專利名稱：掩模版圖、掩模版制造方法和掩模版圖校正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光學(xué)鄰近校正技術(shù)，尤其是掩模版圖、掩模版制造方法和掩模版圖校 正方法。
背景技術(shù)：
隨著集成電路的日益發(fā)展，設(shè)計(jì)尺寸越來越小。由于存在光的衍射和干涉現(xiàn)象，在 制作掩模版的過程中，掩模版的圖形與相應(yīng)的設(shè)計(jì)圖形之間存在一定的變形和偏差，而這 種變形和偏差進(jìn)一步地通過掩模版投射到產(chǎn)品上，從而影響到產(chǎn)品的品質(zhì)，降低產(chǎn)品的良率?，F(xiàn)有的掩模版制造方法通常包括以下步驟首先，對(duì)硅片進(jìn)行清洗處理，使硅片表 面清潔且干燥，從而能與光刻膠很好地粘附；接著，將光刻膠均勻地涂布于硅片表面，并對(duì) 硅片進(jìn)行前烘，以使其中的溶劑揮發(fā)；接著，根據(jù)設(shè)計(jì)圖形，對(duì)硅片進(jìn)行選擇曝光；然后，通 過顯影選擇性地除去光刻膠，并腐蝕光刻膠層上出現(xiàn)的金屬蒸發(fā)層，以及進(jìn)行去膠處理，從 而最終獲得與設(shè)計(jì)圖形相對(duì)應(yīng)的掩模版。由于光學(xué)鄰近效應(yīng)的存在，在掩模版制作過程中，所形成的掩模版圖形相對(duì)于設(shè) 計(jì)圖形會(huì)存在失真，且這種失真對(duì)產(chǎn)品尺寸及性能帶來較大的影響。參考圖1，首先，根據(jù)接 觸孔類型的設(shè)計(jì)圖形100制作掩模版110，由于存在光學(xué)鄰近校正，制作形成的掩模版110 相較于設(shè)計(jì)圖形100而言存在偏差；具體來說，在掩模版110四周的拐角處存在拐角變圓的 現(xiàn)象。接著，通過掩模版110形成產(chǎn)品120時(shí)，實(shí)際曝光形成的產(chǎn)品120具有關(guān)鍵尺寸D1， 而根據(jù)設(shè)計(jì)圖形100所計(jì)算的期望產(chǎn)品130具有關(guān)鍵尺寸D2，并且，由于掩模版110相較 于設(shè)計(jì)圖形100的失真，使得關(guān)鍵尺寸Dl小于關(guān)鍵尺寸D2。而產(chǎn)品的實(shí)際關(guān)鍵尺寸，即實(shí) 際尺寸，與期望的關(guān)鍵尺寸，即期望尺寸，之間的差異還會(huì)隨著設(shè)計(jì)圖案空間周期分布的差 別而產(chǎn)生變化。并且，隨著空間周期的減小，實(shí)際尺寸與期望尺寸之間差異越來越大；對(duì)于 密集型圖形，例如空間周期小于140nm的圖形，產(chǎn)品的實(shí)際尺寸與期望尺寸之間的差異達(dá) 到6nm以上；對(duì)于孤立性圖形，例如空間周期大于300nm的圖形，實(shí)際尺寸與期望尺寸之間 的差異也達(dá)到3nm。這種關(guān)鍵尺寸的差異嚴(yán)重地影響到產(chǎn)品的性能。在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)于掩模版圖形差異所帶來的產(chǎn)品尺寸失真，工程師僅能通過對(duì) 掩模版進(jìn)行曝光以形成產(chǎn)品并測(cè)量產(chǎn)品的實(shí)際尺寸，以及比較產(chǎn)品的實(shí)際尺寸與期望尺寸 而獲知，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)比較結(jié)果，對(duì)掩模版中圖像的尺寸進(jìn)行調(diào)整，從而獲得理想的 產(chǎn)品。然而這種反復(fù)曝光、測(cè)量、比較和調(diào)整的工藝過程往往需要耗費(fèi)大量的人力以及時(shí) 間，極大地阻礙了生產(chǎn)的進(jìn)度，降低了半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問題是由于掩模版制作過程中的曝光失真導(dǎo)致產(chǎn)品關(guān)鍵尺寸 偏離期望尺寸，且需要通過反復(fù)曝光、測(cè)量、比較和調(diào)整的工藝過程對(duì)其進(jìn)行修正。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種掩模版制造方法，包括提供掩模版圖形，其中，所述掩模版圖形包括設(shè)計(jì)圖形和至少一個(gè)輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過 曝光分辨率，并且所述輔助圖形在曝光之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū) 域；根據(jù)所述掩模版圖，制作掩模版。本發(fā)明還提供了一種掩模版圖，包括設(shè)計(jì)圖形，用于根據(jù)曝光顯影工藝以形成產(chǎn) 品圖形；其中，所述掩模版圖還包括輔助圖形，具有不超過曝光分辨率的尺寸，并且在曝 光之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。本發(fā)明還提供了一種掩模版圖校正方法，用于修正由于掩模版圖相較于設(shè)計(jì)圖形 所產(chǎn)生的面積減小的失真，包括在設(shè)計(jì)圖形中設(shè)置輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過 曝光分辨率，且所述輔助圖形在曝光之后形成補(bǔ)償區(qū)域，用于修正所述設(shè)計(jì)圖形由于失真 所帶來的面積減??；對(duì)包括所述設(shè)計(jì)圖形和所述輔助圖形的所述掩模版圖進(jìn)行光學(xué)鄰近校 正。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)通過對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光失真進(jìn)行補(bǔ) 償，有效地減少了產(chǎn)品的關(guān)鍵尺寸與期望尺寸的差距，簡(jiǎn)化了校正步驟，節(jié)省了大量人力和 時(shí)間，節(jié)約了生產(chǎn)成本。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)流程中，設(shè)計(jì)圖形、掩模版、產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本發(fā)明掩模版制造方法一種實(shí)施方式的流程示意圖；圖3是圖2所示步驟Sl 一種實(shí)施方式的流程示意圖；圖4-圖10是應(yīng)用圖2所示步驟Sl 一種具體實(shí)施例的剖面示意圖；圖11是輔助圖形經(jīng)過曝光之后形成補(bǔ)償?shù)陌鎴D示意圖；圖12是圖2所示步驟S2 —種實(shí)施方式的流程示意圖；圖13是本發(fā)明掩模版圖一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14是本發(fā)明掩模版圖一種具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是本發(fā)明掩模版圖另一種具體實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖16是未應(yīng)用圖15所示掩模版圖具體實(shí)施例以及應(yīng)用未應(yīng)用圖15所示掩模版 圖具體實(shí)施例進(jìn)行曝光，所獲得的兩種產(chǎn)品的關(guān)鍵尺寸與期望尺寸的曲線示意圖；圖17是本發(fā)明掩模版圖校正方法一種實(shí)施方式的流程示意圖。
具體實(shí)施例方式發(fā)明人經(jīng)過長(zhǎng)時(shí)間的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，提出了一種掩模版制造辦法，根據(jù)設(shè)計(jì)圖形構(gòu)建 出輔助圖形，所述輔助圖形的曝光結(jié)果對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光結(jié)果構(gòu)成補(bǔ)償，并基于所述 輔助圖形與所述設(shè)計(jì)圖形提供了一種掩模版以及掩模版圖校正方法，從而使得當(dāng)利用所述 掩模版進(jìn)行曝光時(shí)，能夠獲得其關(guān)鍵尺寸更接近于期望尺寸的產(chǎn)品，更有效地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)圖 形的轉(zhuǎn)移。本發(fā)明減少甚至避免了由于所述設(shè)計(jì)圖形的曝光失真而導(dǎo)致需要對(duì)實(shí)際產(chǎn)品反 復(fù)進(jìn)行測(cè)量、比較和調(diào)試的校正過程，節(jié)省了大量的時(shí)間和人力，提高了生產(chǎn)效率，節(jié)約了 生產(chǎn)成本。下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行進(jìn)一步說明。參考圖2，本發(fā)明提供了一種掩模版制造方法，包括步驟Si，提供掩模版圖形，其中，所述掩模版圖形包括設(shè)計(jì)圖形和至少一個(gè)輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過曝光 分辨率，并且所述輔助圖形在曝光之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域; 步驟S2，根據(jù)所述掩模版圖，制作掩模版。具體地，參考圖3，步驟Sl可包括步驟S11，基于設(shè)計(jì)圖形形成位于所述設(shè)計(jì)圖形 內(nèi)部的輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過曝光分辨率，并且所述輔助圖形的曝光結(jié)果 對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光結(jié)果構(gòu)成補(bǔ)償；步驟S12，根據(jù)所述設(shè)計(jì)圖形和所述輔助圖形，形成 掩模版圖形。其中，當(dāng)對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形進(jìn)行曝光時(shí)，經(jīng)過所述設(shè)計(jì)圖形的光波形成一定的光學(xué) 效應(yīng)，使得設(shè)計(jì)圖形的曝光結(jié)果相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形存在著一定的變形。在此基礎(chǔ)上，基于 所述設(shè)計(jì)圖形形成輔助圖形，由于經(jīng)過曝光后，輔助圖形的曝光結(jié)果相對(duì)于所述輔助圖形 也產(chǎn)生一定的變形。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形曝光結(jié)果的補(bǔ)償，可形成所述輔助圖形，并利 用其曝光結(jié)果所產(chǎn)生的失真對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形曝光結(jié)果所產(chǎn)生的失真進(jìn)行補(bǔ)償。在一種具體實(shí)施方式
中，可在所述設(shè)計(jì)圖形中，設(shè)置相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的中心 呈中心對(duì)稱的輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過曝光分辨率。其中，可采用相反曝光類型的光刻膠層作為掩模進(jìn)行刻蝕，形成所述設(shè)計(jì)圖形以 及位于所述設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部的輔助圖形，使得所述設(shè)計(jì)圖形與所述輔助圖形呈相反的透光類 型。在步驟Sl的具體實(shí)施例中，依次參考圖4至圖10，首先，形成覆蓋硅片200表面的 抗腐蝕層201 ；接著，在抗腐蝕層201上涂覆正性光刻膠，形成正性光刻膠層202 ；接著，對(duì)正性光刻膠層202進(jìn)行曝光顯影；接著，在抗腐蝕層201和正性光刻膠層202上涂覆負(fù)性光刻膠層203 ；接著，對(duì)負(fù)性光刻膠層203進(jìn)行曝光顯影；然后，以顯影后的正性光刻膠層202和負(fù)性光刻膠層203為掩膜，刻蝕抗腐蝕層 201，形成掩模版圖形；最后，去除正性光刻膠層202以及負(fù)性光刻膠層203。其中，所述抗腐蝕層材料可為鉻(Cr)；所述正性光刻膠的材料可為四甲基氫氧化 銨(TMAH)；所述負(fù)性光刻膠材料可為聚甲基丙烯酸甲酯一甲基丙烯酸縮水甘油酯一丙烯 酸乙酯共聚?？涛g工藝步驟中，可采用干法刻蝕，例如，可采用以金屬鋁(Al)離子為刻蝕劑 的等離子體刻蝕。上述具體的材料選取、刻蝕方法以及相應(yīng)的刻蝕工藝參數(shù)均可由本領(lǐng)域 技術(shù)人員根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)情況進(jìn)行設(shè)置和調(diào)換，不應(yīng)對(duì)本發(fā)明思路造成限制。由于采用具有相反曝光類型的光刻膠層作為掩模，形成了所述設(shè)計(jì)圖形以及位于 所述設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部的輔助圖形，使得所述設(shè)計(jì)圖形與所述輔助圖形具有相反的透光類型。 當(dāng)對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形與所述輔助圖形進(jìn)行曝光之后，兩者所產(chǎn)生失真的趨向恰好相反，從而 使所述輔助圖形的失真對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的失真進(jìn)行補(bǔ)償。具體來說，參考圖11，對(duì)由所述設(shè)計(jì)圖形301和所述輔助圖形302的掩模版圖形進(jìn) 行曝光之后，由于存在拐角變圓效應(yīng)，所述設(shè)計(jì)圖形的曝光結(jié)果311中四個(gè)邊角產(chǎn)生弧化， 使得所述設(shè)計(jì)圖形的曝光結(jié)果相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的面積有所減少，而同時(shí)，所述輔助圖 形的曝光結(jié)果312中其四個(gè)邊角也產(chǎn)生了弧化，并且這種弧化實(shí)際上增加了所述曝光結(jié)果的總面積，也就是說，對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形經(jīng)曝光后所損失的面積形成了補(bǔ)償。由于基于掩模版 的曝光所獲得的產(chǎn)品圖形的關(guān)鍵尺寸正比于掩模版圖形實(shí)際的曝光面積有關(guān)，因此，通過 輔助圖形曝光后所形成的補(bǔ)償區(qū)域，可減少甚至消除由于掩模版設(shè)計(jì)圖形的曝光失真所產(chǎn) 生的產(chǎn)品誤差。在其它實(shí)施方式中，可將所述輔助圖形設(shè)置為正方形、矩形、圓形、不規(guī)則多邊形 中的一種或多種形狀；所述輔助圖形可與所述設(shè)計(jì)圖形具有相同的形狀，也可為不同的形 狀。在具體實(shí)施例中，用于制作接觸孔的掩模版圖中的設(shè)計(jì)圖形可采用正方形或矩形，所述 輔助圖形可為位于所述設(shè)計(jì)圖形中心且具有小于曝光分辨率尺寸的小正方形或矩形。此外，還可在一個(gè)設(shè)計(jì)圖形中設(shè)置一個(gè)或多個(gè)輔助圖形，例如，在一個(gè)設(shè)計(jì)圖形中 設(shè)置兩個(gè)相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形中心對(duì)稱的輔助圖形。當(dāng)一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中僅包括一個(gè)所 述輔助圖形時(shí)，所述輔助圖形的中心位于所述設(shè)計(jì)圖形的中心處；當(dāng)一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形包 括多個(gè)所述輔助圖形時(shí)，所述輔助圖形的中心相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的中心呈中心對(duì)稱。步驟S2可采用現(xiàn)有的任一種掩模版制造方法，其具體步驟及相關(guān)工藝參數(shù)的設(shè) 置不應(yīng)對(duì)本發(fā)明思路造成限制。例如，參考圖12，在一種具體實(shí)施方式
中，步驟S2可包括 步驟S120，硅片清洗處理；具體來說，可用濃硫酸煮，以使硅片表面清潔，并通過去離子水 沖洗以及烘干，使硅片表面干燥，從而能和光刻膠很好地粘附。步驟S121，將光刻膠均勻地 涂布于硅片表面。步驟S122，對(duì)硅片進(jìn)行前烘，以使其中的溶劑揮發(fā)；例如，可在80-110°C 下將硅片前烘5-10分鐘。步驟S123，根據(jù)所述掩模版圖，對(duì)硅片進(jìn)行選擇曝光；本領(lǐng)域技 術(shù)人員可根據(jù)實(shí)際生產(chǎn)和設(shè)計(jì)要求，采用現(xiàn)有的曝光系統(tǒng)以及曝光光線，根據(jù)所述掩模版 圖對(duì)硅片進(jìn)行曝光，所選擇的曝光系統(tǒng)以及曝光光線不對(duì)本發(fā)明構(gòu)思造成影響。步驟S1M， 顯影，即選擇性地除去光刻膠。步驟S125，腐蝕光刻膠層上出現(xiàn)的金屬蒸發(fā)層。步驟SU6， 去膠；具體來說，可采用濃硫酸煮沸，使膠層炭化脫落，然后用水沖洗。參考圖13，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了 一種掩模版圖400，包括設(shè)計(jì)圖形401，用于 根據(jù)曝光顯影工藝以形成產(chǎn)品圖形；輔助圖形402，其尺寸不超過曝光分辨率，并且在曝光 之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形401的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。其中，輔助圖形402相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形401的中心呈中心對(duì)稱，具體來說，所述 輔助圖形402的中心相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形401的中心對(duì)稱。輔助圖形402的形狀可為正方 形、矩形、圓形、不規(guī)則多邊形中的一種或多種。其中，一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中可包括一個(gè)或多個(gè)所述輔助圖形。當(dāng)一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖 形中僅包括一個(gè)所述輔助圖形時(shí)，所述輔助圖形的中心位于所述設(shè)計(jì)圖形的中心處；當(dāng)一 個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形包括多個(gè)所述輔助圖形時(shí)，所述輔助圖形的中心相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的中 心呈中心對(duì)稱。在一種具體實(shí)施方式
中，參考圖14，設(shè)計(jì)圖形500中包括兩個(gè)輔助圖形，分別是輔 助圖形501和輔助圖形502，輔助圖形501和輔助圖形502都為矩形，且兩者的尺寸小于曝
光分辨率。具體來說，所述輔助圖形與所述設(shè)計(jì)圖形為相反的透光類型，例如，當(dāng)所述設(shè)計(jì)圖 形為透光型(Clear)，則所述輔助圖形為非透光型(Dark)；反之亦然。當(dāng)基于由本發(fā)明掩模 版圖實(shí)施例所獲得的掩模版進(jìn)行曝光時(shí)，由于所述輔助圖形與所述設(shè)計(jì)圖形為相反的透光 類型，所述輔助圖形所形成的曝光失真對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形產(chǎn)生的曝光失真產(chǎn)生補(bǔ)償。
參考圖15，在本發(fā)明掩模版圖的具體實(shí)施例中，對(duì)于45nm的邏輯器件，其中，設(shè)計(jì) 圖形600為邊長(zhǎng)90nm的正方形孔洞，且設(shè)計(jì)圖形600為透光型。為了使得產(chǎn)品尺寸與設(shè)計(jì) 圖形的尺寸相符，可在設(shè)計(jì)圖形600中設(shè)置邊長(zhǎng)為25nm的輔助正方形610。此外，輔助正方 形610的中心位于設(shè)計(jì)圖形600的中心處，且輔助圖形610為非透光型。參考圖16，分別對(duì)僅包括設(shè)計(jì)圖形600而不包括輔助正方形610的掩模版圖，以 及包括了設(shè)計(jì)圖形600和輔助正方形610的掩模版圖進(jìn)行曝光，后者所獲得的產(chǎn)品關(guān)鍵尺 寸的曲線702，較前者所獲得的產(chǎn)品關(guān)鍵尺寸的曲線701，更加接近于期望尺寸的曲線700。 也就是說，通過設(shè)置輔助圖形610，能夠有效地對(duì)設(shè)計(jì)圖形600的曝光失真進(jìn)行補(bǔ)償，從而 使產(chǎn)品尺寸更加接近于期望尺寸。另外，參考圖17，本發(fā)明實(shí)施方式還提供了一種掩模版圖校正方法，用于修正由于 掩模版圖相較于設(shè)計(jì)圖形所產(chǎn)生的面積減小的失真，包括步驟S101，在設(shè)計(jì)圖形中設(shè)置 輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過曝光分辨率，且所述輔助圖形在曝光之后形成補(bǔ)償 區(qū)域，用于修正所述設(shè)計(jì)圖形由于失真所帶來的面積減小；步驟S201，對(duì)包括所述設(shè)計(jì)圖 形和所述輔助圖形的所述掩模版圖進(jìn)行光學(xué)鄰近校正。相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明上述各實(shí)施方式通過構(gòu)建輔助圖形，對(duì)掩模版圖形進(jìn)行 構(gòu)建或校正，使得采用所述掩模版圖進(jìn)行曝光時(shí)，能夠形成補(bǔ)償區(qū)域，有效地對(duì)原有設(shè)計(jì)圖 形由于光學(xué)效應(yīng)而產(chǎn)生的曝光失真進(jìn)行修正，不僅大大簡(jiǎn)化了校正步驟，節(jié)省了大量人力 和時(shí)間，節(jié)約了生產(chǎn)成本，而且以簡(jiǎn)單的輔助圖形設(shè)置實(shí)現(xiàn)對(duì)掩模版圖形，尤其是接觸孔類 型的掩模版圖形的校正，提高了生產(chǎn)效率。雖然本發(fā)明已通過較佳實(shí)施例說明如上，但這些較佳實(shí)施例并非用以限定本發(fā) 明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對(duì)該較佳實(shí)施例做出各 種改正和補(bǔ)充，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種掩模版制造方法，其特征在于，包括提供掩模版圖形，其中，所述掩模版圖形包括設(shè)計(jì)圖形和至少一個(gè)輔助圖形，所述輔助 圖形的尺寸不超過曝光分辨率，并且所述輔助圖形在曝光之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光 損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域；根據(jù)所述掩模版圖，制作掩模版。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述提供掩模版圖形包括基于設(shè)計(jì)圖形形成位于所述設(shè)計(jì)圖形內(nèi)部的輔助圖形；根據(jù)所述設(shè)計(jì)圖形和所述輔助圖形，形成掩模版圖形。
3.如權(quán)利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述設(shè)計(jì)圖形與所述輔助圖形 呈相反的透光類型。
4.如權(quán)利要求3所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述設(shè)計(jì)圖形和所述輔助圖形 的形成通過采用具有相反曝光類型的光刻膠層為掩模進(jìn)行刻蝕。
5.如權(quán)利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述輔助圖形被設(shè)置為正方形、 矩形、圓形、不規(guī)則多邊形中的一種或多種形狀。
6.如權(quán)利要求5所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述輔助圖形與所述設(shè)計(jì)圖形 具有相同的形狀。
7.如權(quán)利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中包括一個(gè) 所述輔助圖形，所述輔助圖形的中心位于所述設(shè)計(jì)圖形的中心。
8.如權(quán)利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中包括多個(gè) 所述輔助圖形，所述輔助圖形的中心相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的中心呈中心對(duì)稱。
9.一種掩模版圖，包括設(shè)計(jì)圖形，用于根據(jù)曝光顯影工藝以形成產(chǎn)品圖形；其特征在 于，所述掩模版圖還包括輔助圖形，具有不超過曝光分辨率的尺寸，并且在曝光之后形成 對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。
10.如權(quán)利要求9所述的掩模版圖，其特征在于，所述設(shè)計(jì)圖形與所述輔助圖形呈相反 的透光類型。
11.如權(quán)利要求9所述的掩模版圖，其特征在于，所述輔助圖形為正方形、矩形、圓形、 不規(guī)則多邊形中的一種或多種形狀。
12.如權(quán)利要求11所述的掩模版圖，其特征在于，所述輔助圖形與所述設(shè)計(jì)圖形具有 相同的形狀。
13.如權(quán)利要求9所述的掩模版圖，其特征在于，一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中包括一個(gè)所述輔 助圖形，所述輔助圖形的中心位于所述設(shè)計(jì)圖形的中心。
14.如權(quán)利要求9所述的掩模版圖，其特征在于，一個(gè)所述設(shè)計(jì)圖形中包括多個(gè)所述輔 助圖形，所述輔助圖形的中心相對(duì)于所述設(shè)計(jì)圖形的中心呈中心對(duì)稱。
15.一種掩模版圖校正方法，用于修正由于掩模版圖相較于設(shè)計(jì)圖形所產(chǎn)生的面積減 小的失真，包括在設(shè)計(jì)圖形中設(shè)置輔助圖形，所述輔助圖形的尺寸不超過曝光分辨率，且所述輔助圖 形在曝光之后形成補(bǔ)償區(qū)域，用于修正所述設(shè)計(jì)圖形由于失真所帶來的面積減?。粚?duì)包括所述設(shè)計(jì)圖形和所述輔助圖形的所述掩模版圖進(jìn)行光學(xué)鄰近校正。
全文摘要
一種掩模版圖、掩模版制造方法和掩模版圖校正方法，其中，所述掩模版圖包括用于根據(jù)曝光顯影工藝以形成產(chǎn)品圖形的設(shè)計(jì)圖形，還包括輔助圖形，具有不超過曝光分辨率的尺寸，并且在曝光之后形成對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光損失進(jìn)行補(bǔ)償?shù)膮^(qū)域。本發(fā)明通過設(shè)置輔助圖形，有效地對(duì)所述設(shè)計(jì)圖形的曝光失真進(jìn)行補(bǔ)償，從而使所獲得的產(chǎn)品的關(guān)鍵尺寸愈加接近于期望尺寸，并節(jié)約了大量進(jìn)行比較和調(diào)試的時(shí)間和精力，提高了生產(chǎn)效率，節(jié)約了生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G03F1/36GK102096308SQ20091020119
公開日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月15日
發(fā)明者樸世鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司