專利名稱：液晶面板、液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶面板，尤其是涉及一種抑制在液晶面板的制造過程中的曝光次數(shù)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在橫向電場方式的液晶面板中，在形成有薄膜晶體管的一方的基板上形成有像素電極和公共電極(對(duì)置電極)這兩者。如國際公開第W001/018597號(hào)所公開的那樣，在這種液晶面板中，存在如下類型在除去取向膜以外的最上層形成有公共電極，在比公共電極靠下的層形成有像素電極、信號(hào)線等其它的導(dǎo)體層。根據(jù)該類型，能夠由公共電極屏蔽由于施加到影像信號(hào)線(漏極布線)的電壓產(chǎn)生的電場。其結(jié)果，能夠得到如下優(yōu)點(diǎn)能夠使掩蓋電場影響的黑矩陣變小，能夠提高像素的開口率等。液晶面板的基板一般通過光刻法進(jìn)行制造。在光刻法中，在絕緣膜或?qū)w膜上通過曝光工序而對(duì)抗蝕膜進(jìn)行圖案形成，將該抗蝕膜作為掩模對(duì)絕緣膜等進(jìn)行蝕刻。

發(fā)明內(nèi)容
可是，曝光工序由于光掩模價(jià)格較高等，而需要昂貴的成本。因此，期望在液晶面板的制造過程中減少曝光次數(shù)。本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于，在一方的基板上形成像素電極和公共電極且在比公共電極低的層上形成有像素電極、信號(hào)線等的液晶面板、液晶顯示裝置及其制造方法中，減少制造所需的曝光的次數(shù)。用于解決上述問題的本發(fā)明所涉及的液晶面板，其具有夾持液晶的兩個(gè)基板。在一方的基板上形成有薄膜晶體管、由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極以及由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極。上述像素電極、上述薄膜晶體管、以及與上述薄膜晶體管相連接的布線位于比上述公共電極低的層。并且，與上述薄膜晶體管相連接的柵極布線具有包含下布線和上布線的兩層結(jié)構(gòu)，該下布線由與上述像素電極相同的材料形成，并且位于與上述像素電極相同的層，該上布線層疊在該下布線上，由導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電材料的材料形成。另外，為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的液晶顯示裝置具備上述液晶面板。根據(jù)本發(fā)明，在形成柵極布線和像素電極的工序中，能夠利用多灰階掩模對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光。其結(jié)果，能夠通過一次曝光工序形成柵極布線和像素電極這雙方，從而能夠減少曝光工序的次數(shù)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管包含形成在覆蓋上述柵極布線和上述像素電極的第一絕緣膜的上側(cè)的電極，上述公共電極形成在被形成于上述第一絕緣膜上的第二絕緣膜上。并且，也可以在與上述公共電極相同的層上形成連結(jié)導(dǎo)體，該連結(jié)導(dǎo)體由與該公共電極相同的材料形成，并且通過接觸孔與上述薄膜晶體管的上述電極和上述像素電極相連接。根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成連結(jié)導(dǎo)體。在該方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管的上述電極的一部分位于上述像素電極的上方，上述電極的上述一部分和上述像素電極的一部分位于上述接觸孔的內(nèi)側(cè)，上述連結(jié)導(dǎo)體在上述接觸孔中與上述電極的上述一部分和上述像素電極的上述一部分相連接。通過這樣能夠使連結(jié)導(dǎo)體變小，因此能夠提高像素的開口率。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在比上述公共電極低的層上形成通過接觸孔與該公共電極相連接的輔助公共布線。并且，上述輔助公共布線也可以具有包含下輔助布線和上輔助布線的兩層結(jié)構(gòu)，該下輔助布線位于與上述像素電極和上述下布線相同的層，并且由與上述像素電極相同的材料形成，該上輔助布線由與上述上布線相同的材料形成，層疊在上述下輔助布線上。根據(jù)該方式，通過輔助公共布線能夠降低公共電極的電阻。 另外，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在上述公共電極上形成由具有高于該公共電極的材料的導(dǎo)電率的材料形成的輔助公共布線。根據(jù)該方式，通過輔助公共布線能夠降低公共電極的電阻。另外，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，也可以在比上述公共電極低的層上形成與上述薄膜晶體管相連接且被施加影像信號(hào)的漏極布線。并且，也可以在與上述漏極布線相同的層上形成由具有高于上述公共電極的導(dǎo)電率的材料形成且通過接觸孔與上述公共電極相連接的輔助公共布線。根據(jù)該方式，能夠降低公共電極的電阻。另外，在該方式中，也可以構(gòu)成為上述薄膜晶體管包含由半導(dǎo)體層形成的溝道部， 上述漏極布線和上述輔助公共布線具有包含上述半導(dǎo)體層和層疊在上述半導(dǎo)體層上的導(dǎo)體層的兩層結(jié)構(gòu)。通過這樣，能夠在形成溝道部、漏極布線以及輔助公共布線的工序中，利用多灰階掩模對(duì)抗蝕膜進(jìn)行曝光。其結(jié)果，能夠通過一次曝光工序形成溝道部、漏極布線以及輔助公共布線，從而能夠減少曝光工序的次數(shù)。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，上述公共電極也可以形成為其一部分位于與上述薄膜晶體管相連接、并且被施加影像信號(hào)的漏極布線的上方。根據(jù)該方式，能夠通過公共電極屏蔽由漏極布線產(chǎn)生的電場。另外，在該方式中，也可以在上述公共電極的上述一部分與上述漏極布線之間形成第二絕緣膜和由介電常數(shù)低于上述第二絕緣膜的材料形成的附加絕緣部。這樣能夠降低漏極布線與公共電極之間的電容。在該方式中，上述附加絕緣部還可以由通過對(duì)上述第二絕緣膜的蝕刻處理而能夠作為抗蝕膜發(fā)揮功能的材料形成。通過這樣，無需曝光工序的次數(shù)，就能夠形成附加絕緣部。為了解決上述問題，本發(fā)明所涉及的液晶面板的制造方法包括以下工序在用于形成上述像素電極的透明導(dǎo)電膜上層疊導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜的工序；在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光來形成與上述像素電極相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第一抗蝕膜、以及與上述薄膜晶體管所連接的柵極布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第一抗蝕膜厚的第二抗蝕膜；以及利用上述第一抗蝕膜和上述第二抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述像素電極，并且由上述透明導(dǎo)電膜和上述導(dǎo)體膜形成上述柵極布線的工序。根據(jù)本發(fā)明，通過一次曝光工序能夠形成柵極布線和像素電極這雙方，能夠減少曝光工序的次數(shù)。
另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序形成覆蓋上述像素電極和上述柵極布線的第一絕緣膜的工序；在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成構(gòu)成上述薄膜晶體管的電極的工序；在上述第一絕緣膜的上側(cè)層疊第二絕緣膜來覆蓋上述薄膜晶體管的上述電極的工序；在上述第二絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜的工序；以及由上述透明導(dǎo)電膜形成通過接觸孔與上述像素電極和上述薄膜晶體管的上述電極相連接的連結(jié)導(dǎo)體及上述公共電極的工序。根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成連結(jié)導(dǎo)體。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，上述第二抗蝕膜除了與上述柵極布線相對(duì)應(yīng)地被圖案形成以外，還可以與用于和上述公共電極連接的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地被圖案形成。 根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序在用于形成上述公共電極的透明導(dǎo)電膜上層疊導(dǎo)電率高于該透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜的工序；在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光形成與上述公共電極相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第三抗蝕膜、以及與形成在上述公共電極上的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第三抗蝕膜厚的第四抗蝕膜；以及利用上述第三抗蝕膜和上述第四抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述公共電極，并且由上述導(dǎo)體膜形成上述輔助公共布線的工序。根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。另外，在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包括以下工序在用于形成上述薄膜晶體管的溝道部的半導(dǎo)體層上層疊導(dǎo)體膜的工序；在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光來形成與上述溝道部相對(duì)應(yīng)地形成圖案的第五抗蝕膜、以及與連接在上述薄膜晶體管上的漏極布線和沿上述漏極布線形成的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案且比上述第五抗蝕膜厚的第六抗蝕膜；以及利用上述第五抗蝕膜和上述第六抗蝕膜，由上述半導(dǎo)體層形成上述溝道部，并且由上述半導(dǎo)體層和上述導(dǎo)體膜形成上述漏極布線和上述輔助公共布線的工序。根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線。在本發(fā)明的一個(gè)方式中，還可以包含以下工序形成覆蓋與上述薄膜晶體管相連接的上述柵極布線和上述像素電極的第一絕緣膜的工序；在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成第二絕緣膜的工序；在上述第二絕緣膜上形成具有低于上述第二絕緣膜的介電常數(shù)的抗蝕膜的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光形成在上述漏極布線的上方具有比其它部分厚的部分的抗蝕膜；除了上述抗蝕膜的上述較厚的部分以外，去除該抗蝕膜的工序；以及在上述抗蝕膜的上述較厚的部分上和上述第二絕緣膜上形成上述公共電極的工序。根據(jù)該方式，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠在公共電極與漏極布線之間形成介電常數(shù)較低的絕緣部。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的液晶面板的分解立體圖。圖2是形成在構(gòu)成上述液晶面板的一方的透明基板上的像素的俯視圖。圖3是將圖2所示的III-III線設(shè)為切割面的上述液晶面板的截面圖。圖4是將圖2所示的IV-IV線設(shè)為切割面的上述液晶面板的截面圖。圖5是用于說明第一基板的制造工序中的第一曝光工序的圖。
圖6是用于說明上述第一基板的制造工序中的第二曝光工序的圖。圖7是用于說明上述第一基板的制造工序中的第三曝光工序的圖。圖8是用于說明上述第三曝光工序的圖。圖9是用于說明上述第三曝光工序的圖。圖10是用于說明上述第一基板的制造工序中的第四曝光工序的圖。圖11是圖3所示的源電極與像素電極的連接結(jié)構(gòu)的另一例。圖12是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的液晶面板所具備的第一基板的俯視圖。圖13是圖12所示的第一基板的截面圖。該圖將用圖12的XIII-XIII線表示的面設(shè)為切割面。圖14是圖12所示的第一基板的截面圖。該圖將用圖12的XIV-XIV線表示的面設(shè)為切割面。圖15是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的液晶面板所具備的第一基板的俯視圖。圖16是圖15所示的第一基板的截面圖。該圖將用圖15的XVI-XVI線表示的面設(shè)為切割面。圖17是圖15所示的第一基板的截面圖。該圖將用圖15的XVII-XVII線表示的面設(shè)為切割面。圖18A是表示第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造工序的圖。圖18B是表示第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造工序的圖。圖18C是表示第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造工序的圖。圖18D是表示第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造工序的圖。圖19是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的液晶面板所具備的第一基板的俯視圖。圖20是圖19所示的第一基板的截面圖，該圖將用圖19的XX-XX線表示的面設(shè)為切割面。圖21是圖19所示的第一基板的截面圖，該圖將用圖19的XXI-XXI線表示的面設(shè)為切割面。圖22是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的液晶面板的截面圖。該圖將與用圖2的 III-III線表示的切割面相同的面設(shè)為切割面。圖23是上述第五實(shí)施方式所涉及的液晶面板的截面圖。該圖將與用圖2的IV-IV 線表示的切割面相同的面設(shè)為切割面。圖M是表示在上述第五實(shí)施方式中形成附加絕緣部的工序的圖。
具體實(shí)施例方式以下、參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。圖1是發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置的分解立體圖。如圖1所示，液晶顯示裝置具有液晶面板10。另外，液晶顯示裝置具有夾持液晶面板10的外周邊的上框架12和下框架14。液晶面板10被這些框架12、14支承。另外，液晶顯示裝置具備背光單元(未圖示)。背光單元配置在液晶面板10的背面?zhèn)?，向該液晶面?10的背面照射光。圖2是形成在構(gòu)成液晶面板10的一方的透明基板16上的像素的俯視圖。圖3和圖4是液晶面板10的截面圖。圖3是將圖2所示的III-III線設(shè)為切割面的截面圖，圖4 是將圖2所示的IV-IV線設(shè)為切割面的截面圖。如圖3和圖4所示，液晶面板10具有彼此相向的第一基板16和第二基板18。這兩個(gè)基板是透明基板(例如玻璃基板)。第一基板16和第二基板18被配置成夾持液晶20。 在第一基板16的與液晶20相反側(cè)的面和第二基板18的與液晶20相反側(cè)的面上以正交尼科爾偏光(crossed nicol)狀態(tài)粘貼偏振板22。在第二基板18的液晶20側(cè)的面上形成了黑色矩陣130。黑色矩陣130例如由黑顏料、含碳的樹脂、金屬鉻、鎳等遮光性高的材料形成。黑色矩陣130具有防止向形成在第一基板16上的后述的薄膜晶體管50的溝道部53照射光的功能。另外，在此說明的例子中， 如圖4所示，黑色矩陣130位于形成在第一基板16上的后述漏極布線52的上方，沿著該漏極布線52形成。在第二基板18的液晶20側(cè)的面上還形成了濾色片100。濾色片100由多個(gè)顏色 (例如紅、綠、藍(lán)三種顏色)的著色膜形成。另外，在第二基板18的液晶20側(cè)形成有覆蓋濾色片100的保護(hù)膜120。第二基板 18的液晶20側(cè)的表面被保護(hù)膜120保護(hù)。對(duì)第一基板16進(jìn)行說明。此外，在下面的說明中，將朝向液晶20的方向設(shè)為上方向。在第一基板16的液晶20側(cè)的面(上側(cè)的面)上如圖2和圖3所示那樣形成有作為控制液晶20的驅(qū)動(dòng)的開關(guān)而發(fā)揮功能的多個(gè)薄膜晶體管(下面為TFT) 50。TFT 50具有由非晶硅、微結(jié)晶硅等半導(dǎo)體層形成的溝道部53，以及夾持溝道部53彼此相對(duì)的漏電極52 和源電極討。此外，在本實(shí)施方式中，將中間配置有溝道部53的兩個(gè)電極52、54中的與后述的像素電極70連接的電極設(shè)為源電極M，將另一個(gè)電極52設(shè)為漏電極。如圖2所示那樣，在第一基板16上形成有與TFT 50相連接的多個(gè)柵極布線40。 在本例中，漏電極52、源電極M、溝道部53位于柵極布線40的上方。因此，柵極布線40的一部分作為TFT 50的柵電極而發(fā)揮功能。對(duì)柵極布線40施加用于將TFT 50導(dǎo)通/截止的掃描信號(hào)(柵極電壓)。如圖4所示，在第一基板16上形成有與漏電極52相連接的多個(gè)漏極布線56。對(duì)漏極布線56施加影像信號(hào)(表示各像素的灰階值的電壓信號(hào))。多個(gè)柵極布線40和多個(gè)漏極布線56形成為格柵狀。即，多個(gè)柵極布線40形成為與各漏極布線56大致正交。由相鄰的兩個(gè)柵極布線40和相鄰的兩個(gè)漏極布線56包圍的區(qū)域構(gòu)成一個(gè)像素，在各像素上設(shè)置有TFT 50。液晶面板10是以橫向電場方式(更具體地說是IPS an Plane Switching :平板開關(guān))方式)驅(qū)動(dòng)液晶20的面板，在第一基板16上形成有像素電極70和與像素電極70對(duì)置的公共電極80這雙方。這些像素電極70和公共電極80都由透明導(dǎo)電材料(例如氧化銦錫(ΙΤ0(indium tin oxide))、氧化銦鋅)形成。通過漏極布線56和TFT 50對(duì)像素電極70施加影像信號(hào)。像素電極70在俯視觀察時(shí)大致為矩形，其大小對(duì)應(yīng)一個(gè)像素的大小。如圖2所示，公共電極80包含公共布線82。在此說明的例子中，如圖4所示那樣公共布線82位于漏極布線56的上方，并且沿著漏極布線56形成。公共布線82連接公共電極80的與像素電極70對(duì)置的部分。由此，公共電極80整體形成大致相同的電位。在公共電極80的與像素電極70對(duì)置的部分上形成有多個(gè)狹縫。在圖2所示的例子中，各狹縫在沿著漏極布線56的方向上是細(xì)長的。另外，各狹縫在其中間部彎曲，相對(duì)于中間部的一方側(cè)(在圖2中是上側(cè))的部分和另一方側(cè)(在圖2中是下側(cè))的部分相對(duì)于摩擦(riAbing)方向的角度不同。像素電極70、TFT 50以及與TFT 50相連接的布線(具體來說是柵極布線40和漏極布線56)相比公共電極80位于靠下的層(接近第一基板16的層)。在此說明的例子中，如圖3所示，公共電極80形成在除取向膜(未圖示)以外的最上層(最接近液晶20的層)。如圖3所示，柵極布線40具有兩層結(jié)構(gòu)。即，柵極布線40具有下柵極布線40a和上柵極布線40b。下柵極布線40a由與像素電極70相同的透明導(dǎo)電材料形成，并且位于與像素電極70相同的層。即，像素電極70和下柵極布線40a都位于第一基板16上。上柵極布線40b層疊在下柵極布線40a上。下柵極布線40a圖案形成為與上柵極布線40b相應(yīng)的形狀。并且，上柵極布線40b整體位于下柵極布線40a上，與下柵極布線40a相接觸。根據(jù)這種柵極布線40的兩層結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)后述的制造方法。上柵極布線40b由與下柵極布線40a、像素電極70的材料不同的材料形成。具體來說，上柵極布線40b由具有比形成像素電極70等的透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率的金屬形成。例如上柵極布線40b由銅、鉬、鋁等形成。因此，能夠減小柵極布線40整體的電阻。如圖3所示，在柵極布線40和像素電極70的上側(cè)形成有覆蓋它們的柵極絕緣膜 42。柵極絕緣膜42由半導(dǎo)體氧化物(氧化硅(Sit)》)、半導(dǎo)體氮化物(氮化硅(SiNx))等無機(jī)材料形成。如圖3所示，TFT 50的溝道部53、源電極M以及漏電極52形成在柵極絕緣膜42 的上側(cè)。在本例中，這些溝道部53等形成在柵極絕緣膜42上。如圖4所示，與漏電極52相連接的漏極布線56也形成在柵極絕緣膜42的上側(cè)。 在此，漏極布線56位于與電極5254相同的層，形成在柵極絕緣膜42上。如圖3和圖4所示，源電極M、漏電極52以及漏極布線56具有由用于形成溝道部53的半導(dǎo)體層60和層疊在半導(dǎo)體層60上的導(dǎo)體層(例如銅、鉬、鋁等金屬層)構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。即，半導(dǎo)體層60圖案形成為與源電極M、漏電極52以及漏極布線56相對(duì)應(yīng)的形狀。并且，形成源電極M、漏電極52以及漏極布線56的整個(gè)導(dǎo)體層位于半導(dǎo)體層60上， 與半導(dǎo)體層60相接觸。如圖3和圖4所示，在溝道部53、源電極M、漏電極52以及漏極布線56的上側(cè)形成有覆蓋它們的保護(hù)絕緣膜44。保護(hù)絕緣膜44由半導(dǎo)體氧化物(氧化硅(Sit)》)、半導(dǎo)體氮化物(氮化硅(SiNx))等無機(jī)材料形成。該保護(hù)絕緣膜44防止半導(dǎo)體層60的濕度污染。如圖4所示，在保護(hù)絕緣膜44上形成有公共電極80。公共電極80形成為其一部分位于漏極布線56的上方(即，覆蓋漏極布線56)。在本例中，公共電極80包含公共布線 82。公共布線82位于漏極布線56的上方，俯視觀察時(shí)與漏極布線56相重疊。尤其是在本例中，公共布線82的寬度大于漏極布線56的寬度。如上所述，對(duì)漏極布線56施加與各像素的灰階值相應(yīng)的影像信號(hào)。公共布線82具有屏蔽由于該影像信號(hào)的變化所引起的噪聲電場的功能。其結(jié)果，能夠減小用于防止因噪聲電場導(dǎo)致光透射的黑色矩陣的寬度。
如圖3所示，在與公共電極80相同的層上形成有用于將源電極M與像素電極70 連接的連結(jié)導(dǎo)體(連結(jié)線)84。在本例中，連結(jié)導(dǎo)體84形成在保護(hù)絕緣膜44上，通過接觸孔92、94與像素電極70和源電極M相連接。詳細(xì)來說，在源電極M的上側(cè)形成有貫通保護(hù)絕緣膜44的接觸孔92。另外，在像素電極70的上側(cè)形成有貫通柵極絕緣膜42和保護(hù)絕緣膜44的接觸孔94。兩個(gè)接觸孔92、94分離配置。連結(jié)導(dǎo)體84架設(shè)在該接觸孔92、94 上，通過接觸孔92、94與像素電極70和源電極M相行連接。其結(jié)果，像素電極70與源電極M電連接。連結(jié)導(dǎo)體84由與公共電極80相同的透明導(dǎo)電材料形成。如圖2或圖3所示，在像素電極70上形成有連接焊盤32。連接焊盤32位于接觸孔94的下端，并且接觸像素電極70。因此，連結(jié)導(dǎo)體84通過接觸孔94和連接焊盤32與像素電極70相連接。連接焊盤32由具有比形成像素電極70、下柵極布線40a的透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率的材料形成。在本例中，連接焊盤32由與上柵極布線40b相同的材料(即， 銅、鉬等金屬)形成。由此，接觸孔94的下端與像素電極70的電連接的穩(wěn)定性提高。另外， 連接焊盤32位于與上柵極布線40b相同的層。因此，連接焊盤32如后述那樣能夠在與上柵極布線40b相同的工序中形成。此外，連接焊盤32的大小僅稍大于接觸孔94的大小。在此，對(duì)第一基板16的制造方法進(jìn)行說明。圖5至圖10是表示第一基板16的制造工序的圖。此外，在本實(shí)施方式中，第一基板16經(jīng)過四次曝光工序進(jìn)行制造。圖5是用于說明第一曝光工序的圖，圖6是用于說明第二曝光工序的圖，圖7至圖9是用于說明第三曝光工序的圖，圖10是用于說明第四曝光工序的圖。如圖5的5A所示，首先，將用于形成像素電極70的透明導(dǎo)電膜(例如氧化銦錫、 氧化銦鋅等的膜)79和用于形成上述上柵極布線40b、連接焊盤32的導(dǎo)體膜49層疊在第一基板16上。例如，在第一基板16上通過濺射法、真空蒸鍍法形成透明導(dǎo)電膜79，在透明導(dǎo)電膜79上形成具有比透明導(dǎo)電膜79高的導(dǎo)電率的導(dǎo)體膜49 (例如銅、鉬、鋁等金屬膜)。 之后，在導(dǎo)體膜49上形成抗蝕膜99。接著，如圖5B所示，經(jīng)過利用了光掩模的曝光工序和顯影工序來圖案形成抗蝕膜 99，在導(dǎo)體膜49上形成抗蝕劑99A、99B。在此，作為光掩模，利用半色調(diào)掩模(half-tone mask)、灰階掩模等具有三個(gè)等級(jí)的透光率的多灰階掩模。并且，形成厚度不同的兩個(gè)抗蝕膜。具體來說，形成與像素電極70的形狀相對(duì)應(yīng)的圖案的薄抗蝕膜99A以及與柵極布線40 和連接焊盤32的形狀相對(duì)應(yīng)的比薄抗蝕膜99A厚的厚抗蝕膜99B。之后，利用薄抗蝕膜99A形成像素電極70，利用厚抗蝕膜99B形成柵極布線40和連接焊盤32。具體來說，首先將薄抗蝕膜99A和厚抗蝕膜99B這雙方作為掩模，來蝕刻導(dǎo)體膜49和透明導(dǎo)電膜79。其結(jié)果，如圖5的5C所示那樣在薄抗蝕膜99A和厚抗蝕膜99B都未存在的區(qū)域去除導(dǎo)體膜49和透明導(dǎo)電膜79。之后，如5D所示那樣剝離掉薄抗蝕膜99A。 此時(shí)，由于厚抗蝕膜99B比薄抗蝕膜99A厚，因此以變薄的狀態(tài)殘留。接著，將殘留的厚抗蝕膜99B作為掩模來蝕刻導(dǎo)體膜49，之后，將厚抗蝕膜99B完全剝離。其結(jié)果，如圖5的5E 所示，能夠得到上述柵極布線40、連接焊盤32、以及像素電極70。即，像素電極70和下柵極布線40a由透明導(dǎo)電膜79形成，上柵極布線40b和連接焊盤32由導(dǎo)體膜49形成。接著，如圖6所示，在柵極布線40、像素電極70以及連接焊盤32上形成覆蓋它們的柵極絕緣膜42。柵極絕緣膜42例如能夠通過等離子體化學(xué)氣相沉積法形成。之后，在柵極絕緣膜42上形成TFT 50的溝道部53、源電極M、漏電極52以及漏極布線56。在本實(shí)施方式中，為了通過一次曝光工序形成這些部件，在形成這些部件時(shí)也利用多灰階掩模。具體來說，在柵極絕緣膜42上通過等離子體化學(xué)氣相沉積法或者濺射法使半導(dǎo)體層60、歐姆層(未圖示)以及用于形成源電極M等的導(dǎo)體膜層疊。接著，在導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜。然后，與圖5的5C所示的方法同樣地利用多灰階掩模，圖案形成抗蝕膜。S卩，在導(dǎo)體膜上形成與溝道部對(duì)應(yīng)的薄抗蝕膜、以及與源電極M、漏電極52及漏極布線56對(duì)應(yīng)的厚抗蝕膜。然后，利用這些厚度不同的兩個(gè)抗蝕圖案來形成溝道部53、源電極M、漏電極 52以及漏極布線56。接著，如圖7的7A所示，通過覆蓋TFT 50來在柵極絕緣膜42上形成保護(hù)絕緣膜 44。之后，在保護(hù)絕緣膜44上層疊抗蝕膜98。與柵極絕緣膜42的形成同樣地，保護(hù)絕緣膜 44的形成能夠利用例如等離子體化學(xué)氣相沉積法。接著，如7B和7C所示那樣形成貫通于保護(hù)絕緣膜44的接觸孔92和貫通于柵極絕緣膜42和保護(hù)絕緣膜44的接觸孔94。具體來說，經(jīng)過曝光工序和顯影工序來圖案形成抗蝕膜98。即，在抗蝕膜98上形成與接觸孔92和接觸孔94相對(duì)應(yīng)的圖案(孔98a、98b) (參照7B)。接著，將該圖案形成的抗蝕膜98作為掩模，來蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42，之后將抗蝕膜98剝離。由此能夠得到接觸孔92、94(參照7C)。上述柵極布線40的端子部和漏極布線56的端子部設(shè)置在第一基板16的外周部。 在第一基板16的外周部中，在柵極絕緣膜42和保護(hù)絕緣膜44上形成開口，柵極布線40的端子部通過該開口與對(duì)該柵極布線40施加掃描信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路相連接。另外，漏極布線56 的端子部通過該開口與對(duì)該漏極布線56施加影像信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路相連接。用于柵極布線 40的端子部與驅(qū)動(dòng)電路的連接的開口和用于漏極布線56的端子部與驅(qū)動(dòng)電路的連接的開口與圖7的接觸孔92、94的形成同時(shí)地形成。圖8是柵極布線40的端子部處的截面圖。圖8的8A、8B、8C所示的截面分別對(duì)應(yīng)圖7的7A、7B、7C的階段。另外，圖9是漏極布線56的端子部處的截面圖。圖9的9A、9B、 9C所示的截面分別對(duì)應(yīng)圖7的7A、7B、7C的階段。如圖8的8A所示，在柵極布線40的端子部上層疊有柵極絕緣膜42、保護(hù)絕緣膜 44以及抗蝕膜98。另外，如圖9的9A所示，漏極布線56形成在柵極絕緣膜42上，漏極布線56的端子部也被保護(hù)絕緣膜44和抗蝕膜98覆蓋。接著，如圖8的8B和圖9的9B所示，經(jīng)過曝光工序和顯影工序，圖案形成抗蝕膜 98。S卩，在柵極布線40的端子部和漏極布線56的端子部的上方形成抗蝕膜98的開口 98c、 98d。然后，將該圖案形成的抗蝕膜98作為掩模蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42。其結(jié)果，如8C和9C所示那樣在柵極布線40的端子部上和漏極布線56的端子部上形成開口 43a、43b。這些端子部通過像這樣形成的開口 43a、4!3b來與驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行連接。具體來說， 在后述的工序中，用于形成公共電極80的透明導(dǎo)電膜也被提供給這些開口 43a、43b。其結(jié)果，各布線40、56的端子部通過被提供給這些開口 43a、4!3b的透明導(dǎo)電膜來與驅(qū)動(dòng)電路相連接。在蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42之后，在保護(hù)絕緣膜44上形成公共電極 80和連結(jié)導(dǎo)體84。具體來說，如圖10的IOA所示那樣在保護(hù)絕緣膜44上形成透明導(dǎo)電膜 89。透明導(dǎo)電膜89的形成例如通過濺射法進(jìn)行。然后，在透明導(dǎo)電膜89上涂覆抗蝕膜97，經(jīng)過曝光工序和顯影工序，圖案形成抗蝕膜97。S卩，將抗蝕膜97形成為與公共電極80和連結(jié)導(dǎo)體84相對(duì)應(yīng)的圖案。然后，將圖案形成的抗蝕膜97作為掩模，來蝕刻透明導(dǎo)電膜89。 其結(jié)果，如IOB所示那樣在保護(hù)絕緣膜44上形成公共電極80和連結(jié)導(dǎo)體84。此外，在該過程中，對(duì)上述的開口 43a、4!3b也提供了透明導(dǎo)電膜，經(jīng)過蝕刻處理等，僅在開口 43a、4!3b的部分殘留透明導(dǎo)電膜。以上就是第一基板16的制造方法的例子。在以上說明的液晶面板10中，柵極布線40具有包含下柵極布線40a和上柵極布線40b的兩層結(jié)構(gòu)，該下柵極布線40a由與像素電極70相同的材料形成且位于與像素電極 70相同的層，該上柵極布線40b層疊在下柵極布線40a上，由導(dǎo)電率高于像素電極70的透明導(dǎo)電材料的材料形成。因此，通過一次曝光工序能夠形成柵極布線40和像素電極70這雙方。特別地，在液晶面板10中，在與公共電極80相同的層上形成連結(jié)導(dǎo)體84，該連結(jié)導(dǎo)體84由與該公共電極80相同的材料形成且通過接觸孔92、94與TFT 50的源電極M和像素電極70進(jìn)行連接。由此，能夠通過與形成公共電極80相同的工序形成連結(jié)導(dǎo)體84。 其結(jié)果，能夠抑制為了連結(jié)導(dǎo)體84而增加制造工序。此外，在以上的例子中，連結(jié)導(dǎo)體84形成在保護(hù)絕緣膜44上，通過分開設(shè)置的接觸孔92、94將源電極M和像素電極70進(jìn)行了連接。然而，連結(jié)導(dǎo)體84也可以在一個(gè)接觸孔中將源電極M和像素電極70進(jìn)行連接。圖11是表示源電極M與像素電極70的連接結(jié)構(gòu)的另一例的截面圖，其切割面與圖3相同。此外，在圖11中，對(duì)與此前所說明的位置相同的部分附加相同的附圖標(biāo)記。在本例中，源電極M超過柵極布線40上的區(qū)域而朝向像素電極70延伸。源電極 M的端部位于像素電極70的上方(在本例中，是連接焊盤32的上方)，從俯視來看與連接焊盤32的一部分相重疊。在保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42上形成有貫通于這些膜的接觸孔94'。一個(gè)接觸孔94'形成為使源電極M的端部和連接焊盤32的一部分露出。即，源電極M的端部和連接焊盤32的一部分位于接觸孔94'的內(nèi)側(cè)。連結(jié)導(dǎo)體(連結(jié)電極)84'在接觸孔94'中被連接在源電極M的端部和像素電極70(在本例中，是連接焊盤3 上。這樣的連結(jié)導(dǎo)體84'與上述連結(jié)導(dǎo)體84相比長度較短，因此能夠提高各像素的開口率。此外，連結(jié)導(dǎo)體84'也與連結(jié)導(dǎo)體84同樣地由與公共電極80相同的材料形成。連結(jié)導(dǎo)體84'能夠通過圖10所示的工序與公共電極80同時(shí)形成。另外， 源電極能夠通過參照?qǐng)D6說明的工序與源電極M同樣地形成。[第二實(shí)施方式]圖12是本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的液晶面板110所具備的第一基板的俯視圖。圖13和圖14是本實(shí)施方式的液晶面板110的截面圖，分別將用圖12的XIII-XIII線和XIV-XIV線表示的面作為切割面。此外，在這些圖中，對(duì)與以上說明的部分相同的部分附加相同的附圖標(biāo)記。在該方式中，由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極180被形成在保護(hù)絕緣膜44上。在本例中，雖然也在公共電極180上形成了狹縫，但是其形狀與上述的公共電極80不同。艮口， 形成在公共電極180上的狹縫形成為從一方的公共布線182朝向另一方的公共布線182斜向延伸。多個(gè)狹縫被形成為夾持各像素的中心線C相對(duì)稱。另外，本例的公共布線182如圖13所示那樣雖然沿著漏極布線56形成，但是沒有被形成為覆蓋漏極布線56。通過這樣能夠降低由漏極布線56和公共電極80形成的電容。 其結(jié)果，能夠抑制由漏極布線56進(jìn)行的影像信號(hào)的傳送延遲。如圖14所示，在比公共電極180低的層上形成有輔助公共布線183。輔助公共布線183形成在與上述的柵極布線40和像素電極70相同的層上。即，輔助公共布線183形成在第一基板16上。另外，輔助公共布線183沿著柵極布線40形成。換言之，輔助公共布線183與柵極布線40平行地形成。另外，輔助公共布線183靠近相鄰的兩個(gè)柵極布線40 中的一方的柵極布線40。輔助公共布線183與上述的柵極布線40同樣地具有兩成結(jié)構(gòu)。具體來說，輔助公共布線183包含下輔助布線183a和上輔助布線18北，該下輔助布線183a由與像素電極70、 下柵極布線40a相同的透明導(dǎo)電材料形成，該上輔助布線18 層疊在下輔助布線183a上， 由與上柵極布線40b相同的材料形成。即，上輔助布線18 由導(dǎo)電率高于透明導(dǎo)電材料的材料形成。輔助公共布線183與公共電極180電連接。由此，能夠降低公共電極180的電阻。 在本例中，如圖14所示那樣在柵極絕緣膜42和保護(hù)絕緣膜44上形成有接觸孔195。輔助公共布線183通過該接觸孔195與公共電極180電連接。這樣的輔助公共布線183能夠在圖5所示的與像素電極70和柵極布線40相同的工序中形成。即，在使透明導(dǎo)電膜79、導(dǎo)體膜49以及抗蝕膜99層疊在第一基板16上之后 (圖5中的5A)，利用多灰階掩模來形成薄抗蝕膜99A和厚抗蝕膜99B，該薄抗蝕膜99A具有與柵極布線40和輔助公共布線183的形狀相對(duì)應(yīng)的圖案，該厚抗蝕膜99B具有與像素電極70的形狀相對(duì)應(yīng)的圖案。通過這樣，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助公共布線 183。另外，接觸孔195在圖7所示的形成接觸孔92、94的工序中形成。即，在保護(hù)絕緣膜44上形成具有與接觸孔92、94、195相對(duì)應(yīng)的圖案的抗蝕膜(參照?qǐng)D7中的7B)。然后， 在蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42之后，將該抗蝕膜剝離。由此，能夠得到接觸孔92、 94、195。其它的工序與第一實(shí)施方式相同。[第三實(shí)施方式]圖15是本發(fā)明的第三實(shí)施方式所涉及的液晶面板210所具備的第一基板的俯視圖。圖16和圖17是本實(shí)施方式的液晶面板210的截面圖，分別將用圖15的XVI-XVI線和 XVII-XVII線表示的面作為切割面。此外，在這些圖中對(duì)與以上說明的部分相同的部分附加相同的附圖標(biāo)記。如圖15和圖16所示，在公共電極180上形成有輔助公共布線觀3。輔助公共布線 283由具有比形成公共電極80的透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率的材料形成。具體來說，輔助公共布線觀3由銅、鉬、鋁等金屬形成。由此，能夠降低公共電極80的電阻。另外，在本例中，輔助公共布線283沿著公共布線82形成，層疊在該公共布線82 上。公共布線82如上所述那樣被形成在由銅等金屬形成的漏極布線56的上方。因此，通過形成輔助公共布線觀3能夠抑制像素的開口率下降。如圖17所示，在連結(jié)導(dǎo)體84上層疊有輔助連結(jié)導(dǎo)體觀4。輔助連結(jié)導(dǎo)體觀4由具有比形成公共電極80、連結(jié)導(dǎo)體84的透明導(dǎo)電材料高的導(dǎo)電率的材料形成。具體來說，輔助連結(jié)導(dǎo)體觀4與輔助公共布線觀3同樣地由銅、鉬、鋁等金屬形成。由此，能夠降低連結(jié)導(dǎo)體84的電阻。說明第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造方法。本方式的第一基板16的制造方法與形成第一實(shí)施方式所涉及的液晶面板10的第一基板16的工序大致相同，不同點(diǎn)在于圖10所示的第四曝光工序。圖18A至圖18D是表示第三實(shí)施方式所涉及的第一基板的制造中的第四曝光工序的圖。在圖18A至圖18D中，(a)是將用圖15的XVI-XVI線表示的面作為切割面的截面圖，(b)是將用圖15所示的XVII-XVII線表示的面作為切割面的截面圖。在本方式中，在形成公共電極80、連結(jié)導(dǎo)體84時(shí)，也利用多灰階掩模。由此，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠形成輔助連結(jié)導(dǎo)體284和輔助公共布線觀3。具體來說，如圖 18A所示，使透明導(dǎo)電膜89以及用于形成輔助公共布線283和輔助連結(jié)導(dǎo)體觀4的導(dǎo)體膜 289層疊在保護(hù)絕緣膜44上，并且在導(dǎo)體膜289上形成抗蝕膜97。接著，如圖18B所示，經(jīng)過利用多灰階掩模的曝光工序和顯影工序來圖案形成抗蝕膜97，在導(dǎo)體膜289上形成厚度不同的抗蝕膜97A、97B。即，形成具有與公共電極80的形狀相對(duì)應(yīng)的圖案的薄抗蝕膜97A以及具有與輔助公共布線283和輔助連結(jié)導(dǎo)體284的形狀相對(duì)應(yīng)的圖案的厚抗蝕膜97B。在此，厚抗蝕膜97B比薄抗蝕膜97A厚。接著，如圖18C所示那樣將薄抗蝕膜97A和厚抗蝕膜97B這雙方作為掩模，來蝕刻導(dǎo)體膜289和透明導(dǎo)電膜89。之后，如圖18D所示那樣將薄抗蝕膜97A剝離。此時(shí)，厚抗蝕膜97B以變薄的狀態(tài)殘留。接著，將殘留的厚抗蝕膜97B作為掩模來蝕刻導(dǎo)體膜觀9，之后將厚抗蝕膜97B完全剝離。由此，能夠得到圖15和圖16所示的輔助公共布線283和輔助連結(jié)導(dǎo)體觀4。其它的工序與第一實(shí)施方式相同。[第四實(shí)施方式]圖19是本發(fā)明的第四實(shí)施方式所涉及的液晶面板310所具備的第一基板的俯視圖。圖20和圖21是本實(shí)施方式的液晶面板310的截面圖，分別將用圖19的XX-XX線盒 XXI-XXI線表示的面作為切割面。如圖19和圖20所示，在本方式中，在與漏極布線56相同的層上形成有輔助公共布線383。輔助公共布線383沿著漏極布線56形成。具體來說，輔助公共布線383與漏極布線56平行地形成，并且靠近相鄰的兩個(gè)漏極布線56中的一方的漏極布線56。如圖20所示，公共布線382位于輔助公共布線383和漏極布線56的上方，并覆蓋輔助公共布線383和漏極布線56。S卩，公共布線382沿著輔助公共布線383和漏極布線56 形成，從俯視來看形成為與這些布線相重疊。如圖21所示，輔助公共布線383通過形成于保護(hù)絕緣膜44的接觸孔395與公共電極380相連接。在輔助公共布線383上設(shè)置有連接部383a，接觸孔395形成在連接部383a 上。在本例中，連接部383a從輔助公共布線383向沿著柵極布線40的方向突出，位于柵極布線40的上方。由此，能夠抑制由于連接部383a而像素的開口率下降。此外，也可以不設(shè)置從輔助公共布線383突出的這種連接部383a。S卩，接觸孔395也可以形成在輔助公共布線383上。輔助公共布線383與漏極布線56同樣地也具有由半導(dǎo)體層60和層疊在半導(dǎo)體層 60上的導(dǎo)體層構(gòu)成的兩層結(jié)構(gòu)。即，在本方式中，半導(dǎo)體層60被圖案形成為與源電極54、 漏電極52、漏極布線56以及輔助公共布線383相對(duì)應(yīng)的形狀。
這樣的輔助公共布線383無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠在形成漏極布線56的工序中形成。具體來說，首先，在參照?qǐng)D6說明的工序中，使半導(dǎo)體層60以及用于形成漏極布線56、輔助公共布線383等的導(dǎo)體膜層疊在柵極絕緣膜42上。接著，在該導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜。然后，經(jīng)過利用多灰階掩模的曝光工序和顯影工序來圖案形成抗蝕膜。即，在導(dǎo)體膜上形成與溝道部53對(duì)應(yīng)的圖案的薄抗蝕膜和厚抗蝕膜，該厚抗蝕膜具有與具有漏極布線56、輔助公共布線383等兩層結(jié)構(gòu)的部分對(duì)應(yīng)的圖案。然后，利用這些薄抗蝕膜和厚抗蝕膜，形成溝道部53、源電極M、漏電極52、漏極布線56以及輔助公共布線383。另外，接觸孔395在圖7所示的形成接觸孔92、94的工序中形成。即，在保護(hù)絕緣膜44上形成具有與接觸孔92、94、395相對(duì)應(yīng)的圖案的抗蝕膜(參照?qǐng)D7的7B)。然后，在蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42之后，將該圖案形成的抗蝕膜剝離。由此，得到接觸孔 92、94、395。其它的工序與第一實(shí)施方式相同。[第五實(shí)施方式]圖22和圖23是本發(fā)明的第五實(shí)施方式所涉及的液晶面板410的截面圖。圖22將與用圖2的III-III線表示的切割面相同的面作為切割面。圖23將與用圖2的IV-IV線表示的切割面相同的面作為切割面。在該方式中，也與第一實(shí)施方式同樣地，公共電極80被形成為其一部分位于漏極布線56的上方。具體來說，與公共電極80 —體形成的公共布線82位于漏極布線56的上方。在該方式中，在公共布線82與漏極布線56之間形成有附加絕緣部445。附加絕緣部 445沿著公共布線82、漏極布線56形成在保護(hù)絕緣膜44上。即，附加絕緣部445僅形成在公共布線82與漏極布線56之間，不形成在除此以外的區(qū)域上。由此，能夠抑制由于附加絕緣部445而透光率下降。附加絕緣部445由介電常數(shù)比保護(hù)絕緣膜44低的材料形成。例如，在作為保護(hù)絕緣膜44使用Si02、SiNx的情況下，對(duì)附加絕緣部445使用相對(duì)介電常數(shù)為4以下的有機(jī)材料。尤其是在本實(shí)施方式中，附加絕緣部445由通過對(duì)保護(hù)絕緣膜44的蝕刻處理而能夠作為抗蝕膜發(fā)揮功能的材料(感光性丙烯酸樹脂)形成。由此，無需增加曝光工序的次數(shù)，就能夠在保護(hù)絕緣膜44上形成附加絕緣部445。圖M是表示形成附加絕緣部445的工序的圖。此外，該圖中的用24A、24B、24C表示的工序分別對(duì)應(yīng)圖7的用7A、7B、7C表示的工序。在此，以與第一實(shí)施方式所涉及的制造工序不同的工序?yàn)橹行倪M(jìn)行說明。首先，在柵極絕緣膜42上層疊保護(hù)絕緣膜44和用于形成附加絕緣部445的抗蝕膜449來覆蓋TFT 50。接著，如圖M的24A所示那經(jīng)過曝光工序和顯影工序來圖案形成抗蝕膜449。在該曝光工序中，將利用多灰階掩模圖案形成的厚度不同的兩個(gè)抗蝕膜形成在保護(hù)絕緣膜44上。即，形成薄抗蝕膜449A和與附加絕緣部445對(duì)應(yīng)的形狀的厚抗蝕膜 449B，該薄抗蝕膜449A具有接觸孔92、94以及形成在柵極布線40、56的端子部上的開口 43a,43b (參照?qǐng)D8至圖9)。該厚抗蝕膜449B位于已經(jīng)形成的漏極布線56的上方，并且沿著漏極布線56形成。接著，如24B所示那樣蝕刻保護(hù)絕緣膜44和柵極絕緣膜42，來形成接觸孔92、94 以及端子部的開口 43a、43b。接著，如24C所示那樣將薄抗蝕膜449A剝離。此時(shí)，厚抗蝕膜449B由于接觸到剝離液等而變薄。然后，殘留的厚抗蝕膜449B形成為附加絕緣部445。之后，經(jīng)過圖10所示的工序，在附加絕緣部445上形成公共布線82。
盡管已說明了目前被看作為本發(fā)明的特定實(shí)施例的這些實(shí)施例，但應(yīng)當(dāng)理解可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種修改，并且意圖是所附權(quán)利要求書涵蓋所有這些修改而落入本發(fā)明的真實(shí)構(gòu)思和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種液晶面板，其具有夾持液晶00)的兩個(gè)基板(16、18)，在一方的基板(16)上形成有薄膜晶體管(50)、由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極(70) 以及由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極(80)，上述像素電極、上述薄膜晶體管、以及與上述薄膜晶體管相連接的布線(40、56)位于比上述公共電極低的層上，該液晶面板的特征在于，與上述薄膜晶體管相連接的柵極布線GO)具有包含下布線(40a)和上布線GOb)的兩層結(jié)構(gòu)，該下布線GOa)由與上述像素電極相同的材料形成，并且位于與上述像素電極相同的層；該上布線(40b)層疊在該下布線上，由導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電材料的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，上述薄膜晶體管包含形成在第一絕緣膜0 的上側(cè)的電極64)，該第一絕緣膜G2) 覆蓋上述柵極布線和上述像素電極，上述公共電極形成在被形成于上述第一絕緣膜的上側(cè)的第二絕緣膜G4)上，在與上述公共電極相同的層上形成有連結(jié)導(dǎo)體(84)，該連結(jié)導(dǎo)體(84)由與該公共電極相同的材料形成，并且通過接觸孔(92、94)與上述薄膜晶體管的上述電極(54)和上述像素電極(70)相連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶面板，其特征在于，上述薄膜晶體管的上述電極的一部分(54')位于上述像素電極的上方，上述電極的上述一部分和上述像素電極的一部分位于上述接觸孔(94')的內(nèi)側(cè)，上述連結(jié)導(dǎo)體(84')在上述接觸孔中與上述電極的上述一部分和上述像素電極的上述一部分相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，在比上述公共電極(180)低的層上形成通過接觸孔(195)與該公共電極相連接的輔助公共布線(183)，上述輔助公共布線具有包含下輔助布線(183a)和上輔助布線(183b)的兩層結(jié)構(gòu)，該下輔助布線(183a)位于與上述像素電極和上述柵極布線的上述下布線相同的層，并且由與上述像素電極相同的材料形成；該上輔助布線(183b)由與上述柵極布線的上述上布線相同的材料形成，層疊在上述下輔助布線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，在上述公共電極(80)上形成有由具有高于該公共電極的材料的導(dǎo)電率的材料形成的輔助公共布線083)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，在比上述公共電極(380)低的層上形成有與上述薄膜晶體管相連接且被施加影像信號(hào)的漏極布線(56)，在與上述漏極布線相同的層上形成有輔助公共布線(383)，該輔助公共布線(383)由具有高于上述公共電極的導(dǎo)電率的材料形成，且通過接觸孔與上述公共電極相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶面板，其特征在于，上述薄膜晶體管包含由半導(dǎo)體層(60)形成的溝道部(53)，上述漏極布線和上述輔助公共布線具有包含上述半導(dǎo)體層(60)和層疊在上述半導(dǎo)體層上的導(dǎo)體層(383)的兩層結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶面板，其特征在于，上述公共電極被形成為其一部分(82位于)與上述薄膜晶體管相連接、并且被施加影像信號(hào)的漏極布線(56)的上方。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶面板，其特征在于，在上述公共電極的上述一部分與上述漏極布線之間形成第二絕緣膜G4)和由介電常數(shù)低于上述第二絕緣膜的材料形成的附加絕緣部(445)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶面板，其特征在于，上述附加絕緣部由能夠在對(duì)上述第二絕緣膜的蝕刻處理中起抗蝕膜功能的材料形成。
11.一種液晶顯示裝置，其包含權(quán)利要求1所述的液晶面板。
12.一種液晶面板的制造方法，該液晶面板具有夾持液晶的兩個(gè)基板(18、16)，在一方的基板(16)上形成有薄膜晶體管(50)、由透明導(dǎo)電材料形成的像素電極(70)以及由透明導(dǎo)電材料形成的公共電極(80)，上述像素電極、上述薄膜晶體管、以及與上述薄膜晶體管相連接的布線(56、40)位于比上述公共電極低的層上，該液晶面板的制造方法的特征在于，包括以下工序在用于形成上述像素電極的透明導(dǎo)電膜(79)上層疊導(dǎo)電率高于上述透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜(49)的工序；在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜(99)的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光來形成第一抗蝕膜(99B)和比上述第一抗蝕膜厚的第二抗蝕膜(99A)，其中該第一抗蝕膜(99B)與上述像素電極相對(duì)應(yīng)地被形成圖案，該第二抗蝕膜(99A)與上述薄膜晶體管所連接的柵極布線相對(duì)應(yīng)地被形成圖案；以及利用上述第一抗蝕膜和上述第二抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述像素電極，并且由上述透明導(dǎo)電膜和上述導(dǎo)體膜形成上述柵極布線的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，還包括以下工序形成覆蓋上述像素電極和上述柵極布線的第一絕緣膜G2)；在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成構(gòu)成上述薄膜晶體管的電極(5254)；在上述第一絕緣膜的上側(cè)層疊第二絕緣膜G4)來覆蓋上述薄膜晶體管的上述電極；在上述第二絕緣膜上形成透明導(dǎo)電膜(89)；以及由上述透明導(dǎo)電膜形成連結(jié)導(dǎo)體(84)和上述公共電極(80)，其中該連結(jié)導(dǎo)體(84)通過接觸孔(92、94)與上述像素電極(70)和上述薄膜晶體管的上述電極(54)相連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，上述第二抗蝕膜除了與上述柵極布線相對(duì)應(yīng)地被形成圖案以外，還與用于和上述公共電極相連接的輔助公共布線(183)相對(duì)應(yīng)地被形成圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，包含以下工序在用于形成上述公共電極的透明導(dǎo)電膜(89)上層疊導(dǎo)電率高于該透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)體膜(289)的工序；在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜(97)的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光形成第三抗蝕膜(97A)、以及比上述第三抗蝕膜厚的第四抗蝕膜(97B)，其中該第三抗蝕膜(97A)與上述公共電極相對(duì)應(yīng)地形成圖案，該第四抗蝕膜(97B)與形成在上述公共電極上的輔助公共布線相對(duì)應(yīng)地形成圖案；以及利用上述第三抗蝕膜和上述第四抗蝕膜，由上述透明導(dǎo)電膜形成上述公共電極，并且由上述導(dǎo)體膜形成上述輔助公共布線的工序。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，還包括以下工序 在用于形成上述薄膜晶體管的溝道部(5 的半導(dǎo)體層(60)上層疊導(dǎo)體膜的工序； 在上述導(dǎo)體膜上形成抗蝕膜的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光形成第五抗蝕膜、以及比上述第五抗蝕膜厚的第六抗蝕膜，其中該第五抗蝕膜與上述溝道部相對(duì)應(yīng)地形成圖案，該第六抗蝕膜與連接在上述薄膜晶體管上的漏極布線(56)和沿上述漏極布線形成的輔助公共布線(383)相對(duì)應(yīng)地形成圖案；以及利用上述第五抗蝕膜和上述第六抗蝕膜，由上述半導(dǎo)體層形成上述溝道部，并且由上述半導(dǎo)體層和上述導(dǎo)體膜形成上述漏極布線和上述輔助公共布線的工序。
17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶面板的制造方法，其特征在于，還包括以下工序形成覆蓋與上述薄膜晶體管相連接的上述柵極布線GO)和上述像素電極(70)的第一絕緣膜G2)的工序；在上述第一絕緣膜的上側(cè)形成第二絕緣膜G4)的工序；在上述第二絕緣膜上形成具有低于上述第二絕緣膜的介電常數(shù)的抗蝕膜G9)的工序；對(duì)上述抗蝕膜進(jìn)行圖案形成的工序，該工序通過利用多灰階掩模的曝光來形成在上述漏極布線的上方具有比其它部分厚的部分G49B)的抗蝕膜；除了上述抗蝕膜的上述較厚的部分以外，去除該抗蝕膜的工序；以及在上述抗蝕膜的上述厚的部分上和上述第二絕緣膜上形成上述公共電極(80)的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶面板、液晶顯示裝置及其制造方法。柵極布線(40)具有包含下柵極布線(40a)和上柵極布線(40b)的兩層結(jié)構(gòu)，該下柵極布線(40a)由與像素電極(70)相同的材料形成，并且位于與像素電極(70)相同的層，該上柵極布線(40b)層疊在該下柵極布線(40a)上，由導(dǎo)電率高于透明導(dǎo)電材料的材料形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在最上層形成有公共電極的橫向電場方式的液晶面板的制造工序中，能夠減少曝光的次數(shù)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102566185SQ20111039723
公開日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者小野記久雄 申請(qǐng)人:松下液晶顯示器株式會(huì)社