專利名稱：薄膜晶體管液晶顯示器、陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器、陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有體積小、功耗低、無(wú)輻射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)中占據(jù)了主導(dǎo)地位。對(duì)于TFT-LCD來(lái)說(shuō)，陣列基板以及制造工藝決定了其產(chǎn)品性能、成品率和價(jià)格。為了有效地降低TFT-IXD的價(jià)格、提高成品率，TFT-IXD陣列基板的制造工藝逐步得到簡(jiǎn)化，從開(kāi)始的七次構(gòu)圖(7mask)工藝已經(jīng)發(fā)展到基于狹縫光刻技術(shù)的四次構(gòu)圖(4mask)工藝。目前，TFT-IXD陣列基板的制造是通過(guò)一組構(gòu)圖工藝形成薄膜圖形來(lái)完成，一次構(gòu)圖工藝形成一層薄膜圖形。由于每次構(gòu)圖工藝均需要把掩模板的圖形轉(zhuǎn)移到薄膜圖形上， 而每一層薄膜圖形都需要精確地罩在另一層薄膜圖形上，因此在TFT-IXD陣列基板制作過(guò)程中，所用掩模板的數(shù)量越少，生產(chǎn)時(shí)間就越少，生產(chǎn)效率就越高，生產(chǎn)成本也就越低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種薄膜晶體管液晶顯示器、陣列基板及其制造方法，采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造，從而縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括如下步驟步驟I、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵線和柵電極的圖形；步驟2、在完成步驟I的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層的圖形，且半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)域保留有光刻膠；步驟3、在完成步驟2的基板上依次沉積歐姆接觸層、透明導(dǎo)電層和源漏層，剝離掉半導(dǎo)體層上保留的光刻膠，形成溝道區(qū)域的圖形；步驟4、在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成歐姆接觸層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和鈍化層的圖形。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括形成在基板上的柵電極；形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層，柵電極和半導(dǎo)體層通過(guò)柵絕緣層隔離；形成在半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層和溝道；
形成在歐姆接觸層上的透明導(dǎo)電層；形成在透明導(dǎo)電層上的源電極和漏電極；形成在源電極、漏電極和溝道上的鈍化層。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括彩膜基板；接合于所述彩膜基板的薄膜晶體管陣列基板；

夾設(shè)于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層；所述薄膜晶體管陣列基板包括包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括形成在基板上的柵電極；形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層，柵電極和半導(dǎo)體層通過(guò)柵絕緣層隔離；形成在半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層和溝道；形成在歐姆接觸層上的透明導(dǎo)電層；形成在透明導(dǎo)電層上的源電極和漏電極；形成在源電極、漏電極和溝道上的鈍化層。優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。從以上所述可以看出，本發(fā)明提供的上述技術(shù)方案采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造，從而能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。


圖I為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板中薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法流程圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板第一次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板第二次構(gòu)圖工藝后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板形成溝道區(qū)域后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為圖2所示的制造方法中步驟100的具體流程圖；圖7為圖2所示的制造方法中步驟200的具體流程圖；圖8為圖2所示的制造方法中步驟400的具體流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管。參照?qǐng)D1，所述薄膜晶體管包括:形成在基板I上的柵電極2 ；形成在柵電極2上方的半導(dǎo)體層4和溝道，柵電極2和半導(dǎo)體層4通過(guò)柵絕緣層3隔離；形成在半導(dǎo)體層4上的歐姆接觸層5 ；形成在歐姆接觸層5上的透明導(dǎo)電層6 ；

形成在透明導(dǎo)電層6上的源電極7和漏電極8 ；形成在源電極7、漏電極8和溝道上的鈍化層9。在薄膜晶體管液晶顯示器中，高性能的透明薄膜晶體管(TFT)是關(guān)鍵器件，a-Si H TFT作為有源開(kāi)關(guān)器件，在薄膜晶體管液晶顯示器中得到廣泛的應(yīng)用。a-Si H TFT存在的一個(gè)重要問(wèn)題就是閾值電壓的亞穩(wěn)特性，即在較長(zhǎng)時(shí)間施加?xùn)牌珘阂院?，其閾值電壓以及亞閾效率都將要發(fā)生漂移，導(dǎo)致TFT的電學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定。用具有一定結(jié)構(gòu)有序性的微晶硅來(lái)代替非晶硅的話，則可改善器件的穩(wěn)定性。因此，作為一個(gè)優(yōu)選方案，本發(fā)明實(shí)施例的上述薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板中的所述半導(dǎo)體層4的材料為微晶硅。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法流程圖。參照?qǐng)DI 圖4，所述制造方法包括如下步驟步驟100、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵線和柵電極的圖形(如圖3所示)；步驟200、在完成步驟100的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層的圖形，且半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)域保留有光刻膠10 (如圖4所示)；步驟300、在完成步驟200的基板上依次沉積歐姆接觸層、透明導(dǎo)電層和源漏層，剝離掉半導(dǎo)體層上保留的光刻膠10，形成溝道區(qū)域的圖形(如圖5所示)；步驟400、在完成步驟300的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成歐姆接觸層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和鈍化層的圖形(如圖I所示)。以下給出上述制造方法的詳細(xì)流程。參照?qǐng)D6,所述步驟100具體包括步驟101、提供一基板，并將其清洗干凈；基板可以選用玻璃基板或者石英基板。步驟102、在基板上沉積柵金屬薄膜；采用濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板上沉積一層厚度為500A 4000A的柵金屬薄膜。步驟103、在柵金屬薄膜上涂敷一層光刻膠；步驟104、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟105、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；
步驟106、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線和柵電極的圖形；步驟107、剝離剩余的光刻膠。參照?qǐng)D7,所述步驟200具體包括步驟201、在完成步驟100的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層；
采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法，在所述基板上依次沉積厚度為300 A 800A的柵絕緣層和厚度為1000A 3000A的半導(dǎo)體層。其中，柵絕緣層可以選用氧化物或者氮化物。步驟202、在半導(dǎo)體層上涂敷ー層光刻膠；步驟203、采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于溝道區(qū)域的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟204、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟205、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體層，形成半導(dǎo)體層的圖形；步驟206、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠。需要說(shuō)明的是，步驟203中，光刻膠保留區(qū)域還可包括像素的邊緣區(qū)域以及柵線的引線區(qū)域，這樣，通過(guò)后續(xù)的エ藝能夠使得各像素之間的歐姆接觸層不相連，井能夠暴露柵線的引線。在所述步驟300中，采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板上依次沉積300A 600A的歐姆接觸層、300A 600A的透明導(dǎo)電層和厚度為4000A-10000A的源
漏金屬薄膜。其中，透明導(dǎo)電層可以采用氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化鋁鋅等材料，也可以采用其它金屬及金屬氧化物，源漏金屬薄膜可以采用Mo、Al、Cu、Ta、Ti、W、Cr等金屬或合金。參照?qǐng)D8,所述步驟400具體包括步驟401、在完成步驟300的基板上沉積鈍化層；采用磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在所述基板上沉積1500人 2500A的鈍化層。其中，鈍化層可以選用氧化物或者氮化物。步驟402、在鈍化層上涂敷ー層光刻膠；步驟403、采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和鈍化層的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域；步驟404、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變；步驟405、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的鈍化層、源漏層、透明導(dǎo)電層和歐姆接觸層，形成歐姆接觸層的圖形；步驟406、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠；步驟407、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的鈍化層和源漏層，形成像素電極的圖形；步驟408、剝離剩余的光刻膠。本發(fā)明實(shí)施例還提供ー種薄膜晶體管液晶顯示器，包括彩膜基板； 接合于所述彩膜基板的薄膜晶體管陣列基板；夾設(shè)于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層；所述薄膜晶體管陣列基板包括包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括形成在基板上的柵電極；形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層，柵電極和半導(dǎo)體層通過(guò)柵絕緣層隔離；形成在半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層和溝道；形成在歐姆接觸層上的透明導(dǎo)電層；形成在透明導(dǎo)電層上的源電極和漏電極；形成在源電極、漏電極和溝道上的鈍化層。優(yōu)先地，所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例采用三次構(gòu)圖エ藝完成TFT-LCD陣列基板的制備，能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。進(jìn)ー步，通過(guò)采用具有一定結(jié)構(gòu)有序性的微晶硅薄膜作為有源層，與現(xiàn)有的非晶硅TFT相比，微晶硅TFT可以改善器件的穩(wěn)定性。最后應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是，以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1.ー種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟I、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖エ藝形成柵線和柵電極的圖形； 步驟2、在完成步驟I的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，通過(guò)第二次構(gòu)圖エ藝形成半導(dǎo)體層的圖形，且半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)域保留有光刻膠； 步驟3、在完成步驟2的基板上依次沉積歐姆接觸層、透明導(dǎo)電層和源漏層，剝離掉半導(dǎo)體層上保留的光刻膠，形成溝道區(qū)域的圖形； 步驟4、在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第三次構(gòu)圖エ藝形成歐姆接觸層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和鈍化層的圖形。
2.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述步驟I包括 步驟11、提供一基板； 步驟12、在基板上沉積柵金屬薄膜； 步驟13、在柵金屬薄膜上涂敷ー層光刻膠； 步驟14、采用掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于柵線和柵電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域； 步驟15、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 步驟16、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的柵金屬薄膜，形成柵線和柵電極的圖形； 步驟17、剝離剩余的光刻膠。
3.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述步驟2包括 步驟21、在完成步驟I的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層； 步驟22、在半導(dǎo)體層上涂敷ー層光刻膠； 步驟23、采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于溝道區(qū)域的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于半導(dǎo)體層的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域； 步驟24、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 步驟25、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的半導(dǎo)體層，形成半導(dǎo)體層的圖形； 步驟26、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠。
4.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在于，所述步驟4包括 步驟41、在完成步驟3的基板上沉積鈍化層； 步驟42、在鈍化層上涂敷ー層光刻膠； 步驟43、采用灰色調(diào)或半色調(diào)掩模板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光，使光刻膠形成光刻膠未保留區(qū)域、光刻膠部分保留區(qū)域和光刻膠保留區(qū)域，其中，光刻膠保留區(qū)域?qū)?yīng)于數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和鈍化層的圖形所在區(qū)域，光刻膠部分保留區(qū)域?qū)?yīng)于像素電極的圖形所在區(qū)域，光刻膠未保留區(qū)域?qū)?yīng)于上述圖形以外的區(qū)域； 步驟44、進(jìn)行顯影處理，光刻膠未保留區(qū)域的光刻膠被完全去除，光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠厚度變薄，光刻膠保留區(qū)域的光刻膠厚度保持不變； 步驟45、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠未保留區(qū)域的鈍化層、源漏層、透明導(dǎo)電層和歐姆接觸層，形成歐姆接觸層的圖形； 步驟46、通過(guò)灰化工藝完全去除光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠，保留光刻膠保留區(qū)域的光刻膠； 步驟47、通過(guò)刻蝕エ藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域的鈍化層和源漏層，形成像素電極的圖形； 步驟48、剝離剩余的光刻膠。
5.如權(quán)利要求I所述的制造方法，其特征在干 所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。
6.ー種薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括 形成在基板上的柵電極； 形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層，柵電極和半導(dǎo)體層通過(guò)柵絕緣層隔離； 形成在半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層和溝道； 形成在歐姆接觸層上的透明導(dǎo)電層； 形成在透明導(dǎo)電層上的源電極和漏電極； 形成在源電極、漏電極和溝道上的鈍化層。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管液晶顯示器陣列基板，其特征在于 所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。
8.ー種薄膜晶體管液晶顯示器，包括 彩膜基板； 接合于所述彩膜基板的薄膜晶體管陣列基板； 夾設(shè)于所述彩膜基板和所述薄膜晶體管陣列基板之間的液晶層； 所述薄膜晶體管陣列基板包括包括柵線和數(shù)據(jù)線，以及形成在柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域內(nèi)的像素電極和薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管包括 形成在基板上的柵電極； 形成在柵電極上方的半導(dǎo)體層，柵電極和半導(dǎo)體層通過(guò)柵絕緣層隔離； 形成在半導(dǎo)體層上的歐姆接觸層和溝道； 形成在歐姆接觸層上的透明導(dǎo)電層； 形成在透明導(dǎo)電層上的源電極和漏電極； 形成在源電極、漏電極和溝道上的鈍化層。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其特征在干 所述半導(dǎo)體層的材料為微晶硅。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器、陣列基板及其制造方法，制造方法包括步驟1、在基板上沉積柵金屬薄膜，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝形成柵線和柵電極的圖形；步驟2、在完成步驟1的基板上依次沉積柵絕緣層和半導(dǎo)體層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝形成半導(dǎo)體層的圖形，半導(dǎo)體層上的溝道區(qū)域保留光刻膠；步驟3、在完成步驟2的基板上依次沉積歐姆接觸層、透明導(dǎo)電層和源漏層，剝離掉半導(dǎo)體層上保留的光刻膠，形成溝道區(qū)域的圖形；步驟4、在完成步驟3的基板上沉積鈍化層，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝形成歐姆接觸層、像素電極、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和鈍化層的圖形。本發(fā)明采用三次構(gòu)圖工藝實(shí)現(xiàn)陣列基板的制造，能夠縮短生產(chǎn)時(shí)間，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102693938SQ20111009558
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2011年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月15日
發(fā)明者楊靜 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司