專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及薄膜晶體管液晶顯示器。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代社會(huì)多媒體技術(shù)相當(dāng)發(fā)達(dá)，多半受益于半導(dǎo)體元件以及顯示裝置的進(jìn)步。就 顯示而言，高品質(zhì)、空間利用率、低功耗等一些優(yōu)點(diǎn)的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)逐 漸成為主流。參照?qǐng)D1所示，一種典型的薄膜晶體管液晶顯示器包括上基板200、下基板100 及上下基板間的液晶層400。其中，上基板200上通常設(shè)置有彩色濾光片，而下基板100集 成有薄膜晶體管，上下基板外側(cè)通常還粘貼有偏光片300。參照?qǐng)D2所示，現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器的一種下基板結(jié)構(gòu)包括多條交 叉的掃描線(xiàn)111和數(shù)據(jù)線(xiàn)121，以及由多條掃描線(xiàn)111和數(shù)據(jù)線(xiàn)121定義的像素單元陣列， 所述掃描線(xiàn)111由掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路110控制，數(shù)據(jù)線(xiàn)121由數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路120控制。其 中，所述像素單元進(jìn)一步包括像素電極140，以及與像素電極140相連的薄膜晶體管130。 數(shù)據(jù)線(xiàn)121上的顯示信號(hào)在薄膜晶體管130導(dǎo)通時(shí)傳輸至像素電極140，而薄膜晶體管130 的導(dǎo)通與否則由掃描線(xiàn)111控制。并且，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路110的硬件開(kāi)銷(xiāo)由掃描線(xiàn)111的數(shù)量決定，而數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電 路120的硬件開(kāi)銷(xiāo)由數(shù)據(jù)線(xiàn)121的數(shù)量決定。通常來(lái)說(shuō)，掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路110的成本比數(shù) 據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路120的成本低，且易于集成在下基板100上。因此，對(duì)于同樣解析度的薄膜晶 體管液晶顯示器而言，增加掃描線(xiàn)111的數(shù)量且減少數(shù)據(jù)線(xiàn)121的數(shù)量，是節(jié)省薄膜晶體管 液晶顯示器整體成本的有效方法。參照?qǐng)D3所示，現(xiàn)有技術(shù)的一種采用增加掃描線(xiàn)數(shù)量減少數(shù)據(jù)線(xiàn)數(shù)量的設(shè)計(jì)的下 基板結(jié)構(gòu)包括多條交叉的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由多條掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)定義的像素單元 陣列。如圖每行像素電極140是由2根掃描線(xiàn)111控制的。若定義每行左起為第一像素， 則每行第一像素、第三像素等奇數(shù)像素均是由掃描線(xiàn)111-1或掃描線(xiàn)111-3等奇數(shù)行掃描 線(xiàn)驅(qū)動(dòng)的；每行第二像素、第四像素等偶數(shù)像素均是由掃描線(xiàn)111-2或掃描線(xiàn)111-4等偶數(shù) 掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)的。參照?qǐng)D4所示，以圖3中第一行像素單元為例，截取共用同一根數(shù)據(jù)線(xiàn)121的像素 結(jié)構(gòu)進(jìn)一步說(shuō)明。所述像素結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)線(xiàn)121左側(cè)薄膜晶體管的柵電極與掃描線(xiàn)111-1 相連，且與掃描線(xiàn)111-1為同一金屬層，所述左側(cè)薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)121相連， 且與數(shù)據(jù)線(xiàn)121為同一金屬層，所述左側(cè)薄膜晶體管的漏電極130-1與像素電極140通過(guò) 過(guò)孔130-2相連。數(shù)據(jù)線(xiàn)121右側(cè)薄膜晶體管的柵電極與掃描線(xiàn)111-2相連，且與掃描線(xiàn) 111-2為同一金屬層，所述右側(cè)薄膜晶體管的源電極與數(shù)據(jù)線(xiàn)121相連，且與數(shù)據(jù)線(xiàn)121為 同一金屬層，所述右側(cè)薄膜晶體管的漏電極130-3與像素電極140通過(guò)過(guò)孔130-4相連。上述像素結(jié)構(gòu)中，薄膜晶體管的柵電極金屬層與漏電極金屬層重疊部分會(huì)產(chǎn)生柵 漏寄生電容Cgd，所述柵漏寄生電容Cgd對(duì)像素跳變電壓影響很大，以AVp表示所述像素跳變電壓，其可由下述公式計(jì)算Δ Vp = {(Cgd)/(Clc+Cst+Cgd)}*Vg，其中，Clc為液晶產(chǎn)生的電容，Cst為存儲(chǔ)電容，Vg為掃描線(xiàn)上電壓。以CgdLl表示數(shù)據(jù)線(xiàn)121左側(cè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的所述柵漏寄生電容，以CgdRl表 示數(shù)據(jù)線(xiàn)121右側(cè)薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的所述柵漏寄生電容。在理想生產(chǎn)工藝條件下，CgdLl = CgdRl，則數(shù)據(jù)線(xiàn)121兩側(cè)像素的像素跳變電壓一致，顯示畫(huà)面正常。然而，在實(shí)際生產(chǎn)時(shí)，曝光不可避免地會(huì)出現(xiàn)對(duì)位偏差，當(dāng)柵電極金屬層與漏電極 金屬層曝光產(chǎn)生對(duì)位偏差時(shí)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)121兩側(cè)的薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的柵漏寄生電容就會(huì) 不相等(CgdLl Φ CgdRl)，則所述數(shù)據(jù)線(xiàn)121兩側(cè)像素的像素跳變電壓就不一致，導(dǎo)致顯示 畫(huà)面出現(xiàn)異常。對(duì)由于曝光的對(duì)位偏差導(dǎo)致的顯示畫(huà)面異常的問(wèn)題，現(xiàn)有技術(shù)提出了多種解決方 案。例如，參照?qǐng)D5所示，現(xiàn)有技術(shù)的一種解決方法，對(duì)應(yīng)圖3中下基板的第一行像素單元 舉例，將數(shù)據(jù)線(xiàn)121左側(cè)的薄膜晶體管的漏電極130-6的金屬層與柵電極130-5的金屬層 的重疊部分沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)121方向加長(zhǎng)；將數(shù)據(jù)線(xiàn)121右側(cè)的薄膜晶體管的漏電極130-8的金 屬層與柵電極130-7的金屬層的重疊部分沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)121方向加長(zhǎng)。這樣，只要保證所述加 長(zhǎng)的重疊部分的面積大于沿掃描線(xiàn)方向的對(duì)位偏差所減小的重疊面積，就能保證數(shù)據(jù)線(xiàn)左 右兩側(cè)的薄膜晶體管的柵電極金屬層和漏電極金屬層的重疊部分在發(fā)生對(duì)位偏差后仍然 是相等的，即柵漏寄生電容CgdL2 = CgdR2。從而，使得所述數(shù)據(jù)線(xiàn)121兩側(cè)像素的像素跳 變電壓一致，避免顯示畫(huà)面異常。上述解決方法對(duì)于小尺寸的薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)是適用的，但是對(duì) 大尺寸的薄膜晶體管液晶顯示器而言，例如圖5所示的像素結(jié)構(gòu)中單個(gè)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)像 素電極的設(shè)計(jì)，其像素驅(qū)動(dòng)能力顯然是不足的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)能力不足和對(duì)位偏 差影響顯示效果問(wèn)題，并且可以降低數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)成本和因數(shù)據(jù)線(xiàn)斷線(xiàn)引起的不良。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括上基板、下基板 及上基板和下基板間的液晶層，所述下基板上具有像素圖形層，所述像素圖形層包括交叉 排列的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)定義出的多個(gè)像素單元，其中，每行像素單 元對(duì)應(yīng)兩條掃描線(xiàn)，每行像素單元由兩條掃描線(xiàn)控制驅(qū)動(dòng)，所述像素單元包括像素電極及 共同驅(qū)動(dòng)所述像素電極的一對(duì)薄膜晶體管，所述一對(duì)薄膜晶體管柵電極連接同一掃描線(xiàn)且 柵電極與漏電極的重疊面積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)，所述一對(duì)薄膜晶體管中的兩個(gè)薄膜晶體管 的源電極分別連接不同數(shù)據(jù)線(xiàn)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述薄膜晶體管液晶顯示器具有以下優(yōu)點(diǎn)驅(qū)動(dòng)像素電極的每 對(duì)薄膜晶體管的柵電極與漏電極的重疊面積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)，則當(dāng)制造時(shí)的曝光產(chǎn)生對(duì) 位偏差時(shí)，當(dāng)其中一個(gè)薄膜晶體管的柵漏寄生電容減小的時(shí)候，另一個(gè)薄膜晶體管的柵漏 寄生電容則以相同的比例增大。因此，每個(gè)像素單元中的柵漏寄生電容的總值始終不變，避 免了各個(gè)像素單元的像素跳變電壓不同而導(dǎo)致的顯示畫(huà)面異常。并且，每個(gè)像素單元中的像素電極至少由一對(duì)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)，也增大了像素的驅(qū)動(dòng)能力。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)的一種典型的薄膜晶體管液晶顯示器結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管液晶顯示器的一種下基板結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)的一種采用增加掃描線(xiàn)數(shù)量減少數(shù)據(jù)線(xiàn)數(shù)量的設(shè)計(jì)的下基板結(jié) 構(gòu)示意圖；圖4是圖3所示下基板中像素結(jié)構(gòu)局部示意圖；圖5是現(xiàn)有技術(shù)一種解決對(duì)位偏差的下基板局部像素結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第一種實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的示意圖；圖7是本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第三種實(shí)施例中像素圖形層的示意圖；圖8是本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第三種實(shí)施例中像素圖形層的局部等效 電路示意圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的研究可以發(fā)現(xiàn)，若想在降低數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)成本的同時(shí)獲得更大的 像素驅(qū)動(dòng)能力，可以通過(guò)多個(gè)薄膜晶體管或U型薄膜晶體管的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。而為了同時(shí)解 決對(duì)位偏差造成對(duì)顯示效果影響的問(wèn)題，多個(gè)薄膜晶體管無(wú)疑是更好的選擇。在一個(gè)像素 單元內(nèi)，只需使得驅(qū)動(dòng)像素電極的薄膜晶體管的數(shù)量成對(duì)，并且成對(duì)的薄膜晶體管各自對(duì) 應(yīng)柵漏寄生電容值能夠互補(bǔ)，應(yīng)可實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)同一像素電極的各個(gè)薄膜晶體管的柵漏寄生電 容的總量不變。本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器基于以上分析出發(fā)進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)。根據(jù)本發(fā)明薄 膜晶體管液晶顯示器的一種實(shí)施方式，其包括上基板、下基板及上基板和下基板間的液晶 層，所述下基板上具有像素圖形層，所述像素圖形層包括交叉排列的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及 由掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)定義出的多個(gè)像素單元，其中，每行像素單元對(duì)應(yīng)兩條掃描線(xiàn)，每行像素 單元由所述兩條掃描線(xiàn)控制驅(qū)動(dòng)，所述像素單元包括像素電極及共同驅(qū)動(dòng)所述像素電極的 一對(duì)薄膜晶體管，所述一對(duì)薄膜晶體管柵電極連接同一掃描線(xiàn)，且柵電極與漏電極重疊面 積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)，所述一對(duì)薄膜晶體管中的兩個(gè)薄膜晶體管的源電極分別連接不同數(shù) 據(jù)線(xiàn)。上述薄膜晶體管液晶顯示器的實(shí)施方式中，所述一對(duì)薄膜晶體管柵電極與漏電極 重疊面積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)是指，當(dāng)其中一個(gè)薄膜晶體管柵電極與漏電極的重疊面積沿掃 描線(xiàn)方向減少時(shí)，另一個(gè)薄膜晶體管柵電極與漏電極的重疊面積沿掃描線(xiàn)方向增加。通過(guò) 設(shè)計(jì)面積互補(bǔ)的成對(duì)薄膜晶體管來(lái)維持該對(duì)薄膜晶體管的柵漏寄生電容總值不變，從而解 決由于曝光的對(duì)位偏差引起的顯示畫(huà)面異常的問(wèn)題。所述面積互補(bǔ)的所起到的效果將在后 續(xù)進(jìn)行詳細(xì)分析。并且，由于像素電極由成對(duì)薄膜晶體管共同驅(qū)動(dòng)，像素驅(qū)動(dòng)能力也獲得了 增加。以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的各種實(shí)施例作進(jìn)一步說(shuō)明。圖6為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第一種實(shí)施例中像素結(jié)構(gòu)的示意圖。如 圖，對(duì)于數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1、221-2所包圍的像素單元，其包括像素電極240-1及驅(qū)動(dòng)所述像素電極MO-I的一對(duì)薄膜晶體管250-1、250-2。該對(duì)薄膜晶體管250-1、250-2的柵電極均與掃 描線(xiàn)211-1相連，源電極分別與數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1、221-2相連，漏電極均通過(guò)過(guò)孔230-1與像素 電極MO-I相連。而對(duì)于數(shù)據(jù)線(xiàn)221-3、221-4所包圍的像素單元，其包括像素電極M0-2 及驅(qū)動(dòng)所述像素電極M0-2的一對(duì)薄膜晶體管250-3、250-4。該對(duì)薄膜晶體管250-3、250-4 的柵電極均與掃描線(xiàn)211-2相連，源電極分別與數(shù)據(jù)線(xiàn)221-3、221-4相連，漏電極均通過(guò)過(guò) 孔230-2與像素電極240-2相連。其中，所述掃描線(xiàn)的材料可以為鋁或鋁的合金。所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的材料可以為鉬或鉬 鈮合金。所述像素電極的材料可以為透明導(dǎo)電氧化物，例如氧化銦錫或氧化銦鋅。可選地，該對(duì)薄膜晶體管中的兩個(gè)薄膜晶體管的尺寸可以完全相同，以提供更好 的對(duì)稱(chēng)性。根據(jù)上述說(shuō)明可見(jiàn)，所述相鄰的兩個(gè)像素單元均是通過(guò)一對(duì)薄膜晶體管來(lái)驅(qū)動(dòng)像 素電極。結(jié)合圖7，所述相鄰的兩個(gè)像素單元中的薄膜晶體管250-1、250-2及250-3、250-4 分別通過(guò)掃描線(xiàn)211-1、211-2控制。該行像素其他相鄰像素單元也是如此。即該行像素的 全部像素單元經(jīng)由掃描線(xiàn)211-1、211-2實(shí)現(xiàn)交錯(cuò)控制。進(jìn)一步分析，將數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1、221_2所包圍的像素單元中的一對(duì)薄膜晶體管 250-1、250-2對(duì)應(yīng)的總的柵漏寄生電容以CgdL3表示，將數(shù)據(jù)線(xiàn)221_3、221_4所包圍的像 素單元中的一對(duì)薄膜晶體管250-3、250-4對(duì)應(yīng)的總的柵漏寄生電容以CgdR3表示，設(shè)計(jì)要 求CgdL3 = CgdR3。假設(shè)，當(dāng)制造所述相鄰像素單元的曝光過(guò)程中發(fā)生柵電極金屬層和漏 電極金屬層的對(duì)位偏差，且所述對(duì)位偏差沿掃描線(xiàn)方向指向數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1。則，源極與數(shù)據(jù) 線(xiàn)221-1相連的薄膜晶體管250-1的柵電極金屬層和漏電極金屬層的重疊面積減小，而源 極與數(shù)據(jù)線(xiàn)221-2相連的薄膜晶體管250-2的柵電極金屬層和漏電極金屬層的重疊面積則 相應(yīng)增大。并且，所減小的重疊面積與所增加的重疊面積完全相同。結(jié)合柵漏寄生電容分析，源極與數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1相連的薄膜晶體管250-1對(duì)應(yīng)的柵 漏寄生電容值減小，而源極與數(shù)據(jù)線(xiàn)221-2相連的薄膜晶體管250-2對(duì)應(yīng)的柵漏寄生電容 值則以相同比例增大。因此，數(shù)據(jù)線(xiàn)221-1、221-2所包圍的像素單元中的一對(duì)薄膜晶體管 對(duì)應(yīng)的總的柵漏寄生電容CgdL3的值不變。同理可推得，數(shù)據(jù)線(xiàn)221-3、221_4所包圍的像素單元中的一對(duì)薄膜晶體管250_3、 250-4對(duì)應(yīng)的總的柵漏寄生電容CgdR3的值，在發(fā)生柵電極金屬層和漏電極金屬層的對(duì)位 偏差時(shí)也不變。因此，當(dāng)發(fā)生沿掃描線(xiàn)方向的對(duì)位偏差時(shí)，所述兩個(gè)相鄰像素單元中的薄膜 晶體管各自對(duì)應(yīng)的柵漏寄生電容總值相同。至于曝光時(shí)，柵電極金屬層和漏電極金屬層發(fā)生沿?cái)?shù)據(jù)線(xiàn)方向的對(duì)位偏差時(shí)，所 述相鄰兩個(gè)像素單元中的薄膜晶體管的柵電極金屬層和漏電極金屬層的重疊面積都是以 相同的比例增大或減小。相應(yīng)地，其各自的柵漏寄生電容總值仍然相同。至此，可以發(fā)現(xiàn)，當(dāng)發(fā)生上述舉例的對(duì)位偏差時(shí)，相鄰兩個(gè)像素單元中的薄膜晶體 管對(duì)應(yīng)的柵漏寄生電容總值始終相同。因此，相鄰兩個(gè)像素單元的像素跳變電壓也相同，避 免了由于相鄰像素單元的像素跳變電壓有差異而導(dǎo)致的顯示畫(huà)面異常。進(jìn)而，還可以發(fā)現(xiàn)，由于發(fā)生對(duì)位偏差時(shí)，各像素單元中薄膜晶體管對(duì)應(yīng)的柵漏寄 生電容總值始終不變，因此具有該類(lèi)結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品所有批次對(duì)應(yīng)的柵漏寄生電容總值均相 同，也就是說(shuō)像素跳變電壓(直流分量)均相同。在后續(xù)的工序中，例如gamma校正時(shí)只需一個(gè)相同的校正程序就可完成全部校正，大大方便了出貨時(shí)的校正及能夠保證不同批次產(chǎn) 品的直流分量一致性。本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第二種實(shí)施例為將第一實(shí)施例中每個(gè)像素單元 中的一對(duì)薄膜晶體管各自連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)也相連且形成回路。本實(shí)施例的這一結(jié)構(gòu)在每個(gè)像 素單元中最多有一根數(shù)據(jù)線(xiàn)斷線(xiàn)時(shí)，由于除斷線(xiàn)外的回路仍正常提供信號(hào)，因此像素單元 中的像素電極仍然能被正常驅(qū)動(dòng)工作。從而，有助于整體提高產(chǎn)品的性能水平及良率。圖8為本發(fā)明薄膜晶體管液晶顯示器的第三種實(shí)施例中像素圖形層的局部等效 電路示意圖。參照?qǐng)D8所示，將相鄰兩個(gè)像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)回路再連接起來(lái)，并連接至 同一數(shù)據(jù)線(xiàn)。例如，將受掃描線(xiàn)GifGifGit3控制的一列像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)回路，與相 鄰的受掃描線(xiàn)GifGpGit2控制的一列像素單元對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線(xiàn)回路連接起來(lái)，形成更大的數(shù) 據(jù)線(xiàn)回路。圖8中的4列像素單元正好最終形成兩個(gè)大的數(shù)據(jù)線(xiàn)回路，分別連接至數(shù)據(jù)線(xiàn) Dp1及Ditl如此，減少了最終控制數(shù)據(jù)線(xiàn)的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路的數(shù)量，有助于節(jié)省成本。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù) 人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng) 當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括上基板、下基板及上基板和下基板間的液晶層， 所述下基板上具有像素圖形層，所述像素圖形層包括交叉排列的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由 掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)定義出的多個(gè)像素單元，其特征在于，每行像素單元對(duì)應(yīng)兩條掃描線(xiàn)，每行 像素單元由兩條掃描線(xiàn)控制驅(qū)動(dòng)，所述像素單元包括像素電極及共同驅(qū)動(dòng)所述像素電極的 一對(duì)薄膜晶體管，所述一對(duì)薄膜晶體管柵電極連接同一掃描線(xiàn)且柵電極與漏電極的重疊面 積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)，所述一對(duì)薄膜晶體管中的兩個(gè)薄膜晶體管的源電極分別連接不同數(shù) 據(jù)線(xiàn)。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述一對(duì)薄膜晶體管的 兩個(gè)薄膜晶體管的漏電極通過(guò)同一個(gè)過(guò)孔連接到像素電極。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述一對(duì)薄膜晶體管中 兩個(gè)薄膜晶體管的尺寸相同。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，各像素單元中薄膜晶體 管連接的數(shù)據(jù)線(xiàn)相連，且形成數(shù)據(jù)線(xiàn)回路。
5.如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，相鄰兩列像素單元的數(shù) 據(jù)線(xiàn)回路連接至同一數(shù)據(jù)線(xiàn)。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述掃描線(xiàn)的材料為鋁 或鋁的合金。
7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)的材料為鉬 或鉬鈮合金。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述像素電極的材料為 透明導(dǎo)電氧化物。
9.如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管液晶顯示器，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物為 氧化銦錫或氧化銦鋅。
全文摘要
一種薄膜晶體管液晶顯示器，包括上基板、下基板及上下基板間的液晶層，所述下基板上具有像素圖形層，所述像素圖形層包括交叉排列的掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)，以及由掃描線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)定義出的多個(gè)像素單元，每行像素單元對(duì)應(yīng)兩條掃描線(xiàn)，每行像素單元由兩條掃描線(xiàn)控制驅(qū)動(dòng)，所述像素單元包括像素電極及共同驅(qū)動(dòng)像素電極的一對(duì)薄膜晶體管，該對(duì)薄膜晶體管柵電極連接同一掃描線(xiàn)且柵、漏電極的重疊面積沿掃描線(xiàn)方向互補(bǔ)，該對(duì)薄膜晶體管中的兩個(gè)薄膜晶體管的源電極分別連接不同數(shù)據(jù)線(xiàn)。所述薄膜晶體管液晶顯示器可以避免各個(gè)像素單元的像素跳變電壓不同而導(dǎo)致的顯示畫(huà)面異常。并且，每個(gè)像素單元中的像素電極由一對(duì)薄膜晶體管驅(qū)動(dòng)，也增大了像素的驅(qū)動(dòng)能力。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102096252SQ20091020103
公開(kāi)日2011年6月15日 申請(qǐng)日期2009年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月9日
發(fā)明者李峻, 趙劍 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司