與數(shù)據(jù)線的一部分疊置。
2.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，其中，共電極與在與該像素電極相鄰的另一像素區(qū)域中的像素電極疊置。
3.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 屏蔽電極，屏蔽電極形成在數(shù)據(jù)線下方并在所述多個共電極中的形成在相鄰的像素區(qū)域中的兩個共電極之間， 其中，相同電平的電壓施加到屏蔽電極和所述多個共電極。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，屏蔽電極和共電極由相同的材料形成。
5.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，屏蔽電極由光學(xué)不透明且導(dǎo)電的材料形成。
6.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，屏蔽電極和柵極線由相同的材料形成。
7.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層形成在數(shù)據(jù)線和屏蔽電極之間。
8.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，所述多個共電極包括共同地形成在沿第一方向布置的多個像素區(qū)域中的共電極圖案。
9.如權(quán)利要求8所述的陣列基板，其中，屏蔽電極與共電極圖案疊置并且接觸共電極圖案。
10.如權(quán)利要求9所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 半導(dǎo)體層，半導(dǎo)體層形成在數(shù)據(jù)線和屏蔽電極之間。
11.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，共電極是彼此分開的。
12.如權(quán)利要求11所述的陣列基板，其中，屏蔽電極的寬度大于兩個相鄰的共電極之間的間隙。
13.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括 橋電極，橋電極沿第二方向電連接彼此相鄰的共電極。
14.如權(quán)利要求I所述的陣列基板，所述陣列基板還包括橋電極，且彼此相鄰的共電極一體地形成。
15.如權(quán)利要求13所述的陣列基板，其中，橋電極和像素電極由相同的材料形成。
16.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，屏蔽電極和共電極一體地形成。
17.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其中，屏蔽電極部分地與像素電極疊置。
18.—種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板和結(jié)合到陣列基板的相對基板，陣列基板包括 基礎(chǔ)基板； 柵極線，柵極線在基礎(chǔ)基板上沿第一方向延伸；數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸； 多個共電極，所述多個共電極形成在基礎(chǔ)基板的多個像素區(qū)域中； 像素電極，像素電極具有形成在像素電極上的多個開口， 其中，共電極與像素電極的全部的所述多個開口疊置，且共電極與數(shù)據(jù)線的一部分疊置。
19.如權(quán)利要求18所述的顯示面板,所述顯示面板還包括 屏蔽電極，屏蔽電極被形成為與數(shù)據(jù)線疊置并在所述多個共電極中的形成在相鄰的像素區(qū)域中的兩個共電極之間， 其中，相同電平的電壓施加到屏蔽電極和所述多個共電極。
20.如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，相對基板包括與每個像素區(qū)域?qū)?yīng)地形成的濾色器。
21.如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，相對基板包括形成在與柵極線和數(shù)據(jù)線對應(yīng)的區(qū)域中的光阻擋圖案。
22.如權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中，屏蔽電極和共電極由相同的材料形成。
23.如權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中，屏蔽電極由光學(xué)不透明且導(dǎo)電的材料形成。
24.如權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中，屏蔽電極和柵極線由相同的材料形成。
25.如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，相對基板包括與柵極線對應(yīng)地形成的光阻擋圖案，在與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的區(qū)域中去除了光阻擋圖案。
26.如權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中，所述多個共電極包括共同地形成在沿第一方向布置的多個像素區(qū)域中的共電極圖案。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示面板，其中，屏蔽電極形成在共電極圖案上，并與共電極圖案接接觸。
28.如權(quán)利要求27所述的顯示面板，其中，相對基板包括與柵極線對應(yīng)地形成的光阻擋圖案，在與數(shù)據(jù)線對應(yīng)的區(qū)域中去除了光阻擋圖案。
29.如權(quán)利要求18所述的顯示面板，其中，陣列基板還包括 橋電極，橋電極沿第二方向電連接彼此相鄰的共電極。
30.一種陣列基板，所述陣列基板包括 柵極線，柵極線在基礎(chǔ)基板上沿第一方向延伸； 數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線沿與第一方向交叉的第二方向延伸； 多個共電極，所述多個共電極形成在基礎(chǔ)基板的多個像素區(qū)域中； 像素電極，像素電極與共電極疊置，像素電極具有形成在像素電極上的多個開口， 其中，共電極與像素電極的全部的所述多個開口疊置，且共電極與數(shù)據(jù)線的一部分疊置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板和一種具有該陣列基板的顯示面板。該陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、多個共電極、屏蔽電極和像素電極。柵極線沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線沿第二方向延伸。共電極形成在多個像素區(qū)域中。共電極彼此分開。屏蔽電極形成在數(shù)據(jù)線下方，并形成在彼此相鄰的像素區(qū)域中形成的共電極之間。像素電極與共電極疊置。像素電極具有多個形成在其上的開口。因此，共電極圖案的電場可以防止像素電極和數(shù)據(jù)線之間的耦合，從而可以將像素電極和數(shù)據(jù)線之間的距離最小化，因此，可以提高開口率和透光率。
文檔編號G02F1/1343GK102707516SQ20121014394
公開日2012年10月3日 申請日期2008年9月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月14日
發(fā)明者張鐘雄 申請人:三星電子株式會社