專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)的制造方法，且特別涉及一種高開口率且制作方法簡易的像素結(jié)構(gòu)及像素結(jié)構(gòu)的制造方法。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)包括有源元件與像素電極。有源元件用來作為液晶顯示單元的開關(guān)元件。而為了控制個別的像素結(jié)構(gòu)，通常會經(jīng)由對應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線來選取特定的像素，并通過提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對應(yīng)此像素的顯示數(shù)據(jù)。另外， 像素結(jié)構(gòu)中還包括存儲電容器(storage capacitor)，使得像素結(jié)構(gòu)具有電壓保持的功能。 也就是，存儲電容器能夠存儲上述所施加的操作電壓，以維持像素結(jié)構(gòu)顯示畫面的穩(wěn)定性。為了在像素結(jié)構(gòu)中設(shè)置存儲電容器，一般會需要在像素結(jié)構(gòu)中形成電容電極。然而，為了增加存儲電容器的電容值必須增加電容電極的面積。一般來說，電容電極是以金屬一類的不透光導(dǎo)電材料制作而成的，電容電極的面積增加意味著不透光面積的增加也就是會降低像素結(jié)構(gòu)的開口率。此外，在像素結(jié)構(gòu)中，像素電極與數(shù)據(jù)線之間并無其他導(dǎo)電元件，使得像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合效應(yīng)影響像素結(jié)構(gòu)的顯示品質(zhì)。所以，像素電極與數(shù)據(jù)線之間必須被要求相隔一定的距離，這又對顯示開口率造成進(jìn)一步的限制。因此，目前的像素結(jié)構(gòu)都較難以兼顧高畫面品質(zhì)與理想的顯示開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)具有兩層金屬層就可兼具足夠的存儲電容值以及增加的顯示開口率。本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，以五道光掩模制造工藝就可以制作高存儲電容并且高顯示開口率的像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提出一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上。像素結(jié)構(gòu)包括一通道層、一第一圖案化金屬層、一第一絕緣層、一第二圖案化金屬層、一第二絕緣層以及一像素電極。通道層配置于基板上。第一圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一源極與一漏極。源極連接數(shù)據(jù)線，而源極與漏極彼此分離并同時接觸于通道層。第一絕緣層覆蓋通道層以及第一圖案化金屬層，并具有一第一開口以暴露出漏極。第二圖案化金屬層配置于第一絕緣層上并包括一掃描線以及一電容電極。掃描線的延伸方向交錯于數(shù)據(jù)線的延伸方向，而電容電極具有重疊于數(shù)據(jù)線的至少一第一部。第二絕緣層覆蓋第二圖案化金屬層并具有一第二開口，其中第二開口連通于第一開口以暴露出漏極。像素電極配置于第二絕緣層上并通過第二開口以及第一開口連接于漏極，且像素電極至少重疊于電容電極的至少一第一部。在本發(fā)明一實施例中，上述像素電極與數(shù)據(jù)線重疊而在基板上定義出一重疊面積，且電容電極的第一部至少覆蓋住重疊面積。在本發(fā)明一實施例中，上述數(shù)據(jù)線整體夾于基板與第一絕緣層之間。在本發(fā)明一實施例中，上述通道層的材質(zhì)包括多晶硅半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料。在本發(fā)明一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)，還包括一緩沖層，其位于基板與通道層之間。在本發(fā)明一實施例中，上述通道層位于第一圖案化金屬層與基板之間。在本發(fā)明一實施例中，上述電容電極為一 U形圖案，U形圖案環(huán)繞于像素電極的邊緣。在本發(fā)明一實施例中，上述電容電極的第一部的寬度大于數(shù)據(jù)線的線寬。本發(fā)明另提出一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法。在一基板上形成一通道層。在基板上形成一第一圖案化金屬層。第一圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一源極與一漏極，源極連接數(shù)據(jù)線，而源極與漏極彼此分離并同時接觸于通道層。形成一第一絕緣層，其覆蓋通道層以及第一圖案化金屬層。在第一絕緣層上形成一第二圖案化金屬層。第二圖案化金屬層包括一掃描線以及一電容電極。掃描線的延伸方向交錯于數(shù)據(jù)線的延伸方向，而電容電極部分重疊于數(shù)據(jù)線。形成第二絕緣層，其覆蓋第二圖案化金屬層。在第二絕緣層上形成一第一開口以及在第一絕緣層上形成一第二開口，其中第一開口連通于第二開口以暴露出漏極。在第二絕緣層上形成一像素電極。像素電極通過第二開口以及第一開口連接于漏極，且像素電極重疊于電容電極。在本發(fā)明一實施例中，上述通道層的材質(zhì)包括多晶硅半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料。在本發(fā)明一實施例中，上述像素結(jié)構(gòu)的制作方法還包括在形成該通道層之前，在基板上形成一緩沖層，其中緩沖層位于基板與通道層之間?；谏鲜?，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)利用電容電極設(shè)置于數(shù)據(jù)線與像素電極之間使得像素電極的配置面積增大而實現(xiàn)高顯示開口率。另外，采用五道光掩模制造工藝就可以完成像素結(jié)構(gòu)的制作，因此本發(fā)明提供一種制作方法簡易的像素結(jié)構(gòu)。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。


圖IA示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第一道光掩模制造方法的俯視示意圖。圖IB為沿圖IA的剖線1-1’所示出的剖面。圖IC為沿圖IA的剖線11-11’所示出的剖面。圖2A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第二道光掩模制造工藝的俯視示意圖。圖2B為沿圖2A的剖線1_1’所示出的剖面。圖2C為沿圖2A的剖線11-11’所示出的剖面。圖3A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第三道光掩模制造工藝的俯視示意圖。圖;3B為沿圖3A的剖線1_1’所示出的剖面。圖3C為沿圖3A的剖線11-11’所示出的剖面。
圖4A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第四道光掩模制造工藝的俯視示意圖。圖4B為沿圖4A的剖線1_1’所示出的剖面。圖4C為沿圖4A的剖線11-11’所示出的剖面。圖5A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第五道光掩模制造工藝的俯視示意圖。圖5B為沿圖5A的剖線1_1’所示出的剖面。圖5C為沿圖5A的剖線11-11’所示出的剖面。主要附圖標(biāo)記說明10 基板20 緩沖層100 像素結(jié)構(gòu)110:通道層112:摻雜半導(dǎo)體薄層114:圖案化的摻雜半導(dǎo)體薄層120:第一圖案化金屬層122 數(shù)據(jù)線124 源極126 漏極130 第一絕緣層140 第二圖案化金屬層142 掃描線144:電容電極144A 第一部144B 第二部146:柵極150 第二絕緣層132、152:開口160:像素電極A 重疊面積Dl 寬度D2 線寬I-I，、II-II，剖線
具體實施例方式圖IA示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第一道光掩模制造工藝的俯視示意圖，而圖IB與圖IC分別為沿圖IA的剖線1-1’與剖線11-11’所示出的剖面。請同時參照圖1A、1B與圖1C，本實施例的制作方法例如是先在基板10上形成一通道層110。 通道層110可以采用一第一道光掩模制造工藝加以制作。亦即，本步驟的具體實施方式
例如是先進(jìn)行物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、濺鍍等沉積制造工藝在基板10上形成整層的半導(dǎo)體材料。接著，通過一第一光掩模(未示出)進(jìn)行微影蝕刻制造工藝以將整層的半導(dǎo)體材料圖案化而構(gòu)成通道層110。在本實施例中，通道層110的材質(zhì)例如是多晶硅半導(dǎo)體材料，所以，在形成通道層 110之前可以先在基板10上形成一緩沖層20。另外，在形成通道層110的步驟中可以通過沉積條件的調(diào)整或是通過后續(xù)的摻雜制造工藝使得通道層110具有一摻雜半導(dǎo)體薄層 112，以利于提升最終元件的品質(zhì)。不過，上述制作步驟及材料的選用僅是舉例說明之用并非意圖限定本發(fā)明。在其他的實施方式中，通道層110的材質(zhì)可選擇為氧化物半導(dǎo)體材料，且通道層110可不需具有摻雜半導(dǎo)體薄層112。并且，制作通道層110之前也可選擇性地不在基板10上形成緩沖層 20。也就是說，本發(fā)明也可以使通道層110直接地配置于基板10上。圖2A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第二道光掩模制造工藝的俯視示意圖，而圖2B與圖2C分別為沿圖2A的剖線1-1’與剖線11-11’所示出的剖面。請同時參照圖2A、2B與圖2C，在上述第一道光掩模制造工藝之后，可以進(jìn)行一第二道光掩模制造工藝以在緩沖層20以及通道層110上形成第一圖案化金屬層120。第二道光掩模制造工藝可以包括形成金屬材料層以及圖案化金屬材料層的步驟，其中這些步驟的具體制作方式可以參照本領(lǐng)域常用的沉積制造工藝以及微影蝕刻制造工藝，在此不另贅述。此外，在完成第一圖案化金屬層120之后，可在第一圖案化金屬層120上形成一第一絕緣層130，使第一圖案化金屬層120被第一絕緣層130覆蓋。詳細(xì)而言，第一圖案化金屬層120包括數(shù)據(jù)線122、源極124以及漏極126。源極 IM連接數(shù)據(jù)線122，而源極IM與漏極144彼此分離并同時接觸于通道層110。在此，源極 1 例如是由數(shù)據(jù)線122所延伸出的分支所構(gòu)成，所以在圖2B中源極IM與數(shù)據(jù)線122為一體成型的構(gòu)件。值得一提的是，在圖案化金屬材料層構(gòu)成第一圖案化金屬層120的步驟中可以進(jìn)一步將通道層110上方的部分摻雜半導(dǎo)體薄層移除以構(gòu)成圖案化的摻雜半導(dǎo)體薄層114。如此一來，可以避免源極IM與漏極1 之間的摻雜半導(dǎo)體材料導(dǎo)致兩構(gòu)件不必要的電性連通。值得一提的是，當(dāng)通道層110不具有摻雜半導(dǎo)體薄層時，形成第二圖案化金屬層 120的步驟中可不需將通道層110進(jìn)一步圖案化或是薄化。換言之，本實施例的圖案化摻雜半導(dǎo)體薄層114僅是舉例說明之用，并非用以局限本發(fā)明。另外，本實施例是以通道層110 位于基板10與第一圖案化金屬層120之間來進(jìn)行說明，不過在其他的實施例中通道層110 與第一圖案化金屬層120的制作順序可以對調(diào)而使第一圖案化金屬層120的源極124、漏極 126位于通道層110與基板10之間。圖3A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第三道光掩模制造工藝的俯視示意圖，而圖3B與圖3C分別為沿圖3A的剖線1-1’與剖線11-11’所示出的剖面。請同時參照圖3AJB與圖3C，本實施例接著進(jìn)行第三道光掩模制造工藝以在第一絕緣層130 上形成第二圖案化金屬層140，并且在第二圖案化金屬層140上形成第二絕緣層150。第三道光掩模制造工藝可以參照已知的沉積、微影及蝕刻制造工藝，而本實施例不另作贅述。以本實施例而言，第二圖案化金屬層140包括掃描線142以及電容電極144。掃描線142的延伸方向交錯于數(shù)據(jù)線122的延伸方向，而電容電極144部分重疊于數(shù)據(jù)線122。具體而言，本實施例的電容電極144具有多個第一部144A以及連接第一部144A的第二部 144B而構(gòu)成U形圖案，其中第一部144A的延伸方向?qū)嵸|(zhì)上平行于數(shù)據(jù)線122的延伸方向， 且第一部144A重疊于數(shù)據(jù)線122。當(dāng)然，電容電極144在其他實施例中可以構(gòu)成其他形狀的圖案，而不以本實施例所示出的附圖為限。舉例而言，在其他的實施例中，電容電極144 可以是H形、Z形等其他的形狀。另外，掃描線142有一部分重疊于通道層110而可以定義為柵極146。因此，第二圖案化金屬層140所構(gòu)成的構(gòu)件中實質(zhì)上也包括了柵極146。在其他實施例中，可以將掃描線142延伸出一分支以作為柵極146，所以本實施例所表示的柵極146設(shè)計僅為舉例說明之用，非用以限定本發(fā)明。在此，柵極146、源極124、漏極126以及源極IM與漏極1 之間的通道層110構(gòu)成一薄膜晶體管以作為驅(qū)動顯示介質(zhì)的有源元件，其中本實施例的薄膜晶體管是頂柵型設(shè)計的薄膜晶體管，亦即本實施例的柵極146位于通道層110遠(yuǎn)離基板10的一側(cè)(上方)。圖4A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第四道光掩模制造工藝的俯視示意圖，而圖4B與圖4C分別為沿圖4A的剖線1-1’與剖線11-11’所示出的剖面。請同時參照圖4A、4B與圖4C，在形成第二絕緣層150之后，可以進(jìn)行第四道光掩模制造工藝以在第一絕緣層130中形成開口 132以及在第二絕緣層150中形成開口 152。由于開口 132 與開口 152是通過同一道光掩模制造工藝制作的，開口 132與開口 152彼此連通并且暴露出漏極126。換言之，開口 132與開口 152雖位于不同膜層中，卻共同構(gòu)成一接觸開口。圖5A示出為本發(fā)明一實施例的像素結(jié)構(gòu)的制作方法中第五道光掩模制造工藝的俯視示意圖，而圖5B與圖5C分別為沿圖5A的剖線1-1’與剖線11-11’所示出的剖面。請同時參照圖5A、5B與圖5C，本實施例例如在圖4A 4C所公開的制作步驟之后，在第二絕緣層150上形成像素電極160，使得像素電極160通過開口 152與開口 132所構(gòu)成的接觸開口電性連接漏極126以完成像素結(jié)構(gòu)100。整體而言，像素結(jié)構(gòu)100配置于一基板10上。像素結(jié)構(gòu)100包括一通道層110、一第一圖案化金屬層120(參照圖2A 2C)、第一絕緣層130、第二圖案化金屬層140(參照圖 3A 3C)、第二絕緣層150以及一像素電極160。通道層110配置于基板10上。第一圖案化金屬層120包括一數(shù)據(jù)線122、一源極IM與一漏極126。源極IM連接數(shù)據(jù)線122，而源極IM與漏極1 彼此分離并同時接觸于通道層110。第一絕緣層130覆蓋通道層110以及第一圖案化金屬層120，并具有開口 132以暴露出漏極126。第二圖案化金屬層140配置于第一絕緣層130上并包括一掃描線142以及一電容電極144。掃描線142的延伸方向交錯于數(shù)據(jù)線122的延伸方向，而電容電極144至少部分地重疊于數(shù)據(jù)線122。第二絕緣層 150覆蓋第二圖案化金屬層140并具有開口 152，其中152開口連通于開口 132以暴露出漏極126。像素電極160則配置于第二絕緣層150上并通過開口 152以及開口 132連接于漏極126，且像素電極160至少重疊于電容電極144的第一部144A。另外，電容電極144所構(gòu)成的U形圖案可以環(huán)繞像素電極160的邊緣。在本實施例中，電容電極144位于像素電極160與數(shù)據(jù)線122之間，因此像素電極 160與數(shù)據(jù)線122之間的耦合效應(yīng)會被電容電極144的第一部144A所屏蔽。在設(shè)定像素電極160的圖案時不需為了避免像素電極160與數(shù)據(jù)線122的耦合效應(yīng)造成不良的影響而使像素電極160與數(shù)據(jù)線122相隔一間距。所以，本實施例的像素電極160的面積與數(shù)據(jù)線122的面積可以彼此重疊而在基板10上定義出一重疊面積A(圖5A中以點狀分布的面積表示為所述的重疊面積A)。同時，第一部144A的寬度Dl可以等于或是大于數(shù)據(jù)線122 的線寬D2使得電容電極144的第一部144A至少覆蓋住重疊面積A。如此一來，可以增大像素電極160的面積，同時維持像素結(jié)構(gòu)100的顯示品質(zhì)。也就是說，本實施例的設(shè)計可以在顯示品質(zhì)不變差的前提下有效地增加像素結(jié)構(gòu)100的顯示開口率。另外，電容電極144與像素電極160之間僅相隔一層絕緣層，即第二絕緣層150，所以電容電極144與像素電極160所構(gòu)成的存儲電容可以具有較大的電容值。也就是說，像素結(jié)構(gòu)100可以具有足夠的電容值來維持顯示品質(zhì)的穩(wěn)定性。值得一提的是，本實施例的數(shù)據(jù)線122是以第一圖案化金屬層120制作而成，而整體地位于第一絕緣層130與基板10 之間，所以數(shù)據(jù)線122可以具有理想的傳輸品質(zhì)，也不容易有斷線的問題。整體而言，本實施例利用上述的五道光掩模制造工藝就可以實現(xiàn)高開口率大存儲電容值的像素結(jié)構(gòu)100。綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，第一圖案化金屬層構(gòu)成了源極、漏極及數(shù)據(jù)線， 第二圖案化金屬層構(gòu)成了柵極與電容電極，且第一圖案化金屬層位于第二圖案化金屬層與基板10之間。所以，電容電極實質(zhì)上可以位于像素電極與數(shù)據(jù)線之間，而屏蔽像素電極與數(shù)據(jù)線之間的耦合效應(yīng)。如此一來，可以增加像素電極的面積，甚至使像素電極的面積重疊于數(shù)據(jù)線的面積，借以提高顯示開口率。另外，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極與電容電極之間的距離僅為其中一層絕緣層的厚度，而有助于增加存儲電容的電容值以具有理想的顯示穩(wěn)性。整體而言，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)采用五道光掩模制造工藝制作就可以兼具理想的顯示品質(zhì)及顯示開口率。雖然本發(fā)明已以實施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動與潤飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，該像素結(jié)構(gòu)包括 一通道層，形成于該基板上，；一第一圖案化金屬層，包括一數(shù)據(jù)線、一源極與一漏極，該源極連接該數(shù)據(jù)線，而該源極與該漏極彼此分離并同時接觸于該通道層；一第一絕緣層，覆蓋該通道層以及該第一圖案化金屬層，并具有一第一開口以暴露出該漏極；一第二圖案化金屬層，配置于該第一絕緣層上并包括一掃描線以及一電容電極，該掃描線的延伸方向交錯于該數(shù)據(jù)線的延伸方向，而該電容電極具有重疊于該數(shù)據(jù)線的至少一第一部；一第二絕緣層，覆蓋該第二圖案化金屬層以及該第一絕緣層，并具有一第二開口，其中該第二開口連通于該第一開口以暴露出該漏極；以及一像素電極，配置于該第二絕緣層上并通過該第二開口以及該第一開口連接于該漏極，且該像素電極至少重疊于該電容電極的該至少一第一部。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該像素電極與該數(shù)據(jù)線重疊而在該基板上定義出一重疊面積，且該電容電極的該第一部至少覆蓋住該重疊面積。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該數(shù)據(jù)線整體夾于該基板與該第一絕緣層之間。
4.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道層的材質(zhì)包括多晶硅半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一緩沖層，位于該基板與該通道層之間。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道層位于該第一圖案化金屬層與該基板之間。
7.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該通道層位于該第一圖案化金屬層遠(yuǎn)離該基板的一側(cè)。
8.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極另包含平行于該掃描線的一第二部。
9.如權(quán)利要求8所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極為一U形圖案，該U形圖案環(huán)繞于該像素電極的邊緣。
10.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該電容電極的該第一部的寬度大于該數(shù)據(jù)線的線寬。
11.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該掃描線包含一柵極，位于該通道層上方。
12.—種像素結(jié)構(gòu)的制作方法，包括 在一基板上形成一通道層；在該基板上形成一第一圖案化金屬層，該第一圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一源極與一漏極，該源極連接該數(shù)據(jù)線，而該源極與該漏極彼此分離并同時接觸于該通道層； 形成一第一絕緣層，覆蓋該通道層以及該第一圖案化金屬層； 在該第一絕緣層上形成一第二圖案化金屬層，該第二圖案化金屬層包括一掃描線以及一電容電極，該掃描線的延伸方向交錯于該數(shù)據(jù)線的延伸方向，而該電容電極部分重疊于該數(shù)據(jù)線；形成一第二絕緣層，覆蓋該第二圖案化金屬層以及該第一絕緣層； 在該第二絕緣層以及在該第一絕緣層中形成一開口，以暴露出該漏極；以及在該第二絕緣層上形成一像素電極，該像素電極通過該開口連接于該漏極，且該像素電極部分重疊于該電容電極。
13.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該通道層的材質(zhì)包括多晶硅半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料。
14.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括在形成該通道層之前，在該基板上形成一緩沖層，其中該緩沖層位于該基板與該通道層之間。
15.如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，其中該像素電極部分重疊于該數(shù)據(jù)線。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)及其制造方法。像素結(jié)構(gòu)包括依序形成的一通道層、一第一圖案化金屬層、一第一絕緣層、一第二圖案化金屬層、一第二絕緣層以及一像素電極。第一圖案化金屬層包括一數(shù)據(jù)線、一源極與一漏極。第一絕緣層具有一第一開口以暴露出漏極。第二圖案化金屬層包括一掃描線以及一電容電極。電容電極具有重疊于數(shù)據(jù)線的第一部。第二絕緣層具有一第二開口，其連通于第一開口以暴露出漏極。像素電極通過第二開口以及第一開口連接于漏極，并至少重疊于電容電極的第一部。本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)具有兩層金屬層就可兼具足夠的存儲電容值以及增加的顯示開口率。
文檔編號G02F1/1333GK102436104SQ20111039662
公開日2012年5月2日 申請日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月15日
發(fā)明者陳培銘, 黃章祐 申請人:友達(dá)光電股份有限公司