專(zhuān)利名稱(chēng)：微可動(dòng)元件陣列及通信設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微可動(dòng)元件陣列及通信設(shè)備，所述微可動(dòng)元件陣列包含多個(gè)具有微小的可動(dòng)部的例如微鏡元件、角速度傳感器、加速度傳感器等微可動(dòng)元件。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，在各種技術(shù)領(lǐng)域中，正在努力實(shí)現(xiàn)對(duì)具有通過(guò)MEMS(micro electro mechanical systems，微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)形成的微小結(jié)構(gòu)的元件的應(yīng)用。在這樣的元件中， 含有例如微鏡元件、角速度傳感器、加速度傳感器等具有微小的可動(dòng)部的微可動(dòng)元件。微鏡元件在例如光通信技術(shù)或光盤(pán)技術(shù)的領(lǐng)域中被用作承擔(dān)光反射功能的元件。角速度傳感器及加速度傳感器以在例如攝像機(jī)或附帶照相機(jī)的移動(dòng)電話的防手抖功能、導(dǎo)航系統(tǒng)、安全氣囊觸發(fā)正時(shí)系統(tǒng)、車(chē)或機(jī)器人等的姿勢(shì)控制系統(tǒng)中的用途而被利用。這樣的微可動(dòng)元件被記載于例如下述的專(zhuān)利文獻(xiàn)1 4。在先技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)2003-19700號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)2004-341364號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)3 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)2005-305582號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)4 日本專(zhuān)利文獻(xiàn)特開(kāi)2006-72252號(hào)公報(bào)從圖39到圖41示出了作為以往的微可動(dòng)元件的一個(gè)例子的微可動(dòng)元件90。圖 39是微可動(dòng)元件90的平面圖。圖40及圖41分別是沿圖39的線XL-XL及線XLI-XLI的截面圖。微可動(dòng)元件90包括可動(dòng)主部91、包圍所述可動(dòng)主部91的框92、包圍所述框92的框93、連結(jié)可動(dòng)主部91及框92的一對(duì)扭力桿94、以及連結(jié)框92、93的一對(duì)扭力桿95。一對(duì)扭力桿94規(guī)定可動(dòng)主部91的旋轉(zhuǎn)位移的軸心Bi，一對(duì)扭力桿95規(guī)定框92及隨同所述框92的可動(dòng)主部91的旋轉(zhuǎn)位移的軸心B2，軸心B1、B2垂直相交。S卩，微可動(dòng)元件90是所謂二軸型擺動(dòng)元件。當(dāng)這樣的微可動(dòng)元件90被構(gòu)成為例如微鏡元件時(shí)，在可動(dòng)主部91上設(shè)置有鏡面 91a，并且設(shè)置有產(chǎn)生用于使可動(dòng)主部91繞軸心Bl進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力的預(yù)定的第一致動(dòng)器(省略圖示)。另外，還設(shè)置有產(chǎn)生用于使框92及隨同所述框92的可動(dòng)主部91繞軸心B2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力的預(yù)定的第二致動(dòng)器(省略圖示)。于是，通過(guò)兩個(gè)致動(dòng)器的適當(dāng)運(yùn)轉(zhuǎn)，可動(dòng)主部91被驅(qū)動(dòng)著繞各軸心B1、B2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移或擺動(dòng)。通過(guò)這樣的可動(dòng)主部91的驅(qū)動(dòng)擺動(dòng)，能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用設(shè)置于可動(dòng)主部91上的鏡面91a反射的光信號(hào)的反射方向。另一方面，當(dāng)微可動(dòng)元件90被構(gòu)成為角速度傳感器時(shí)，例如，在可動(dòng)主部91及框 92上分別設(shè)置有電容相應(yīng)于繞可動(dòng)主部91的軸心Bl的旋轉(zhuǎn)位移量而變化的、彼此相對(duì)的一對(duì)檢測(cè)用電容電極(省略圖示)。另外，還設(shè)置有產(chǎn)生用于使框92及隨同所述框92的可動(dòng)主部91繞軸心B2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力的預(yù)定的致動(dòng)器(省略圖示)。于是，致動(dòng)器運(yùn)轉(zhuǎn)從而框92及隨同所述框92的可動(dòng)主部91以預(yù)定的振動(dòng)頻率或周期繞軸心B2進(jìn)行擺動(dòng)動(dòng)作。在該振動(dòng)狀態(tài)下，當(dāng)預(yù)定的角速度作用于可動(dòng)主部91時(shí)，可動(dòng)主部91繞軸心Bl進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移，從而檢測(cè)用電容電極對(duì)之間的電容發(fā)生變化。基于所述電容變化檢測(cè)出可動(dòng)主部91的旋轉(zhuǎn)位移量，基于所述檢測(cè)結(jié)果導(dǎo)出作用于微可動(dòng)元件90或可動(dòng)主部91的角速度。在以往技術(shù)中，當(dāng)將多個(gè)如上所述的微可動(dòng)元 件90配置成一列并共用框93從而實(shí)現(xiàn)一體化，由此構(gòu)成微可動(dòng)元件陣列時(shí)，存在以下情況難以在元件排列方向上實(shí)現(xiàn)足夠高的可動(dòng)主部91的占有率。其理由如下。所述微可動(dòng)元件陣列或微可動(dòng)元件90的各部分是利用MEMS技術(shù)在材料基板上制作而成的，當(dāng)貫穿具有一定厚度的材料基板而形成空隙時(shí)，關(guān)于所述空隙所能夠?qū)崿F(xiàn)的最小寬度具有加工技術(shù)上的極限。即，所述微可動(dòng)元件陣列中的相鄰的微可動(dòng)元件90的間隔距離不能夠小到超過(guò)加工極限。因此，相鄰的微可動(dòng)元件90的可動(dòng)主部91之間的間隔距離不能夠小到超過(guò)加工極限。另外，所述微可動(dòng)元件陣列的各微可動(dòng)元件90具有可動(dòng)部，并且所述可動(dòng)部是被電動(dòng)驅(qū)動(dòng)的元件。因此，在所述微可動(dòng)元件陣列中，需要在相鄰的微可動(dòng)元件90之間確保為避免機(jī)械干擾或電氣干擾所需的間隔距離。因?yàn)槿缟纤龅募庸O限、避免機(jī)械干擾的必要性、以及避免電氣干擾的必要性， 在現(xiàn)有技術(shù)中存在以下情況難以在元件排列方向上實(shí)現(xiàn)足夠高的可動(dòng)主部91的占有率。若難以在元件排列方向上實(shí)現(xiàn)足夠高的可動(dòng)主部91的占有率，則在包括多個(gè)微可動(dòng)元件90的所述微可動(dòng)元件陣列中存在不能夠?qū)崿F(xiàn)足夠的高性能化的情況。例如，假設(shè)各微可動(dòng)元件90是微鏡元件、并且所述微可動(dòng)元件陣列是被編入波長(zhǎng)選擇型光切換裝置的微鏡元件陣列的情況。在該情況下，公知元件排列方向上的可動(dòng)主部91的占有率越低， 所述微可動(dòng)元件陣列作為整體接收并利用各鏡面91a反射的光信號(hào)的損失越大。例如，假設(shè)各微可動(dòng)元件90是角速度傳感器或加速度傳感器、并且所述微可動(dòng)元件陣列是感測(cè)元件的情況。在該情況下，公知元件排列方向上的可動(dòng)主部91的占有率越低，檢測(cè)信號(hào)越容易受到干擾噪聲的影響，從而傳感器的敏感度越低。通過(guò)將多個(gè)微可動(dòng)元件90鄰接配置， 可以期待在各元件處產(chǎn)生的干擾噪聲在相鄰的元件之間被相互抵消的效果，但元件排列方向上的可動(dòng)主部91的占有率越低，所述干擾噪聲抵消效果或干擾噪聲減小效果越減弱。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明正是在如上所述的情況下思考出來(lái)的，本發(fā)明的目的在于提供適于在多個(gè)可動(dòng)主部的排列方向上實(shí)現(xiàn)大的可動(dòng)主部占有率的微可動(dòng)元件陣列以及包括這樣的微可動(dòng)元件陣列的通信設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)側(cè)面提供有微可動(dòng)元件陣列。所述微可動(dòng)元件陣列包括第一框、第二框、含有多個(gè)第一可動(dòng)部的第一可動(dòng)部列、以及含有多個(gè)第二可動(dòng)部的第二可動(dòng)部列。第一可動(dòng)部列的各第一可動(dòng)部被支撐于第一框并且具有第一可動(dòng)主部。第二可動(dòng)部列的各第二可動(dòng)部被支撐于第二框并且具有第二可動(dòng)主部。第一及第二框以第一可動(dòng)部列及第二可動(dòng)部列被相對(duì)配置的方式被層疊配置。在第一可動(dòng)部列中，多個(gè)第一可動(dòng)部被配置為第一可動(dòng)主部及空隙被交替配置并且多個(gè)第一可動(dòng)主部被排列在一個(gè)方向上。在第二可動(dòng)部列中，多個(gè)第二可動(dòng)部被配置為各第二可動(dòng)主部與第一可動(dòng)部列的各空隙相對(duì)并且多個(gè)第二可動(dòng)主部被排列在所述一個(gè)方向上。


圖1是第一實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列的省略了一部分的分解平面圖；圖2是第一實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列的省略了一部分的截面圖；圖3是第一實(shí)施方式中的第一陣列的省略了一部分的平面圖；圖4是第一實(shí)施方式中的第二陣列的省略了一部分的平面圖；圖5是包含于第一實(shí)施方式中的第一陣列及第二陣列的微可動(dòng)元件的平面圖；圖6是圖5示出的微可動(dòng)元件的省略了一部分的平面圖；圖7是沿圖5的線VII-VII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖8是沿圖5的線VIII-VIII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖9是沿圖5的線IX-IX剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖10是沿圖5的線X-X剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖11是沿圖5的線XI-XI剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖12是沿圖5的線XII-XII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖13是沿圖5的線XIII-XIII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖14是沿圖5的線XIV-XIV剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖15是沿驅(qū)動(dòng)時(shí)的圖5的線VII-VII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖16示出了微可動(dòng)元件的制造方法的一部分工序；圖17示出了圖16的后續(xù)工序；圖18示出了圖17的后續(xù)工序；圖19是掩膜圖形的平面圖；圖20是其他掩膜圖形的平面圖；圖21是第二實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列的省略了一部分的分解平面圖；圖22是第二實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列的省略了一部分的截面圖；圖23是圖21示出的第一陣列的平面圖；圖24是圖21示出的第二陣列的平面圖；圖25是包含于第二實(shí)施方式涉及的第一陣列的微可動(dòng)元件的平面圖；圖26是圖25示出的微可動(dòng)元件的省略了一部分的平面圖；圖27是沿圖25的線XXVII-XXVII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖28是沿圖25的線XXVIII-XXVIII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖29是沿圖25的線XXIX-XXIX剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖30是沿圖25的線XXX-XXX剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖31是沿圖25的線ΧΧΧΙ-ΧΧΧΙ剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖32是沿圖25的線ΧΧΧΙΙ-ΧΧΧΙΙ剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖33是沿圖25的線XXXIII-XXXIII剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖34是沿圖25的線XXXIV-XX XIV剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖35是包含于第二實(shí)施方式中的第二陣列的微可動(dòng)元件的平面圖36是沿圖35的線XXXVI-XXXVI剖開(kāi)的面的放大截面圖；圖37示出了第三實(shí)施方式涉及的光切換裝置的大致構(gòu)成；圖38示出了第四實(shí)施方式涉及的光切換裝置的大致構(gòu)成；圖39是以往的微可動(dòng)元件的平面圖；圖40是沿圖39的線XL-XL剖開(kāi)的面的截面圖；圖41是沿圖39的線XLI-XLI剖開(kāi)的面的截面圖。
具體實(shí)施例方式圖1及圖2示出了第一實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列XI。圖1是微可動(dòng)元件陣列Xl的省略了一部分的分解平面圖。圖2是微可動(dòng)元件陣列Xl的省略了一部分的截面圖。微可動(dòng)元件陣列Xl在本實(shí)施方式中是微鏡元件陣列，包含第一陣列1、第二陣列 2、底部3、多個(gè)間隔器(spaCer)4、以及多個(gè)間隔器5。多個(gè)間隔器4位于第一陣列1及第二陣列2之間，多個(gè)間隔器5位于第二陣列2及底部3之間。底部3為布線基板(圖1及圖2中省略了布線)，并且第一陣列1的一部分經(jīng)由一部分間隔器4、第二陣列2的一部分以及一部分間隔器5與底部3的布線的一部分電連接。第二陣列2的一部分經(jīng)由一部分間隔器5與底部3的布線的一部分電連接。用于實(shí)現(xiàn)這些電連接的間隔器4、5由導(dǎo)電材料形成，例如是單獨(dú)的或?qū)盈B的金屬凸起。圖3是第一陣列1的省略了一部分的平面圖。圖4是第二陣列2的省略了一部分的平面圖。第一陣列1及第二陣列2分別含有多個(gè)微可動(dòng)元件Yl (在圖3及圖4中，省略了一部分微可動(dòng)元件Yl)。從圖5到圖14示出了包含于第一陣列1及第二陣列2中的微可動(dòng)元件Y1。圖5 是微可動(dòng)元件Yl的平面圖。圖6是微可動(dòng)元件Yl的省略了一部分的平面圖。從圖7到圖 14 分別是沿圖 5 的線 VII-VII、線 VIII-VIII、線 IX-IX、線 X-X、線 XI-XI、線 XII-XII、線 XIII-XIII、以及線XIV-XIV的放大截面圖。微可動(dòng)元件Yl在本實(shí)施方式中是微鏡元件，包括內(nèi)可動(dòng)部10、作為外可動(dòng)部的框 20、作為固定部的框30、一對(duì)連結(jié)部40、一對(duì)連結(jié)部50A、50B、以及電極部60、70、80。另外， 微可動(dòng)元件Yl是通過(guò)利用MEMS技術(shù)對(duì)作為所謂SOI (silicon on insulator,絕緣底部上的硅)晶片的材料基板進(jìn)行加工而制造的元件。所述材料基板具有由第一及第二硅層以及所述硅層間的絕緣層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)摻雜，各硅層被賦予預(yù)定的導(dǎo)電性。微可動(dòng)元件Yl中的上述各部位主要是由第一硅層和/或第二硅層形成的，因此從使圖清晰明白的觀點(diǎn)出發(fā)，在圖3到圖5中，對(duì)由第一硅層形成的部位標(biāo)記顯示斜剖面線。另外，圖6所示的結(jié)構(gòu)是微可動(dòng)元件Yl中的由第二硅層形成的部位。內(nèi)可動(dòng)部10具有地面(land)部11、電極部12、梁部13以及防護(hù)部14。 地面部11是由第一硅層形成的部位，在其表面上，設(shè)置有具有光反射功能的鏡面 11’。這樣的地面部11及鏡面11’是可動(dòng)主部。所述可動(dòng)主部或地面部11如圖8所示，具有在厚度方向H上局部厚度薄并與框20相對(duì)的相對(duì)部11a。相對(duì)部Ila在地面部11的邊緣端向圖5所示的箭頭D2方向延伸。另外，如圖5及圖8所示，地面部11的長(zhǎng)度Ll例如為 20 300 μ m。
電極部12是由第一硅層形成的部位，具有一對(duì)臂12A、12B、多個(gè)電極齒12a、以及多個(gè)電極齒12b。如圖5及圖10所示，電極齒12a從臂12A向臂12B側(cè)伸出，并且如圖5所示在臂12A的延伸方向上間隔地排列成行。電極齒12b從臂12B向臂12A側(cè)伸出，并且在臂12B的延伸方向上分隔地排列成行。這樣，電極部12具有梳齒電極結(jié)構(gòu)。另外，電極部 12是用于在驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件Yl時(shí)被施加預(yù)定的基準(zhǔn)電位(例如接地電位)的部位。梁部13是由第一硅層形成的部位， 連結(jié)地面部11和電極部12。防護(hù)部14如圖6所示是由第二硅層形成的部位，并且如圖9所示經(jīng)由絕緣層15 與電極部12接合。防護(hù)部14與電極部12經(jīng)由貫穿絕緣層15的電導(dǎo)通孔16電連接。如例如圖7及圖11所示，框20具有由以下部分構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)由第一硅層形成的第一層部21、由第二硅層形成的第二層部22、以及所述第一及第二層部21、22之間的絕緣層23。如圖5所示，第一層部21具有相互分隔的局部21a、21b、21c。如圖6所示，第二層部22具有相互分隔的局部22a、22b。第一層部21的局部21a具有圖5所示的局部地包圍內(nèi)可動(dòng)部10的形狀。第二層部22的局部22a具有局部地包圍內(nèi)可動(dòng)部10的形狀。如圖11所示，局部21a、22a經(jīng)由貫穿絕緣層23的電導(dǎo)通孔24電連接。局部21b、22b經(jīng)由貫穿絕緣層23的電導(dǎo)通孔25電連接。如圖13所示，局部21c、22a經(jīng)由貫穿絕緣層23的電導(dǎo)通孔26電連接。另外，框20包含沿著內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11或可動(dòng)主部向圖5及圖6所示的箭頭D2方向延伸的一對(duì)延伸部20A。如圖8所示，一對(duì)延伸部20A在厚度方向H上經(jīng)由空隙與地面部11或可動(dòng)主部的相對(duì)部Ila相對(duì)。厚度方向H上的地面部11和延伸部20A之間的空隙Gl比上述材料基板的絕緣層的厚度大，為例如0. 5 20 μ m。另外，一對(duì)延伸部20A的外端之間的如圖8所示的長(zhǎng)度L2小于等于地面部11或可動(dòng)主部的上述長(zhǎng)度Li。如圖12所示，框30具有由以下部分構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)由第一硅層形成的第一層部 31、由第二硅層形成的第二層部32、以及所述第一及第二層部31、32之間的絕緣層33。如圖5及圖12所示，第一層部31包含相互分隔的局部31a、31b。局部31a包含相互分隔的部分(省略圖示)。如圖6及圖12所示，第二層部32含有相互分隔的局部32a、32b、32c。 局部32a含有相互分隔的部分(省略圖示)。如圖12所示，局部31b、32b經(jīng)由貫穿絕緣層 33的電導(dǎo)通孔電連接。如圖14所示，局部31a的一部分及局部32c經(jīng)由貫穿絕緣層33的電導(dǎo)通孔35電連接。一對(duì)連結(jié)部40分別由圖5所示的兩根扭力桿41構(gòu)成。各連結(jié)部40是由第一硅層形成的部位，并與內(nèi)可動(dòng)部10的梁部13及框20的第一層部21的局部21a連接，并且各連結(jié)部40連結(jié)內(nèi)可動(dòng)部10及框20 (梁部13與局部21a經(jīng)由連結(jié)部40電連接)。構(gòu)成各連結(jié)部40的兩根扭力桿41的間隔從框20側(cè)到內(nèi)可動(dòng)部10側(cè)逐漸增大。另外，如圖7所示，在厚度方向H上，扭力桿41比內(nèi)可動(dòng)部10更薄，并且扭力桿41比框20的第一層部21 更薄。這樣的一對(duì)連結(jié)部40對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10或可動(dòng)主部(地面部11、鏡面11’ )的旋轉(zhuǎn)位移的軸心Al進(jìn)行規(guī)定。上述電極齒12a、12b的伸出方向與軸心Al的延伸方向平行。包含從框20側(cè)到內(nèi)可動(dòng)部10側(cè)間隔逐漸增大的兩根扭力桿41的各連結(jié)部40適于對(duì)在內(nèi)可動(dòng)部10工作時(shí)產(chǎn)生不希望的位移分量的情況進(jìn)行抑制。一對(duì)連結(jié)部50A、50B分別由圖5所示的兩根扭力桿51構(gòu)成。各連結(jié)部50A、50B是由第一硅層形成的部位，并連結(jié)框20及框30。具體地說(shuō)，如圖5所示，連結(jié)部50A與框20 的第一層部21的局部21b、以及框30的第一層部31的局部31b連接，從而連結(jié)所述框20 及框30 (局部21b、31b經(jīng)由連結(jié)部50A電連接)。連結(jié)部50B與框20的第一層部21的局部21c、以及框30的第一層部31的局部31a的一部分連接，從而連結(jié)所述框20及框30 (局部21c和局部31a的所述一部分經(jīng)由連結(jié)部50B電連接)。構(gòu)成各連結(jié)部50A、50B的兩根扭力桿51的間隔從框30側(cè)到框20側(cè)逐漸增大。另外，在厚度方向H上，扭力桿51與扭力桿41同樣，比框20的第一層部21更薄，并且比框30的第一層部31更薄。這樣的一對(duì)連結(jié)部50A、50B對(duì)框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10的旋轉(zhuǎn)位移的軸心A2進(jìn)行規(guī)定。在本實(shí)施方式中，軸心A2與軸心Al垂直相交。包含從框30側(cè)到框20側(cè)的間隔逐漸增大的兩根扭力桿51的各連結(jié)部50A、50B適于對(duì)在框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10工作時(shí)產(chǎn)生不希望的位移分量的情況進(jìn)行抑制。
電極部60是由第二硅層形成的部位，如圖6所清楚地表示的那樣，所述電極部60 具有臂61、多個(gè)電極齒62a、以及多個(gè)電極齒62b。臂61從框20的第二層部22的局部22b 伸出。多個(gè)電極齒62a從臂61向電極部12的臂12A側(cè)伸出，并且在臂61的延伸方向上分隔地排列成行。多個(gè)電極齒62b從臂61向電極部12的臂12B側(cè)伸出，并且在臂61的延伸方向上分隔地排列成行。這樣，電極部60具有梳齒電極結(jié)構(gòu)。電極部70是由第一硅層形成的部位，并且由圖5所示的多個(gè)電極齒71構(gòu)成。多個(gè)電極齒71從圖5及圖14所示的框20的第一層部21的局部21c向電極部80側(cè)伸出，并且在軸心A2的延伸方向上分隔地排列成行。這樣，電極部70具有梳齒電極結(jié)構(gòu)。電極部80是由第二硅層形成的部位，并且由圖6所示的臂81及多個(gè)電極齒82構(gòu)成。臂81向軸心A2的延伸方向延伸。多個(gè)電極齒82從臂81向電極部70側(cè)伸出，并且在臂81的延伸方向上分隔地排列成行。這樣，電極部80具有梳齒電極結(jié)構(gòu)。在微可動(dòng)元件Yl中，一對(duì)電極部12、60能夠構(gòu)成用于產(chǎn)生內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al 進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)位移涉及的驅(qū)動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或致動(dòng)器。另外，一對(duì)電極部70、80能夠構(gòu)成用于產(chǎn)生框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心A2進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)位移涉及的驅(qū)動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或致動(dòng)器。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件Yl時(shí)，對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及電極部70施加有基準(zhǔn)電位。經(jīng)由框30的第一層部31的局部31a的一部分、連結(jié)部50B(扭力桿51)、框20的第一層部21的局部21c、電導(dǎo)通孔26(如圖13所示)、框20的第二層部22的局部22a、電導(dǎo)通孔24(如圖11所示)、框20的第一層部21的局部21a、連結(jié)部40 (扭力桿41)、以及內(nèi)可動(dòng)部10的梁部13，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部12施加基準(zhǔn)電位。經(jīng)由框30的第一層部31的局部 31a的一部分、連結(jié)部50B (扭力桿51)、以及框20的第一層部21的局部21c，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部70施加基準(zhǔn)電位?？?0的第一層部31的局部31a中施加有基準(zhǔn)電位的部位(基準(zhǔn)電位施加部)與局部31a的其他部位分隔并且電氣隔離。基準(zhǔn)電位為例如接地電位等，優(yōu)選所述基準(zhǔn)電位被保持在固定值。并且，在必要時(shí)對(duì)電極部60、80分別施加有比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位。通過(guò)對(duì)電極部60施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部12、60之間產(chǎn)生靜電引力并如圖15所示那樣使內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。通過(guò)對(duì)電極部80施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部70、 80之間產(chǎn)生靜電引力并使框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心A2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。微可動(dòng)元件Yl是所謂二軸型的擺動(dòng)元件。經(jīng)由框30的第二層部32的局部32b、電導(dǎo)通孔 34(如圖12所示)、框30的第一層部31的局部31b、連結(jié)部50A(扭力桿51)、框20的第一層部21的局部21b、電導(dǎo)通孔25 (如圖11所示)、以及框20的第二層部22的局部22b，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部60施加驅(qū)動(dòng)電位。通過(guò)這樣的二軸型的驅(qū)動(dòng)，能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用設(shè)置于微可動(dòng)元件Yl的地面部11上的鏡面11’反射的光的反射方向。如圖1至圖3所示，第一陣列1含有多個(gè)微可動(dòng)元件Y1。在第一陣列1中，多個(gè)微可動(dòng)元件Yl在軸心Al的延伸方向上以全部軸心A2(在圖1至圖3中未圖示)相互平行的方式被配置成一列。在第一陣列1中，各微可動(dòng)元件Yl的框30被構(gòu)成為一個(gè)整體的框體并包圍全部微可動(dòng)元件Yl的第一可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、連結(jié)部40、電極部60)。第一陣列1中的全部微可動(dòng)元件Yl的多個(gè)第一 可動(dòng)部構(gòu)成第一可動(dòng)部列。在第一可動(dòng)部列中，多個(gè)第一可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的地面部11 (可動(dòng)主部)和空隙G2被交替配置、并且所述可動(dòng)主部在第一可動(dòng)部的排列方向Dl上排列成一列的方式被配置成一列。在本實(shí)施方式中，設(shè)定在第一可動(dòng)部列中，排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的長(zhǎng)度Ll與空隙 G2相同。因此，在本實(shí)施方式中，第一陣列1的框30內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率為50%左右。第一陣列1的所述占有率也可以被設(shè)定為不同的值。另外， 在第一陣列1中，框30中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部在全部微可動(dòng)元件 Yl的范圍內(nèi)連續(xù)。第一陣列1的全部微可動(dòng)元件Yl的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及防護(hù)部 14、框20的第一層部21的局部21a、21c及第二層部22的局部22a、框30的第二層部32的局部32c、以及電極部70電連接。如圖1、圖2以及圖4所示，第二陣列2包含多個(gè)微可動(dòng)元件Yl。在第二陣列2中， 多個(gè)微可動(dòng)元件Yl在軸心Al的延伸方向上以全部軸心A2 (在圖4中未圖示)相互平行的方式被配置成一列。在第二陣列2中，各微可動(dòng)元件Yl的框30被構(gòu)成為一個(gè)整體的框體并包圍全部微可動(dòng)元件Yl的第二可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、連結(jié)部40、電極部60)。第二陣列2中的全部微可動(dòng)元件Yl的多個(gè)第二可動(dòng)部構(gòu)成第二可動(dòng)部列。在第二可動(dòng)部列中，多個(gè)第二可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的各地面部11 (可動(dòng)主部)與第一可動(dòng)部列的一個(gè)空隙 G2相對(duì)、并且多個(gè)可動(dòng)主部經(jīng)由空隙G3在排列方向Dl上排列成一列的方式被配置成一列。 另外，在第二可動(dòng)部列中，可動(dòng)主部與空隙G3被交替配置。在第二可動(dòng)部列中，當(dāng)設(shè)定排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的長(zhǎng)度Ll與空隙G3相同時(shí)，第二陣列2的框30內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率為50%左右。第二陣列2的所述占有率也可以被設(shè)定為不同的值。排列方向Dl上的第二陣列2的各地面部11 (鏡面11’)的兩端部也可以被設(shè)定為第二陣列2的地面部11(鏡面11’ )的長(zhǎng)度Li，以使其與第一陣列1的地面部11 (鏡面11’)重合。在該情況下，在第二陣列2中，G3 < Li，第二陣列2的框30內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率大于50%。另外，在第二陣列2中，框30中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部在全部微可動(dòng)元件Yl范圍內(nèi)連續(xù)。第二陣列 2的全部微可動(dòng)元件Yl的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及防護(hù)部14、框20的第一層部21的局部21a、21c及第二層部22的局部22a、框30的第二層部32的局部32c、以及電極部70電連接。底部3具有基準(zhǔn)電位布線及多對(duì)驅(qū)動(dòng)布線(第一驅(qū)動(dòng)布線、第二驅(qū)動(dòng)布線)?；鶞?zhǔn)電位布線與第一陣列1及第二陣列2的各框30中的第一層部31的局部31a的上述基準(zhǔn)電位施加部電連接。第一驅(qū)動(dòng)布線與第一陣列1及第二陣列2中的各微可動(dòng)元件Yl的上述電極部60電連接。第二驅(qū)動(dòng)布線與第一陣列1及第二陣列2中的各微可動(dòng)元件Yl的上述電極部80電連接。具體地說(shuō)，詳細(xì)情況如下。在上述第一陣列1中，框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部經(jīng)由框 30的貫穿絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a的 一部分(基準(zhǔn)電位施加部)電連接。所述局部32a的基準(zhǔn)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的至少一個(gè)上述間隔器4接合，并且所述間隔器4與第二陣列2中的框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部接合。因此，第一陣列1中的框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部與第二陣列2中的框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部電連接。并且，在第二陣列2中，框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部經(jīng)由貫穿框 30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a的一部分(基準(zhǔn)電位施加部)電連接。所述局部32a的基準(zhǔn)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的至少一個(gè)上述間隔器5接合，并且所述間隔器5與底部3的布線的一部分(基準(zhǔn)電位布線)接合。因此，第一陣列1及第二陣列2的各框30中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部與底部3的基準(zhǔn)電位布線電連接。第一陣列1的各微可動(dòng)元件Yl中的框30的第二層部32的局部32b (如上所述，與同一微可動(dòng)元件Yl內(nèi)的電極部60電連接)與由導(dǎo)電材料形成的間隔器4接合。所述間隔器4與第二陣列2中的框30的第一層部31的局部31a的一部分(第一驅(qū)動(dòng)電位施加部) 接合。在第二陣列2中，框30的第一層部31的局部31a的各第一驅(qū)動(dòng)電位施加部經(jīng)由貫穿框30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a的一部分(第一驅(qū)動(dòng)電位施加部)電連接。所述局部32a的各第一驅(qū)動(dòng)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合，并且所述間隔器5與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第一陣列1的各微可動(dòng)元件Yl中的局部32b連同電極部60與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線電連接。第一陣列1的各微可動(dòng)元件Yl中的電極部80與由導(dǎo)電材料形成的間隔器4接合。 所述間隔器4與第二陣列2中的框30的第一層部31的局部31a的一部分(第二驅(qū)動(dòng)電位施加部)接合。在第二陣列2中，框30的第一層部31的局部31a的各第二驅(qū)動(dòng)電位施加部經(jīng)由貫穿框30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a的一部分(第二驅(qū)動(dòng)電位施加部)電連接。所述局部32a的各第二驅(qū)動(dòng)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合，并且所述間隔器5與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線接合。 因此，第一陣列1的各微可動(dòng)元件Yl中的電極部80與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線電連接。第二陣列2的各微可動(dòng)元件Yl中的框30的第二層部32的局部32b (如上所述， 與同一微可動(dòng)元件Yl內(nèi)的電極部60電連接)與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合。所述間隔器5與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第二陣列2的各微可動(dòng)元件Yl中的局部 32b連同電極部60與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線電連接。第二陣列2的各微可動(dòng)元件Yl中的電極部80與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合。 所述間隔器5與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第二陣列2的各微可動(dòng)元件Yl中的電極部80與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線電連接。在微可動(dòng)元件陣列Xl的各微可動(dòng)元件Yl中的基準(zhǔn)電位施加部(包含電極部12、70)及電極部60、80與底部3的基準(zhǔn)電位布線及多對(duì)驅(qū)動(dòng)布線之間形成有具體情況如上所述的電連接關(guān)系。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件陣列Xl時(shí)，在對(duì)全部微可動(dòng)元件Yl中的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12和電極部70共同地施加有基準(zhǔn)電位的狀態(tài)下，對(duì)被選擇了的微可動(dòng)元件Yl的電極部 60,80各自施加有驅(qū)動(dòng)電位。由此，對(duì)各微可動(dòng)元件Yl的內(nèi)可動(dòng)部10及框20單獨(dú)地進(jìn)行驅(qū)動(dòng)使其擺動(dòng)，從而能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用各微可動(dòng)元件Yi的內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11上的鏡面11’反射的光的反射方向。在具有以上 構(gòu)成的微可動(dòng)元件陣列Xl中，第一陣列1或其框30與第二陣列2或其框30經(jīng)由間隔器4被層疊配置。如圖3所示，在第一陣列1的框30上支撐有多個(gè)微可動(dòng)元件Yl的多個(gè)第一可動(dòng)部(包含內(nèi)可動(dòng)部10和框20)，并且如上所述，所述多個(gè)第一可動(dòng)部構(gòu)成第一可動(dòng)部列。在第一可動(dòng)部列中，如上所述，多個(gè)第一可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的地面部11 (可動(dòng)主部)與空隙G2被交替配置并且可動(dòng)主部在排列方向Dl上排列成一列的方式被配置成一列。另一方面，如圖4所示，在第二陣列2的框30上支撐有多個(gè)微可動(dòng)元件Yl的多個(gè)第二可動(dòng)部(包含內(nèi)可動(dòng)部10和框20)，并且如上所述，所述多個(gè)第二可動(dòng)部構(gòu)成第二可動(dòng)部列。在第二可動(dòng)部列中，如上所述，多個(gè)第二可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的各地面部11(可動(dòng)主部)與第一可動(dòng)部列的一個(gè)空隙G2相對(duì)、并且多個(gè)可動(dòng)主部經(jīng)由空隙G3在排列方向Dl 上排列成一列的方式被配置成一列。在微可動(dòng)元件陣列Xl中，排列方向Dl上的相鄰兩個(gè)可動(dòng)部中的一者位于第一陣列1側(cè)，另一者位于第二陣列2側(cè)，如圖2所示，所述相鄰的可動(dòng)部在第一陣列1及第二陣列2的層疊方向上位置錯(cuò)開(kāi)。并且，排列方向Dl上的相鄰兩個(gè)可動(dòng)主部(第一可動(dòng)主部、 第二可動(dòng)主部)也在第一陣列1及第二陣列2的層疊方向上位置錯(cuò)開(kāi)。在這樣的微可動(dòng)元件陣列Xl中，避免了排列方向Dl上的相鄰兩個(gè)可動(dòng)部的機(jī)械干擾和電氣干擾，并且能夠?qū)⑺鰞蓚€(gè)可動(dòng)部的可動(dòng)主部(第一及第二可動(dòng)主部)不考慮加工極限地挨近配置。因此， 微可動(dòng)元件陣列Xl能夠在元件或可動(dòng)部的排列方向Dl上實(shí)現(xiàn)可動(dòng)主部(在本實(shí)施方式中為伴隨鏡面11’的地面部11)的高占有率。排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率越高，微可動(dòng)元件陣列Xl作為整體接收并利用各鏡面11’反射的光信號(hào)的損失越減少。 在微可動(dòng)元件陣列Xl中，關(guān)于排列方向Dl中的地面部11或鏡面11’的占有率，能夠?qū)崿F(xiàn)所述占有率在99%以上甚至為實(shí)質(zhì)上的100%。假設(shè)使用微可動(dòng)元件陣列Xl作為波分復(fù)用(WDM wavelength division multiplexing，波分復(fù)用)通信系統(tǒng)中的波長(zhǎng)選擇型開(kāi)關(guān)的情況。在該情況下，在微可動(dòng)元件陣列Xl中，對(duì)于作為反射對(duì)象信號(hào)分配給各鏡面11’ 的光信號(hào)，能夠無(wú)間斷地設(shè)定波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬，來(lái)設(shè)定大的波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬。一般情況下，存在利用光反射面的邊緣端部反射的光發(fā)生散射的情況。并且，在光切換器件中，所述散射光成為干擾噪聲，可能影響通信信號(hào)的質(zhì)量。但是，大多數(shù)由微可動(dòng)元件陣列Xl的第二陣列2中的各鏡面11’的邊緣端部反射從而生成的散射光被第一陣列 1中的可動(dòng)部(包含地面部11及框20)遮蔽。因此，當(dāng)作為例如WDM通信系統(tǒng)中的波長(zhǎng)選擇型開(kāi)關(guān)使用微可動(dòng)元件陣列Xi時(shí)，能夠?qū)σ匀缟纤龅纳⑸涔鉃槠鹨蚴┘咏o通信信號(hào)的影響進(jìn)行抑制。在微可動(dòng)元件陣列Xl的各微可動(dòng)元件Yl中，內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12、防護(hù)部14、框20的第二層部22的局部22a、以及框30的第二層部32的局部32c電連接。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)時(shí)，防護(hù)部14及局部22a、32c也與電極部12 —起被施加有基準(zhǔn)電位(例如接地電位)。 因此，以比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位為起因，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部60向例如內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11側(cè)發(fā)出的電場(chǎng)容易被防護(hù)部14吸收(即，所述電場(chǎng)難以越過(guò)防護(hù)部14到達(dá)例如地面部11)。與此同時(shí)，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部60發(fā)出的電場(chǎng)容易被局部22a吸收(S卩，所述電場(chǎng)難以越過(guò)框20的第二層部22的局部22a側(cè)向泄露到元件外)。與此同時(shí)，以比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位為起因，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部80向與電極部70相反的一側(cè)發(fā)出的電場(chǎng)容易被局部32c吸收(即，所述電場(chǎng)難以越過(guò)局部32c泄露到元件外)。這些電場(chǎng)吸收效果對(duì)向微可動(dòng)元件Yl中的元件外泄露電場(chǎng)進(jìn)行防止或抑制。通過(guò)這樣的抑制或防止向元件外泄露電場(chǎng)，能夠避免從各微可動(dòng)元件Yl中的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(電極部12、60、70、80)泄漏的電場(chǎng)對(duì)鄰接的其他微可動(dòng)元件Yl的驅(qū)動(dòng)特性施加不當(dāng)影響。因此，上述電場(chǎng)吸收效果有助于提高微可動(dòng)元件Yl的排列方向上的高密度化乃至排列方向Dl上的可動(dòng)主部(地面部11、鏡面 11，)的占有率。微可動(dòng)元件陣列Xl的上 述各微可動(dòng)元件Yl能夠作為角速度傳感器或加速度傳感器等感測(cè)元件。在作為感測(cè)元件的微可動(dòng)元件Yl中，并非必須設(shè)置內(nèi)可動(dòng)部10的地面部 11上的鏡面11’。當(dāng)驅(qū)動(dòng)作為角速度傳感器的微可動(dòng)元件Yl時(shí)，例如，可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、 連結(jié)部40、電極部60)以固定的振動(dòng)頻率或周期繞軸心A2進(jìn)行擺動(dòng)動(dòng)作。所述擺動(dòng)動(dòng)作通過(guò)在電極部70、80之間以固定的周期施加電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。在本實(shí)施方式中，例如，在將電極部 70接地之后，以固定的周期對(duì)電極部80施加驅(qū)動(dòng)電位。例如在這樣使可動(dòng)部進(jìn)行擺動(dòng)動(dòng)作或振動(dòng)的狀態(tài)下對(duì)微可動(dòng)元件Yl或內(nèi)可動(dòng)部 10作用以預(yù)定的角速度時(shí)，內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al進(jìn)行一定量的旋轉(zhuǎn)位移，從而電極部12、 60的相對(duì)配置發(fā)生變化，從而所述電極部12、60間的電容發(fā)生變化?；谶@些電容變化，能夠檢測(cè)出內(nèi)可動(dòng)部10的旋轉(zhuǎn)位移量?；谠摍z測(cè)結(jié)果，能夠?qū)С鲎饔糜谖⒖蓜?dòng)元件Yi或內(nèi)可動(dòng)部10的角速度。當(dāng)驅(qū)動(dòng)被構(gòu)成為加速度傳感器的微可動(dòng)元件Yl時(shí)，例如，通過(guò)在電極部12、60之間施加預(yù)定的直流電壓，使內(nèi)可動(dòng)部10相對(duì)于框20或電極部60處于靜止?fàn)顟B(tài)。在該狀態(tài)下，當(dāng)對(duì)微可動(dòng)元件Yl或內(nèi)可動(dòng)部10作用沿法線方向(圖5的平面圖中的與直面垂直的方向)的加速度時(shí)，與加速度平行的矢量分量的慣性力作用。并且，環(huán)繞由一對(duì)連結(jié)部40 規(guī)定的軸心Al的旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)矩對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10作用，從而內(nèi)可動(dòng)部10產(chǎn)生與加速度成比例的旋轉(zhuǎn)位移(環(huán)繞軸心Al的旋轉(zhuǎn)位移)。通過(guò)將在圖5中顯示的平面圖中的內(nèi)可動(dòng)部10的重心位置設(shè)計(jì)為不與軸心Al重合，能夠產(chǎn)生所述慣性力。通過(guò)檢測(cè)電極部12、60之間的電容的變化，能夠以電氣方法檢測(cè)出旋轉(zhuǎn)位移量。基于該檢測(cè)結(jié)果，能夠?qū)С鲎饔糜谖⒖蓜?dòng)元件 Yl或內(nèi)可動(dòng)部10的加速度。圖16至圖18表示包含于微可動(dòng)元件陣列Xl的各微可動(dòng)元件Yl的制造方法的一個(gè)例子。所述方法是用于利用MEMS技術(shù)制造各微可動(dòng)元件Yl的一種方法。在圖16至圖 18中，通過(guò)示出一個(gè)截面的變化，示出了圖18的(d)所示的地面部L、梁部B、框F1、F2、F3、 連結(jié)部C1、C2、以及一組電極E1、E2的形成過(guò)程。所述一個(gè)截面是將被施以加工的晶片中的包含于單獨(dú)的微可動(dòng)元件形成區(qū)域的多個(gè)預(yù)定位置的截面模型化并作為連續(xù)截面表示而成的面。地面部L相當(dāng)于 地面部11的一部分。梁部B相當(dāng)于梁部13?？騀l相當(dāng)于框20 的一部分?？騀2相當(dāng)于框20中的延伸部20A(第二層部22的局部22a的一部分)。框F3 相當(dāng)于框30的一部分。連結(jié)部Cl相當(dāng)于連結(jié)部40，并表示扭力桿41的延伸方向的截面。 連結(jié)部C2相當(dāng)于連結(jié)部40、50A、50B中的每個(gè)，并表示各扭力桿41、51的橫截面。電極El 相當(dāng)于電極部12、70各自的一部分，并且表示一組電極齒12a及一組電極齒71各自的橫截面。電極E2相當(dāng)于電極部60、80各自的一部分，并且表示一組電極齒61及一組電極齒82 各自的橫截面。在微可動(dòng)元件Yl的制造中，首先，準(zhǔn)備如圖16的(a)所示的硅晶片101’。硅晶片 101’具有溝槽101a，所述溝槽IOla與成形有地面部11中的厚度薄的相對(duì)部Ila的位置對(duì)應(yīng)地延伸。在這樣的硅晶片101’的制作中，將具有與溝槽IOla對(duì)應(yīng)的開(kāi)口部的光阻圖形用作掩膜，利用DRIE (de印reactive ion etching，深反應(yīng)離子蝕刻)對(duì)厚度為例如200 μ m 的未加工的硅晶片進(jìn)行蝕刻處理直至預(yù)定的深度(例如30 μ m)。在DRIE中，在交替反復(fù)地進(jìn)行利用SF6氣體進(jìn)行的蝕刻和利用C4F8氣體進(jìn)行的側(cè)壁保護(hù)的Bosch工序中，能夠進(jìn)行良好的各向異性蝕刻加工。在后面的DRIE中，也能夠采用這樣的Bosch工序。另外，硅晶片101’由通過(guò)摻雜被賦予導(dǎo)電性的硅材料形成?？梢圆捎肂等ρ型雜質(zhì)或P及Sb等η型雜質(zhì)作為雜質(zhì)。接下來(lái)，如圖16的(b)所示，在硅晶片101，上形成絕緣膜101b。絕緣膜IOlb能夠通過(guò)例如利用熱氧化法對(duì)硅晶片101’的表面進(jìn)行氧化形成。絕緣膜IOlb的厚度為例如 500nm。在本工序后，將成為每個(gè)上述電導(dǎo)通孔(包含電導(dǎo)通孔16、24 26、34、35)的一部分的多個(gè)導(dǎo)電部(未圖示)埋入形成于絕緣膜101b。具體地說(shuō)，在絕緣膜IOlb的預(yù)定位置形成開(kāi)口部，并向所述開(kāi)口部填充導(dǎo)電材料?？梢圆捎美珂u或多晶硅作為導(dǎo)電材料。接下來(lái)，準(zhǔn)備如圖16的(c)所示的在表面具有絕緣膜102a的硅晶片102’。硅晶片102’由通過(guò)摻雜而被賦予導(dǎo)電性的硅材料形成?？梢圆捎肂(硼)等ρ型雜質(zhì)或P(磷) 及Sb(銻)等η型雜質(zhì)作為雜質(zhì)。硅晶片102’的厚度為例如200 μ m。絕緣膜102a的厚度為例如500nm。絕緣膜102a能夠通過(guò)例如利用熱氧化法對(duì)硅晶片102’的表面進(jìn)行氧化形成。另外，將成為每個(gè)上述電導(dǎo)通孔(包含電導(dǎo)通孔16、24 26、34、35)的一部分的多個(gè)導(dǎo)電部(未圖示)埋入形成于絕緣膜102a。這樣的導(dǎo)電部能夠通過(guò)以下方式形成在絕緣膜102a的預(yù)定位置形成開(kāi)口部，并對(duì)所述開(kāi)口部填充導(dǎo)電材料?？梢圆捎美珂u或多晶硅作為導(dǎo)電材料。接下來(lái)，如圖16的(d)所示，在對(duì)硅晶片101’、102’進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)之后接合所述硅晶片101，、102，。由此，被埋入形成于絕緣膜IOlb的上述導(dǎo)電部和被埋入形成于絕緣膜 102a的上述導(dǎo)電部形成各電導(dǎo)通孔。為了接合硅晶片101’、102’，例如，利用氨水溶液洗凈硅晶片101’、102’，并在清潔的環(huán)境下將二者貼合，并在氮素氣氛下利用例如1200°C的高溫進(jìn)行退火。接下來(lái)，通過(guò)對(duì)硅晶片101，、102，分別施以研磨處理，如圖17的(a)所示那樣使硅晶片101’、102’變薄直到所希望的厚度。由此，能夠得到作為SOI晶片的材料基板100，所述SOI晶片具有由伴隨溝槽IOla的硅層101、硅層102、以及所述硅層101、102之間的絕緣層103構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)。在材料基板100的絕緣層103中，埋入形成有上述電導(dǎo)通孔(包含電導(dǎo)通孔16、24 26、34、35)(省略圖示)。硅層101的厚度為例如20 200 μ m、硅層102的厚度為例如20 200 μ m、絕緣層103的厚度為例如0. 3 2 μ m。接下來(lái)，如圖17的(b)所示，在硅層101上形成鏡面11’。在鏡面11’的形成中， 首先，通過(guò)濺射法，在硅層101上例如利用Cr (50nm)成膜并在隨后利用Au (200nm)成膜。接下來(lái)，經(jīng)由掩膜依次對(duì)這些金屬膜進(jìn)行蝕刻處理，由此圖形形成鏡面11’?？梢允褂美绲饣浀鹊庠厮芤鹤鳛獒槍?duì)Au的蝕刻液。可以使用例如硝酸二氨鈰的水溶液作為針對(duì) Cr的蝕刻液。接下來(lái)，如圖17的(c)所示，在硅層101上形成氧化膜圖形110及光阻圖形111， 并在硅層102上形成氧化膜圖形112。氧化膜圖形110具有如圖19所示的圖形形狀，所述圖形形狀與應(yīng)該在硅層101中成形的內(nèi)可動(dòng)部10的一部分(包含地面部11、電極部12、以及梁部13)、框20的第一層部21、框30的第一層部31、以及電極部70對(duì)應(yīng)。在氧化膜圖形 110的形成中，例如，通過(guò)濺 射法或CVD法在材料基板100的硅層101側(cè)利用氧化物材料成膜，隨后對(duì)所述氧化物膜進(jìn)行圖形化處理。光阻圖形111具有與連結(jié)部40、50A、50B對(duì)應(yīng)的圖形形狀。在光阻圖形111的形成中，例如，通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法在材料基板100的硅層101側(cè)利用光阻材料成膜，隨后對(duì)所述光阻膜進(jìn)行圖形化處理。氧化膜圖形112具有如圖20所示的圖形形狀，所述圖形形狀與應(yīng)該在硅層102成形的內(nèi)可動(dòng)部10的防護(hù)部14、框20的第二層部22、框30的第二層部32、以及電極部60、80對(duì)應(yīng)。在氧化膜圖形112的形成中，例如， 通過(guò)濺射法或CVD法在材料基板100的硅層102側(cè)利用氧化物材料成膜，隨后對(duì)所述氧化物膜進(jìn)行圖形化處理。接下來(lái)，如圖17的(d)所示，將氧化膜圖形110及光阻圖形111用作掩膜，通過(guò) DRIE，對(duì)硅層101進(jìn)行蝕刻處理直到所希望的深度。所希望的深度是指相當(dāng)于連結(jié)部Cl、 C2的厚度的深度，為例如5 μ m。接下來(lái)，除去如圖18的(a)所示的光阻圖形111。例如，通過(guò)使預(yù)定的剝離液作用，可以剝離光阻圖形111。接下來(lái)，如圖18的(b)所示，將氧化膜圖形110用作掩膜，通過(guò)DRIE，以殘留的方式形成連結(jié)部C1、C2并對(duì)硅層101進(jìn)行蝕刻處理。在本工序中，成形有地面部L、梁部B、電極E1、框Fl的一部分(框20的第一層部21)、框F3的一部分(框30的第一層部31)以及各連結(jié)部Cl、C2。接下來(lái)，如圖18的(c)所示，將氧化膜圖形112用作掩膜，通過(guò)DRIE對(duì)硅層102 進(jìn)行蝕刻處理。在本工序中，成形有框Fl的一部分(框20的第二層部22)、框F2(作為框 20的第二層部22的一部分的延伸部20A)、框F3的一部分(框30的第二層部32)、以及電極E2。接下來(lái)，如圖18的(d)所示，對(duì)絕緣層103中露出的位置及氧化膜圖形110、112 進(jìn)行蝕刻除去?？梢圆捎酶煞ㄎg刻或濕法蝕刻作為蝕刻方法。當(dāng)采用干法蝕刻時(shí)，可以采用例如CF4或CHF3等作為蝕刻氣體。當(dāng)采用濕法蝕刻時(shí)，可以使用例如由氟酸及氟化銨形成的氫氟酸(BHF)作為蝕刻液。通過(guò)進(jìn)行以上的一連串工序，能夠?qū)崿F(xiàn)地面部L、梁部B、框F1、F2、F3、連結(jié)部Cl、 C2、以及一組電極El、E2的成形等從而制造微可動(dòng)元件Yl。通過(guò)使各微可動(dòng)元件Yl經(jīng)歷這樣的制造過(guò)程，能夠制造微可動(dòng)元件陣列Xl的第一陣列1及第二陣列2。在微可動(dòng)元件陣列Xl的制造中，首先，在基材上圖像形成上述基準(zhǔn)電位布線及多對(duì)驅(qū)動(dòng)布線從而制作上述底部3。接下來(lái)，通過(guò)引線接合在底部3上形成多個(gè)間隔器5。接下來(lái)，在各間隔器5的頂部涂布導(dǎo)電粘合劑，隨后對(duì)底部3及第二陣列2進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)并經(jīng)由間隔器5及導(dǎo)電粘合劑使二者接合。接下來(lái)，通過(guò)引線接合在第二陣列2上形成多個(gè)間隔器4。接下來(lái)，在各間隔器4的頂部涂布導(dǎo)電粘合劑，隨后對(duì)第一陣列1及第二陣列2(伴隨底部3)進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)并經(jīng)由間隔器4及導(dǎo)電粘合劑使二者接合。圖2 1及圖22表示第二實(shí)施方式涉及的微可動(dòng)元件陣列X2。圖21是微可動(dòng)元件陣列X2的省略了一部分的分解平面圖。圖22是微可動(dòng)元件陣列X2的省略了一部分的截面圖。微可動(dòng)元件陣列X2在本實(shí)施方式中是微鏡元件陣列，包含第一陣列6、第二陣列 7、底部3、多個(gè)間隔器4、以及多個(gè)間隔器5。多個(gè)間隔器4介于第一陣列6及第二陣列7之間，多個(gè)間隔器5介于第二陣列7及底部3之間。底部3是布線基板(省略圖21及圖22中的布線)，第一陣列6的一部分經(jīng)由一部分間隔器4、第二陣列7的一部分、以及一部分間隔器5與底部3的布線的一部分電連接。第二陣列7的一部分經(jīng)由一部分間隔器5與底部3 的布線的一部分電連接。用于這些電連接的間隔器4、5由導(dǎo)電材料形成，例如是單獨(dú)的或?qū)盈B的金屬凸起。圖23是第一陣列6的省略了一部分的平面圖。第一陣列6包含多個(gè)微可動(dòng)元件 Y2(在圖23中，省略了一部分微可動(dòng)元件Υ2)。圖24是第二陣列7的省略了一部分的平面圖。第二陣列7含有多個(gè)微可動(dòng)元件Υ3 (在圖24中，省略了一部分微可動(dòng)元件Υ3)。圖25至圖34表示包含于第一陣列6的微可動(dòng)元件Υ2。圖25是微可動(dòng)元件Υ2 的平面圖。圖26是微可動(dòng)元件Υ2的省略了一部分的平面圖。圖27至圖34分別為沿圖 25 的線 XXVII-XXVII、線 XXXVIII-XXXVIII、線 ΧΧΙΧ-ΧΧΙΧ、線 ΧΧΧ-ΧΧΧ、線 ΧΧΧΙ-ΧΧΧΙ、線 XXXII-XXXII、線XXXIII-XXXI11、以及線XXXIV-XXXIV剖開(kāi)的面的放大截面圖。微可動(dòng)元件Υ2在本實(shí)施方式中是微鏡元件，包括內(nèi)可動(dòng)部10、作為外可動(dòng)部的框 20、作為固定部的框30，、一對(duì)連結(jié)部40、一對(duì)連結(jié)部50C、50D、電極部60、70、以及電極部 80’。微可動(dòng)元件Y2在以下諸點(diǎn)上與上述微可動(dòng)元件Yl不同即，包括框30’取代框30、包括一對(duì)連結(jié)部50C、50D取代一對(duì)連結(jié)部50A、50B，以及包括電極部80，取代電極部80。框 30’、連結(jié)部50C、50D以及電極部80’以外的微可動(dòng)元件Y2的構(gòu)成與微可動(dòng)元件Yl相同。 另外，與微可動(dòng)元件Yl同樣，微可動(dòng)元件Y2是通過(guò)利用MEMS技術(shù)對(duì)作為SOI晶片的材料基板進(jìn)行加工而制造的元件。所述材料基板具有由第一及第二硅層以及所述硅層間的絕緣層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)摻雜，各硅層被賦予預(yù)定的導(dǎo)電性。微可動(dòng)元件Y2中的上述各部位主要是由第一硅層和/或第二硅層形成的，因此從使圖清晰明白的觀點(diǎn)出發(fā)，在圖23 及圖25中，對(duì)由第一硅層形成的部位標(biāo)記顯示斜截面線。另外，圖26所示的結(jié)構(gòu)是在微可動(dòng)元件Y2中由第二硅層形成的部位。如圖32所示，框30’具有由以下部分構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)由第一硅層形成的第一層部31、由第二硅層形成的第二層部32、以及所述第一及第二層部31、32之間的絕緣層33。 如圖25及圖32所示，第一層部31包含相互分隔的局部31a、31b。局部31a包含相互分隔的部分(省略圖示)。如圖26及圖32所示，第二層部32包含相互分隔的局部32a、32b、以及32c。局部32a包含相互分隔的部分(省略圖示)。如圖32所示，局部31b、32b經(jīng)由貫穿絕緣層33的電導(dǎo)通孔34電連接。
一對(duì)連結(jié)部40分別由圖25所示的兩根扭力桿41構(gòu)成。各連結(jié)部40是由第一硅層形成的部位，并與內(nèi)可動(dòng)部10的梁部13及框20的第一層部21的局部21a連接，并且各連結(jié)部40連結(jié)內(nèi)可動(dòng)部10及框20 (梁部13與局部21a經(jīng)由連結(jié)部40電連接)。構(gòu)成各連結(jié)部40的兩根扭力桿41的間隔從框20側(cè)到內(nèi)可動(dòng)部10側(cè)逐漸增大。另外，如圖27所示，在厚度方向H上，扭力桿41比內(nèi)可動(dòng)部10更薄，并且扭力桿41比框20的第一層部21 更薄。這樣的一對(duì)連結(jié)部40對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10或可動(dòng)主部(地面部11、鏡面11’)的旋轉(zhuǎn)位移的軸心Al進(jìn)行規(guī)定。上述電極齒12a、12b的伸出方向與軸心Al的延伸方向平行。包含從框20側(cè)到內(nèi)可動(dòng)部10側(cè)間隔逐漸增大的兩根扭力桿41的各連結(jié)部40適于對(duì)在內(nèi)可動(dòng)部10工作時(shí)產(chǎn)生不希望的位移分量的情況進(jìn)行抑制。一對(duì)連結(jié)部50C、50D分別為如圖25所示的一根彈性桿。各連結(jié)部50C、50D是由第一硅層形成的部位，并連結(jié)框20及框30，。具體地說(shuō)，如圖25所示，連結(jié)部50C與框20 的第一層部21的局部21b及框30’的第一層部31的局部31b連接，從而連結(jié)所述框20及框30，(局部21b、31b經(jīng)由連結(jié)部50C電連接)。連結(jié)部50D與框20的第一層部21的局部21c及框30’的第一層部31的局部31a的一部分連接，從而連結(jié)所述框20及框30’(局部21c與局部31a的所述一部分經(jīng)由連結(jié)部50D電連接)。另外，在厚度方向H上，連結(jié)部 50C、50D與扭力桿41同樣，比框20的第一層部21更薄，并且比框30’的第一層部31更薄。 這樣的一對(duì)連結(jié)部50C、50D是以微可動(dòng)元件Y2的可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、連結(jié)部40、 電極部60、70)能夠在軸心Al方向上 進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)的方式對(duì)微可動(dòng)元件Y2進(jìn)行支撐的彈性部件。電極部80’是由第一硅層形成的部位，并且如圖25所示由臂81及多個(gè)電極齒82 構(gòu)成。臂81向軸心A2的延伸方向延伸。多個(gè)電極齒82從臂81向電極部70側(cè)伸出，并且在臂81的延伸方向上分隔地排列成行。這樣，電極部80具有梳齒電極結(jié)構(gòu)。另外，如圖34 所示，電極部80’的臂81經(jīng)由貫穿絕緣層33的電導(dǎo)通孔35與框30’的局部32c電連接。在微可動(dòng)元件Y2中，一對(duì)電極部12、60能夠構(gòu)成用于產(chǎn)生內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al 進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)位移涉及的驅(qū)動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或致動(dòng)器。另外，一對(duì)電極部70、80能夠構(gòu)成用于產(chǎn)生框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10的軸心Al方向上的平移運(yùn)動(dòng)涉及的驅(qū)動(dòng)力的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)或致動(dòng)器。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件Y2時(shí)，對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及電極部70施加有基準(zhǔn)電位。經(jīng)由框30，的第一層部31的局部31a的一部分、連結(jié)部50D、框20的第一層部21的局部21c、電導(dǎo)通孔26(如圖33所述)、框20的第二層部22的局部22a、電導(dǎo)通孔24(如圖31所述)、框20的第一層部21的局部21a、連結(jié)部40的扭力桿41、以及內(nèi)可動(dòng)部10的梁部13，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部12施加基準(zhǔn)電位。經(jīng)由框30’的第一層部31的局部31a的一部分、連結(jié)部50D、以及框20的第一層部21的局部21c，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部70施加基準(zhǔn)電位?？?0’的第一層部31的局部31a中施加有基準(zhǔn)電位的部位(基準(zhǔn)電位施加部)與局部31a的其他部位分隔并且電氣隔離?；鶞?zhǔn)電位為例如接地電位等，優(yōu)選所述基準(zhǔn)電位被保持在固定值。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件Y2時(shí)，在必要時(shí)對(duì)電極部60施加比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位。 通過(guò)對(duì)電極部60施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部12、60之間產(chǎn)生靜電引力并使內(nèi)可動(dòng)部10 繞軸心Al進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。經(jīng)由框30，的第二層部32的局部32b、電導(dǎo)通孔34(如圖32所示)、框30，的第一層部31的局部31b、連結(jié)部50C、框20的第一層部21的局部21b、電導(dǎo)通孔25 (如圖31所示)、以及框20德第二層部22的局部22b，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部60施加基準(zhǔn)電位。通過(guò)這樣的驅(qū)動(dòng)，能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用設(shè)置于微可動(dòng)元件Y2的地面部11上的鏡面11’反射的光的反射方向。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件Y2時(shí)，在必要時(shí)對(duì)電極部80’施加比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位。通過(guò)對(duì)電極部80’施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部70、80’之間產(chǎn)生靜電引力并使框20 及伴隨 所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11 (鏡面11’)向軸心Al方向進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)。經(jīng)由框30’的第二層部32的局部32c及電導(dǎo)通孔35 (如圖34所示)，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電極部80’ 施加基準(zhǔn)電位。圖35及圖36示出了包含于第二陣列7的微可動(dòng)元件Y3。圖35是微可動(dòng)元件Y3 的平面圖。圖36是沿圖35的線XXXVI-XXXVI剖開(kāi)的面的放大截面圖。微可動(dòng)元件Y3在本實(shí)施方式中是微鏡元件，包括內(nèi)可動(dòng)部10、作為外可動(dòng)部的框 20、作為固定部的框30、一對(duì)連結(jié)部40、一對(duì)連結(jié)部50A、50B、電極部60、70、以及電極部80。 微可動(dòng)元件Y3的內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11及鏡面11’在軸心Al方向上的長(zhǎng)度比微可動(dòng)元件Yl的內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11及鏡面11’在軸心Al方向上的長(zhǎng)度更長(zhǎng)。微可動(dòng)元件Y3 的地面部11及鏡面11’的長(zhǎng)度L3在比微可動(dòng)元件Yl的地面部11及鏡面11’的的長(zhǎng)度Ll 長(zhǎng)的范圍內(nèi)，為例如50 500 μ m。在微可動(dòng)元件Y3中，地面部11或可動(dòng)主部的上述長(zhǎng)度 L3比如圖36所示的框20的一對(duì)延伸部20Α的外端之間的長(zhǎng)度L2大。微可動(dòng)元件Υ3的其他構(gòu)成與微可動(dòng)元件Yl相同。另外，與微可動(dòng)元件Yl同樣，微可動(dòng)元件Υ3是通過(guò)利用 MEMS技術(shù)對(duì)作為SOI晶片的材料基板進(jìn)行加工而制造的元件。所述材料基板具有由第一及第二硅層以及所述硅層間的絕緣層構(gòu)成的層疊結(jié)構(gòu)，并且通過(guò)摻雜，各硅層被賦予預(yù)定的導(dǎo)電性。微可動(dòng)元件Υ3中的上述各部位主要是從第一硅層和/或第二硅層形成的，因此從使圖清晰明白的觀點(diǎn)出發(fā)，在圖35中，對(duì)從第一硅層形成的部位標(biāo)記顯示斜截面線。當(dāng)驅(qū)動(dòng)各微可動(dòng)元件Υ3時(shí)，對(duì)內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及電極部70施加有基準(zhǔn)電位。用于對(duì)電極部12、70施加基準(zhǔn)電位的電氣通路與驅(qū)動(dòng)上述微可動(dòng)元件Yl時(shí)所述的電氣通路相同?；鶞?zhǔn)電位為例如接地電位等，優(yōu)選所述基準(zhǔn)電位被保持在固定值。當(dāng)驅(qū)動(dòng)各微可動(dòng)元件Υ3時(shí)，在必要時(shí)對(duì)電極部60、80各自施加由比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位。通過(guò)對(duì)電極部60施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部12、60之間產(chǎn)生靜電引力并使內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。通過(guò)對(duì)電極部80施加驅(qū)動(dòng)電位，能夠在電極部70、 80之間產(chǎn)生靜電引力并使框20及伴隨所述框20的內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Α2進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移。 微可動(dòng)元件Υ3是所謂二軸型的擺動(dòng)元件。用于對(duì)電極部60、80施加基準(zhǔn)電位的電氣通路與驅(qū)動(dòng)上述微可動(dòng)元件Yl時(shí)所述的電氣通路相同。通過(guò)這樣的二軸型驅(qū)動(dòng)，能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用設(shè)置于微可動(dòng)元件Υ3的地面部11上的鏡面11’反射的光的反射方向。如圖21至圖23所示，第一陣列6含有多個(gè)微可動(dòng)元件Υ2。在第一陣列6中，多個(gè)微可動(dòng)元件Υ2在軸心Al的延伸方向上以全部軸心Α2(在圖21至圖23中未圖示)相互平行的方式被配置成一列。在第一陣列6中，各微可動(dòng)元件Υ2的框30’被構(gòu)成為一個(gè)整體的框體并包圍全部微可動(dòng)元件Υ2的第一可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、連結(jié)部40、電極部60)。 第一陣列6中的全部微可動(dòng)元件Υ2的多個(gè)第一可動(dòng)部構(gòu)成第一可動(dòng)部列。在第一可動(dòng)部列中，多個(gè)第一可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的地面部11 (可動(dòng)主部)和空隙G2被交替配置、并且所述可動(dòng)主部在第一可動(dòng)部的排列方向Dl上排列成一列的方式被配置成一列。在本實(shí)施方式中，設(shè)定在第一可動(dòng)部列中，排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的長(zhǎng)度Ll與空隙G2相同。因此，在本實(shí)施方式中，第一陣列6的框30’內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11 或鏡面11’的占有率為50%左右。第一陣列6的所述占有率也可以被設(shè)定為不同的值。另夕卜，在第一陣列6中，框30’中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部在全部微可動(dòng)元件Y2的范圍內(nèi)連續(xù)。第一陣列6的全部微可動(dòng)元件Y2的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及防護(hù)部14、框20的第一層部21的局部21a、21c及第二層部22的局部22a、框30，的第二層部32的局部32c、以及電極部70電連接。如圖21、圖22以及圖24所示，第二陣列7包含多個(gè)微可動(dòng)元件Y3。在第二陣列 7中，多個(gè)微可動(dòng)元件Y3在軸心Al的延伸方向上以全部軸心A2 (在圖21、圖22、以及圖24 中未圖示)相互平 行的方式被配置成一列。在第二陣列7中，各微可動(dòng)元件Y3的框30被構(gòu)成為一個(gè)整體的框體并包圍全部微可動(dòng)元件Y3的第二可動(dòng)部(內(nèi)可動(dòng)部10、框20、連結(jié)部40、電極部60)。第二陣列7中的全部微可動(dòng)元件Y3的多個(gè)第二可動(dòng)部構(gòu)成第二可動(dòng)部列。在第二可動(dòng)部列中，多個(gè)第二可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的各地面部11 (可動(dòng)主部)與第二可動(dòng)部列的一個(gè)空隙G2相對(duì)、并且多個(gè)可動(dòng)主部經(jīng)由空隙G3在排列方向Dl上排列成一列的方式被配置成一列。另外，在第二可動(dòng)部列中，可動(dòng)主部與空隙G3被交替配置。在第二可動(dòng)部列中，當(dāng)設(shè)定排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的長(zhǎng)度L3與空隙G3相同時(shí)，第二陣列7的框30內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率為50%左右。 第二陣列7的所述占有率也可以被設(shè)定為不同的值。排列方向Dl上的第二陣列7的各地面部11 (鏡面11’)的兩端部也可以被設(shè)定為第二陣列7的地面部11 (鏡面11’)的長(zhǎng)度 Li,以使其與第一陣列1的地面部11(鏡面11’ )重合。在該情況下，在第二陣列7中，G3 < L3，第二陣列7的框30內(nèi)的排列方向Dl上的地面部11或鏡面11，的占有率大于50%。 另外，在第二陣列7中，框30中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部在全部微可動(dòng)元件Y3范圍內(nèi)連續(xù)。第二陣列7的全部微可動(dòng)元件Y3的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12及防護(hù)部14、框20的第一層部21的局部21a、21c及第二層部22的局部22a、框30的第二層部32 的局部32c、以及電極部70電連接。底部3具有基準(zhǔn)電位布線及多對(duì)驅(qū)動(dòng)布線(第一驅(qū)動(dòng)布線、第二驅(qū)動(dòng)布線)。基準(zhǔn)電位布線與第一陣列6及第二陣列7的框30、30’中的第一層部31的局部31a的上述基準(zhǔn)電位施加部電連接。第一驅(qū)動(dòng)布線與第一陣列6中的各微可動(dòng)元件Y2的上述電極部60 及第二陣列7中的各微可動(dòng)元件Y3的上述電極部60電連接。第二驅(qū)動(dòng)布線與第一陣列6 中的各微可動(dòng)元件Y2的上述電極部80’及第二陣列7中的各微可動(dòng)元件Y3的上述電極部 80電連接。具體地說(shuō)，詳細(xì)情況如下在第一陣列6中，框30，的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部經(jīng)由框30， 的貫穿絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30’的第二層部32的局部32a的一部分(基準(zhǔn)電位施加部)電連接。所述局部32a的基準(zhǔn)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的至少一個(gè)上述間隔器4接合，并且所述間隔器4與第二陣列7中的框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部接合。因此，第一陣列6中的框30’的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部與第二陣列7中的框30的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部電連接。并且，在第二陣列7中，框30中的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部經(jīng)由貫穿框30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30中的局部32a的一部分(基準(zhǔn)電位施加部)電連接。所述局部32a的基準(zhǔn)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的至少一個(gè)上述間隔器5接合， 并且所述間隔器5與底部3的布線的一部分(基準(zhǔn)電位布線)接合。因此，第一陣列6及第二陣列7的框30、30’中的第一層部31的局部31a的基準(zhǔn)電位施加部與底部3的基準(zhǔn)電位布線電連接。第一陣列6的各微可動(dòng)元件Y2中的框30’的第二層部32的局部32b (如上所述， 與同一微可動(dòng)元件Y2內(nèi)的電極部60電連接)與由導(dǎo)電材料形成的間隔器4接合。所述間隔器4與第二陣列7中的框30的第一層部31的局部31a的一部分(第一驅(qū)動(dòng)電位施加部) 接合。在第二陣列7中，框30的第一層部31的局部31a的各第一驅(qū)動(dòng)電位施加部經(jīng)由貫穿框30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a的一部分(第一驅(qū)動(dòng)電位施加部)電連接。所述局部32a的各第一驅(qū)動(dòng)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合，并且所述間隔器5與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第一陣列6的各微可動(dòng)元件Y2中的局部32b連同電極部60與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線電連接。第一陣列6的各微可動(dòng)元件Y2中的框30’的第二層部32的局部32c (如上所述， 與同一微可動(dòng)元件Y2內(nèi)的電極部80’電連接)與由導(dǎo)電材料形成的間隔器4接合。所述間隔器4與第二陣列7中的框30的第一層部31的局部31a的一部分(第二驅(qū)動(dòng)電位施加部)接合。在第二陣列7中，框30的第一層部31的局部31a的各第二驅(qū)動(dòng)電位施加部經(jīng)由貫穿框30的絕緣層33的預(yù)定的電導(dǎo)通孔(省略圖示)與框30的第二層部32的局部32a 的一部分(第二驅(qū)動(dòng)電位施加部)電連接。所述局部32a的各第二驅(qū)動(dòng)電位施加部與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合，并且所述間隔器5與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線接合。因此， 第一陣列6的各微可動(dòng)元件Y2中的局部32c連同電極部80’與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線電連接。第二陣列7的各微可動(dòng)元件Y3中的框30的第二層部32的局部32b (如上所述， 與同一微可動(dòng)元件Y3內(nèi)的電極部60電連接)與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合。所述間隔器5與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第二陣列7的各微可動(dòng)元件Y3中的局部 32b連同電極部60與底部3的一根第一驅(qū)動(dòng)布線電連接。第二陣列7的各微可動(dòng)元件Y3中的電極部80與由導(dǎo)電材料形成的間隔器5接合。 所述間隔器5與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線接合。因此，第二陣列7的各微可動(dòng)元件Y3中的電極部80與底部3的一根第二驅(qū)動(dòng)布線電連接。 在微可動(dòng)元件陣列X2的微可動(dòng)元件Y2、Y3中的基準(zhǔn)電位施加部(包含電極部12、 70)及電極部60、80、80’與底部3的基準(zhǔn)電位布線及多對(duì)驅(qū)動(dòng)布線之間形成有具體情況如上所述的電連接關(guān)系。當(dāng)驅(qū)動(dòng)微可動(dòng)元件陣列Χ2時(shí)，對(duì)全部微可動(dòng)元件Υ2、Υ3中的內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12和電極部70共同地施加有基準(zhǔn)電位。在該狀態(tài)下，在必要時(shí)對(duì)被選擇了的微可動(dòng)元件Υ2的電極部60、80’分別施加有驅(qū)動(dòng)電位。在微可動(dòng)元件Υ2中，通過(guò)對(duì)電極部60施加驅(qū)動(dòng)電位能夠使內(nèi)可動(dòng)部10繞軸心Al進(jìn)行旋轉(zhuǎn)位移，并且通過(guò)對(duì)電極部80’施加驅(qū)動(dòng)電位能夠使內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11 (鏡面11’)向軸心Al方向進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)。并且，在必要時(shí)對(duì)被選擇了的微可動(dòng)元件Υ3的電極部60、80分別施加有驅(qū)動(dòng)電位。由此，在各微可動(dòng)元件Y2中，內(nèi)可動(dòng)部10 (包含伴隨鏡面11’的地面部11)進(jìn)行擺動(dòng)動(dòng)作，并且伴隨框20的內(nèi)可動(dòng)部10(包含伴隨鏡面11’的地面部11)進(jìn)行擺動(dòng)動(dòng)作。在這樣的微可動(dòng)元件陣列Χ2 中，能夠適當(dāng)?shù)厍袚Q利用各微可動(dòng)元件Υ2、Υ3的內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11上的鏡面11’反射的光的反射方向。在具有以上構(gòu)成的微可動(dòng)元件陣列Χ2中，第一陣列6或其框30’與第二陣列7或其框30經(jīng)由間隔器4被層疊配置。如圖23所示，在第一陣列6的框30’上支撐有多個(gè)微可動(dòng)元件Υ2的多個(gè)第一可動(dòng)部(包含內(nèi)可動(dòng)部10和框20)，并且如上所述，所述多個(gè)第一可動(dòng)部構(gòu)成第一可動(dòng)部列。另一方面，如圖24所示，在第二陣列7的框30上支撐有多個(gè)微可動(dòng)元件Υ3的多個(gè)第二可動(dòng)部(包含內(nèi)可動(dòng)部10和框20)，并且如上所述，所述多個(gè)第二可動(dòng)部構(gòu)成第二可動(dòng)部列。在第二可動(dòng)部列中，如上所述，多個(gè)第二可動(dòng)部以伴隨鏡面11’的各地面部11 (可動(dòng)主部)與第一可動(dòng)部列的一個(gè)空隙G2相對(duì)、并且多個(gè)可動(dòng)主部經(jīng)由空隙G3在排列方向 Dl上排列成一列的方式被配置成一列。在微可動(dòng)元件陣列Χ2中，排列方向Dl上的相鄰兩個(gè)可動(dòng)部中的一者位于第一陣列6側(cè)，另一者位于第二陣列7側(cè)，如圖22所示，所述相鄰的可動(dòng)部在第一陣列6及第二陣列7的層疊方向上位置錯(cuò)開(kāi)。并且，排列方向Dl上的 相鄰兩個(gè)可動(dòng)主部(第一可動(dòng)主部、第二可動(dòng)主部)也在第一陣列6及第二陣列7的層疊方向上位置錯(cuò)開(kāi)。在這樣的微可動(dòng)元件陣列Χ2中，避免了排列方向Dl上的相鄰兩個(gè)可動(dòng)部的機(jī)械干擾和電氣干擾，并且能夠?qū)⑺鰞蓚€(gè)可動(dòng)部的可動(dòng)主部(第一及第二可動(dòng)主部)不考慮加工極限地挨近配置。因此，微可動(dòng)元件陣列Χ2能夠在排列方向Dl或可動(dòng)部排列方向上實(shí)現(xiàn)可動(dòng)主部(在本實(shí)施方式中為伴隨鏡面11’的地面部11)的高占有率。排列方向Dl上的地面部11或鏡面11’的占有率越高，微可動(dòng)元件陣列Χ2作為整體接收并利用各鏡面11’反射的光信號(hào)的損失越減少。 在微可動(dòng)元件陣列Χ2中，關(guān)于排列方向Dl中的地面部11或鏡面11’的占有率，能夠?qū)崿F(xiàn)所述占有率在99%以上甚至為實(shí)質(zhì)上的100%。假設(shè)使用微可動(dòng)元件陣列Χ2作為WDM通信系統(tǒng)中的波長(zhǎng)選擇型開(kāi)關(guān)的情況。在該情況下，在微可動(dòng)元件陣列Χ2中，對(duì)于作為反射對(duì)象信號(hào)分配給各鏡面11’的光信號(hào)，能夠無(wú)間斷地設(shè)定波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬，來(lái)設(shè)定大的波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬。另外，在該情況下，對(duì)與選擇了的微可動(dòng)元件Υ3相鄰的一個(gè)微可動(dòng)元件Υ2進(jìn)行驅(qū)動(dòng)使其如圖22中的箭頭D3所示進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)，由此所述被選擇了的微可動(dòng)元件Υ3能夠擴(kuò)大被分配作為反射對(duì)象的光信號(hào)的波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬。在微可動(dòng)元件陣列Χ2中，所述被選擇了的微可動(dòng)元件Υ3能夠擴(kuò)大被分配作為反射對(duì)象的光信號(hào)的波長(zhǎng)帶寬或頻率帶寬。在微可動(dòng)元件陣列Χ2的各微可動(dòng)元件Υ2中，內(nèi)可動(dòng)部10的電極部12、防護(hù)部14、 框20的第二層部22的局部22a、以及框30’的第二層部32的局部32c電連接。因此，當(dāng)驅(qū)動(dòng)時(shí)，防護(hù)部14及局部22a、32c也與電極部12 —起被施加有基準(zhǔn)電位(例如接地電位)。 因此，以比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位為起因，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部60向例如內(nèi)可動(dòng)部10的地面部11側(cè)發(fā)出的電場(chǎng)容易被防護(hù)部14吸收(即，所述電場(chǎng)難以越過(guò)防護(hù)部14到達(dá)例如地面部11)。與此同時(shí)，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部60發(fā)出的電場(chǎng)容易被局部22a吸收(S卩，所述電場(chǎng)難以越過(guò)框20的第二層部22的局部22a側(cè)向泄露到元件外)。與此同時(shí)，以比基準(zhǔn)電位更高的驅(qū)動(dòng)電位為起因，在驅(qū)動(dòng)時(shí)從電極部80’向與電極部70相反的一側(cè)發(fā)出的電場(chǎng)容易被局部32c吸收(即，所述電場(chǎng) 難以越過(guò)局部32c泄露到元件外)。這些電場(chǎng)吸收效果對(duì)向微可動(dòng)元件Y2中的元件外泄露電場(chǎng)進(jìn)行防止或抑制。通過(guò)這樣的抑制或防止向元件外泄露電場(chǎng)，能夠避免從各微可動(dòng)元件Y2中的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(電極部12、60、70、80)泄漏的電場(chǎng)對(duì)鄰接的其他微可動(dòng)元件Y2的驅(qū)動(dòng)特性施加不當(dāng)影響。因此，上述電場(chǎng)吸收效果有助于提高微可動(dòng)元件Y2的排列方向上的高密度化乃至排列方向Dl上的可動(dòng)主部(地面部11、鏡面 11，)的占有率。微可動(dòng)元件陣列X2的上述各微可動(dòng)元件Y2能夠作為角速度傳感器或加速度傳感器等感測(cè)元件。在作為感測(cè)元件的微可動(dòng)元件Y2中，并非必須設(shè)置內(nèi)可動(dòng)部10的地面部 11上的鏡面11’。包含于上述微可動(dòng)元件陣列X1、X2中的微可動(dòng)元件Y1、Y3也可以是所謂一軸型的擺動(dòng)元件。當(dāng)使微可動(dòng)元件Υ1、Υ3為一軸型的擺動(dòng)元件時(shí)，可以采用不設(shè)置電極部70、80， 并將框20相對(duì)于框30固定的結(jié)構(gòu)。上述微可動(dòng)元件陣列XI、Χ2可以被采用作為微鏡元件陣列，所述微鏡元件陣列用于構(gòu)成具備通信設(shè)備的光切換裝置。圖37表示第三實(shí)施方式涉及的空間光結(jié)合型光切換裝置400的大致構(gòu)成。光切換裝置400包括一對(duì)微鏡陣列單元401、402、輸入纖維陣列403、輸出纖維陣列404、多個(gè)微透鏡405、406。輸入纖維陣列403由預(yù)定數(shù)目的輸入纖維403a構(gòu)成，并且在微鏡陣列單元 401上配設(shè)有多個(gè)與各輸入纖維403a對(duì)應(yīng)的微鏡元件401a。輸出纖維陣列404由預(yù)定數(shù)目的輸出纖維404a構(gòu)成，并且在微鏡陣列單元402上配設(shè)有多個(gè)與各輸出纖維404a對(duì)應(yīng)的微鏡元件402a。每個(gè)微鏡元件401a、402a被設(shè)置為能夠?qū)哂杏糜诜瓷涔獾溺R面的所述鏡面的朝向進(jìn)行控制。微鏡陣列單元401、402是上述微可動(dòng)元件陣列XI、X2中的一者。 多個(gè)微透鏡405被配置為各自與輸入纖維403a的端部相對(duì)。另外，多個(gè)微透鏡406被配置為各自與輸出纖維404a的端部相對(duì)。在光切換裝置400中，從輸入纖維403a射出的光L1穿過(guò)對(duì)應(yīng)的微透鏡405并由此成為相互平行的光，并且射向微鏡陣列單元401。光L1被對(duì)應(yīng)的微鏡元件401a反射，從而發(fā)生方向偏轉(zhuǎn)而朝向微鏡陣列單元402。此時(shí)，微鏡元件401a的鏡面朝向事先預(yù)定的方向，以使光L1射入所希望的微鏡元件402a。接下來(lái)，光L1被微鏡元件402a反射，從而發(fā)生方向偏轉(zhuǎn)而朝向輸出纖維陣列404。此時(shí)，微鏡元件402a的鏡面朝向事先預(yù)定的方向，以使光L1射入所希望的輸出纖維404a。這樣，利用光切換裝置400，從各輸入纖維403a射出的光L1通過(guò)在微鏡陣列單元 401,402中的偏轉(zhuǎn)到達(dá)希望的輸出纖維404a。S卩，輸入纖維403a與輸出纖維404a —對(duì)一地連接。并且，通過(guò)適當(dāng)?shù)馗淖兾㈢R元件401a、402a的偏轉(zhuǎn)角度，可以對(duì)光L1到達(dá)的輸出纖維404a進(jìn)行切換。作為用于將以光纖作為介質(zhì)傳送的光信號(hào)的傳送路徑從某種纖維切換到其他纖維的光切換裝置所要求的特性，在切換動(dòng)作中，例舉有大容量、高速度、高可靠性。從實(shí)現(xiàn)這些特性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選利用MEMS技術(shù)制作的微鏡元件作為編入光切換裝置的切換元件。 這是因?yàn)槔梦㈢R元件，在光切換裝置中的輸入側(cè)的光路與輸出側(cè)的光路之間，能夠不將光信號(hào)變換為電信號(hào)而是以光信號(hào)的狀態(tài)進(jìn)行切換處理，因此適于獲得上述特性。圖38表示第四實(shí)施方式涉及的波長(zhǎng)選擇型的光切換裝置500的大致構(gòu)成。光切換裝置500包括微鏡陣列單元501、一根輸入纖維502、三根輸出纖維503、多個(gè)微透鏡504a、 504b、分光儀505、以及聚光鏡506。微鏡陣列單元501具有多個(gè)微鏡元件501a，并且所述多個(gè)微鏡元件501a在微鏡陣列單元501中被配設(shè)為例如一列。各微鏡元件501a被設(shè)置為能夠?qū)哂杏糜诜瓷涔獾溺R面的所述鏡面的朝向進(jìn)行控制。微鏡陣列單元501為上述微可動(dòng)元件陣列XI、X2中的一者。微透鏡504a被配置為與輸入纖維502的端部相對(duì)。微透鏡 504b被配置為與輸出纖維503的端部相對(duì)。分光儀505是隨著波長(zhǎng)不同而反射光的衍射程度不同的反射型光柵。 在光切換裝置500中，從輸入纖維502射 出的光L2 (夾雜有多個(gè)波長(zhǎng))穿過(guò)微透鏡 504a并由此成為平行光。所述光L2被分光儀505反射(此時(shí)，每種波長(zhǎng)的光以不同的角度反射)。所述反射光穿過(guò)聚光鏡506。此時(shí)，每種波長(zhǎng)的光被聚光至微鏡陣列單元501中的對(duì)應(yīng)的微鏡元件501a。各波長(zhǎng)的光被對(duì)應(yīng)的微鏡元件501a向預(yù)定方向反射。此時(shí)，微鏡元件501a的鏡面朝向事先預(yù)定的方向，以使對(duì)應(yīng)波長(zhǎng)的光到達(dá)所希望的輸出纖維503。隨后， 由微鏡元件501a反射的光經(jīng)由聚光鏡506、分光儀505、以及微透鏡504b，射入到被選擇了的預(yù)定的輸出纖維503。這樣，通過(guò)光切換裝置500，能夠從光L2選擇所希望的波長(zhǎng)的光。
權(quán)利要求
1.一種微可動(dòng)元件陣列，包括 第一框；第一可動(dòng)部列，包含多個(gè)第一可動(dòng)部，所述第一可動(dòng)部具有第一可動(dòng)主部并被支撐于所述第一框上； 第二框；以及第二可動(dòng)部列，包含多個(gè)第二可動(dòng)部，所述第二可動(dòng)部具有第二可動(dòng)主部并被支撐于所述第二框上； 其中，按照使所述第一可動(dòng)部列及所述第二可動(dòng)部列被相對(duì)配置的方式，來(lái)層疊配置所述第一框及所述第二框，在所述第一可動(dòng)部列中配置所述多個(gè)第一可動(dòng)部，使得第一可動(dòng)主部及空隙被交替配置并且多個(gè)第一可動(dòng)主部被排列在一個(gè)方向上，在所述第二可動(dòng)部列中配置所述多個(gè)第二可動(dòng)部，使得各第二可動(dòng)主部與所述第一可動(dòng)部列的一個(gè)所述空隙相對(duì)并且多個(gè)第二可動(dòng)主部被排列在所述一個(gè)方向上。
2.如權(quán)利要求1所述的微可動(dòng)元件陣列，其中，所述一個(gè)方向上的各第一可動(dòng)主部的長(zhǎng)度、與相鄰的第一可動(dòng)主部間的各空隙在所述一個(gè)方向上的長(zhǎng)度相等。
3.如權(quán)利要求1或2所述的微可動(dòng)元件陣列，其中，所述第一可動(dòng)部在所述第一可動(dòng)主部中的與第二可動(dòng)主部側(cè)相反的一側(cè)具有光反射面，所述第二可動(dòng)部在所述第二可動(dòng)主部中的第一可動(dòng)主部側(cè)具有光反射面。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微可動(dòng)元件陣列，其中， 所述第一可動(dòng)部還具有第一電極部，所述第二可動(dòng)部還具有第二電極部， 所述的微可動(dòng)元件陣列還包括第一扭轉(zhuǎn)連結(jié)部，連結(jié)所述第一框及所述第一可動(dòng)部，并對(duì)所述第一可動(dòng)部的旋轉(zhuǎn)位移的軸心進(jìn)行規(guī)定；第二扭轉(zhuǎn)連結(jié)部，連結(jié)所述第二框及所述第二可動(dòng)部，并對(duì)所述第二可動(dòng)部的旋轉(zhuǎn)位移的軸心進(jìn)行規(guī)定；第三電極部，被固定到所述第一框上，用于與所述第一電極部協(xié)同工作從而產(chǎn)生使所述第一可動(dòng)部進(jìn)行所述旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力；以及第四電極部，被固定到所述第二框上，用于與所述第二電極部協(xié)同工作從而產(chǎn)生使所述第二可動(dòng)部進(jìn)行所述旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力。
5.如權(quán)利要求4所述的微可動(dòng)元件陣列，其中， 所述第一可動(dòng)部還包括第五電極部；第一梁部，連結(jié)所述第五電極部和所述第一可動(dòng)主部； 第一可動(dòng)框部；第三扭轉(zhuǎn)連結(jié)部，連結(jié)所述第一可動(dòng)框部和所述第一梁部并對(duì)所述第一可動(dòng)主部的旋轉(zhuǎn)位移的軸心進(jìn)行規(guī)定；以及第六電極部，被固定到所述第一可動(dòng)框上，用于與所述第五電極部協(xié)同工作從而產(chǎn)生使所述第一可動(dòng)主部進(jìn)行所述旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力； 所述第二可動(dòng)部還包括 第七電極部；第二梁部，連結(jié)所述第七電極部和所述第二可動(dòng)主部； 第二可動(dòng)框部；第四扭轉(zhuǎn)連結(jié)部，連結(jié)所述第二可動(dòng)框部和所述第二梁部并對(duì)所述第二可動(dòng)主部的旋轉(zhuǎn)位移的軸心進(jìn)行規(guī)定；以及第八電極部，被固定到所述第二可動(dòng)框上，用于與所述第七電極部協(xié)同工作從而產(chǎn)生使所述第二可動(dòng)主部進(jìn)行所述旋轉(zhuǎn)位移的驅(qū)動(dòng)力。
6.如權(quán)利要求5所述的微可動(dòng)元件陣列，其中， 所述第一可動(dòng)框部中的沿所述第一可動(dòng)主部延伸的部位位于所述第一可動(dòng)主部中的第二可動(dòng)主部側(cè)，并且在所述一個(gè)方向上位于所述第一可動(dòng)主部的端部之間以?xún)?nèi)的位置。
7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的微可動(dòng)元件陣列，還包括 底部；多個(gè)第一間隔器，介于所述第一框及所述第二框之間；以及多個(gè)第二間隔器，介于所述第二框及所述底部之間； 其中，所述第一框的一部分經(jīng)由至少一個(gè)所述第一間隔器、所述第二框的一部分、以及至少一個(gè)所述第二間隔器與所述底部電連接，所述第二框的其他一部分經(jīng)由至少一個(gè)所述第二間隔器與所述底部電連接。
8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的微可動(dòng)元件陣列，其中，在所述一個(gè)方向上，所述第二可動(dòng)主部與至少一個(gè)所述第一可動(dòng)主部重合。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的微可動(dòng)元件陣列，其中，每個(gè)所述第一可動(dòng)部具有驅(qū)動(dòng)裝置，該驅(qū)動(dòng)裝置用于使所述第一可動(dòng)主部在所述一個(gè)方向上進(jìn)行平移運(yùn)動(dòng)。
10.一種通信設(shè)備，包括具有多個(gè)光反射面的微可動(dòng)元件陣列，其中， 微可動(dòng)元件陣列包括第一框；第一可動(dòng)部列，包含多個(gè)第一可動(dòng)部，該第一可動(dòng)部具有第一可動(dòng)主部并被支撐于所述第一框上； 第二框；以及第二可動(dòng)部列，包含多個(gè)第二可動(dòng)部，該第二可動(dòng)部具有第二可動(dòng)主部并被支撐于所述第二框上； 其中，按照所述第一可動(dòng)部列及所述第二可動(dòng)部列被相對(duì)配置的方式，來(lái)層疊配置所述第一框及所述第二框，在所述第一可動(dòng)部列配置所述多個(gè)第一可動(dòng)部，使得第一可動(dòng)主部及空隙被交替配置并且多個(gè)第一可動(dòng)主部被排列在一個(gè)方向上，各第一可動(dòng)部在所述第一可動(dòng)主體中的與第二可動(dòng)主體側(cè)相反的一側(cè)具有光反射面， 在所述第二可動(dòng)部列中配置所述多個(gè)第二可動(dòng)部，使得各第二可動(dòng)主部與第一可動(dòng)部列的各所述空隙相對(duì)并且多個(gè)第二可動(dòng)主部被排列在所述一個(gè)方向上， 各第二可動(dòng)部在所述第二可動(dòng)主體中的第一可動(dòng)主體側(cè)具有光反射面。
全文摘要
一種微可動(dòng)元件陣列(X1)，包括框(30)、包含具有第一可動(dòng)主部(11、11’)并被支撐于框(30)的多個(gè)第一可動(dòng)部(10、20)的第一可動(dòng)部列、框(30)、以及包含具有第二可動(dòng)主部(11、11’)并被支撐于框(30)的多個(gè)第二可動(dòng)部(10、20)的第二可動(dòng)部列。兩個(gè)框(30)以第一可動(dòng)部列及第二可動(dòng)部列被相對(duì)配置的方式被層疊配置。在第一可動(dòng)部列中，多個(gè)第一可動(dòng)部(10、20)被配置為第一可動(dòng)主部(11、11’)及空隙G2被交替配置并且多個(gè)第一可動(dòng)主部(11、11’)被排列在一個(gè)方向上，在第二可動(dòng)部列中，多個(gè)第二可動(dòng)部(10、20)被配置為各第二可動(dòng)主部(11、11’)與第一可動(dòng)部列的各空隙G2相對(duì)并且多個(gè)第二可動(dòng)主部(11、11’)被排列在一個(gè)方向上。
文檔編號(hào)G02B26/08GK102369153SQ20098015842
公開(kāi)日2012年3月7日 申請(qǐng)日期2009年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月31日
發(fā)明者壺井修, 松本剛, 高馬悟覺(jué) 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社