專利名稱：Euv微光刻的照明光學(xué)系統(tǒng)和這種照明光學(xué)系統(tǒng)的euv衰減器、具有這種照明光學(xué)系統(tǒng)的 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種EUV微光刻的照明光學(xué)系統(tǒng)，其用于將來自輻射源的照明光束導(dǎo)引到物場，具有至少一個具有反射面的EUV反射鏡，并且為了導(dǎo)引照明光束而該EUV反射鏡具有非平面反射鏡的形貌。本發(fā)明還涉及用于這種照明光學(xué)系統(tǒng)的EUV衰減器、具有這種照明光學(xué)系統(tǒng)的照明系統(tǒng)以及具有這種照明系統(tǒng)的投射曝光裝置。最后，本發(fā)明涉及一種微結(jié)構(gòu)或者納結(jié)構(gòu)部件的制造方法以及利用這種方法制造的部件。
背景技術(shù)：
從US 2007/0041004 AUUS 6，445，510 Bl 以及 US 2007/0058274 Al 已知一種投
射曝光裝置中的照明光學(xué)系統(tǒng)的衰減器。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是開發(fā)上述類型的照明光學(xué)系統(tǒng)，從而可以校正物場上如照明強(qiáng)度分布或者照明角度分布等照明參數(shù)的不期望偏差，以及使不期望的輻射損失盡可能少。本發(fā)明通過EUV微光刻的照明光學(xué)系統(tǒng)來實(shí)現(xiàn)上述目的，該照明光學(xué)系統(tǒng)用于將來自輻射源的照明光束導(dǎo)引到物場，-具有至少一個EUV反射鏡，該至少一個EUV反射鏡具有反射面，為了形成該照明光束，該反射面具有非平面反射鏡形貌，-具有至少一個EUV衰減器，其布置在該EUV反射鏡的前面并且其面向該EUV反射鏡的該反射面的衰減器面具有衰減器形貌，該衰減器形貌設(shè)計為與該反射鏡形貌互補(bǔ)，使得衰減器面的至少部分距該反射面以恒定間隔布置。根據(jù)本發(fā)明，采用EUV衰減器校正了照明參數(shù)的不期望變化。衰減器形貌關(guān)于反射鏡形貌的互補(bǔ)成型確保了 EUV衰減器能夠非常接近EUV反射鏡。即使照明光束以明顯不同于零的入射角到達(dá)EUV反射鏡，使EUV衰減器非常接近于EUV反射鏡的這個可能性確保了，可被避免或最小化雙通道損耗，該雙通道損耗由于EUV衰減器上照明光的返回和離開光束的碰撞位置之間的偏差引起。以與EUV反射鏡分離的子組件形式的EUV衰減器的優(yōu)點(diǎn)得到保持。因此，對于EUV衰減器可以關(guān)于EUV反射鏡精密地調(diào)整。此外，可以以不同設(shè)計的EUV衰減器取代特定EUV衰減器，以改變照明參數(shù)的影響。盡管間隔非常短，但是可以安全地避免EUV反射鏡和EUV衰減器相互接觸。EUV衰減器可用于影響物場上照明光的照明角度分布和強(qiáng)度分布二者。EUV衰減器的作用取決于其在照明光學(xué)系統(tǒng)中的位置。在為了將EUV衰減器定位在EUV反射鏡前面而提供的平面內(nèi)，可以根據(jù)這個平面的情況而改變物場照明的場功能和光瞳功能的參數(shù)。對于位于與照明光學(xué)系統(tǒng)的場平面或者光瞳平面一致的平面內(nèi)的EUV衰減器，可以專門影響僅場功能的參數(shù)或者光瞳功能的參數(shù)。非平面反射鏡形貌意味著關(guān)于反射鏡形貌互補(bǔ)設(shè)計的衰減器形貌也是非平坦，就是說是不平的。非平坦反射鏡形貌可由反射鏡的反射面中的對應(yīng)曲度或降反射鏡分成獨(dú)立反射鏡區(qū)段(例如獨(dú)立反射鏡分面)而導(dǎo)致。EUV衰減器與EUV反射鏡之間的間隔在不超過200 μ m的范圍內(nèi)發(fā)現(xiàn)特別適合。EUV衰減器可具有至少一個EUV光闌，其具有預(yù)定光闌輪廓。這確保了來自EUV衰減器的良好限定的衰減作用。在不需要衰減的點(diǎn)，允許照明光通過EUV衰減器或者EUV衰減器完全不衰減。替換或者附加地，EUV衰減器可具有至少一個灰度濾波器，就是說具有灰度濾波功能的部件。這通過灰度濾波器對EUV衰減分布的適當(dāng)精確成型，使來自EUV衰減器的衰減作用的分布精確成型。這意味著根據(jù)校正功能可調(diào)整照明光的強(qiáng)度?？梢杂绊懟蛘{(diào)整物場照明的均勻度，就是說一致度，以調(diào)整或影響物場照明的橢圓率或遠(yuǎn)心度。也可以調(diào)整或影響從以限定方式預(yù)定的來自多個照明角度的多個照明強(qiáng)度之間的物場照明的強(qiáng)度比率，這已知為極平衡。這些引用參數(shù)的單個例子或者全部可被調(diào)整或影響。EUV反射鏡的反射面可具有自由形式表面的形式。這使得物場照明與特定預(yù)設(shè)相匹配。如果需要，可以利用具有自由形式表面設(shè)計的EUV反射鏡而對矩形物場照明。EUV反射鏡的反射面可為分面表面的形式，具有多個反射獨(dú)立分面、至少某些特定獨(dú)立分面能夠具有與EUV衰減器的相關(guān)衰減器部分。這種衰減器部分可與多個獨(dú)立分面相關(guān)。這種設(shè)計的分面鏡尤其可以是照明幾何形狀的照明場分面鏡或者光瞳分面鏡，例如可從US 2007/0058274 Al的圖12中了解。這種分面鏡的分面尤其獨(dú)立地傾斜或翹起。在這種情況下，獨(dú)立分面可關(guān)于EUV反射鏡的主平面獨(dú)立地傾斜大于0.5°、大于1°、大于2°、 大于3°或者大于5°的傾斜角。此外，分面可具有彎曲的、尤其是凹陷彎曲的反射面以形成光束。這種設(shè)計允許特定獨(dú)立分面具體通過EUV衰減器而被衰減，以影響物場的照明參數(shù)。獨(dú)立衰減器部分和/或包括多個這種衰減器部分的組合可從尤其是單片形成的主體制成。其可以是通過電鍍形成的主體。衰減器部分可產(chǎn)生獨(dú)立衰減。例如，可提供每一個具有不同衰減的兩種類型衰減器部分或者超過兩種類型的衰減器部分，例如三種、四種、五種或者甚至更多種。這使得以相當(dāng)大的自由度影響物場照明參數(shù)。衰減器部分可具有與獨(dú)立分面相關(guān)的具有遮光邊緣的光闌。這使得獨(dú)立分面以獨(dú)立的方式精確地衰減。分面表面可分成多個分面區(qū)塊。分面區(qū)塊可繼而組合多個獨(dú)立分面。分面區(qū)塊可在分面表面上具有插入的距離部分。EUV衰減器的互補(bǔ)成型衰減器面可在衰減器面部分上具有加固支柱，其與分面表面上的距離部分相鄰布置。這使得EUV衰減器為自支撐設(shè)計，如果不具有這種設(shè)計將導(dǎo)致可用輻射的顯著不期望的損耗。EUV衰減器的互補(bǔ)成型衰減器面可具有從EUV反射鏡的反射面尤其通過電鍍形成的層的形式。這確保了衰減器面相對于EUV反射鏡的反射面的精確互補(bǔ)形狀。這繼而產(chǎn)生以非常短的間隔布置兩個分面的可能。EUV衰減器的形成層可由鎳制成。除了精確形成以外，這還允許EUV衰減器設(shè)計為具有小壁厚，這進(jìn)一步減少尤其是雙通道中的可用輻射的不期望損耗。EUV衰減器的壁厚大于或等于0. 03mm。該壁厚可在0. 03mm與0. 3mm之間的范圍內(nèi)，尤其在0. 05mm與0. 3mm之間的范圍內(nèi)。
形成層可包含多個光闌。尤其是，這使得EUV反射鏡的區(qū)域、尤其是分面鏡形式的 EUV反射鏡的獨(dú)立分面獨(dú)立遮光。除了衰減器部分，形成層可還包含非衰減通孔。在這種情況下，EUV反射鏡僅在為了影響物場照明參數(shù)所需的點(diǎn)衰減。EUV反射鏡的分面設(shè)計可不僅提供有校正分面，該校正分面的照明通過EUV衰減器的衰減器部分影響，而且還提供有不受影響的基礎(chǔ)照明分面， 其在EUV衰減器中具有相關(guān)的非衰減通孔。只要EUV衰減器的衰減器部分具有某些相關(guān)的獨(dú)立分面，衰減器部分可具有作為光闌的多個衰減器指。每個衰減器指則能夠以獨(dú)立地對于該衰減器指相關(guān)的至少一個獨(dú)立分面微調(diào)的方式形成。這增加了產(chǎn)生用于照明光學(xué)系統(tǒng)的EUV衰減器的自由度。衰減器指的獨(dú)立成型遮光邊緣為照明產(chǎn)生適當(dāng)?shù)莫?dú)立校正選擇。每個獨(dú)立分面具有精確一個或者至多兩個相關(guān)衰減器指的配置允許EUV衰減器的緊湊同時易于處理的設(shè)計。衰減器指可具有共同的安裝支撐。這產(chǎn)生了將衰減器部分連同共同安裝支撐預(yù)先安裝為一個模塊的可能性，該衰減器部分與多個獨(dú)立分面相關(guān)。安裝支撐可以具有支撐支架，該支撐支架布置在具有多個獨(dú)立分面的分面區(qū)塊兩側(cè)，衰減器指布置在與該分面區(qū)塊相關(guān)的兩個支撐支架之間。這使得允許衰減器指的安裝支撐，其中損失通過不期望遮光的盡可能小的分面鏡的可用反射面。衰減器指在支撐支架上的保持點(diǎn)可布置在一個水平上，該水平取決于獨(dú)立分面所跨過的形狀、尤其是取決于這些獨(dú)立分面的反射面的分布。以這種方式，支撐支架的設(shè)計可精細(xì)地規(guī)定衰減器指與相關(guān)的獨(dú)立分面的反射面之間的間隔。本發(fā)明照明光學(xué)系統(tǒng)的EUV衰減器、具有本發(fā)明的照明光學(xué)系統(tǒng)的照明系統(tǒng)以及具有本發(fā)明照明系統(tǒng)的投射曝光裝置的優(yōu)點(diǎn)對應(yīng)于上面參照本發(fā)明的照明光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)說明的優(yōu)點(diǎn)。具有這些優(yōu)點(diǎn)的制造方法包括以下步驟-提供掩模母版，-提供具有涂層的晶片，該涂層對于照明光為光敏的，-采用本發(fā)明的投射曝光裝置將該掩模母版的至少一部分投射到該晶片上，-將曝光于該照明光束的該光敏層在該晶片上顯影；并且根據(jù)本發(fā)明制造的微結(jié)構(gòu)或者納結(jié)構(gòu)子組件的優(yōu)點(diǎn)對應(yīng)于上面參照本發(fā)明的照明光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)說明的優(yōu)點(diǎn)。


下面參照附圖更為詳細(xì)地說明本發(fā)明的示范性實(shí)施例，在附圖中圖1示意性地示出微光刻的投射曝光裝置的子午截面，該投射曝光裝置具有照明光學(xué)系統(tǒng)和投射光學(xué)系統(tǒng)；圖2示意性地示出圖1所示的照明光學(xué)系統(tǒng)的場分面鏡和光瞳分面鏡的各個俯視圖，其中場分面鏡的特定場分面具有在場分面鏡的前面布置的EUV衰減器的相關(guān)獨(dú)立衰減部分；圖3示出各種類型衰減器部分的各個俯視圖，該衰減器部分與場分面鏡的獨(dú)立分面以及與這些場分面物理上相關(guān)的光瞳分面相關(guān)；
圖4示出場分面鏡的另一實(shí)施例的透視圖，該場分面鏡的分面表面被分成多個分面區(qū)塊(facet block)，在該多個分面區(qū)塊中繼而組合了多個獨(dú)立分面；圖5示出圖4中的場分面鏡的細(xì)節(jié)的放大圖，其中比其他分面區(qū)塊更少示意性地示出的分面區(qū)塊具有電鍍形成層，用以制造EUV衰減器；圖6和圖7示出通過電鍍形成而制造的胚體的兩個透視圖，其用于圖4所示的場分面鏡的分面區(qū)塊的EUV衰減器；圖8示出由通過電鍍形成的胚體(blank)而制造的EUV衰減器的透視示意圖，其中圖4所示的場分面鏡的每一個獨(dú)立分面鏡具有相關(guān)的EUV光闌或者不衰減EUV光的通孔，該相關(guān)的EUV光闌具有預(yù)定光闌輪廓；圖9示出圖4所示的場分面鏡，在其左半部分上安裝了圖8所示的EUV衰減器；圖10示出圖4所示的場分面鏡的分面區(qū)塊的俯視圖，其具有EUV衰減器的另一個實(shí)施例；圖11示出圖10中沿著線XI-XI的截面；圖12示出圖10中沿著線XII-XII的截面；圖13示出從圖11中的觀看方向XIII所看見的圖10所示的EUV衰減器的支撐架的視圖；圖14示出從圖11中的觀看方向XIIV所看見的圖10所示的EUV衰減器的支撐架的視圖。
具體實(shí)施例方式圖1示意性地示出微光刻的投射曝光裝置1的子午截面。投射曝光裝置1中的照明系統(tǒng)2不僅具有輻射源3，還具有照明光學(xué)系統(tǒng)4，用于曝光物平面6上的物場5。這涉及到掩模母版的曝光，圖1中沒有示出掩模母版，掩模母版布置在物場5中并且包括有待投射曝光裝置1投射的結(jié)構(gòu)，用以制造微結(jié)構(gòu)或者納結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體部件。投射光學(xué)系統(tǒng)7用于將物場5映射成像平面9中的像場8。掩模母版上的結(jié)構(gòu)被映射到晶片(圖中未示出)的光致抗蝕劑層上，該晶片被布置在像平面9中的像場8的區(qū)域中。輻射源3是EUV輻射源，其發(fā)射5nm和30nm之間范圍內(nèi)的可用輻射。輻射源3可以是等離子體源，例如GDPP(氣體放電產(chǎn)生的等離子體)源或者LPP(激光產(chǎn)生的等離子體)源。其它EUV輻射源，例如基于同步加速器的EUV輻射源也是可行的。來自輻射源3的EUV輻射10通過集光器(collector) 11而匯聚。例如，從EP 1 225 481 A可了解合適的集光器。在集光器11之后，EUV輻射10在到達(dá)場分面鏡13之前傳播通過中間聚焦平面12。場分面鏡13布置在照明光學(xué)系統(tǒng)4的平面內(nèi)，照明光學(xué)系統(tǒng)4 的該平面與物平面6光學(xué)共軛。EUV輻射10在下文中也稱為照明光或者映射光。在場分面鏡13之后，EUV輻射10被光瞳分面鏡14反射。光瞳分面鏡14布置在照明光學(xué)系統(tǒng)4的平面內(nèi)，照明光學(xué)系統(tǒng)4的該平面與照明光學(xué)系統(tǒng)7的光瞳平面光學(xué)共軛。光瞳分面鏡14和具有傳送光學(xué)系統(tǒng)15的形式的映射光學(xué)組件用于將場分面鏡13的場分面19(參見圖2~)映射到物場5以彼此重疊，該傳送光學(xué)系統(tǒng)15具有反射鏡16、17和18，按照EUV輻射10的光路的順序表示。傳送光學(xué)系統(tǒng)15中的最后一個反射鏡18是掠入射反射鏡。傳送光學(xué)系統(tǒng)15連同光瞳分面鏡14 一起也稱為繼續(xù)光學(xué)系統(tǒng)，用于將EUV輻射10從場分面鏡13傳輸?shù)轿飯?。為了簡化位置關(guān)系的說明，下文采用了笛卡爾(CartesiarOxyz坐標(biāo)系。X軸在圖 1中垂直于附圖平面延伸到觀察者。Y軸延伸到圖1中的右側(cè)。Z軸在圖1中向上延伸。在投射曝光裝置1的操作期間，在y方向上，由掩模母版固定器(未示出)固定的掩模母版和由晶片固定器(未示出)固定的晶片同步掃描。物場5可以是弓形或者矩形形式。物場5的χ和y范圍的長寬比對應(yīng)于場分面19 的長寬比。在如圖所示的示范性實(shí)施例中，場分面19是矩形的。在沒有示出的實(shí)施例中， 場分面19也可以是弓形的，并且這種弓形場分面在χ和y方向上的范圍的比率對應(yīng)于在所示實(shí)施例中矩形場分面19的長寬比。場分面19和物場5的x/y長寬比例如為13/1。其它大于1的長寬比也是可行的。 基于這些長寬比，X軸也稱為長場軸，而y軸也稱為短場軸。物場5之內(nèi)的特定χ坐標(biāo)也稱為場水平(field level)。場分面鏡13的場分面19被組合在場分面區(qū)塊20中，該場分面區(qū)塊20有各自的多個場分面19。在圖2所示的場分面鏡13的示意性圖示中，其中所示的四個場分面區(qū)塊20 每一個具有八個場分面19。實(shí)際上，存在很多這樣的場分面區(qū)塊20，如從圖4所示的場分面鏡13的另一個實(shí)施例的圖示可知。實(shí)際上，場分面鏡13具有幾百個場分面19。場分面區(qū)塊20布置在場分面支撐件(support) 21上，場分面支撐件21實(shí)際上可以多個自由度加以調(diào)整。其上布置有場分面區(qū)塊20的場分面支撐件21的表面限定了用于場分面鏡13的主平面。場分面19的特定示例或者場分面19的全部示例，關(guān)于場分面鏡13的主平面獨(dú)立地傾斜例如大于0.5°的傾斜角。對于場分面19的特定實(shí)例，傾斜角也可以大于1°，大于 2°，大于3°或者甚至大于5°。關(guān)于場分面鏡13的主平面遠(yuǎn)大于5°的傾斜角也是可行的。取決于場分面鏡13的設(shè)計，場分面區(qū)塊20也可以具有關(guān)于場分面支撐件21的可調(diào)整形式。光瞳分面鏡14 (參見圖2)具有例如以密堆六邊形形式排列在光瞳分面支撐件23 上的多個圓形光瞳分面22。場分面19和光瞳分面22可具有映射作用，并且成型為例如球形凹面的形式。光瞳分面支撐件23可設(shè)計為與場分面支撐件21 —致地調(diào)整。作為光瞳分面支撐件23的調(diào)整的替換或者附加方案，獨(dú)立的光瞳分面22也可以為關(guān)于光瞳分面支撐件23的可調(diào)整設(shè)計。實(shí)際上，分面19、22上的高反射涂層是鉬和硅層交替設(shè)置的多層涂層。用于制造這種多層涂層的其它涂層材料也是可行的。分面19、22是用于EUV輻射10的反射鏡分面。 為了調(diào)整獨(dú)立場分面區(qū)塊20和/或獨(dú)立光瞳分面22，這些部件可獨(dú)立地連接到它們的相關(guān)驅(qū)動器。這些驅(qū)動器可以具有的形式為使得獨(dú)立場分面區(qū)塊或者獨(dú)立分面可以關(guān)于各分面區(qū)塊或者各分面的反射面中的兩個軸傾斜。場分面19中每一個與光瞳分面22獨(dú)立地相關(guān)，從而使到達(dá)場分面19中相應(yīng)一個的EUV輻射10的照明光束的分量經(jīng)由相關(guān)的光瞳分面22行進(jìn)到物場5。兩個分面鏡13、 14由此限定多個照明通道，該照明通道將EUV輻射10逐個通道地導(dǎo)引至物場5?？傊?，圖2中示意性示出的實(shí)施例具有三十二個這樣的照明通道。在每個照明通道中輻射源3被映射到光瞳分面22上。場分面19和光瞳分面22分為兩種各自分面類型。圖2以平面形式示出基礎(chǔ)照明場分面19e。圖2以陰影形式示出校正照明場分面19κ?；A(chǔ)照明場分面19e具有經(jīng)由照明通道與它們相關(guān)的基礎(chǔ)照明光瞳分面22e，所述基礎(chǔ)照明光瞳分面2 在圖2中以空圓圈示
出ο校正照明場分面1 具有經(jīng)由照明通道與它們相關(guān)的校正照明光瞳分面22κ，所述校正照明光瞳分面22￡在圖2中以陰影形式示出?；A(chǔ)照明場分面19e利用相關(guān)的基礎(chǔ)照明光瞳分面22e經(jīng)由基礎(chǔ)照明通道提供物場5的基礎(chǔ)照明。校正照明場分面19κ利用相關(guān)的校正照明光瞳分面22κ經(jīng)由校正照明通道提供物場5的校正照明。根據(jù)采用EUV輻射10的照明光束的場分面鏡13的照明的幾何形狀和強(qiáng)度分布、 以及根據(jù)物場5的預(yù)定所需照明，進(jìn)行用作基礎(chǔ)照明場分面19e的場分面鏡13的場分面19 和用作校正照明場分面1 的場分面19的選擇。舉例來說，采用的校正照明場分面1%是其照明對于基礎(chǔ)照明而言強(qiáng)度不足、或者其照明對于基礎(chǔ)照明而言強(qiáng)度分布不可接受的場分面。采用的校正照明場分面1 可以是例如邊界場分面19或者在某種程度上例如歸因于遮光現(xiàn)象而沒有EUV輻射到達(dá)或者以衰減度到達(dá)的場分面19。校正照明場分面1 具有相關(guān)的EUV衰減器，該EUV衰減器為具有預(yù)定光闌輪廓的 EUV光闌的形式。圖3示出具有這種EUV光闌M的校正照明場分面19K1至19Κ6以及Wki, 至19K6,的示例，其以陰影形式示出，這種EUV光闌M具有光闌輪廓25。EUV光闌M以距校正照明場分面1 的反射面的一定間隔布置。這個間隔至多為200μπι，但是另一方面該間隔大于0，這表明EUV光闌M不接觸校正照明分面19κ。每個EUV光闌M用作相關(guān)校正照明場分面1 的衰減器部分。在這種情況下，校正照明場分面丨知至⑴皿組合在校正照明場分面區(qū)塊2(^中。校正照明場分面19K1,至19Κ6,組合在校正照明場分面區(qū)塊20κ,中。這些校正照明場分面19Κ1 至19Κ6以及19Κ1,至19Κ6,在以陰影形式所示的部分中被EUV光闌M覆蓋，從而入射在其上的EUV輻射10受到阻擋。這種阻擋可通過EUV輻射10的吸收或者通過EUV輻射10從光線路徑反射且隨后吸收來實(shí)現(xiàn)。對于校正照明場分面19Κ1至19K6，EUV光闌M的光闌輪廓 25的形狀在每一種情況下不同。校正照明場分面19Κ1和19Κ1,具有相同形狀的光闌24。這相應(yīng)地適用于校正照明場分面對19Κ2/19Κ2,至19Κ6/19Κ6,。兩個場分面區(qū)塊2 和20κ,相對于Χ/Ζ鏡像對稱平面以彼此成鏡像對稱的方式布置?？紤]到校正照明場分面19Κ1至19Κ6中光闌M的光闌輪廓25的不同設(shè)計，光闌M 使EUV輻射10沿著χ方向以各個不同的分布而衰減。校正照明場分面19Κ1的光闌M使EUV輻射10在圖3中的左手邊界處完全衰減。 該衰減朝向右手邊界線性下降，從而使EUV輻射10在右手邊界處以最大可能效率反射。校正照明場分面19Κ2具有與光闌輪廓25相關(guān)的EUV光闌對，光闌輪廓25精確地產(chǎn)生反轉(zhuǎn)衰減分布，其由此在圖3中的左手邊界處沒有產(chǎn)生任何衰減，而在右手邊界處產(chǎn)生EUV輻射10的最大衰減。校正照明場分面19Κ3的光闌M具有光闌輪廓25，該光闌輪廓25具有從圖3中的頂部和底部起的兩個月牙部分，其在校正照明場分面19K3的中心處接觸。校正照明場分面 19Κ3因此具有沿著χ方向的衰減分布，該衰減分布在圖3中的左手邊界處始于最小衰減，在一半χ水平處移到最大衰減，并且在右手邊界處返回到最小衰減。相比于校正照明場分面19K3，校正校正照明場分面19k4的光闌M具有沿著χ方向的EUV輻射的反轉(zhuǎn)衰減分布。校正照明場分面1%3和1%4在1方向上產(chǎn)生拋物線衰減分布。校正照明場分面19K5的光闌M具有沿著χ方向的衰減分布，該衰減分布在圖3中的左手邊界處始于EUV輻射的最小衰減，并且在右手邊界處返回到最小衰減。在兩個邊界之間，該衰減具有對χ坐標(biāo)的非線性相關(guān)性。在這種情況下，該衰減遵循穩(wěn)定單調(diào)的函數(shù)。 也可以具有其它衰減函數(shù)分布，尤其是具有至少一個最小值或者至少一個最大值并且還具有不穩(wěn)定分布的那些函數(shù)分布。校正照明場分面19K6的光闌M具有沿著χ方向的衰減分布，其為校正照明場分面 19K5的衰減分布的反轉(zhuǎn)。校正照明場分面對WK1/19K1,至19K6/19K6,分別形成一組標(biāo)準(zhǔn)校正照明場分面，其由于各自相關(guān)的EUV光闌M，而在遠(yuǎn)場尺寸上(就是說沿著χ軸)具有相同的反射率分布。校正照明場分面對WK1/19K1,至19K6/19K6,具有校正照明光瞳分面對22K1/22K1,至 22Κ6/22Κ6,的相關(guān)對，其關(guān)于光瞳分面鏡14的中心以點(diǎn)對稱的方式布置。這確保了校正照明通道沒有引起物場照明的遠(yuǎn)心度改變。對于物場5的照明，遠(yuǎn)心度的定義如下在照明的物場5的每一個場點(diǎn)處，對于與這個場點(diǎn)相關(guān)的光束，定義質(zhì)心光線。在這種情況下，質(zhì)心光線具有來自這個場點(diǎn)的光束的能量加權(quán)方向。理想地，在每個場點(diǎn)處， 質(zhì)心光線與照明光學(xué)系統(tǒng)或者投射光學(xué)系統(tǒng)7預(yù)定的主光線平行傳播。主光線的方向&(X,y)可從照明光學(xué)系統(tǒng)4或者投射光學(xué)系統(tǒng)7的設(shè)計數(shù)據(jù)而得知。在一個場點(diǎn)處，主光線是由該場點(diǎn)與投射光學(xué)系統(tǒng)7的入射光瞳的中心點(diǎn)之間的連接線所限定。物平面6上的物場5中的一個場點(diǎn)X，y的質(zhì)心光線的方向計算如下
—1 C(u\s(x, = —- dudv \E(u, ν,χ,γ).
E(x,y) S {vjE(u, v, x, y)是基于光瞳坐標(biāo)u，ν (就是說，基于相關(guān)場點(diǎn)x，y看到的照明角度的基礎(chǔ)上)，場點(diǎn)X，y的功率分布。E(x,y) = fWv￡(m,v,x，>0是施加到場點(diǎn)x，y的總能量。中心物場點(diǎn)X(1，y0觀看例如來自方向U，ν上的輻射分束的輻射，方向U，ν由通過照明光學(xué)系統(tǒng)4的光瞳平面的各個輻射分束的交點(diǎn)(passage point)界定。在這種照明的情況下，只有在輻射分束的各種能量或者強(qiáng)度合并而形成平行于主光線方向傳播的積分質(zhì)心光線方向時，質(zhì)心光線s才沿著主光線傳播。這只有在理想情況下才是如此。實(shí)際上，在質(zhì)心光線方向？ (x,y)與主光線方向A (x,y)之間存在差異，稱為遠(yuǎn)心度誤差 (χ, >0 t(x,y) = s(x,y)- ？0(x,y)在投射曝光裝置1的實(shí)際操作期間，不僅需要為特定物場點(diǎn)校正靜態(tài)遠(yuǎn)心度誤差，而且需要校正在X = X0時掃描-積分的的遠(yuǎn)心度誤差。這產(chǎn)生
權(quán)利要求
1.一種EUV微光刻的照明光學(xué)系統(tǒng)G)，用于將來自輻射源(3)的照明光束(10)導(dǎo)引到物場(5)，-具有包括反射面09)的至少一個EUV反射鏡(13)，為了形成該照明光束(10)，該反射面09)具有非平面反射鏡形貌，-具有至少一個EUV衰減器(27)，其布置在該EUV反射鏡(1 的前面，并且面向該EUV 反射鏡(13)的該反射面09)的該EUV衰減器(XT)衰減器面(31)具有衰減器形貌，該衰減器形貌設(shè)計為與該反射鏡形貌互補(bǔ)，使得衰減器面(31)的至少部分以恒定間隔距該反射面09)布置而不接觸該反射面09)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV衰減器(XT)與該EUV反射鏡(13)之間的間隔不超過200 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV衰減器包括具有預(yù)定光闌輪廓(25)的至少一個EUV光闌(24) 0
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV衰減器具有至少一個EUV灰度濾波器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV反射鏡(13)的該反射面09)具有自由形式表面的形式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV反射鏡(13)的反射面09)具有包括多個反射獨(dú)立分面(19)的分面表面的形式，其中至少某些獨(dú)立分面 (1 )具有EUV衰減器(27)的相關(guān)衰減器部分(24；35)0
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器部分04;35)產(chǎn)生獨(dú)立衰減。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器部分04;35)具有與該獨(dú)立分面(19κ)相關(guān)的光闌的形式，該光闌具有遮光邊緣05 ；40)。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該分面表面分成多個分面區(qū)塊(20)，在該分面區(qū)塊OO)中繼而組合多個獨(dú)立分面(19)，其中該分面區(qū)塊(20)具有在該分面表面上的插入的距離部分，并且其中該EUV衰減器(XT)的互補(bǔ)成型衰減器面 (31)在與該距離部分相鄰布置的面部分上具有加固支柱(33)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于EUV衰減器(XT)的該互補(bǔ)成型衰減器面(31)具有從該反射面09)尤其通過電鍍形成的一層的形式。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該EUV衰減器(XT)的該形成層 (30)由鎳制造。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或者11所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該形成層(30)包含多個光闌(24) 0
13.根據(jù)權(quán)利要求10至12之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于除了衰減器部分 (M)，該形成層(30)還包含非衰減通孔(32)。
14.根據(jù)權(quán)利要求6至13之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器部分(35)具有作為光闌的多個衰減器指(36至39)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器指(36至39)具有獨(dú)立成型遮光邊緣。
16.根據(jù)權(quán)利要求14或者15所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于每個獨(dú)立分面(19κ)具有不超過兩個相關(guān)衰減器指(36至39)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14至16之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器指(36至 39)具有共同的安裝支撐01)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該安裝支撐具有布置在分面區(qū)塊00)兩側(cè)的支撐支架02，43)，該分面區(qū)塊OO)具有多個獨(dú)立分面(19κ)，其中該衰減器指(36至39)布置在與該分面區(qū)塊OO)相關(guān)的兩個支撐支架(42，4；3)之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的照明光學(xué)系統(tǒng)，其特征在于該衰減器指(36至39)在該支撐支架(42，4 上的保持點(diǎn)04)設(shè)置在一個水平上，該水平取決于所跨過的該獨(dú)立分面 (1 )的形狀。
20.一種EUV衰減器⑶；35)，用于根據(jù)權(quán)利要求1至19所述的照明光學(xué)系統(tǒng)(4)。
21.一種照明系統(tǒng)-具有EUV輻射源(3)，用于產(chǎn)生照明光束(10)，-具有根據(jù)權(quán)利要求1至19之一所述的照明光學(xué)系統(tǒng)(4)。
22.一種投射曝光裝置-具有根據(jù)權(quán)利要求21所述的照明系統(tǒng)，-具有投射光學(xué)系統(tǒng)(7)，用于將物場(5)投射到像場(8)上。
23.一種制造微結(jié)構(gòu)部件的方法，包括以下方法步驟-提供掩模母版，-提供具有涂層的晶片，該涂層對于照明光(10)為光敏的，-采用根據(jù)權(quán)利要求22所述的投射曝光裝置將該掩模母版的至少一部分投射到該晶片上，-將曝光于該照明光束(10)的該光敏層在該晶片上顯影。
24.一種采用根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法制造的子組件。
全文摘要
一種EUV微光刻的照明光學(xué)系統(tǒng)，用于將來自輻射源的照明光束導(dǎo)引到物場。至少一個EUV反射鏡(13)包括反射面(29)，為了形成該照明光束，反射面(29)具有非平面反射鏡形貌。EUV反射鏡(13)具有布置在其前面的至少一個EUV衰減器。面向EUV反射鏡(13)的反射面(29)的衰減器面具有衰減器形貌，該衰減器形貌設(shè)計為與該反射鏡形貌互補(bǔ)而使得衰減器面的至少部分以恒定間隔距反射面(29)布置。結(jié)果是照明光學(xué)系統(tǒng)，其中可以校正物場上照明參數(shù)、例如照明強(qiáng)度分布或者照明角度分布的不利變化，且使不利的輻射損失盡可能少。
文檔編號G03F7/20GK102365587SQ200980158506
公開日2012年2月29日 申請日期2009年3月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者B.普尼尼, J.哈特杰斯, N.施米茨, U.賓格爾 申請人:卡爾蔡司Smt有限責(zé)任公司