專利名稱：液晶基板及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示面板制作領(lǐng)域，特別是涉及ー種垂直配向顯示模式的液晶顯示面板及其制作方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板由于其重量低、體積小以及能耗低等優(yōu)點，逐漸成為主流的平板顯示設備。垂直配向(VA=Vertical Alignment)顯示模式技術(shù)由于其良好的廣視角顯示效果，已廣泛應用在液晶顯示領(lǐng)域中。其中垂直配向顯示模式包括多疇垂直配向顯示模式 (MVA :Multi-domain Vertical Alignment)、圖形化垂直配向顯示模式(PVA =Patterned Vertical Alignment)、高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式(PSVA =Polymer Sustained Vertical Alignment)等。高分子 1 急定垂直配向顯示模式(PSVA =Polymer Sustained Vertical Alignment) 的垂直配向顯示模式。如圖1A、圖IB和圖IC所示，圖IA為現(xiàn)有的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板的第一透明電極層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板不通電時的A-A’截面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IC為圖IA的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板通電時的A-A’截面的結(jié)構(gòu)示意圖。所述這種顯示模式的液晶顯示面板100包括CF(Color Filter，彩色濾光層)基板110、TFT(Thin Film Transistor,薄膜場效應晶體管)基板120以及液晶分子130，在CF基板110和TF T基板120的內(nèi)側(cè)設置有透明電極層140，所述TF T基板120上的透明電極層141形成有狹縫 142。所述液晶分子130中添加了反應單體，通過施加電壓和紫外光照射，使這些反應單體發(fā)生反應生成高分子鏈150，從而使液晶分子的傾斜預定角度，進而加快了液晶分子130的響應速度。但是由于TFT基板120的透明電極層140具有狹縫142，該狹縫142處的電場驅(qū)動 カ較弱，導致液晶顯示面板100在狹縫142處的透光率較差。要提高該高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板100的透光率，需要降低狹縫142的寬度，以克服狹縫142處的電場驅(qū)動カ弱的缺陷；但是這受制約于曝光機的能力，狹縫142無法達到預定的寬度，使得狹縫142處的電場強度不足，從而造成液晶顯示面板100的透過率不高。故，有必要提供ー種液晶顯示面板及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種通過増加透明電極層的縫隙處的電場強度的液晶基板及其制作方法，以解決現(xiàn)有的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的縫隙處的電場強度不足而造成液晶顯示面板透光率較低的技術(shù)問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下本發(fā)明涉及ー種液晶基板，其具有透明電極層，所述透明電極層形成有縫隙，所述縫隙的下方還設置有透明電極層。在本發(fā)明所述的液晶基板中，所述透明電極層包括第一透明電極層及第ニ透明電極層，所述第二透明電極層形成所述縫隙，所述第一透明電極層設置在所述縫隙下方。在本發(fā)明所述的液晶基板中，所述第一透明電極層與所述第二透明電極層之間具
有第三絕緣層。在本發(fā)明所述的液晶基板中，所述第二透明電極層設置在第一透明電極層的表面上。在本發(fā)明所述的液晶基板中，所述液晶基板包括第二絕緣層，所述第二絕緣層形成有若干凹槽，所述透明電極層，所述透明電極層設置在所述凹槽內(nèi)及第ニ絕緣層上，所述縫隙設置在所述凹槽的上方。在本發(fā)明所述的液晶基板中所述液晶基板還包括若干數(shù)據(jù)線及漏扱，所述透明電極層通過所述接觸孔與所述漏極連接。本發(fā)明還涉及ー種液基板的制作方法，其中包括步驟:A、在基板上形成透明電極層；B、在所述透明電極層上形成縫隙，并使所述縫隙下方具有透明電極層。在本發(fā)明所述的液晶基板的制作方法中，所述步驟A具體為在基板上形成第一透明電極層及第ニ透明電極層；所述步驟B具體為在所述第二透明電極層上形成縫隙。在本發(fā)明所述的液晶基板的制作方法中，所述步驟A具體為在基板上形成第一透明電極層、第三絕緣層及第ニ透明電極層。在本發(fā)明所述的液晶基板的制作方法中，所述步驟A具體為在基板上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成凹槽，在所述第二絕緣層上及凹槽內(nèi)形成所述透明電極広。本發(fā)明的液晶基板及其制作方法，通過在透明電極層的縫隙下方設置透明電極層，以増加縫隙處的電場強度，從而增加提高了液晶顯示面板的透光率。為讓本發(fā)明的上述內(nèi)容能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下


圖IA為高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板的第一透明電極層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板不通電時的A-A截面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖IC為圖IA的高分子穩(wěn)定垂直配向顯示模式的液晶顯示面板通電時的A-A截面的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明的液晶基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明的液晶基板的第一優(yōu)選實施例的剖面示意圖；圖4為圖3所示的液晶基板的制作方法流程圖；圖5為本發(fā)明的液晶基板的第二優(yōu)選實施例的剖面示意圖；圖6為本發(fā)明的液晶基板的第三優(yōu)選實施例的剖面示意圖；圖7為圖6所示的液晶基板的制作方法示意4
圖8為本發(fā)明的液晶基板的第四優(yōu)選實施例的剖面示意圖；圖9為本發(fā)明的液晶基板的第五優(yōu)選實施例的剖面示意圖。
具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發(fā)明可用以實施的特定實施例。請參閱圖2，其為本發(fā)明液晶基板的部分俯視圖，所述液晶基板200包括基板210、 若干條平行設置的數(shù)據(jù)線220、若干條與數(shù)據(jù)線垂直的掃描線230及若干個像素単元M0， 所述像素単元240設置在所述數(shù)據(jù)線與掃描線交叉形成的矩形區(qū)域內(nèi)。所述數(shù)據(jù)線220與掃描線230的交叉處形成有薄膜場效應晶體管(ThinFilm Transistor，TFT) 250，所述像素単元240通過ー接觸孔251與該薄膜場效應晶體管250電性連接。所述像素単元240包括透明電極241及若干凹槽M2。當然，本發(fā)明僅以上述像素単元MO的形狀為例說明，在具體實施例中，所述像素単元MO的形狀可根據(jù)實際情況而定。請參閱圖2及圖3，圖3為本發(fā)明的液晶基板的第一優(yōu)選實施例的剖面示意圖，其為本發(fā)明的液晶基板的第一優(yōu)選實施例沿圖2所示的B-B線位置的剖面示意圖。所述液晶基板300包括基板310，所述基板310上沉積有第一絕緣層320，第一絕緣層320上間隔設置有數(shù)據(jù)線330，一第二絕緣層340覆蓋所述第一絕緣層320及數(shù)據(jù)線330，所述第二絕緣層340的厚度優(yōu)選為100納米至400納米。位于所述數(shù)據(jù)線330之間的第二絕緣層340上具沉積有第一透明電極層350，所述第一透明電極層350上具有第二透明電極層360，且所述第二透明電極層360的材料與第一透明電極層350不同。所述第二透明電極層360部分被除去形成若干縫隙370，該縫隙370的寬度優(yōu)選為0. 5微米至7. 5微米。請ー并參閱圖3及圖4，其為本發(fā)明液晶基板的第一優(yōu)選實施例的制作方法流程圖，該制作方法包括步驟S301 依次在基板310上形成第一絕緣層320、數(shù)據(jù)線330及第ニ絕緣層 340 ；所述步驟301具體為步驟3011 在基板310表面通過金屬濺鍍的方式制作掃描線，通過曝光、顯影、刻蝕等エ序在基板表面得到掃描線；步驟3012 在掃描線上沉積第一絕緣層320，該沉積方式可以為化學氣相沉積等；步驟3013 在第一絕緣層320上通過化學氣相沉積等方式制作非晶硅層和摻雜非晶硅層，該摻雜非晶硅呈可以是磷烷等電子給體或是硼烷等電子受體，所述非晶硅成的厚度優(yōu)選為100納米至250納米，所述非晶硅層經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕形成薄膜場效應晶體管的非晶硅部分；步驟3014 在所述非晶硅部分上通過金屬濺鍍的方式沉積數(shù)據(jù)線層，該數(shù)據(jù)線層經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等エ序形成數(shù)據(jù)線330，所述數(shù)據(jù)線330與掃描線交叉設置，并且所述數(shù)據(jù)線層位于數(shù)據(jù)線330與掃描線交叉處的部分被刻蝕并斷開，形成源極(圖未示)和漏極(圖未示)，所述源極與所述數(shù)據(jù)線連接，該斷開部分下方的摻雜非晶硅層也被刻蝕并斷開。步驟3015 在所述數(shù)據(jù)線330沉積第二絕緣層340，該沉積方式可以為化學氣相沉積等。步驟302 制作所述第一透明電極層350 ；所述步驟302具體為步驟3021 在大于100攝氏度的條件下，所述第二絕緣層340上沉積第一透明電極層350，該第一透明電極層350的材料可以是氧化銅錫、氧化銅鋅、氧化銅錫鋅、鋁摻雜氧化鋅等，從而在第二絕緣層340上形成呈多晶狀態(tài)的第一透明電極層350 ；步驟3022 通過曝光、顯影、刻蝕等エ序在第二絕緣層340上形成接觸孔，并且刻蝕第一透明電極層350位于掃描線和數(shù)據(jù)線330交叉形成的區(qū)域以外的部分，為了達到同時形成接觸孔和刻蝕第一透明電極層350不完全破壞掃描線以及數(shù)據(jù)線330上方的第二絕緣層340，在接觸孔和第一透明電極層350的對應位置上使用合適透過率的灰階光罩(gray mask)。步驟S303 制作第二透明電極層360，所述步驟S303具體為步驟S3031 在室溫下，在第一透明電極層350的上側(cè)通過濺鍍的方式沉積得到呈非晶狀態(tài)的第二透明電極層360，該第二透明電極層360的材料可以為氧化銅錫、氧化銅鋅、氧化銅錫鋅、鋁摻雜氧化鋅等，且所述第二透明電極層360的材料與第一透明電極層 350不同；所述第二透明電極層360通過接觸孔與漏極連接。步驟S3031 使用曝光、顯影、刻蝕等エ藝在第二透明電極層360上形成縫隙370 并刻蝕第二透明電極層360位于掃描線和數(shù)據(jù)線330交叉形成的區(qū)域以外的部分，在本步驟中采用的刻蝕液為弱酸，如草酸、乙ニ酸等，刻蝕液只能刻蝕呈非晶狀態(tài)的第二透明電極層360，而不能刻蝕呈多晶狀態(tài)的第一透明電極層350。 在本實施例中，在第二透明電極層360制作完成后，所述液晶基板300也可以在ー 定溫度下進行退火處理，例如200-250攝氏度，從而使所述第二透明電極層360由非晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑B(tài)。在本實施例中，液晶基板300在第二透明電極層360和縫隙370的下方設置第二透明電極層350，在施加電壓吋，可增加縫隙370的電場強度。請參閱圖5，其為本發(fā)明液晶基板的第二優(yōu)選實施例的剖面示意圖，其為本發(fā)明的液晶基板的第二優(yōu)選實施例沿圖2所示的B-B線位置的剖面示意圖。本實施例與第一優(yōu)選實施例的不同在于在本實施例中，所述第一透明電極層450與第二透明電極層460的材質(zhì)和沉積條件均相同，從而形成一透明電極層480，該透明電極層經(jīng)過部分刻蝕形成縫隙 470。本實施例的液晶基板400與第一實施例的液晶基板300的制作方法不同在于步驟S402 在第二絕緣層440形成接觸孔；步驟S403 制作透明電極層480，本步驟具體為在第二絕緣層440上沉積透明電極層480，并通過曝光、顯影、刻蝕等エ序，使透明電極層480的部分被刻蝕而形成縫隙470 并刻蝕透明電極層480位于掃描線和數(shù)據(jù)線430交叉形成的區(qū)域以外的部分。在本實施例中，液晶基板400在縫隙470的下方透明電極層480，在施加電壓吋，可增加縫隙470的電場強度。請參閱圖6，其為本發(fā)明液晶基板的第三優(yōu)選實施例的剖面示意圖，其為本發(fā)明的液晶基板的第三優(yōu)選實施例沿圖2所示的B-B線位置的剖面示意圖。本實施例與第一優(yōu)選實施例的不同在于在本實施例中，所述第二絕緣層540及第一透明電極層550上還沉積有一第三絕緣層590，所述第二透明電極層560及縫隙570位于第三絕緣層590的上方，所述第一透明電極層550與所述第二透明電極層560的材質(zhì)和沉積條件可以相同也可以不同。請ー并參閱圖6及圖7，其為本實施例的液晶基板500的制作方法的流程圖，本實施例的制作方法與第一優(yōu)選實施例的液晶基板300的制作方法不同在于步驟502 形成第一透明電極層540及第三絕緣層590 ；本步驟具體為步驟S5021 在所述第二絕緣層540上沉積第一透明電極層550，并通過曝光、顯影、刻蝕等エ序除去第一透明電極層550位于掃描線與數(shù)據(jù)線530交叉圍成的區(qū)域外的部分并保留第一透明電極層550位于漏極(圖未示)上方的部分；步驟S5022 在所述第二絕緣層540及第一透明電極層550上沉積第三絕緣層 590，并通過曝光、顯影、刻蝕等エ序形成接觸孔，該接觸孔貫穿第二絕緣層M0、第一透明電極層550及第三絕緣層590 ；步驟503 形成第二透明電極層560 ；所述步驟503具體為步驟5031 在第三絕緣層590上沉積第二透明電極層560，該第二透明電極層560 的材質(zhì)和沉積條件可以與第一透明電極層陽0的材質(zhì)和沉積條件相同，也可以不同；所述第二透明電極層560通過接觸孔與漏極及第一透明電極層550連接；步驟5032 通過曝光、顯影、刻蝕等エ序形成縫隙570并刻蝕第二透明電極層560 位于掃描線和數(shù)據(jù)線530交叉形成的區(qū)域以外的部分。在本實施例中，液晶基板500在第二透明電極層560和縫隙570的下方設置第二透明電極層550，在施加電壓吋，可增加縫隙570的電場強度。請參閱圖8，其為本發(fā)明液晶基板的第四優(yōu)選實施例的剖面示意圖，其為本發(fā)明的液晶基板的第四優(yōu)選實施例沿圖2所示的B-B線位置的剖面示意圖。本實施例與第三優(yōu)選實施例的不同在于在本實施例中，所述第三絕緣690僅設置在所述第一透明電極層650與第二透明電極層660之間。本實施例的液晶基板600的制作方法與第三實施例的液晶基板500的制作方法不同在于步驟6022 在所述第二絕緣層640及第一透明電極層650上沉積第三絕緣層690， 并通過曝光、顯影、刻蝕等エ序形成接觸孔，該接觸孔貫穿第二絕緣層640、第一透明電極層 650及第三絕緣層690，并刻蝕第三絕緣層690除第一透明電極層650上方以外的部分。請參閱圖9，其為本發(fā)明液晶基板的第五優(yōu)選實施例的剖面示意圖，其為本發(fā)明的液晶基板的第五優(yōu)選實施例沿圖2所示的B-B線位置的剖面示意圖。本實施例與第一優(yōu)選實施例的不同在于在本實施例中，所述第二絕緣層740形成有多條凹槽，所述透明電極層 750設置在所述凹槽中及第ニ絕緣層740的上方，所述縫隙770位于凹槽的上方。本實施例的液晶基板700的制作方法與第一優(yōu)選實施例的液晶基板300的制作方法不同在于步驟702 制作第二絕緣層740 ；
本步驟具體為通過曝光、顯影、刻蝕等エ序，使第二絕緣層740形成接觸孔和若干條凹槽；步驟703 制作透明電極層780 ；本步驟具體為沉積透明電極層780，通過曝光、顯影、刻蝕等エ序在凹槽上方形成縫隙770、刻蝕第二透明電極層760位于掃描線和數(shù)據(jù)線730交叉形成的區(qū)域以外的部分。本實施例中，所述凹槽貫穿第二絕緣層740，當然在其他實施例中，所述凹槽也可以根據(jù)實際情況設置其深度。在本實施例中，液晶基板700在縫隙770的下方具有透明電極層780，在施加電壓吋，可增加縫隙770的電場強度。上述第一至第五優(yōu)選實施例的中，液晶基板僅具有TFT、數(shù)據(jù)線及掃描線， 當然在其他實施例中，所述液晶基板還可有具有彩色濾光層，即所述液晶基板為 COA(Color-filter On Array)基板。在本發(fā)明的實施例通過在在縫隙的下方透明電極層，在施加電壓吋，可增加縫隙處的電場強度。本發(fā)明還提供ー種液晶面板，該液晶面板包括上述任意ー種液晶基板、第二基板及設置液晶基板與第二基板之間的液晶分子，所述液晶基板的結(jié)構(gòu)與具有上述液晶基板的結(jié)構(gòu)相同，在此不作贅述。本發(fā)明的液晶基板及其制作方法，通過在透明電極層的縫隙下方設置透明電極層，以増加縫隙處的電場強度的，從而提高了的液晶顯示面板的透光率。綜上所述，雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實施例揭露如上，但上述優(yōu)選實施例并非用以限制本發(fā)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.ー種液晶基板，其特征在干，所述液晶基板具有透明電極層，所述透明電極層形成有縫隙，所述縫隙的下方還設置有透明電極層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶基板，其特征在干，所述透明電極層包括第一透明電極層及第二透明電極層，所述第二透明電極層形成所述縫隙，所述第一透明電極層設置在所述縫隙下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶基板，其特征在干，所述第一透明電極層與所述第二透明電極層之間具有第三絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶基板，其特征在干，所述第二透明電極層設置在第一透明電極層的表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶基板，其特征在干，所述液晶基板包括第二絕緣層，所述第二絕緣層形成有若干凹槽，所述透明電極層，所述透明電極層設置在所述凹槽內(nèi)及第ニ 絕緣層上，所述縫隙設置在所述凹槽的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的液晶基板，其特征在干，所述液晶基板還包括若干數(shù)據(jù)線及漏扱，所述透明電極層通過所述接觸孔與所述漏極連接。
7.ー種液晶基板的制作方法，其特征在干，包括步驟A、在基板上形成透明電極層；B、在所述透明電極層上形成縫隙，并使所述縫隙下方具有透明電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶基板的制作方法，其特征在干，所述步驟A具體為在基板上形成第一透明電極層及第ニ透明電極層；所述步驟B具體為在所述第二透明電極層上形成縫隙。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶基板的制作方法，其特征在干，所述步驟A具體為在基板上形成第一透明電極層、第三絕緣層及第ニ透明電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶基板的制作方法，其特征在干，所述步驟A具體為在基板上形成第二絕緣層，在所述第二絕緣層上形成凹槽，在所述第二絕緣層上及凹槽內(nèi)形成所述透明電極層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶基板及其制作方法，所述液晶基板包括基板，形成在所述基板上的透明電極層，在所述透明電極層上形成縫隙，并使所述縫隙下方具有透明電極層。本發(fā)明液晶基板及其制作方法，使所述縫隙下方還設置有透明電極層，從而在施加電壓時，增強所述縫隙處的電場強度，進而提高液晶面板的透過率。
文檔編號G02F1/1333GK102566158SQ20111039804
公開日2012年7月11日 申請日期2011年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月5日
發(fā)明者徐亮 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司