專利名稱：陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯示器件的液晶面板包括陣列基板和彩膜基板，在薄膜晶體管液晶顯示器件的制程中可以分別單獨制作陣列基板和彩膜基板，然后再將陣列基板和彩膜基板對盒并填充液晶，以形成液晶面板。其中，陣列基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接?；谏鲜鲫嚵谢宓慕Y(jié)構(gòu)，當(dāng)陣列基板上的柵線控制薄膜晶體管打開后，由數(shù)據(jù)線向陣列基板上的像素電極充電，以在像素電極和公共電極之間形成電場，該電場作用于液晶使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而根據(jù)液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度不同以透過不同強(qiáng)度的光。目前像素電極所在的層和數(shù)據(jù)線所在的層之間僅設(shè)有一層用于絕緣的鈍化層，該鈍化層通常由SiNx等材料制成，其介電常數(shù)較高，因此使得在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生較強(qiáng)的電容效應(yīng)。為減小該電容效應(yīng)，一般都將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加遠(yuǎn)離一些，但這樣使得像素電極所占用的區(qū)域減小，減小了像素開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件，以提高像素開口率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案—種陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層。一種如上所述的陣列基板的制造方法，包括在像素電極所在的層與數(shù)據(jù)線所在的層之間形成樹脂介電層。一種液晶顯示器件，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有背光模組，面對所述背光模組設(shè)有由如上所述的陣列基板和彩膜基板對盒形成的液晶面板。 本發(fā)明實施例提供的陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件，在所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此所述樹脂介電層可以有效減小像素電極和數(shù)據(jù)線之間的電容效應(yīng)，這樣可以將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加接近一些，從而增大了像素電極所占用的區(qū)域，提高了像素開口率。


為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖I為本發(fā)明實施例陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意Ia為圖I中Al-Al方向的截面圖；圖2為本發(fā)明陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2a為圖2中A2-A2方向的截面圖；圖3為本發(fā)明陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖；圖4為本發(fā)明陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖4a為圖4中A4-A4方向的截面圖；圖4a'為圖4中A4-A4方向的另一截面圖；圖5為本發(fā)明陣列基板第四次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖5a為圖5中A5-A5方向的截面圖；圖6為本發(fā)明陣列基板第五次構(gòu)圖工藝后的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6a為圖6中A6-A6方向的截面圖；圖6a'為圖6中A6-A6方向的另一截面圖；圖7為本發(fā)明實施例陣列基板制造方法的示意圖。附圖標(biāo)記I-基板，2-柵線，2'-綁定柵線，21'-柵線連接過孔，3-柵絕緣層，41-半導(dǎo)體層，42-摻雜半導(dǎo)體層，5-數(shù)據(jù)線，5'-綁定數(shù)據(jù)線，51'-數(shù)據(jù)線連接過孔，6-鈍化層，
7-樹脂介電層，8-像素電極，9-像素電極絕緣層，10-公共電極，11-薄膜晶體管，Ila-柵極、Ilb-源極、Ilc-漏極,12-介電-純化層過孔。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件進(jìn)行詳細(xì)描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，下面參照圖I和圖Ia來說明本實施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)。其中，圖I所示為本發(fā)明實施例陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ia所示為圖I中Al-Al方向的截面圖。本實施例中的陣列基板，包括基板1，基板I上設(shè)有柵線2，垂直于柵線2設(shè)有數(shù)據(jù)線5，柵線2和數(shù)據(jù)線5之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管11和像素電極8，薄膜晶體管11的柵極Ila與柵線2連接、源極Ilb與數(shù)據(jù)線5連接、漏極Ilc與像素電極8連接，其中像素電極8所在的層與數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹脂介電層7。
本發(fā)明實施例提供的陣列基板，在像素電極8所在的層與數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹脂介電層7，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此樹脂介電層7可以有效減小像素電極8和數(shù)據(jù)線5之間的電容效應(yīng)，這樣可以將像素電極8和數(shù)據(jù)線5設(shè)計得更加接近一些，從而增大了像素電極8所占用的區(qū)域，提高了像素開口率。
由上面的描述可知，當(dāng)所述陣列基板上的柵線2控制薄膜晶體管11打開后，由數(shù)據(jù)線5向像素電極8充電，以在像素電極8和公共電極之間形成電場，該電場作用于液晶使得液晶分子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而根據(jù)液晶分子偏轉(zhuǎn)的角度不同以透過不同強(qiáng)度的光。為此，可以在陣列基板上設(shè)置公共電極10，以便在像素電極8和公共電極10之間形成電場。一般而言，在陣列基板上設(shè)置公共電極10時，可以使公共電極10所在的層與像素電極8所在的層相鄰絕緣地設(shè)置，例如如圖Ia所示，可以將公共電極10所在的層相鄰絕緣地設(shè)置在像素電極8所在的層的上方。該公共電極10的設(shè)置結(jié)構(gòu)與AD-SDS顯示模式下公共電極的設(shè)置結(jié)構(gòu)相同。高級超維場開關(guān)技術(shù)(Advanced-SuperDimensional Switching ;簡稱AD_SDS)通過同一平面內(nèi)像素電極或公共電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極與公共電極間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場開關(guān)技術(shù)可以提高TFT-IXD畫面品質(zhì)，具有高透過率、寬視角、高開口率、低色差、低響應(yīng)時間、無擠壓水波紋(push Mura)波紋等優(yōu)點。其中，為使公共電極10和像素電極8相鄰絕緣地設(shè)置，可以在公共電極10所在的層與像素電極8所在的層之間設(shè)有像素電極絕緣層9。需要說明的是，在將公共電極10所在的層相鄰絕緣地設(shè)置在像素電極8所在的層的上方時，由于在數(shù)據(jù)線5上加載的用于顯示圖像的灰度電壓，可以在數(shù)據(jù)線5和公共電極10之間產(chǎn)生邏輯功耗，該邏輯功耗加大了整個液晶顯示面板的耗電量。尤其是目前對分辨率的要求越來越高，陣列基板上的布線越來越多，從而導(dǎo)致公共電極10與數(shù)據(jù)線5的疊加密度越來越大，造成了極大的邏輯功耗。而本實施例中，在像素電極8所在的層和數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹脂介電層7，即相當(dāng)于在公共電極10所在的層和數(shù)據(jù)線5所在的層之間設(shè)有樹脂介電層7，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此樹脂介電層7可以大幅度減小公共電極10和數(shù)據(jù)線5之間產(chǎn)生的邏輯功耗，從而減小整個液晶面板的耗電量。尤其是在當(dāng)前液晶顯示面板的分辨率越來越高，陣列基板上的布線密度加大，使得液晶面板的耗電量急劇加大的情況下，使用樹脂介電層7可以避免液晶面板的耗電量急劇加大。因此，通過使用樹脂介電層7，可以在不增加邏輯功耗的情況下提高陣列基板上的布線密度，實現(xiàn)了真正意義上的高分辨率。或者，在陣列基板上設(shè)置公共電極10時，也可以使公共電極10與柵線2同層設(shè)置。該公共電極10的設(shè)置結(jié)構(gòu)與TN顯示模式下公共電極的設(shè)置結(jié)構(gòu)相同。TN模式的公共電極設(shè)置在底層?xùn)啪€上，所以僅具有較小地減小功耗的功能。在TN模式的產(chǎn)品中增加樹脂介電層的好處主要是提高開口率。由圖Ia可知，本實施例中在樹脂介電層7與薄膜晶體管11的源極Ilb和漏極Ilc所在的層之間設(shè)有鈍化層6，通過穿透樹脂介電層7和鈍化層6的介電-鈍化層過孔12，像素電極8和薄膜晶體管11的漏極Ilc連接。其中，介電-鈍化層過孔12指的是既穿透樹脂介電層7又穿透鈍化層6的過孔。由于在樹脂介電層的制作工藝過程中會有氣體或水分逸出，為防止逸出的氣體或水分對薄膜晶體管11產(chǎn)生污染，因此可以在樹脂介電層7與薄膜晶體管11的源極Ilb和漏極Ilc所在的層之間設(shè)有鈍化層6。 無論對于AD-SDS顯示模式下或?qū)τ赥N顯示模式下的陣列基板而言，樹脂介電層7均分布于整個陣列基板。在陣列基板的顯示區(qū)域，該樹脂介電層7可以起到平坦陣列基板表面的作用，但是在陣列基板的周邊的驅(qū)動電路綁定區(qū)域，由于樹脂介電層7的厚度，例如樹脂介電層7的厚度可以為約2微米，因此在陣列基板周邊的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)形成柵線連接過孔21'和數(shù)據(jù)線連接過孔51'之后，會在各連接過孔的底部和驅(qū)動電路綁定區(qū)域的表面之間形成一定厚度(即柵線連接過孔21'或數(shù)據(jù)線連接過孔51'的深度，如大約2微米)的端差，而在綁定驅(qū)動電路時導(dǎo)電粒子在形變之后的厚度較小(例如僅有不到2微米的厚度)，這樣容易造成綁定不良。為改善該綁定不良，可以對陣列基板周邊的綁定區(qū)域的樹脂介電層7進(jìn)行部分刻蝕，以使得陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層的厚度小于其余區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層的厚度，從而減小端差。其中，在驅(qū)動電路的所述綁定區(qū)域內(nèi)設(shè)有用于與驅(qū)動電路綁定的綁定柵線2'和綁定數(shù)據(jù)線5'，綁定柵線2'與柵線2同層設(shè)置，綁定數(shù)據(jù)線5'與數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置；且綁定柵線2'的上方設(shè)有柵線連接過孔21'，柵線連接過孔21'穿透所述像素電極絕緣層9、樹脂介電層7、鈍化層6和柵絕緣層3;綁定數(shù)據(jù)線5'的上方設(shè)有數(shù)據(jù)線連接過孔51'，數(shù)據(jù)線連接過孔51'穿透所述像素電極絕緣層9、樹脂介電層7和鈍化層6。此外在形成公共電極10的同時，在柵線連接過孔21'和數(shù)據(jù)線連接過孔51'中填充有獨立的公共電極金屬，如圖I或圖Ia所示，以起到改善綁定驅(qū)動電路時導(dǎo)通效果的作用。其中，柵線連接過孔21'可以通過在一次構(gòu)圖工藝中穿透像素電極絕緣層9、樹脂介電層7、鈍化層6和柵絕緣層3形成，數(shù)據(jù)線連接過孔51'可以通過在一次構(gòu)圖工藝中穿透像素電極絕緣層9、樹脂介電層7和鈍化層6形成。但是，由于樹脂介電層7的刻蝕速度慢于像素電極絕緣層7的刻蝕速度，因此當(dāng)柵線連接過孔21'或數(shù)據(jù)線連接過孔51'在一次構(gòu)圖工藝中形成時，容易發(fā)生像素電極絕緣層9的刻蝕量已經(jīng)超過預(yù)定量、而樹脂介電層7仍未被刻蝕完全的情況，因此容易產(chǎn)生不良。為解決該問題，可以通過兩次構(gòu)圖工藝形成柵線連接過孔21'或數(shù)據(jù)線連接過孔51'。例如，柵線連接過孔21'可以包括通過兩次構(gòu)圖工藝形成的一級柵線連接過孔和二級柵線連接過孔。所述一級柵線連接過孔(未圖示，與一級數(shù)據(jù)線連接過孔的形成類似)在一次構(gòu)圖工藝中通過穿透樹脂介電層7形成，所述二級柵線連接過孔(未圖示，與二級數(shù)據(jù)線連接過孔的形成類似)在另一次構(gòu)圖工藝中通過穿透像素電極絕緣層9、鈍化層6和柵絕緣層3形成。所述二級柵線連接過孔的徑向尺寸大于所述一級柵線連接過孔的徑向尺寸，所述二級柵線連接過孔套設(shè)在所述一級柵線連接過孔中，這是因為如果將二者的徑向尺寸設(shè)置為相同，則由于制造工藝上的誤差，難以使二者完全對齊，以上設(shè)置則能夠?qū)λ稣`差形成補(bǔ)償。數(shù)據(jù)線連接過孔51'包括通過兩次構(gòu)圖工藝形成的一級數(shù)據(jù)線連接過孔和二 級數(shù)據(jù)線連接過孔。如圖4a'所示，所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔在一次構(gòu)圖工藝中通過穿透樹脂介電層7形成。如圖6a'所示，所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔在另一次構(gòu)圖工藝中通過穿透像素電極絕緣層9和鈍化層6形成。所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔的徑向尺寸大于所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔的徑向尺寸，所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔套設(shè)在所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔中，這是因為如果將二者的徑向尺寸設(shè)置為相同，則由于制造工藝上的誤差，難以使二者完全對齊，以上設(shè)置則能夠?qū)λ稣`差形成補(bǔ)償。在本發(fā)明的各實施例中，樹脂介電層7由正性感光樹脂、負(fù)性感光樹脂或非感光樹脂制成。其中，正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂可以由感光組分、高分子骨架、溶劑等組成。正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂的區(qū)別在于，正性感光樹脂受到光照后，被曝光的部分可以被顯影液移除；負(fù)性感光樹脂受到光照后，被曝光的部分不會被顯影液移除，而未曝光的部分則能夠被顯影液移除。此外，正性感光樹脂本身含有顏色，需要利用紫外線對其進(jìn)行曝光，從而將正性感光樹脂的顏色去掉。非感光樹脂可以由還有Si、C等無機(jī)物的高分子材料構(gòu)成。非感光樹脂和負(fù)性感光樹脂本身不含有顏色，不需要利用紫外線對其進(jìn)行曝光以將顏色去掉。所述樹脂介電層7的厚度可以根據(jù)需要制作。例如，當(dāng)使用正性感光樹脂或負(fù)性感光樹脂制作樹脂介電層7時，在熱固化的過程中將會有較多的氣體逸出而使樹脂介電層的厚度減薄，因此可以將樹脂介電層7的厚度制作得較厚，例如為2 5微米。當(dāng)使用非感光樹脂制作樹脂介電層7時，熱固化過程中氣體逸出現(xiàn)象很輕微，因此可以將樹脂介電層7的厚度制作得較薄，例如為小于2微米，可選地，可以小于I. 5微米。下面將結(jié)合具體的例子來說明上述圖I和圖Ia所示實施例中陣列基板的制造工藝。在以下說明中，本發(fā)明實施例所稱的構(gòu)圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、以及刻蝕等工藝。如圖2所示為本發(fā)明實施例陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖2a為圖2中A2-A2方向的截面圖。首先采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在基板I (如玻璃基板或石英基板)上沉積一層?xùn)沤饘俦∧?。柵金屬薄膜可以使用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金，柵金屬薄膜也可以由多層金屬薄膜組成。然后采用普通掩模板，通過第一次構(gòu)圖工藝對柵金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，在基板I上形成柵線2和薄膜晶體管11的柵極Ila的圖形，其中薄膜晶體管11的柵極Ila直接和柵線2連接。在該第一次構(gòu)圖工藝中，在所述陣列基板周邊用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)，還形成有綁定柵線2'，綁定柵線2'與柵線2同層設(shè)置。如圖3所示為本發(fā)明陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖3a為圖3中A3-A3方向的截面圖。首先，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法連續(xù)沉積柵絕緣薄膜、形成柵絕緣層3。柵絕緣薄膜可以選用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。之后，在形成有柵絕緣層3的基板上形成有源層薄膜，有源層薄膜可以包括半導(dǎo)體薄膜和摻雜半導(dǎo)體薄膜。再之后，在摻雜半導(dǎo)體薄膜上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積源漏金屬薄膜，源漏金屬薄膜可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金。在沉積完源漏金屬薄膜后，通過第二次構(gòu)圖工藝進(jìn)行刻蝕，形成數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管11的有源層、源極lib、漏極Ilc及其溝道的圖形。其中，薄膜晶體管11的源極Ilb直接與數(shù)據(jù)線5連接。薄膜晶體管11的溝道處的摻雜半導(dǎo)體薄膜42被全部刻蝕掉、半導(dǎo)體薄膜41被部分刻蝕掉。有源層包括半導(dǎo)體層41和摻雜半導(dǎo)體層42。在該第二次構(gòu)圖工藝中，在所述陣列基板周邊用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)，還形成 有綁定數(shù)據(jù)線5'，綁定數(shù)據(jù)線5'與數(shù)據(jù)線5同層設(shè)置。第二次構(gòu)圖工藝可以是一個多次刻蝕的工藝，其中可以使用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板。具體地，在沉積完源漏金屬薄膜后，涂覆光刻膠，然后曝光。數(shù)據(jù)線5、以及薄膜晶體管11的源極Ilb和漏極Ilc對應(yīng)于光刻膠完全保留區(qū)域，薄膜晶體管11的溝道處對應(yīng)于光刻膠半保留區(qū)域，其他不需要保留源漏金屬薄膜的區(qū)域?qū)?yīng)于光刻膠的完全去除區(qū)域。 第一次刻蝕后，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導(dǎo)體膜、摻雜半導(dǎo)體膜和源漏金屬薄膜。進(jìn)行光刻膠灰化工藝，去除薄膜晶體管11的溝道處的光刻膠。然后通過第二次刻蝕，去除溝道處的全部摻雜半導(dǎo)體薄膜42和部分半導(dǎo)體薄膜41，形成薄膜晶體管11的源極和漏極、并形成數(shù)據(jù)線5的圖形。如圖4所示為本發(fā)明陣列基板第三次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖4a為圖4中A4-A4方向的截面圖。在陣列基板上通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積鈍化層薄膜，鈍化層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3> N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。之后在由鈍化層薄膜形成的鈍化層6上涂覆樹脂介電層薄膜，并在樹脂介電層薄膜上涂覆光刻膠。然后采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板，通過第三次構(gòu)圖工藝，將與薄膜晶體管11的漏極Ilc對應(yīng)的介電-鈍化層過孔12處的樹脂介電層薄膜和鈍化層薄膜全部去除，形成穿透樹脂介電層7和鈍化層6的介電-鈍化層過孔12的圖形，并將陣列基板周邊的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層薄膜部分去除，以使陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層7的厚度小于其余區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層7的厚度。其中，可以使用旋轉(zhuǎn)涂覆的方法在鈍化層6上涂覆樹脂介電層薄膜，該樹脂介電層薄膜可以由正性感光樹脂、負(fù)性感光樹脂或非感光樹脂制成。樹脂介電層7可以由正性感光樹脂、負(fù)性感光樹脂或非感光樹脂制成。其中，正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂可以統(tǒng)稱為感光樹脂。當(dāng)利用感光樹脂制作樹脂介電層7時，第三次構(gòu)圖工藝包括，首先在形成有數(shù)據(jù)線5和薄膜晶體管11的有源層、源極lib、漏極Ilc和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層6。然后在形成有鈍化層6的基板上涂覆感光樹脂介電層薄膜，并對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，感光樹脂介電層薄膜的完全刻蝕掉的區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，感光樹脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，感光樹脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域。最后對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹脂介電層7。上述正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂的區(qū)別在于，正性感光樹脂受到光照后，被曝光的部分可以被顯影液移除，未曝光部分不會被顯影液移除；負(fù)性感光樹脂受到光照后，被曝光的部分不會被顯影液移除，而未曝光的部分則能夠被顯影液移除。此外，當(dāng)樹脂介電層7由正性感光樹脂制成時，需要首先利用紫外線對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光，以將正性感光樹脂中含有的顏色去除；然后在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，在熱固化之后形成樹脂介電層7。當(dāng)樹脂介電層7由負(fù)性感光樹脂制成時，可以不需要利用紫外線對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光，而直接在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，并在熱固化之后形成樹脂介電層7?？梢栽诳諝猸h(huán)境下進(jìn)行熱固化，或者也可以在惰性氣體的保護(hù)下進(jìn)行熱固化。
當(dāng)利用非感光樹脂制作樹脂介電層7時，第三次構(gòu)圖工藝包括，首先在形成有數(shù)據(jù)線5和薄膜晶體管11的有源層、源極lib、漏極Ilc和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層6。然后在形成有鈍化層的基板上涂覆非感光樹脂介電層薄膜，接著對非感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，并在熱固化后的非感光樹脂介電層薄膜上涂覆光刻膠。對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，光刻膠的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，光刻膠的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除非感光樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域。第一次刻蝕后，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的樹脂介電層薄膜和鈍化層薄膜，形成介電-鈍化層過孔12的圖形。然后，進(jìn)行光刻膠的灰化即第二次刻蝕，去掉綁定區(qū)域處的部分非反光樹脂介電層薄膜，形成樹脂介電層7。此外，由于樹脂介電層7由非感光樹脂制成，因此可以不需要利用紫外線對樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光，而直接在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，并在熱固化之后形成樹脂介電層7?？梢栽诳諝猸h(huán)境下進(jìn)行熱固化，或者也可以在惰性氣體的保護(hù)下進(jìn)行熱固化。由上述可知，不論樹脂介電層7是由感光樹脂制成還是由非感光樹脂制成，均需要形成穿透樹脂介電層7和鈍化層6的介電-鈍化層過孔12。為方便像素電極通過該介電-鈍化層過孔12與薄膜晶體管11的漏極Ilc搭接，一般將介電-鈍化層過孔12的側(cè)壁制作得具有坡度，該坡度以40° 70°為宜。為此，在該第三次構(gòu)圖工藝中，可以通過低氣壓沉積工藝形成鈍化層6，從而降低對鈍化層6的刻蝕速度，使介電-鈍化層過孔12的側(cè)壁具有合適的坡度。如圖5所示為本發(fā)明陣列基板第四次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖5a為圖5中A5-A5方向的截面圖。在形成介電-鈍化層過孔12之后的基板上，通過濺射或者熱蒸發(fā)的方法沉積透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱IT0)。采用普通掩模板，通過第四次構(gòu)圖形成顯示薄膜晶體管11的像素電極8的圖形。如圖6所示為本發(fā)明陣列基板第五次構(gòu)圖工藝后的平面示意圖，圖6a為圖6中A6-A6方向的截面圖。在形成像素電極8的陣列基板上通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法沉積像素電極絕緣層薄膜，像素電極絕緣層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氮氧化合物，對應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。之后在像素電極絕緣層薄膜上涂覆光刻膠。然后采用普通掩模板，通過第五次構(gòu)圖工藝，形成柵線連接過孔21'的圖形、數(shù)據(jù)線連接過孔51'的圖形、及像素電極絕緣層9。其中由于感光型樹脂材料(包括正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂)不耐高溫，因此在沉積像素電極絕緣層薄膜時，一般可以將沉積溫度降低至230°C以下，以避免樹脂材料的特性劣化。當(dāng)然，柵線連接過孔21'和數(shù)據(jù)線連接過孔51'并不限于在第五次構(gòu)圖工藝中一次成型。在其他的實施例中，也可以通過第三次構(gòu)圖工藝和第五次構(gòu)圖工藝兩次成型。例如，在第三次構(gòu)圖工藝中，在形成介電-鈍化層過孔12的同時，還在所述陣列基 板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線2'上方的樹脂介電層7中形成一級柵線連接過孔的圖形，并如圖4a'所示，在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線5'上方的樹脂介電層7中形成一級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。在第五次構(gòu)圖工藝中，在形成像素電極絕緣層9的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線2'上方形成二級柵線連接過孔的圖形，并如圖6a'所示，在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線5'上方形成二級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。之后在陣列基板上，通過濺射或者熱蒸發(fā)的方法沉積透明導(dǎo)電薄膜，透明導(dǎo)電薄膜可以為氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱IT0)。采用普通掩模板,通過第六次構(gòu)圖形成公共電極10，公共電極10通過柵線連接過孔21'與綁定柵線2'連接、并通過數(shù)據(jù)線連接過孔51'與綁定數(shù)據(jù)線5'連接。經(jīng)過第六次構(gòu)圖工藝后的平面圖和截面圖如圖I和圖Ia所示。需要說明的是，雖然像素電極8和公共電極10可以由相同的材料制成，但為了清楚顯示起見，在以上的各附圖中，分別使用不同的剖面線表示。本發(fā)明的陣列基板，不限于前述提及的六次構(gòu)圖工藝，還可以采用七次構(gòu)圖工藝等。例如，在上述的第二次構(gòu)圖工藝中可以不采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩模板，而是通過兩次構(gòu)圖工藝來完成。具體地，在第一次構(gòu)圖工藝之后，可以通過第二次構(gòu)圖工藝并采用普通掩模板，形成薄膜晶體管的有源層。然后在形成有有源層的基板上沉積源漏金屬薄膜，通過第三次構(gòu)圖工藝并采用普通掩模板，形成薄膜晶體管的源極、漏極和溝道，并形成數(shù)據(jù)線。本發(fā)明的各個實施例中，薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)不限于前述提及的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)，如可以是底柵結(jié)構(gòu)，也可以是頂柵結(jié)構(gòu)。除上述陣列基板之外，本發(fā)明還提供了一種前述陣列基板制造方法的實施例。本實施例中所述制造方法包括在像素電極所在的層與數(shù)據(jù)線所在的層之間形成樹脂介電層。本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，在所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此所述樹脂介電層可以有效減小像素電極和數(shù)據(jù)線之間的電容效應(yīng)，這樣可以將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加接近一些，從而增大了像素電極所占用的區(qū)域，提高了像素開口率。需要說明的是，對于在像素電極所在的層與數(shù)據(jù)線所在的層之間形成樹脂介電層，存在有多種方法。下面圖7中顯示了其中的一種方法。但并不局限于此，例如，數(shù)據(jù)線所在的層和像素電極所在的層的制作順序可以改變，而且對于其他結(jié)構(gòu)如頂柵結(jié)構(gòu)來說其各層的制作順序也可以進(jìn)行相應(yīng)的變更。如圖7所示，其中的一種方法包括步驟11，在基板上形成柵線和薄膜晶體管的柵極；步驟12，在形成有柵線和薄膜晶體管的柵極的基板上形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道；步驟13，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上形成樹脂介電層；步驟14，在形成有樹脂介電層的基板上形成像素電極，且所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。此外，在所述陣列基板上還可以設(shè)置公共電極，當(dāng)將公共電極與像素電極相鄰絕緣地設(shè)置時，公共電極的制作步驟可以為步驟15，在形成有像素電極的基板上形成公共電極。 經(jīng)過上述步驟15后，所述陣列基板形成的結(jié)構(gòu)為在公共電極所在的層和數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此樹脂介電層可以大幅度減小公共電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生的邏輯功耗，從而減小整個液晶面板的耗電量。尤其是在當(dāng)前液晶顯示面板的分辨率越來越高，陣列基板上的布線密度加大，使得液晶面板的耗電量急劇加大的情況下，使用樹脂介電層可以避免液晶面板的耗電量急劇加大。當(dāng)將公共電極與柵線同層設(shè)置時，公共電極的制作步驟可以為在步驟11中形成柵線和薄膜晶體管的柵極的同時，還形成公共電極。其中，舉例而 言，當(dāng)樹脂介電層由感光樹脂(包括正性感光樹脂和負(fù)性感光樹脂)制成時，所述步驟13包括步驟131，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層；步驟132，在形成有鈍化層的基板上涂覆感光樹脂介電層薄膜；步驟133，對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，感光樹脂介電層薄膜的完全刻蝕掉的區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，感光樹脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，感光樹脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域；步驟134，對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹脂介電層。其中在所述感光樹脂介電層薄膜由正性感光樹脂制成時，在所述步驟133之后并在所述步驟134之前，所述方法還包括步驟135，利用紫外線對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光。當(dāng)樹脂介電層由負(fù)性感光樹脂制成時，由于負(fù)性感光樹脂本身不含有顏色，因此可以不需要進(jìn)行紫外線曝光而直接熱固化。其中所述步驟134中對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化具體包括在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化。此外，在本發(fā)明的其他實施例中，在所述步驟133中形成介電-鈍化層過孔的圖形的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方的樹脂介電層中形成一級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方的樹脂介電層中形成一級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。當(dāng)樹脂介電層由非感光樹脂制成時，所述步驟13可以包括步驟131'，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層；步驟132'，在形成有鈍化層的基板上涂覆非感光樹脂介電層薄膜；步驟133'，對非感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化；步驟134'，在熱固化后的非感光樹脂介電層薄膜上涂覆光刻膠；步驟135'，對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，光刻膠的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，光刻膠的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除非感光樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域；步驟136'，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的非感光樹脂介電層薄膜和鈍化層薄膜，形成介電-鈍化層過孔的圖形，并進(jìn)行光刻膠的灰化，刻蝕掉綁定區(qū)域處的部分非感光樹脂介電層薄膜，形成樹脂介電層。所述步驟133'中對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化具體包括在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化。當(dāng)樹脂介電層由非感光樹脂制成時，由于非感光樹脂本身不含有顏色，因此可以不需要進(jìn)行紫外線曝光而直接熱固化。在本發(fā)明的其他實施例中，在所述步驟135'中形成介電-鈍化層過孔的圖形的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方的樹脂介電層中形成一級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方的樹脂介電層中形成一級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。
此外，舉例而言，所述步驟15可以包括步驟151，在形成有像素電極的基板上沉積像素電極絕緣層薄膜，通過構(gòu)圖工藝，形成像素電極絕緣層；步驟152，在像素電極絕緣層上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝，形成公共電極。在本發(fā)明的其他實施例中，在所述步驟151中形成像素電極絕緣層的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方形成二級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方形成二級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。通過執(zhí)行上述各步驟，可以形成本發(fā)明實施例中的陣列基板。除此之外，本發(fā)明的實施例還提供了一種液晶顯示器件。所述液晶顯示器件包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有背光模組，面對所述背光模組設(shè)有由如上所述的陣列基板和彩膜基板對盒形成的液晶面板。本發(fā)明實施例提供的液晶顯示器件，在所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層，由于樹脂本身的介電常數(shù)較低，因此所述樹脂介電層可以有效減小像素電極和數(shù)據(jù)線之間的電容效應(yīng)，這樣可以將像素電極和數(shù)據(jù)線設(shè)計得更加接近一些，從而增大了像素電極所占用的區(qū)域，提高了像素開口率。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，其特征在于，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述基板上還設(shè)有公共電極，所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層相鄰絕緣地設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極與所述柵線同層設(shè)置。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極所在的層與所述像素電極所在的層之間設(shè)有像素電極絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層的厚度，小于其余區(qū)域內(nèi)的樹脂介電層的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述綁定區(qū)域內(nèi)設(shè)有用于與驅(qū)動電路綁定的綁定柵線和綁定數(shù)據(jù)線，所述綁定柵線與所述柵線同層設(shè)置，所述綁定數(shù)據(jù)線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置；且 所述綁定柵線的上方設(shè)有柵線連接過孔，所述柵線連接過孔穿透所述像素電極絕緣層、樹脂介電層、鈍化層和柵絕緣層； 所述綁定數(shù)據(jù)線的上方設(shè)有數(shù)據(jù)線連接過孔，所述數(shù)據(jù)線連接過孔穿透所述像素電極絕緣層、樹脂介電層和鈍化層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述柵線連接過孔包括通過兩次構(gòu)圖工藝形成的一級柵線連接過孔和二級柵線連接過孔，所述一級柵線連接過孔在一次構(gòu)圖工藝中通過穿透所述樹脂介電層形成，所述二級柵線連接過孔在另一次構(gòu)圖工藝中通過穿透所述像素電極絕緣層、鈍化層和柵絕緣層形成，且所述二級柵線連接過孔的徑向尺寸大于所述一級柵線連接過孔的徑向尺寸，所述二級柵線連接過孔套設(shè)在所述一級柵線連接過孔中； 所述數(shù)據(jù)線連接過孔包括通過兩次構(gòu)圖工藝形成的一級數(shù)據(jù)線連接過孔和二級數(shù)據(jù)線連接過孔，所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔在一次構(gòu)圖工藝中通過穿透所述樹脂介電層形成，所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔在另一次構(gòu)圖工藝中通過穿透所述像素電極絕緣層和鈍化層形成，且所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔的徑向尺寸大于所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔的徑向尺寸，所述二級數(shù)據(jù)線連接過孔套設(shè)在所述一級數(shù)據(jù)線連接過孔中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂介電層與所述薄膜晶體管的源極和漏極所在的層之間設(shè)有鈍化層，通過穿透所述樹脂介電層和所述鈍化層的介電-鈍化層過孔所述像素電極和所述薄膜晶體管的漏極連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述樹脂介電層由正性感光樹脂、負(fù)性感光樹脂或非感光樹脂制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板，其特征在于，在由正性感光樹脂或負(fù)性感光樹脂制成時，所述樹脂介電層的厚度為2 5微米，在由非感光樹脂制成時，所述樹脂介電層的厚度為小于2微米,優(yōu)選為小于I. 5微米。
11.一種如權(quán)利要求ι- ο中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，包括 在像素電極所在的層與數(shù)據(jù)線所在的層之間形成樹脂介電層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在像素電極所在的層與數(shù)據(jù)線所在的層之間形成樹脂介電層包括 步驟11，在基板上形成柵線和薄膜晶體管的柵極； 步驟12，在形成有柵線和薄膜晶體管的柵極的基板上形成數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道； 步驟13，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上形成樹脂介電層； 步驟14，在形成有樹脂介電層的基板上形成像素電極，且所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法還包括 步驟15，在形成有像素電極的基板上形成公共電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在步驟11中形成柵線和薄膜晶體管的柵極的同時，還形成公共電極。
15.根據(jù)權(quán)利要求12-14中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟13包括 步驟131，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層； 步驟132，在形成有鈍化層的基板上涂覆感光樹脂介電層薄膜； 步驟133，對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光顯影，感光樹脂介電層薄膜的完全刻蝕掉的區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，感光樹脂介電層薄膜的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，感光樹脂介電層薄膜的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域； 步驟134，對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化，形成樹脂介電層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述感光樹脂介電層薄膜由正性感光樹脂制成時，在所述步驟133之后并在所述步驟134之前，所述方法還包括 步驟135，利用紫外線對感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行曝光。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟134中對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化具體包括 在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述步驟133中形成介電-鈍化層過孔的圖形的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方的樹脂介電層中形成一級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方的樹脂介電層中形成一級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。
19.根據(jù)權(quán)利要求12-14中任一項所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟13包括 步驟131'，在形成有數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的有源層、源極、漏極和溝道的基板上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層；步驟132'，在形成有鈍化層的基板上涂覆非感光樹脂介電層薄膜； 步驟133'，對非感光樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化； 步驟134'，在熱固化后的非感光樹脂介電層薄膜上涂覆光刻膠； 步驟135'，對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，光刻膠的完全去除區(qū)域?qū)?yīng)于介電-鈍化層過孔的圖形，光刻膠的半保留區(qū)域?qū)?yīng)于陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域，光刻膠的完全保留區(qū)域?qū)?yīng)于不需要去除非感光樹脂介電層薄膜的其他區(qū)域； 步驟136'，刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域的非感光樹脂介電層薄膜和鈍化層薄膜，形成介電-鈍化層過孔的圖形，并進(jìn)行光刻膠的灰化，刻蝕掉綁定區(qū)域處的部分非感光樹脂介電層薄膜，形成樹脂介電層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟133'中對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化具體包括 在200°C 300°C的溫度下，并在配置有有機(jī)氣體排氣系統(tǒng)的情況下對樹脂介電層薄膜進(jìn)行熱固化。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述步驟135'中形成介電-鈍化層過孔的圖形的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方的樹脂介電層中形成一級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方的樹脂介電層中形成一級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟15包括 步驟151，在形成有像素電極的基板上沉積像素電極絕緣層薄膜，通過構(gòu)圖工藝，形成像素電極絕緣層； 步驟152，在像素電極絕緣層上沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過構(gòu)圖工藝，形成公共電極。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在所述步驟151中形成像素電極絕緣層的同時，還在所述陣列基板的用于綁定驅(qū)動電路的綁定區(qū)域內(nèi)的綁定柵線上方形成二級柵線連接過孔的圖形、并在所述綁定區(qū)域內(nèi)的綁定數(shù)據(jù)線上方形成二級數(shù)據(jù)線連接過孔的圖形。
24.一種液晶顯示器件，其特征在于，包括殼體，所述殼體內(nèi)設(shè)有背光模組，面對所述背光模組設(shè)有由如權(quán)利要求ι- ο中任一項所述的陣列基板和彩膜基板對盒形成的液晶面板。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及其制造方法、液晶顯示器件，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，為提高像素開口率而發(fā)明。所述陣列基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線，垂直于所述柵線設(shè)有數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管和像素電極，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線連接、源極與所述數(shù)據(jù)線連接、漏極與所述像素電極連接，所述像素電極所在的層與所述數(shù)據(jù)線所在的層之間設(shè)有樹脂介電層。本發(fā)明可用于進(jìn)行液晶顯示。
文檔編號G02F1/1368GK102629046SQ201110175220
公開日2012年8月8日 申請日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月29日
發(fā)明者張文余, 謝振宇, 郭建, 閔泰燁, 陳旭 申請人:北京京東方光電科技有限公司