專利名稱：一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示器的不斷推廣和普及，對(duì)液晶顯示器的顯示性能提出了很高的要求。以半穿半反型液晶顯示器為例，由于半穿半反型液晶顯示器在日光直射的戶外環(huán)境下仍能夠提供清晰的圖像顯示效果，因此被越來(lái)越多地應(yīng)用在液晶顯示領(lǐng)域。在半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TF T)陣列基板制程中，需使用多道光罩來(lái)進(jìn)行光刻制程(Photo-lithography)，尤其是在形成透明的像素電極之后，需要額外的制程形成反射層，但是光罩次數(shù)越多則薄膜晶體管制程所需的成本越高，且增加制程時(shí)間及復(fù)雜度。因此，現(xiàn)有技術(shù)中，由于需要專門(mén)增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于需要專門(mén)增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，所述方法包括以下步驟提供基板；在所述基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第一金屬層，利用第一多段式調(diào)整光罩對(duì)所述透明導(dǎo)電層和第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極、共通電極以及反射層，所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述共通電極由所述透明導(dǎo)電層形成，所述反射層由所述共通電極上的第一金屬層形成；在所述基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層；在所述基板上繼續(xù)沉積第二金屬層，利用第三多段式調(diào)整光罩對(duì)所述第二金屬層圖案化，在保留的半導(dǎo)體層上由第二金屬層形成源極和漏極。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化過(guò)程中，保留所述共通電極上的柵絕緣層。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在形成所述源極和漏極后，所述方法還包括以下步驟
在所述共通電極上保留的柵絕緣層、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化過(guò)程中，將所述共通電極上的柵絕緣層刻蝕去除。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，在形成所述源極和漏極后，所述方法還包括以下步驟在所述共通電極、所述共通電極上的反射層、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。
在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第一多段式調(diào)整光罩、所述第二多段式調(diào)整光罩以及所述第三多段式調(diào)整光罩采用灰階色調(diào)光罩、堆棧圖層光罩或半色調(diào)光罩。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述透明導(dǎo)電層和所述第一金屬層通過(guò)濺射法依次沉積形成。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鑰金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鑰金屬層、第二鋁金屬層以及第三鑰金屬層組合形成。在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板的制作方法中，利用所述第一多段式調(diào)整光罩對(duì)透明導(dǎo)電層和第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極、共通電極以及反射層的過(guò)程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，使用草酸對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行濕法刻蝕。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于需要專門(mén)增加一光罩制程形成反射層，使得半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板的工藝制程較為復(fù)雜，制作難度和制作成本較高，增加了液晶顯示器的生產(chǎn)難度的技術(shù)問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板；多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述源極及漏極是依序形成于所述基板上；所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述源極及所述漏極由半導(dǎo)體層上的第二金屬層形成；共通電極，由所述基板上的透明導(dǎo)電層形成；反射層，由所述共通電極上的第一金屬層形成。本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，通過(guò)基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第一金屬層后進(jìn)行第一多段式調(diào)整光罩形成反射層；在所述基板上繼續(xù)依次沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層后進(jìn)行第二多段式調(diào)整光罩，之后在所述基板上繼續(xù)沉積第二金屬層后進(jìn)行第三多段式調(diào)整光罩形成薄膜晶體管陣列基板。顯然，本發(fā)明通過(guò)三道多段式調(diào)整光罩制程形成半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板，簡(jiǎn)化了工藝制程，降低了制作難度以及制作成本，提高了液晶顯示器的產(chǎn)量。
為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說(shuō)明如下

圖I為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的顯示面板與背光模塊的剖面示意2A-2F為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的制程剖面示意圖；圖2G為本發(fā)明中另一較佳實(shí)施例的液晶顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的制程剖面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下各實(shí)施例的說(shuō)明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實(shí)施的特定實(shí)施例。本發(fā)明所提到的方向用語(yǔ)，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「?jìng)?cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語(yǔ)是用以說(shuō)明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。在圖中，結(jié)構(gòu)相似的單元是以相同標(biāo)號(hào)表示。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其顯示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示面板與背光模塊的剖面示意圖。本實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)陣列基板的制造方法可應(yīng)用于顯示面板10 (例如液晶顯示面板)的制造過(guò)程中，以制造晶體管的保護(hù)層。當(dāng)應(yīng)用本實(shí)施例的顯示面板10來(lái)制造一液晶顯示裝置時(shí)，可設(shè)置液晶顯示面板10于背光模塊20上，因而形成液晶顯示裝置。此顯示面板10可包括第一基板11、第二基板12、液晶層13、第一偏光片14及第二偏光片15。第一基板11和第二基板12的基板材料可為玻璃基板或可撓性塑料基板，在本實(shí)施例中，第一基板11可例如為薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)陣列基板，而第二基板12可例如為彩色濾光片(Color Filter,CF)基板。值得注意的是，在一些實(shí)施例中，彩色濾光片和TFT矩陣亦可配置在同一基板上。如圖I所不,液晶層13是形成于第一基板11與第二基板12之間。第一偏光片14是設(shè)置第一基板11的一側(cè)，并相對(duì)于液晶層13 (即第一基板11的入光側(cè))，第二偏光片15是設(shè)置第二基板12的一側(cè)，并相對(duì)于液晶層13 (即第二基板12的出光側(cè))。圖2A-圖2F為本發(fā)明中較佳實(shí)施例的顯示面板的薄膜晶體管陣列基板的制程剖面示意圖。請(qǐng)參閱圖2A，提供基板110，在所述基板110上依次沉積透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130。所述透明導(dǎo)電層120優(yōu)選使用透明導(dǎo)電金屬形成，該透明導(dǎo)電金屬譬如銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(T0)、銦鋅氧化物(IZO)以及銦錫鋅氧化物(ITZO)。所述第一金屬層130優(yōu)選由第一鋁金屬層和第一鑰金屬層組合構(gòu)成，當(dāng)然也可以使用其它材料，譬如銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖2B，利用第一多段式調(diào)整光罩對(duì)圖2A所示的所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130進(jìn)行圖案化處理形成柵極140、共通電極121以及反射層131。
其中，所述柵極140包括透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130，所述共通電極121由所述基板110上的透明導(dǎo)電層120形成，所述反射層131由所述共通電極121上的第一金屬層130形成。在具體實(shí)施過(guò)程中，優(yōu)選采用濺射法在基板110形成所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130，之后通過(guò)第一多段式調(diào)整光罩的光刻程序和蝕刻程序在所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130形成柵極140，在所述基板110上的透明導(dǎo)電層120形成共通電極121，在所述共通電極121上的第一金屬層130形成反射層131。利用第一多段式調(diào)整光罩對(duì)所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130進(jìn)行圖案化形成柵極140、共通電極121以及反射層的過(guò)程中，優(yōu)選使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第一金屬層130進(jìn)行濕法刻蝕，優(yōu)選使用草酸對(duì)所述透明導(dǎo)電層120進(jìn)行濕法刻蝕，進(jìn)而形成圖2B所示的結(jié)構(gòu)，當(dāng)然可以使用其他的方式對(duì)所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130進(jìn)行濕法刻蝕，此處不一一列舉。在具體實(shí)施過(guò)程中，所述第一多段式調(diào)整光罩優(yōu)選采用一多段式調(diào)整光掩膜，所述多段式調(diào)整光掩膜可例如為灰階色調(diào)光掩膜(Gray Tone Mask, GTM)、堆棧圖層光掩膜(Stacked Layer Mask, SLM)或半色調(diào)光掩膜(Half Tone Mask, HTM)等，所述多段式調(diào)整光掩膜可包括曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域以及未曝光區(qū)域等，籍以使所述透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130形成柵極140，使所述基板110上的透明導(dǎo)電層120形成共通電極121，使所述共通電極121上的第一金屬層130形成反射層131。請(qǐng)參閱圖2C，繼續(xù)在所述基板110上沉積柵絕緣層150和半導(dǎo)體層160。本發(fā)明優(yōu)選使用化學(xué)氣相沉積法依次沉積所述柵絕緣層150和所述半導(dǎo)體層160,譬如等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD)方式，當(dāng)然還可以通過(guò)其它方式沉積所述柵絕緣層150和所述半導(dǎo)體層160，此處不
列舉。所述柵絕緣層150的材料例如為氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，所述半導(dǎo)體層160的材料優(yōu)選為多晶娃(Poly-Silicon)。在本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層160可先沉積一非晶娃(a-Si)層,接著,對(duì)該非晶娃層進(jìn)行快速熱退火(Rapid thermal annealing, RTA)
步驟，藉以使該非晶硅層再結(jié)晶成一多晶硅層。請(qǐng)參閱圖2D，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層150和半導(dǎo)體層160進(jìn)行圖案化，保留所述共通電極121上的柵絕緣層151，并保留位于所述柵極140上方的半導(dǎo)體層161和柵絕緣層152。其中，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層150和半導(dǎo)體層160進(jìn)行圖案化過(guò)程中，優(yōu)選采用RIE (Reactive Ion Etching :反應(yīng)離子刻蝕)等刻蝕方法對(duì)所述半導(dǎo)體層160進(jìn)行干法刻蝕。在具體實(shí)施過(guò)程中，所述第二多段式調(diào)整光罩優(yōu)選采用一多段式調(diào)整光掩膜，所述多段式調(diào)整光掩膜可例如為灰階色調(diào)光掩膜(Gray Tone Mask, GTM)、堆棧圖層光掩膜(Stacked Layer Mask, SLM)或半色調(diào)光掩膜(Half Tone Mask, HTM)等，所述多段式調(diào)整光掩膜可包括曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域以及未曝光區(qū)域等，籍以保留共通電極121上的柵絕緣層151，保留位于柵極140上方的半導(dǎo)體層161和柵絕緣層152。請(qǐng)參閱圖2E，繼續(xù)在所述基板110上沉積第二金屬層170。、
在具體實(shí)施過(guò)程中，本發(fā)明優(yōu)選通過(guò)濺射法沉積形成所述第二金屬層170。所述第二金屬層170優(yōu)選由第二鑰金屬層、第二鋁金屬層以及第三鑰金屬層依次組合形成，當(dāng)然也可以使用其它材料，譬如銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鎢(W)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮化金屬或上述任意組合的合金，亦可為具有耐熱金屬薄膜和低電阻率薄膜的多層結(jié)構(gòu)。 請(qǐng)參閱圖2F，利用第三多段式調(diào)整光罩對(duì)所述第二金屬層170進(jìn)行圖案化，在半導(dǎo)體層161上由第二金屬層170形成源極171和漏極172。其中，利用第三多段式調(diào)整光罩形成源極171和漏極172的過(guò)程中，優(yōu)選使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第二金屬層170進(jìn)行濕法刻蝕。在具體實(shí)施過(guò)程中，所述第三多段式調(diào)整光罩優(yōu)選采用一多段式調(diào)整光掩膜，所述多段式調(diào)整光掩膜可例如為灰階色調(diào)光掩膜(Gray Tone Mask, GTM)、堆棧圖層光掩膜(Stacked Layer Mask, SLM)或半色調(diào)光掩膜(Half Tone Mask, HTM)等，所述多段式調(diào)整光掩膜可包括曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域以及未曝光區(qū)域等，籍以在保留的半導(dǎo)體層161上由第二金屬層170形成源極171和漏極172。在一實(shí)施例中，在形成圖2F所示結(jié)構(gòu)后，可在保留的柵絕緣層151、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極171、漏極172以及半導(dǎo)體層161上沉積一平坦化層(圖未示出)，以達(dá)到平坦化及保護(hù)組件的功效。優(yōu)選的，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成，當(dāng)然也可以為其它材質(zhì)，此處不列舉。在另一實(shí)施例中，請(qǐng)參閱圖2G，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層150和半導(dǎo)體層160進(jìn)行圖案化過(guò)程中，將所述共通電極121上的柵絕緣層(即圖2D中的柵絕緣層151)刪除，僅保留位于所述柵極140上方的柵絕緣層152。在形成圖2G所示結(jié)構(gòu)后，可在共通電極121、反射層131、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極171、漏極172以及半導(dǎo)體層161上沉積一平坦化層(圖未示出)，以達(dá)到平坦化及保護(hù)組件的功效。本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板110以及設(shè)置在所述基板110上的共通電極121和多個(gè)薄膜晶體管。所述薄膜晶體管包括柵極140、柵絕緣層152、半導(dǎo)體層161、源極171及漏極172。其中，所述柵極140、所述柵絕緣層152、所述半導(dǎo)體層161、所述源極171及漏極172是依序形成于所述基板110上，所述源極171及所述漏極172位于所述半導(dǎo)體層161上，所述柵極140包括透明導(dǎo)電層120和第一金屬層130，所述源極171及所述漏極172由半導(dǎo)體層161上的第二金屬層170形成。所述薄膜晶體管陣列基板還包括共通電極121和反射層131。所述共通電極121由所述基板110上的透明導(dǎo)電層120形成；所述反射層131由所述共通電極121上的第一金屬層130形成。本發(fā)明的薄膜晶體管陣列基板及顯示面板的制造方法僅需三道光掩膜(即第一多段式調(diào)整光罩、第二多段式調(diào)整光罩以及第三多段式調(diào)整光罩)來(lái)完成半穿半反型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板，無(wú)需專門(mén)的制程制作形成反射層，因而可減少制程所需的光掩膜數(shù)，進(jìn)而減少制程成本及時(shí)間。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭露如上，但上述優(yōu)選實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟 提供基板； 在所述基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第一金屬層，利用第一多段式調(diào)整光罩對(duì)所述透明導(dǎo)電層和第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極、共通電極以及反射層，所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述共通電極由所述透明導(dǎo)電層形成，所述反射層由所述共通電極上的第一金屬層形成； 在所述基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，保留位于所述柵極上方的半導(dǎo)體層； 在所述基板上繼續(xù)沉積第二金屬層，利用第三多段式調(diào)整光罩對(duì)所述第二金屬層圖案化，在保留的半導(dǎo)體層上由第二金屬層形成源極和漏極。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化過(guò)程中，保留所述共通電極上的柵絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源極和漏極后，所述方法還包括以下步驟 在所述共通電極上保留的柵絕緣層、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化過(guò)程中，將所述共通電極上的柵絕緣層刻蝕去除。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述源極和漏極后，所述方法還包括以下步驟 在所述共通電極、所述共通電極上的反射層、構(gòu)成薄膜晶體管的所述源極、漏極和半導(dǎo)體層上沉積一平坦化層，所述平坦化層由透明絕緣材質(zhì)形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一多段式調(diào)整光罩、所述第二多段式調(diào)整光罩以及所述第三多段式調(diào)整光罩采用灰階色調(diào)光罩、堆棧圖層光罩或半色調(diào)光罩。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電層和所述第一金屬層通過(guò)濺射法依次沉積形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，所述第一金屬層依次由第一鋁金屬層和第一鑰金屬層組合形成，所述第二金屬層依次由第二鑰金屬層、第二鋁金屬層以及第三鑰金屬層組合形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管陣列基板的制作方法，其特征在于，利用所述第一多段式調(diào)整光罩對(duì)透明導(dǎo)電層和第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極、共通電極以及反射層的過(guò)程中，使用硝酸、磷酸以及醋酸的混合液對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行濕法刻蝕，使用草酸對(duì)所述透明導(dǎo)電層進(jìn)行濕法刻蝕。
10.一種薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板包括 基板； 多個(gè)薄膜晶體管，設(shè)置于所述基板上，其中每一所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極，所述柵極、所述柵絕緣層、所述半導(dǎo)體層、所述源極及漏極是依序形成于所述基板上；所述柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，所述源極及所述漏極由半導(dǎo)體層上的第二金屬層形成； 共通電極，由所述基板上的透明導(dǎo)電層形成 反射層，由所述共通電極上的第一金屬層形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜晶體管陣列基板及其制作方法，在基板上依次沉積透明導(dǎo)電層和第一金屬層，利用第一多段式調(diào)整光罩對(duì)透明導(dǎo)電層和第一金屬層進(jìn)行圖案化形成柵極、共通電極以及反射層，柵極包括透明導(dǎo)電層和第一金屬層，共通電極包括透明導(dǎo)電層，反射層包括第一金屬層；在基板上繼續(xù)沉積柵絕緣層、半導(dǎo)體層，利用第二多段式調(diào)整光罩對(duì)柵絕緣層和半導(dǎo)體層進(jìn)行圖案化，保留位于柵極上方的半導(dǎo)體層，在基板上繼續(xù)沉積第二金屬層，利用第三多段式調(diào)整光罩對(duì)第二金屬層圖案化，在保留的半導(dǎo)體層上由第二金屬層形成源極和漏極。本發(fā)明簡(jiǎn)化了工藝制程，降低了制作成本。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102637637SQ20121013208
公開(kāi)日2012年8月15日 申請(qǐng)日期2012年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月28日
發(fā)明者賈沛, 黃華 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司