專(zhuān)利名稱(chēng)：中間轉(zhuǎn)印部件、用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的方法和成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種中間轉(zhuǎn)印部件、一種用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的方法和一種成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
常規(guī)上，已知利用電子照相系統(tǒng)的成像設(shè)備，諸如復(fù)印機(jī)、打印機(jī)和傳真機(jī)。此類(lèi) 成像設(shè)備通常使用中間轉(zhuǎn)印部件。中間轉(zhuǎn)印部件具有如此的結(jié)構(gòu)其中調(diào)色劑圖像首先由 第一轉(zhuǎn)印裝置從第一調(diào)色劑圖像承載部件轉(zhuǎn)印到其自身的表面上。這樣轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像 由中間轉(zhuǎn)印部件承載，并且在已被傳送后，隨后二次地由第二轉(zhuǎn)印裝置轉(zhuǎn)印到記錄紙張等 上。已提出此類(lèi)中間轉(zhuǎn)印部件，其中中間轉(zhuǎn)印部件的表面覆有氧化硅、氧化鋁等，從而 可以提高調(diào)色劑圖像的釋放特性并從而提高轉(zhuǎn)印到記錄紙張等上的轉(zhuǎn)印效率(例如，JP-A No. 9-212004)。JP-A No. 9-212004已公開(kāi)一種方法，其中通過(guò)蒸汽淀積法或?yàn)R射法形成金 屬氧化物層。然而，通過(guò)蒸汽淀積法或?yàn)R射法獲得金屬氧化物層具有的一個(gè)問(wèn)題是極高的 電阻。為此，由于當(dāng)使用時(shí)電荷積聚在金屬氧化物層上，不可能獲得充足的轉(zhuǎn)印特性和清潔 特性。真空蒸汽淀積法造成形成在基部部件上的金屬氧化物層與基部部件之間的不良粘 附，而濺射法造成的問(wèn)題是金屬氧化物層的生成率很低并且聚合物基部部件上趨于出現(xiàn)裂 縫。因此，提出了另一種方法，其中通過(guò)使用熱化學(xué)汽相淀積法或濕涂覆法形成金屬 氧化物層。然而，由于熱化學(xué)汽相淀積法是通過(guò)基部部件的熱能氧化并分解材料氣體以形 成薄膜的方法，所以需要將基部部件設(shè)為高溫而要求基部部件的溫度為大約300至500°C， 從而難以通過(guò)熱化學(xué)汽相淀積法在塑料膜上形成金屬氧化物層。在通過(guò)使用溶膠_凝膠法 等的濕涂覆法的情況下，難以將金屬氧化物層制備成薄膜，從而難以提供均勻的薄膜質(zhì)量 并控制薄膜厚度。一般而言，濕涂覆法使薄膜與通過(guò)氣相法形成的薄膜相比易碎，導(dǎo)致無(wú)法 長(zhǎng)時(shí)間適當(dāng)?shù)乇３洲D(zhuǎn)印效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明首先提供一種中間轉(zhuǎn)印部件，其設(shè)有含有聚苯硫醚和聚酰胺的基部部件， 以及形成在基部部件上的半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層，該半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層具有在從IX 107Q cm至 1 X 1013 Q cm的范圍內(nèi)的體積電阻率。本發(fā)明還涉及一種用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的方法，其特征在于通過(guò)使用等離子體 化學(xué)氣相淀積法在含有聚苯硫醚和聚酰胺的基部部件上形成無(wú)機(jī)層。
本發(fā)明還涉及一種成像設(shè)備，其特征在于安裝了諸如以上所述的中間轉(zhuǎn)印部件。


圖1是顯示了彩色成像設(shè)備的一個(gè)實(shí)例的結(jié)構(gòu)截面圖。圖2是顯示了中間轉(zhuǎn)印部件的層結(jié)構(gòu)的概念性截面圖。圖3是顯示了用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的一個(gè)制造設(shè)備的說(shuō)明圖。圖4是顯示了用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的第二制造設(shè)備的說(shuō)明圖。圖5是用于通過(guò)使用等離子體制造中間轉(zhuǎn)印部件的第一制造設(shè)備的說(shuō)明圖。圖6是用于通過(guò)使用等離子體制造中間轉(zhuǎn)印部件的第二制造設(shè)備的說(shuō)明圖。圖7是顯示了滾動(dòng)電極的一個(gè)實(shí)例的示意圖。圖8是顯示了固定電極的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印部件適合用于電子照相系統(tǒng)的成像設(shè)備，諸如復(fù)印機(jī)、打印機(jī) 和傳真機(jī)。中間轉(zhuǎn)印部件允許承載在感光部件的表面上的調(diào)色劑圖像首先被轉(zhuǎn)印到其自身 的表面上，保持轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像，并二次地將保持在其上的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到圖像接收 介質(zhì)如記錄紙張的表面。以下描述將說(shuō)明其中將本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印部件制備為帶形部件的 結(jié)構(gòu)；然而，中間轉(zhuǎn)印部件可具有鼓形。成像設(shè)備首先，以下描述將以串聯(lián)式全彩色復(fù)印機(jī)為例說(shuō)明具有本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印部件的 成像設(shè)備。圖1是顯示了彩色成像設(shè)備的一個(gè)實(shí)例的結(jié)構(gòu)截面圖。該彩色成像設(shè)備1，其稱(chēng)為串聯(lián)式全彩色復(fù)印機(jī)，設(shè)有自動(dòng)文件給送器13、文件圖 像讀取設(shè)備14、多個(gè)曝光裝置13Y，13M，13C和13K、多套成像單元10Y，10M, 10C和10K、中間 轉(zhuǎn)印單元17、送紙裝置15和定影裝置124。在該成像設(shè)備的主體12的上部上，安裝了自動(dòng)文件給迭器13和文件圖像讀取設(shè) 備14，并且由自動(dòng)文件給送器13轉(zhuǎn)印的文件d的圖像被文件圖像讀取設(shè)備14的光學(xué)系統(tǒng) 反射并形成圖像使得得到的圖像被線性圖像傳感器CCD讀取。在未示出的圖像處理單元中，對(duì)通過(guò)光電轉(zhuǎn)換線性圖像傳感器(XD所讀取的文件 成像的模擬信號(hào)進(jìn)行處理，諸如模擬處理、A/D轉(zhuǎn)換、暗度校正和圖像壓縮處理，并且然后 將其發(fā)送至曝光裝置13Y，13M，13C和13K作為相應(yīng)色彩的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)，從而通過(guò)曝光裝 置13Y，13M，13C和13K在用作第一圖像承載部件的對(duì)應(yīng)的鼓形感光部件(下文稱(chēng)為感光部 件)上形成相應(yīng)色彩的圖像數(shù)據(jù)的潛相。成像單元10Y，10M，10C和10K沿豎直方向縱向布置，并且在附圖的感光部件11Y， 11M，11C和11K的左側(cè)上，放置了本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印部件(下文稱(chēng)為“中間轉(zhuǎn)印帶)170，其 具有半導(dǎo)電特性，被制備為環(huán)形帶，用作二次圖像承載部件并卷繞在輥171，172，173和174 周?chē)栽谒鼈兩厦嫜由煲员阍谄渖闲D(zhuǎn)。本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印帶170通過(guò)被驅(qū)動(dòng)以被驅(qū)動(dòng)設(shè)備(未示出)旋轉(zhuǎn)的輥?zhàn)?71沿 箭頭的方向被驅(qū)動(dòng)。
用于形成黃色圖像的成像單元10Y設(shè)有充電裝置12Y、曝光裝置13Y、顯影裝置 14Y、用作首次轉(zhuǎn)印裝置的首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5Y以及清潔裝置16Y，它們布置在感光部件11Y的 周邊上。用于形成紅色圖像的成像單元10M設(shè)有感光部件11M、充電裝置12M、曝光裝置 13M、顯影裝置14M、用作首次轉(zhuǎn)印裝置的首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5M以及清潔裝置16M。用于形成青色圖像的成像單元10C設(shè)有感光部件11C、充電裝置12C、曝光裝置 13C、顯影裝置14C、用作首次轉(zhuǎn)印裝置的首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5C以及清潔裝置16C。用于形成黑色圖像的成像單元10C設(shè)有感光部件11K、充電裝置12K、曝光裝置 13K、顯影裝置14K、用作首次轉(zhuǎn)印裝置的首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5K以及清潔裝置16K。調(diào)色劑供應(yīng)裝置141Y，141M，141C和141K分別向顯影裝置14Y，14M，14C和14K供 應(yīng)新調(diào)色劑。首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5Y，15M，15C和15K由控制裝置(未示出)根據(jù)圖像的類(lèi)型選擇性 地致動(dòng)，并分別將中間轉(zhuǎn)印帶170壓緊在對(duì)應(yīng)的感光部件11Y，11M，11C和11K上使得感光 部件上的圖像被轉(zhuǎn)印到其上。這樣，成像單元10Y，10M，10C和10K在感光部件11Y，11M，11C和11K上形成的相 應(yīng)色彩的圖像被首次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?5Y，15M，15C和15K接連轉(zhuǎn)印到旋轉(zhuǎn)的中間轉(zhuǎn)印帶170上， 從而形成排色圖像。也就是說(shuō)，中間轉(zhuǎn)印帶允許被承載在感光部件上的調(diào)色劑圖像首先被 轉(zhuǎn)印到其表面上，并保持轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑圖像。收容在送紙盒151中的用作記錄介質(zhì)的各記錄紙張P由送紙裝置15給送，并且然 后經(jīng)多個(gè)輥?zhàn)尤缰虚g輥?zhàn)?22A，122B, 122C和122D以及電阻輥?zhàn)?23被傳送至用作二次轉(zhuǎn) 印裝置的二次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?17，并且由二次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?17排版在中間轉(zhuǎn)印部件上的調(diào)色劑圖 像由二次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?17同時(shí)轉(zhuǎn)印到記錄紙張Pi。也就是說(shuō)，保持在中間轉(zhuǎn)印部件上的調(diào) 色劑圖像被二次地轉(zhuǎn)印到圖像記錄介質(zhì)的表面上。二次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?17僅當(dāng)記錄紙P經(jīng)過(guò)該部分以便經(jīng)歷二次轉(zhuǎn)印程序時(shí)使記錄紙P 與中間轉(zhuǎn)印帶170接觸。載有轉(zhuǎn)印到其上的彩色圖像的記錄紙P通過(guò)定影裝置124經(jīng)歷定影程序，并且然 后被排紙輥?zhàn)?25夾住并放置在機(jī)器外側(cè)的排紙托盤(pán)126上。在彩色圖像已被二次轉(zhuǎn)印輥?zhàn)?17轉(zhuǎn)印到記錄紙P上之后，記錄紙P已從其彎曲 分離的中間轉(zhuǎn)印帶170通過(guò)清潔裝置8經(jīng)歷殘余調(diào)色劑去除程序。中間轉(zhuǎn)印帶本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印帶170具有形成在基部部件上的半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層。圖2是顯示 了中間轉(zhuǎn)印帶170的示意性截面圖。在圖2中，參考標(biāo)號(hào)175代表基部部件，而參考標(biāo)號(hào) 176代表半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層?；坎考?75含有聚苯硫醚(PPS)和聚酰胺。PPS用作所謂的工程塑料。雖然未特別限制，從提高熔化流動(dòng)性的角度考慮，在通 過(guò)凝膠滲透色析法發(fā)現(xiàn)的分子量分布的峰值分子量Mw中，PPS的分子量?jī)?yōu)選設(shè)在從5000至 1000000的范圍內(nèi)，特別是從40000至90000。未特別限制PPS的生產(chǎn)方法，并且例如，可使用公知方法，諸如JP-B No. 52-12240 和JP-A No. 61-7332中公開(kāi)的方法。
由東麗工業(yè)株式會(huì)社(Toray Industries, Inc.)和 DIC 公司(DICCorporation) 等制造的聚苯硫醚可通過(guò)商業(yè)手段獲得作為PPS。PPS可在其在不損害本發(fā)明的效果的范圍內(nèi)應(yīng)用之前經(jīng)歷各種處理。這些處理包 括，例如，在惰性氣體氣氛如氮?dú)庀碌臒崽幚恚蚪档偷膲毫?，使用熱水等的洗滌處理，以?通過(guò)使用含有功能基團(tuán)的化合物如酸酐、胺、異氰酸酯或含有功能基團(tuán)的二硫化物化合物 的激活處理。聚酰胺是也被稱(chēng)為尼龍的聚合物。未特別限制聚酰胺，并且可使用各種聚酰胺。 其具體實(shí)例包括通過(guò)內(nèi)酰胺的開(kāi)環(huán)聚合獲得的聚酰胺，諸如己內(nèi)酰胺和十二內(nèi) 酰胺；從氨基酸衍生的聚酰胺，諸如6-氨基己酸、11-氨基十一酸和12-氨基十二酸；從脂 族二胺、脂環(huán)族二胺或芳族二胺衍生的聚酰胺，諸如乙二胺、四亞甲基二胺、己二胺、十一亞 甲基二胺(undeca methylene diamine)、十二亞甲基二胺(dodeca methylene diamine)、 2，2，4-/2，4，4-三甲基己二胺(2，2，4-/2，4，4-trimethyl hexamethylene diamine) >1, 3-禾口 1，4-二(氨甲基)環(huán)己烷(1,3-and 1，4_bis (aminomethyl) cyclohexane)、二(4， 4’_氨基環(huán)己基)甲烷(bis (4，4，-ammo cyclohexyl)methane)、以及鄰-和對(duì)-苯二甲胺 (metha-and para-xylylene diamine)；以及脂族二羧酸、脂環(huán)族二羧酸或芳族二羧酸的酸 衍生物，諸如己二酸、辛二酸、癸二酸、十二烷二酸、1，3_和1，4_環(huán)己烷二羧酸、間苯二酸、 對(duì)苯二甲酸和二聚酸，或這些的酸性鹵化物(例如，酸性氯化物)，以及這些的聚酰胺共聚 物；以及這些的混合聚酰胺等。在本發(fā)明中，除這些外，通常，有效地使用主要由這些聚酰胺 原料組成的聚(己二酰丁二胺)(尼龍-46)，間苯二甲酰二胺(methaxylylene diamine)和 己二酸的聚酰胺，聚己內(nèi)酰胺(尼龍_6)，聚i^一酰胺(polyundecane amide)(尼龍-11)， 聚十二酰胺(polydodecane amide)(尼龍-12)，聚(己二酰己二胺)(尼龍-66)和聚酰胺 共聚物(copolymerized polyamide)。未特別限制聚酰胺的聚合程度，并且例如，可根據(jù)目的按需要選擇具有在從2. 0 至5. 0 (lg聚合物在100ml的98%的濃縮硫酸中溶解，并且在25°C測(cè)量相對(duì)粘度)的范圍 內(nèi)的相對(duì)粘度的聚酰胺。未特別限制聚酰胺的聚合方法，并且通?？墒褂萌刍酆戏?、溶解聚合法和這些 方法的結(jié)合。此外，聚酰胺可作為6-Nylon (由東麗工業(yè)株式會(huì)社制造)、MXD6 (由三菱氣體化學(xué) 株式會(huì)社(Mitsubishi Gas Chemical Company)制造)、4，6-Nylon (由 DSM 日本工程塑料 公司(DSM Japan EngineeringPlastics)制造)、Zytel (由納幕爾杜邦公司(E. I DuPont de Nemoursand Company)制造)等在商業(yè)上獲得。從無(wú)機(jī)層的導(dǎo)電性的角度考慮，通常將基部部件175中PPS和聚酰胺的含量比設(shè) 為70/30至95/5的重量比，且優(yōu)選設(shè)為85/15至95/5?；坎考?75中可含有另一種聚合物。作為此類(lèi)聚合物，可使用例如樹(shù)脂材料和 氟基樹(shù)脂，諸如聚碳酸酯(PC)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺酰亞胺(PAI)、聚偏氟乙烯(PVDF)和 四氟乙烯共聚物(ETFE)，以及橡膠材料，諸如EPDM、NBR、CR和聚亞安酯。從無(wú)機(jī)層的導(dǎo)電性的角度考慮，優(yōu)選將基部部件175中另一種聚合物的含量設(shè)為 15% (重量)或更小?；坎考?75中優(yōu)選含有導(dǎo)電物質(zhì)。未特別限制該導(dǎo)電物質(zhì)，只要當(dāng)含有時(shí)它給
6予導(dǎo)電特性，并且優(yōu)選使用這樣的物質(zhì)其在粉末狀態(tài)下作用105Qcm或更低的體積電阻 率。作為導(dǎo)電物質(zhì)，例如，可使用常規(guī)上已在電子照相轉(zhuǎn)印帶的領(lǐng)域中使用的公知導(dǎo)電物 質(zhì)。其具體實(shí)例包括碳；金屬氧化物微粒，諸如氧化錫、氧化鋅、摻有銦的氧化錫和摻有銻 的氧化錫；導(dǎo)電聚合物，諸如聚乙炔、聚苯胺和聚噻吩；有機(jī)物質(zhì)的熱分解產(chǎn)品(例如，羧酸 改性碳)；以及離子導(dǎo)電材料，諸如聚磺苯乙烯，等等。優(yōu)選使用碳作為導(dǎo)電物質(zhì)。優(yōu)選將導(dǎo)電物質(zhì)的含量調(diào)節(jié)為便于將基部部件175的體積電阻率設(shè)定在稍后將 描述的范圍內(nèi)這樣的量。未特別限制基部部件175的厚度，只要可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目標(biāo)，并且例如優(yōu)選將其 設(shè)為50至150 iim。通常將基部部件175的體積電阻率設(shè)為1 X 106 Q cm至1 X 1012 Q cm,并且優(yōu)選設(shè)為 lX106QcmM lX10nQcmo基部部件的體積電阻率為根據(jù)JIS-K6911測(cè)量的值，并作為通過(guò)Hirester MCP-HT450 (由三菱化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社(Mitsubishi ChemicalAnalytech Co.，Ltd)制造) 在任意10個(gè)點(diǎn)測(cè)量出的值的平均值給出。未特別限制基部部件175的玻璃化溫度(Tg)，只要能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目標(biāo)，并且 例如將其設(shè)為80至90°C，并且特別優(yōu)選將其設(shè)為85至88°C?；坎考牟ＡЩ瘻囟茸鳛橥ㄟ^(guò)DSC(由精工儀器公司(Seikolnstruments Inc.)制造)測(cè)量出的值給出。基部部件175容易通過(guò)使用其中將PPS、聚酰胺和希望的材料混合的工藝制成為 具有無(wú)縫帶形，并經(jīng)歷熔煉_攪拌程序，并且然后經(jīng)環(huán)形金屬模具擠出并冷卻。在形成無(wú)機(jī)層之前，可通過(guò)使用公知方法如等離子體、火焰或紫外線輻射預(yù)處理 無(wú)機(jī)層176將形成在其上的基部部件的表面。允許無(wú)機(jī)層176具有半導(dǎo)電特性，并且更具體而言，將其制備為具有在如下范 圍內(nèi)的體積電阻率的無(wú)機(jī)層從lX107Qcm至lX1013Qcm，且更優(yōu)選從lX109Qcm至 10X1013Qcm。當(dāng)無(wú)機(jī)層的體積電阻率過(guò)高時(shí)，不可能排放積聚的電荷以使帶處于充電狀 態(tài)，產(chǎn)生像噪，并從而無(wú)法充分保持優(yōu)異的轉(zhuǎn)印特征和清潔特征。當(dāng)體積電阻率過(guò)低時(shí)，允 許電流流經(jīng)無(wú)機(jī)層對(duì)帶充電，產(chǎn)生像噪。無(wú)機(jī)層176的體積電阻率為根據(jù)JIS-K6911測(cè)量的值，并作為通過(guò)Hirester MCP-HT450(由三菱化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制造)在任意10個(gè)點(diǎn)測(cè)量的值的平均值給出。未特別限制無(wú)機(jī)層176的厚度，只要能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目標(biāo)，并且從無(wú)機(jī)層的導(dǎo) 電性的角度考慮，例如，通常將其設(shè)為10至300nm，并且優(yōu)選將其設(shè)為10至170nm。用于組成無(wú)機(jī)層176的材料為金屬氧化物，并且包含至少一種選自以下組內(nèi)的氧 化物該組中包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯和氧化錫。用于形成無(wú)機(jī)層的優(yōu) 選材料為氧化硅、氧化鋁或這些的混合物。當(dāng)通過(guò)使用等離子體化學(xué)氣相淀積法(plasma CVD method)在含有PPS和聚酰胺 的基部部件175上形成預(yù)定的無(wú)機(jī)層時(shí)，允許無(wú)機(jī)層176具有半導(dǎo)電特性。通過(guò)使用真空蒸 汽淀積法、濺射法、熱化學(xué)汽相淀積法或溶膠-凝膠法，不可能形成具有充分導(dǎo)電特性的無(wú) 機(jī)層。未具體明確通過(guò)在基部部件上執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相淀積法由其對(duì)無(wú)機(jī)層給以半導(dǎo) 電特性的機(jī)構(gòu)，然而，將該機(jī)構(gòu)大致說(shuō)明如下。在其中在含有PPS和聚酰胺的基部部件上執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相淀積法的情況下，當(dāng)在基部部件的表面上形成預(yù)定的無(wú)機(jī)層時(shí)，基部 部件中的聚酰胺被等離子體浸濾到基部部件表面上而被分解。為此，無(wú)機(jī)層特別是無(wú)機(jī)層 中將與基部部件接觸的一部分中含有聚酰胺分解產(chǎn)物，結(jié)果允許無(wú)機(jī)層具有半導(dǎo)電特性。等離子體化學(xué)氣相淀積法(PlasmaChemical Vapor DepositionMethod)為這樣 一種方法，即其中至少含有放電氣體和用于希望的無(wú)機(jī)層的材料氣體的混合氣形成為等離 子體，從而沉淀并形成與材料氣體相對(duì)應(yīng)的薄膜，并且可在大氣壓力或降低的壓力下執(zhí)行 該方法。在本發(fā)明中，從進(jìn)一步提高中間轉(zhuǎn)印帶的轉(zhuǎn)印特征和清潔特征的角度考慮，優(yōu)選采 用在大氣壓力下或其附近執(zhí)行等離子體化學(xué)氣相淀積法的大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積 法。究其原因，是因?yàn)楫?dāng)在降低的壓力下執(zhí)行該方法時(shí)，浸濾到基部部件表面上的聚酰胺部 分蒸發(fā)使得無(wú)機(jī)層的體積電阻率與其中在大氣壓力下或其附近執(zhí)行該方法的情形相比變 得更大。大氣壓力或其附近對(duì)應(yīng)于20kPa至llOkPa，并且為了獲得本發(fā)明中所述的希望的 效果，優(yōu)選將其設(shè)為在從93kPa至104kPa的范圍內(nèi)。將薄膜形成溫度(基部部件的表面溫度)設(shè)為比基部部件的玻璃化溫度低50°C或 更多。當(dāng)薄膜形成溫度過(guò)高時(shí)，降低了無(wú)機(jī)層所擁有的半導(dǎo)電特性。作為放電氣體，例如，可使用氬氣、氮?dú)?、氧氣或氫氣等。作為用于氧化硅層的材料氣體，例如，可使用四乙氧基硅烷(TE0S)、四甲基硅烷 (tetramethoxy silane，TM0S)或四氯娃焼(tetrachloro silane)等。作為用于氧化鋁的材料氣體，例如，可使用氯化鋁、三甲基鋁、三乙氧基鋁 (triethoxy aluminum)或三甲氧基招(trimethoxyaluminum)等。作為用于氧化鈦層的材料氣體，例如，可使用氯化鈦、四甲氧基鈦(tetramethoxy titanium) ZiftSIt (tetraethoxy titanium)等。作為用于氧化鋅層的材料氣體，例如，可使用二乙氧基鋅(diethoxyzinc)或氯化鋅等。作為用于氧化錫層的材料氣體，例如，可使用四乙氧基錫(tetraethoxy tin)或氯 化錫等。通過(guò)例示其中通過(guò)大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積法形成中間轉(zhuǎn)印部件的無(wú)機(jī)層 的系統(tǒng)，以下描述將說(shuō)明設(shè)備及其方法。圖3是用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的制造設(shè)備的說(shuō)明 圖。用于中間轉(zhuǎn)印部件的制造設(shè)備2(使用其中放電空間和薄膜沉淀區(qū)域由實(shí)際上相 同的部分組成的系統(tǒng)，并且基部部件暴露于等離子體使得沉淀并形成一層)，其在基部部件 上形成無(wú)機(jī)層，由以下構(gòu)成沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的滾動(dòng)電極20，具有環(huán)形帶形的中間轉(zhuǎn)印部 件的基部部件175經(jīng)過(guò)其上；從動(dòng)輥?zhàn)?01 ；以及大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3，其 為用于在基部部件的表面上形成無(wú)機(jī)層的薄膜形成設(shè)備。大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3設(shè)有沿著輥?zhàn)与姍C(jī)20的周邊布置的至少 一套固定電極21 ；放電空間23，其對(duì)應(yīng)于與固定電極和輥?zhàn)与姍C(jī)20相對(duì)的區(qū)域，其中執(zhí)行 放電；混合氣供應(yīng)設(shè)備24，其產(chǎn)生至少含有材料氣體和放電氣體的混合氣G并向放電空間 23供應(yīng)混合氣G ；放電容器29，其緩和進(jìn)入放電空間23等的空氣流量；連接至固定電極21 的第一電源25 ；連接至滾動(dòng)電極20的第二電源26 ；以及排氣單元28，其排放已使用的排氣
8G，。在這種結(jié)構(gòu)中，第二電源26可連接至固定電極21，而第一電源25可連接至滾動(dòng)電 極20?；旌蠚夤?yīng)設(shè)備24向放電空間23供應(yīng)通過(guò)混合用于形成預(yù)定的無(wú)機(jī)層的材料氣 體和放電氣體而形成的混合氣。從動(dòng)輥?zhàn)?01被拉力施加裝置202沿箭頭方向壓緊使得預(yù)定拉力施加在基部部件 175上。例如，當(dāng)更換基部部件175時(shí)，拉力施加裝置202釋放拉力的施加，從而可容易地更 換基部部件175。第一電源25輸出具有頻率的電壓，而第二電源26輸出具有高于頻率的 頻率《 2的電壓，使得通過(guò)這些電壓，在放電空間23中產(chǎn)生其中頻率和頻率《2迭加 的電場(chǎng)V?；旌蠚釭通過(guò)電場(chǎng)V形成為等離子體使得在基部部件175的表面上淀積了與混 合氣G中含有的材料氣體相對(duì)應(yīng)的膜(無(wú)機(jī)層)。作為另一種模式，在滾動(dòng)電極20和固定電極21中，一個(gè)電極可接地，而另一個(gè)電 極可連接至電源。在這種情形中，優(yōu)選將第二電源用作電源以便執(zhí)行精確的膜形成程序，并 且特別是當(dāng)使用稀有氣體如氬氣作為放電氣體時(shí)優(yōu)選使用這種結(jié)構(gòu)。在多個(gè)固定電極中，位于沿滾動(dòng)電極和無(wú)機(jī)層的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)上的那些固定 電極可以以通過(guò)混合氣供應(yīng)設(shè)備一個(gè)接一個(gè)積聚的方式淀積使得可調(diào)節(jié)無(wú)機(jī)層的厚度。為了改善無(wú)機(jī)層與基部部件之間的粘度特性，用于供應(yīng)氣體如氬氣、氧氣或氫氣 的氣體供應(yīng)設(shè)備以及固定電極形成在用于形成無(wú)機(jī)層的固定電極和混合氣供應(yīng)設(shè)備的上 游上使得可執(zhí)行等離子體處理以激活基部部件的表面171a。圖4是用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的第二制造設(shè)備的說(shuō)明圖。用于中間轉(zhuǎn)印部件的制造設(shè)備2a(使用其中放電空間和薄膜淀積區(qū)域被制備為 不同區(qū)域的等離子體噴射系統(tǒng)，并且等離子體被噴射到基部部件上使得淀積并形成層)，其 在基部部件上形成無(wú)機(jī)層，由以下構(gòu)成沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的輥?zhàn)?03，具有環(huán)形帶形的中間 轉(zhuǎn)印部件的基部部件175經(jīng)過(guò)其上；從動(dòng)輥?zhàn)?01 ；以及大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備 3a，其為用于在基部部件的表面上形成無(wú)機(jī)層的薄膜形成設(shè)備。大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3a與前述大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備 3的不同之處在于電源與電極的連接以及與混合氣的供應(yīng)和膜的淀積有關(guān)的部分，并且以 下描述將說(shuō)明這些不同的部分。大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3a設(shè)有沿著輥?zhàn)?03的周邊布置的一對(duì)固定 電極21 ；放電空間23a，其對(duì)應(yīng)于與固定電極21a和另一個(gè)固定電極21b中的一個(gè)相對(duì)的 區(qū)域，其中執(zhí)行放電；混合氣供應(yīng)設(shè)備24a，其產(chǎn)生至少含有材料氣體和放電氣體的混合氣 G并向放電空間23a供應(yīng)混合氣G ；放電容器29，其緩和進(jìn)入放電空間23a等的空氣流量； 第一電源25，其連接至固定電極中的一個(gè)21a;第二電源26，其連接至另一個(gè)固定電極21b ； 以及排氣單元28，其排放已使用的排氣G’。在這種結(jié)構(gòu)中，第二電源26可連接至固定電極21a，而第一電源25可連接至固定 電極21b?；旌蠚夤?yīng)設(shè)備24a向放電空間23a供應(yīng)通過(guò)混合用于形成預(yù)定的無(wú)機(jī)層的材料 氣體和放電氣體而形成的混合氣。
第一電源25輸出具有頻率的電壓，而第二電源26輸出具有高于頻率的 頻率《2的電壓，使得通過(guò)這些電壓，產(chǎn)生其中頻率col和頻率《2迭加的電場(chǎng)V?；旌蠚?G被電場(chǎng)V形成為等離子體(受激)，并且將形成為等離子體(受激)的混合氣噴射到基部 部件175的表面上使得與以形成為等離子體(受激)的噴射的混合氣中含有的材料氣體相 對(duì)應(yīng)的薄(無(wú)機(jī)層)淀積并形成在基部部件175的表面上。作為另一種模式，成對(duì)的固定電極(21a，21b)之一可接地，而另一固定電極可連 接至電源。在這種情形中，優(yōu)選將第二電源用作電源以便執(zhí)行精確的膜形成程序，并且特別 是當(dāng)使用稀有氣體如氬氣作為放電氣體時(shí)優(yōu)選使用這種結(jié)構(gòu)。中間轉(zhuǎn)印部件可為具有圓柱形的旋轉(zhuǎn)鼓，并且在圖3和4中，圖3中的滾動(dòng)電極20 和基部部件175可由圓柱形基部部件代替，而圖4中的輥?zhàn)?03和基部部件175可由圓柱 形基部部件代替。以下描述將說(shuō)明用于在基部部件上形成無(wú)機(jī)層的大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積 設(shè)備的各種模式。以下圖5和6對(duì)應(yīng)于主要通過(guò)提取圖3和4中的虛線部分形成的部分。圖5是用于通過(guò)使用等離子體制造中間轉(zhuǎn)印部件的第一制造設(shè)備的說(shuō)明圖。參照?qǐng)D5，以下描述將說(shuō)明優(yōu)選用于形成無(wú)機(jī)層的大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積 設(shè)備的第一實(shí)施方式的一個(gè)實(shí)例。如前文所述，第一大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3設(shè)有混合氣供應(yīng)設(shè)備24、 固定電極21、第一電源25、第一過(guò)濾器25a、滾動(dòng)電極20、驅(qū)動(dòng)輥?zhàn)与姌O沿箭頭方向旋轉(zhuǎn)的 驅(qū)動(dòng)裝置20a、第二電源26和第二過(guò)濾器26a使得如前文所述在放電空間23a中施加等離 子體放電，并且激勵(lì)通過(guò)混合材料氣體和放電氣體形成的混合氣G使得基部部件表面175a 暴露于因此激勵(lì)的混合氣G1 ；因此，在其表面上淀積并形成了無(wú)機(jī)層。也就是說(shuō)，放電空間 還用作薄膜形成區(qū)域。在這種情形中，從第一電源25向固定電極21施加具有頻率的第一高頻電壓， 并從第二電源26向滾動(dòng)電極20施加具有頻率《2的高頻電壓；因此，在固定電極21與滾 動(dòng)電極20之間產(chǎn)生其中具有電場(chǎng)強(qiáng)度VI的頻率和具有電場(chǎng)強(qiáng)度V2的頻率《2迭加 的電場(chǎng)，使得允許電流II流經(jīng)固定電極21，而允許電流12流經(jīng)滾動(dòng)電極20，從而在電極之 間產(chǎn)生等離子體。在這種情形中，頻率與頻率《 2之間的關(guān)系和電場(chǎng)強(qiáng)度VI與電場(chǎng)強(qiáng)度V2之 間的關(guān)系，以及開(kāi)始放電氣體的放電程序的電場(chǎng)高強(qiáng)度IV，被設(shè)為滿足col < (02并且 VI彡IV> V2或VI > IV彡V2，將第二高頻電場(chǎng)的輸出密度設(shè)為lW/cm2或更大。由于開(kāi)始氮?dú)獾姆烹姵绦虻碾妶?chǎng)高強(qiáng)度IV被設(shè)為3. 7kV/mm，所以優(yōu)選至少將從 第一電源25施加的電場(chǎng)強(qiáng)度VI設(shè)為3. 7kV/mm或更大，并且優(yōu)選將從第二高頻電源26施 加的電場(chǎng)強(qiáng)度V2設(shè)為3. 7kV/mm或更小。作為可應(yīng)用于第一大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備3的第一電源25(高頻電 源)，提出以下商業(yè)產(chǎn)品，并且可使用這些產(chǎn)品中的任何產(chǎn)品。采用的電 制造商頻率 產(chǎn)品名稱(chēng)源符號(hào)A1Sinfonia3kHzSPG3-4500Technology0106]Co. , Ltd.
0107](神鋼技術(shù)株式會(huì)社)
0108]A2Sinfonia 5kHz SPG5-4500
0109]Technology
0110]Co. , Ltd.
0111]A3Kasuga 15kHz AGI-023
0112]Electric
0113]Works, Ltd.
0114](春日電機(jī)株式會(huì)社)
0115]A4Sinfonia 50kHz SPG50-4500
0116]Technology
0117]Co. , Ltd.
0118]A5Haiden 100kHz* PHF_6k
0119]Laboratory
0120](海登實(shí)驗(yàn)室)
0121]A6Pearl Kogyo 200kHz CF-2000_200k
0122]Co. , Ltd.
0123](巴爾工業(yè)公司)
0124]A7Pearl Kogyo 400kHz CF-2000_400k
0125]Co. , Ltd.作為第二電源26(高頻電源)，提出以下商業(yè)產(chǎn)品，并且可使用這些產(chǎn)品中的任何
女口
廣PR o采用的電源 制造商頻率產(chǎn)品名稱(chēng)符號(hào)
0129]B1PealKogyo Co. ， 800kHzCF-2000_800k
0130]Ltd.
0131]B2PealKogyo Co. ， 2MHzCF-2000-2M
0132]Ltd.
0133]B3PealKogyo Co. , 13. 56MHz CF-5000-13M
0134]Ltd.
0135]B4PealKogyo Co. ， 27MHzCF-2000-27M
0136]Ltd.
0137]B5PealKogyo Co. ， 150MHzCF-2000-150M
0138]Ltd.在上述電源中，由符號(hào)*標(biāo)記的電源是由海登實(shí)驗(yàn)室制造的脈沖高頻電源(連續(xù) 模式中為100kHz)。有別于該電源的那些電源為僅可施加連續(xù)正弦波的高頻電源。在本發(fā)明中，作為將從第一和第二電源施加在相對(duì)的電極之間的功率，向固定電 極21供應(yīng)lW/cm2或更多的功率(輸出密度)使得放電氣體被激勵(lì)而產(chǎn)生等離子體，從而形 成薄膜。優(yōu)選將待向固定電極21供應(yīng)的功率的上限值設(shè)為50W/cm2，并且更優(yōu)選將其設(shè)為
1120W/cm2。優(yōu)選將其下限值設(shè)為1.2W/cm2。放電面積(cm2)是指其中由電極施加放電的范圍 的面積。通過(guò)也向滾動(dòng)電極20供應(yīng)lW/cm2或更多的功率(輸出密度)，可提高輸出密度， 保持高頻電場(chǎng)的均勻性。因此，可產(chǎn)生具有更高密度的均勻等離子體，而且同時(shí)進(jìn)一步提高 膜形成率和膜質(zhì)量。優(yōu)選地，將功率設(shè)為5W/cm2或更多。優(yōu)選將待向滾動(dòng)電極20供應(yīng)的 功率的上限值設(shè)為50W/cm2。未特別限制高頻電場(chǎng)的波形。提出了具有連續(xù)正弦波形、稱(chēng)為連續(xù)模式的連續(xù)振 蕩模式，以及間歇執(zhí)行通/斷并稱(chēng)為脈沖模式的間歇振蕩模式，并且可采用這些模式中的 任一者，然而，作為待至少向滾動(dòng)電極20供應(yīng)的高頻波，優(yōu)選使用連續(xù)正弦波形，因?yàn)榭色@ 得質(zhì)量更好的更精細(xì)的膜。第一過(guò)濾器25a安裝在固定電極21與第一電源25之間使得允許從第一電源25 至固定電極21的電流更容易通過(guò)，而將來(lái)自第二電源26的電流接地使得從第二電源26至 第一電源25的電流難以經(jīng)其通過(guò)。第二過(guò)濾器26a安裝在滾動(dòng)電極20與第二電源26之 間使得允許從第二電源26至滾動(dòng)電極20的電流更容易通過(guò)，而將來(lái)自第一電源21的電流 接地使得從第一電源25至第二電源26的電流難以經(jīng)其通過(guò)。作為電極，優(yōu)選采用能夠通過(guò)對(duì)其施加上述高頻電場(chǎng)保持均勻、穩(wěn)定的放電狀態(tài) 的那些電極，并且對(duì)于固定電極21和滾動(dòng)電極20而言，至少將這些電極之一的電極表面涂 覆以下介電材料以便耐受強(qiáng)電場(chǎng)產(chǎn)生的放電。對(duì)于以上說(shuō)明中電極與電源之間的關(guān)系而言，第二電源26可連接至固定電極21， 而第一電源25可連接至滾動(dòng)電極20。作為另一種模式，可使用這樣的設(shè)置，即其中電極之一接地，將第二電源用作另一 電極連接至其的電源使得可按需要執(zhí)行精確的薄膜形成程序，并且特別地，當(dāng)使用稀有氣 體如氬氣作為放電氣體時(shí)優(yōu)選使用這種結(jié)構(gòu)。圖6是用于通過(guò)使用等離子體制造中間轉(zhuǎn)印部件的第二制造設(shè)備的說(shuō)明圖。參照?qǐng)D6，以下描述將說(shuō)明用于形成無(wú)機(jī)層的大氣壓力等離子體設(shè)備的第二實(shí)施 方式的一個(gè)實(shí)例。除以下外，大氣壓力等離子體設(shè)備4具有與圖5的大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積 設(shè)備3相同的結(jié)構(gòu)其設(shè)有一對(duì)固定電極21a和21b，并且第一過(guò)濾器25a和第一電源25連 接至固定電極21a，而第二過(guò)濾器26a和第二電源26連接至固定電極21b，將滾動(dòng)電極20 接地。以下描述將說(shuō)明其功能。具有頻率《 1的第一高頻電壓從第一電源25施加至固 定電極21a，將具有頻率《 2的高頻電壓2從第二電源26施加至固定電極21b，使得在固定 電極21a和21b之間產(chǎn)生其中具有電場(chǎng)強(qiáng)度VI的頻率和具有電場(chǎng)強(qiáng)度V2的頻率《2 迭加的電場(chǎng)，從而允許電流11流經(jīng)固定電極2la，而允許電流12流經(jīng)固定電極2lb，從而在 電極之間產(chǎn)生等離子體。因此，將形成為等離子體的混合氣G2噴射到基部部件175在薄膜形成區(qū)域41的 表面上以在其上淀積并形成無(wú)機(jī)層176。可將電極之一接地，并且優(yōu)選將第二電源用作待連接至另一電極的電源以便執(zhí)行 精確的膜形成程序，并且特別地，當(dāng)使用稀有氣體如氬氣作為放電氣體時(shí)優(yōu)選使用這種結(jié)
12構(gòu)。在當(dāng)使用氮?dú)庾鳛榉烹姎怏w的情形中，優(yōu)選使用其中在通過(guò)迭加來(lái)自兩個(gè)電源的 不同頻率和電壓而形成的電場(chǎng)中產(chǎn)生等離子體的系統(tǒng)，諸如第一大氣壓等離子體化學(xué)氣相 淀積設(shè)備3或大氣壓力等離子體設(shè)備4，并且通過(guò)由第一電源施加高電壓，由第二電源施加 高頻率，可開(kāi)始放電，而且可以以穩(wěn)定的方式繼續(xù)放電。圖7是顯示了滾動(dòng)電極的一個(gè)實(shí)例的示意圖。以下描述將說(shuō)明滾動(dòng)電極20(203)的結(jié)構(gòu)。在圖7(a)中，滾動(dòng)電極20由組合處 理形成，其中，在由金屬等制成的導(dǎo)電基部材料200a(下文稱(chēng)為“電極基部材料”)在已被火 焰涂覆由陶瓷材料并氣孔-被密封后，得到的陶瓷涂覆介電部件200b (下文可簡(jiǎn)稱(chēng)為“介 電部件”)涂覆由無(wú)機(jī)材料。作為用于火焰涂覆程序的陶瓷材料，優(yōu)選使用氧化鋁或氮化硅 等，并且在這些中，由于其容易處理而優(yōu)選氧化鋁。如圖7(b)所示，滾動(dòng)電極20’可由組合處理形成，其中將導(dǎo)電基部材料200A如金 屬涂覆襯里處理的介電部件200B，其上已通過(guò)使用襯里程序形成無(wú)機(jī)材料。作為襯里材料， 例如，優(yōu)選使用硅酸鹽基玻璃、硼酸鹽基玻璃、磷酸鹽基玻璃、鍺酸鹽基玻璃、亞碲酸鹽基玻 璃、鋁酸鹽基玻璃和釩酸鹽基玻璃，并且在這些中，由于其容易處理而優(yōu)選硼酸鹽基玻璃。作為導(dǎo)電基部材料200a和200A如金屬，例如，使用諸如銀、鉬、不銹鋼、鋁和鐵的 金屬，并且在這些中，從處理的角度考慮更優(yōu)選不銹鋼。在本實(shí)施方式中，作為滾動(dòng)電極的基部材料200a和200A，使用了具有通過(guò)冷卻水 的冷卻裝置的不銹外殼輥?zhàn)踊坎牧?未示出)。圖8是顯示了固定電極的一個(gè)實(shí)例的示意圖。在圖8 (a)中，以與前文所述的滾動(dòng)電極20相同的方式，具有矩形柱形或矩形管形 的固定電極21由組合處理形成，其中在由金屬等制成的導(dǎo)電基部材料21c已被火焰涂覆有 陶瓷材料并氣孔_被密封之后，得到的陶瓷涂覆介電部件21d涂覆有無(wú)機(jī)材料。如圖8(b) 所示，具有矩形柱形或矩形管形的固定電極21’由組合處理形成，其中導(dǎo)電基部材料21A如 金屬被涂覆有襯里處理介電部件21B，其上已通過(guò)襯里程序形成無(wú)機(jī)材料。在中間轉(zhuǎn)印部件的制造方法的程序中，參照?qǐng)D3和5以及圖4和6，以下描述將說(shuō) 明其中無(wú)機(jī)層176淀積并形成在基部部件175上的膜形成程序。在圖3和5中，在基部部件175已被拉長(zhǎng)并經(jīng)過(guò)滾動(dòng)電極20和從動(dòng)輥?zhàn)?01之后， 通過(guò)拉力施加裝置202向基部部件175施加預(yù)定拉力，并且滾動(dòng)電極20被驅(qū)動(dòng)而旋轉(zhuǎn)預(yù)定 的轉(zhuǎn)數(shù)。上述混合氣G由混合氣供應(yīng)設(shè)備24產(chǎn)生，并排放到放電空間23中。具有頻率的電壓從第一電源25輸出，并施加至固定電極21，而具有第二頻率 2的電壓從第二電源26輸出，并施加至滾動(dòng)電極20，從而通過(guò)這些電壓在放電空間23中 產(chǎn)生其中頻率和頻率《 2迭加的電場(chǎng)V。排放到放電空間23中的混合氣G被電場(chǎng)V激勵(lì)而形成為等離子體狀態(tài)。然后，基 部部件表面暴露于處于等離子體狀態(tài)下的混合氣G，從而通過(guò)混合氣G中的材料氣體在基 部部件175上形成無(wú)機(jī)層176 (圖5)。在圖4和6中，具有頻率的電壓從第一電源25輸出，并施加至固定電極21a， 而具有頻率《 2的電壓從第二電源26輸出，并施加至固定電極21b，從而通過(guò)這些電壓在放電空間23a中產(chǎn)生其中頻率《 1和頻率《2迭加的電場(chǎng)V。經(jīng)過(guò)放電空間23a的混合氣G被電場(chǎng)V激勵(lì)而形成為等離子體狀態(tài)，并且形成為 等離子體狀態(tài)的混合氣G2 (圖6)被排放到薄膜形成區(qū)域41中使得基部部件表面暴露于薄 膜形成區(qū)域41中的氣體。通過(guò)混合氣G2中的材料氣體在基部部件175上形成無(wú)機(jī)層176。實(shí)例實(shí)例1將PPS (聚苯硫醚，由東麗工業(yè)株式會(huì)社制造)(94重量份數(shù))、6-Nylon(由東麗工 業(yè)株式會(huì)社制造)(6重量份數(shù))和酸化碳(acidiccarbon)(由德固賽公司(Degussa)制 造)(9重量份數(shù))混合，并以300rpm在290°C由連續(xù)雙螺桿攪拌機(jī)(KTX30 由株式會(huì)社神 戶制鋼所(Kobe Steel, Ltd.)制造)攪拌混合物。通過(guò)環(huán)形金屬模具擠出模制攪拌物質(zhì)， 從而獲得具有無(wú)縫帶形的基部部件(厚度為110 ym)。在任意10個(gè)點(diǎn)測(cè)量該基部部件的體 積電阻率，并得出這些電阻的平均值。通過(guò)使用大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積法在具有無(wú)縫帶形的基部部件的表面上 形成Si02層。具體而言，通過(guò)使用圖5所示的等離子體化學(xué)氣相淀積設(shè)備，在以下條件下 形成該層。測(cè)量該無(wú)機(jī)層的體積電阻率。放電氣體=氧氣放電氣體流量=10slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)材料氣體=TE0S材料氣體流量=2slm(標(biāo)準(zhǔn)升/分鐘)施加的功率=1.6KW實(shí)例2至9/對(duì)比實(shí)例1至6除了基部部件的成分和厚度如表1所述改變并且無(wú)機(jī)層的形成方法和形成條件 如表1所述改變外執(zhí)行與實(shí)例1的方法相同的方法，從而生產(chǎn)中間轉(zhuǎn)印帶。在對(duì)比實(shí)例3中，作為無(wú)機(jī)層，使用已知方法通過(guò)真空蒸鍍?cè)诨坎考闲纬蒘i02層。在對(duì)比實(shí)例4中，使用磁控濺射設(shè)備作為濺射設(shè)備通過(guò)濺射法形成無(wú)機(jī)層。供應(yīng) 的氣體氬氣5cm7m，壓力() 67Pa供應(yīng)的功率1.2KW目標(biāo)材料=硅在對(duì)比實(shí)例5中，作為無(wú)機(jī)層，使用已知方法(涂覆方法1)通過(guò)涂覆程序在基部 部件上形成Si02層。具體而言，將四乙氧基硅烷(580g)和乙醇(1144g)混合，并對(duì)此添加 檸檬酸水溶液(通過(guò)在水(272g)中溶解檸檬酸水合物(5.4g)制備)，然后在室溫(25°C ) 將其攪動(dòng)一小時(shí)，從而制備四乙氧基硅烷水解物質(zhì)A。通過(guò)使用具有對(duì)其添加了該水解物質(zhì)的以下成分，使用拉絲錠執(zhí)行涂覆程序以形 成具有膜厚(濕膜厚度)為1 P m的膜，并在80°C將其干燥2分鐘。丙二醇甲醚(Propylene glycol monomethylether) 303 質(zhì)量份數(shù)異丙醇305質(zhì)量份數(shù)四乙氧基硅烷水解物質(zhì) A(Tetraethoxy silane-hydrolyzed matter A) 139 質(zhì)量 份數(shù)
(y -methacryloxypropyl trimethoxysilane) (KBM503由信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社(Shin-Etsu Chemical Co, Ltd)制造) 1. 6質(zhì)量份 數(shù)在對(duì)比實(shí)例6中，作為無(wú)機(jī)層，通過(guò)涂覆程序(涂覆法2)在基部部件上形成Si02 層。具體而言，通過(guò)以與涂覆法1相同方式使用水解物質(zhì)A以及以下成分，執(zhí)行涂覆過(guò)程以 形成具有1. 8 y m的膜厚(濕膜厚度)的膜，并在80°C將其干燥2分鐘。丙二醇甲醚(Propylene glycol monomethylether) 303 質(zhì)量份數(shù)異丙醇305質(zhì)量份數(shù)四乙氧基硅烷水解物質(zhì) A(Tetraethoxy silane-hydrolyzed matter) 139 質(zhì)量份 數(shù)
評(píng)價(jià)將各制好的中間轉(zhuǎn)印帶裝載到打印機(jī)中，在打印機(jī)的標(biāo)準(zhǔn)條件下評(píng)價(jià)。轉(zhuǎn)印特征在預(yù)定張數(shù)上執(zhí)行成像程序，并肉眼觀察在程序期間形成在紙張上的圖像，并通 過(guò)確認(rèn)空心缺陷評(píng)價(jià)轉(zhuǎn)印特征。在一直到完成100，000張的成像程序都未觀察到空心缺陷 的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“優(yōu)”(O )，在一直到完成50，000張的成像程序都未觀察到空心缺 陷的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“良”(〇)；在完成50，000張的成像程序時(shí)觀察到一些缺陷的情 況下，將該狀態(tài)評(píng)為“可接受”(A )(在實(shí)際使用中不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題)；并且在小于50，000張
的圖像程序中觀察到空心缺陷的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“差”(X)(實(shí)際使用中出現(xiàn)問(wèn)題)。清潔特征在預(yù)定張數(shù)上執(zhí)行成像程序，并在程序期間肉眼觀察中間轉(zhuǎn)印帶，并通過(guò)確定調(diào) 色劑粘附狀態(tài)評(píng)價(jià)清潔特征。在一直到完成200，000張的成像程序都未觀察到調(diào)色劑粘附 的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“優(yōu)”( )，在一直到完成150，000張的成像程序都未觀察到調(diào)色 劑粘附的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“良”(〇)；在完成100,000張的成像程序時(shí)觀察到一些調(diào) 色劑粘附的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“可接受”(A)(在實(shí)際使用中不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題)；并且在 小于50，000張的圖像程序中觀察到調(diào)色劑粘附的情況下，將該狀態(tài)評(píng)為“差”(X)(實(shí)際使 用中出現(xiàn)問(wèn)題)。本發(fā)明的效果按照本發(fā)明，通過(guò)使用等離子體化學(xué)氣相淀積法、優(yōu)選大氣壓等離子體化學(xué)氣相 淀積法在含有聚苯硫醚和聚酰胺的基部部件上形成無(wú)機(jī)層，允許無(wú)機(jī)層具有半導(dǎo)電特性。為此，本發(fā)明的中間轉(zhuǎn)印部件具有其允許施加半導(dǎo)電特性的無(wú)機(jī)表面層，從而可 防止電荷的積聚，因此，可長(zhǎng)時(shí)間保持優(yōu)異的轉(zhuǎn)印特征和清潔特征。由于通過(guò)使用等離子體 化學(xué)氣相淀積法形成無(wú)機(jī)表面層，所以無(wú)機(jī)層對(duì)基部部件施加高粘附，并從而變得更加不 容易開(kāi)裂。在本發(fā)明中，當(dāng)通過(guò)使用大氣壓等離子體化學(xué)氣相淀積法形成無(wú)機(jī)層時(shí)，可進(jìn)一 步提高轉(zhuǎn)印特征和清潔特征，并從而消除必須提供大規(guī)格工具如真空設(shè)備的必要性。
1權(quán)利要求
一種中間轉(zhuǎn)印部件，包括基部部件，其含有聚苯硫醚和聚酰胺；以及半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層，其形成在所述基部部件上并具有在從1×107Ωcm至1×1013Ωcm的范圍內(nèi)的體積電阻率。
2.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層通過(guò)等離子體化學(xué)氣 相淀積法形成。
3.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層通過(guò)大氣壓等離子體 化學(xué)氣相淀積法形成。
4.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層包含至少一種選自以 下組中的氧化物所述組中包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯和氧化錫。
5.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述基部部件中聚苯硫醚和聚酰胺的含量 比以重量比計(jì)在從70/30至95/5的范圍內(nèi)。
6.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述基部部件具有在從IX106Q cm至 1 X 1012 Q cm的范圍內(nèi)的體積電阻率。
7.如權(quán)利要求1所述的中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述基部部件具有在從80°C至88°C的范圍 內(nèi)的玻璃化溫度。
8.一種成像設(shè)備，配備有中間轉(zhuǎn)印部件，其中所述中間轉(zhuǎn)印部件包括基部部件，其含有聚苯硫醚和聚酰胺；以及半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層，其形成在所述基部部件上并具有在從1 X 107 Q cm至1 X 1013 Q cm的 范圍內(nèi)的體積電阻率。
9.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層通過(guò)等離子體化學(xué)氣相淀 積法形成。
10.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層通過(guò)大氣壓等離子體化 學(xué)氣相淀積法形成。
11.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層包含至少一種選自以下 組中的氧化物所述組中包括氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋅、氧化鋯和氧化錫。
12.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述基部部件中聚苯硫醚和聚酰胺的含量比 以重量比計(jì)在從70/30至95/5的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述基部部件具有在從lX106Qcm至 1 X 1012 Q cm的范圍內(nèi)的體積電阻率。
14.如權(quán)利要求8所述的成像設(shè)備，其中所述基部部件具有在從80°C至88°C的范圍內(nèi) 的玻璃化溫度。
15.一種用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的方法，包括通過(guò)等離子體化學(xué)氣相淀積法在含有聚苯硫醚和聚酰胺的基部部件上形成無(wú)機(jī)層。
16.如權(quán)利要求15所述的用于制造中間轉(zhuǎn)印部件的方法，其中所述無(wú)機(jī)層通過(guò)大氣壓 等離子體化學(xué)氣相淀積法形成。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種中間轉(zhuǎn)印部件，其設(shè)有含有聚苯硫醚和聚酰胺的基部部件，以及形成在基部部件上、具有在從1×107Ωcm至1×1013Ωcm的范圍內(nèi)的體積電阻率的半導(dǎo)電性無(wú)機(jī)層；一種用于制造此類(lèi)中間轉(zhuǎn)印部件的方法，其中通過(guò)等離子體化學(xué)氣相淀積法形成無(wú)機(jī)層；以及一種配備有此類(lèi)中間轉(zhuǎn)印部件的成像設(shè)備。
文檔編號(hào)G03G15/16GK101866135SQ20101016564
公開(kāi)日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2010年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月16日
發(fā)明者倉(cāng)地育夫, 古澤克巳, 塚本宗夫, 山口昌俊, 水藻義之, 田中弘司, 西村亙司, 足立雅彥 申請(qǐng)人:柯尼卡美能達(dá)商用科技株式會(huì)社