專利名稱：納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法，并且特別地，本發(fā)明涉及一種 以聚焦光束熔化材料以將材料涂布于基板上的納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)有關(guān)納米科技的研究遍及各界，其相關(guān)研究領(lǐng)域包羅萬(wàn)象，可應(yīng)用于多種 不同產(chǎn)業(yè)。納米光刻技術(shù)為納米制造技術(shù)中相當(dāng)受矚目的技術(shù)之一，其可于基板上制作出 極小的結(jié)構(gòu)以及圖樣而形成微裝置。傳統(tǒng)的納米光刻技術(shù)，是利用沾墨的方式或電熱絲加 熱方式將材料設(shè)置于探針上，通過探針接觸基板以將材料涂布于基板上。請(qǐng)參閱圖IA以及圖1B，圖IA以及圖IB是示出了現(xiàn)有技術(shù)中的納米光刻技術(shù)的示 意圖。如圖IA所示，光刻裝置1屬于沾筆式的納米光刻技術(shù)，其包含探針10，并且探針10 上涂布有液態(tài)的材料12。探針10可接觸基板，因此液態(tài)的材料12可附著于基板上而完成 納米光刻。由于材料12是先附著于探針10上再轉(zhuǎn)印到基板上，因此最終在基板上所呈現(xiàn) 的結(jié)構(gòu)以及圖樣將會(huì)具有較大的線寬。此外，若涂布發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，基板所涂布上的圖案或結(jié) 構(gòu)無(wú)法被更改。如圖IB所示，光刻裝置2屬于加熱式的納米光刻技術(shù)。與上述現(xiàn)有技術(shù)不同的是， 光刻裝置2的探針20上并未附著液態(tài)的材料，而是探針20本身即由欲涂布于基板上的材 料所構(gòu)成。探針20為固態(tài)的涂布材料，電熱絲22可設(shè)置于探針20中以加熱探針20。當(dāng) 探針20被電熱絲22加熱至熔化狀態(tài)時(shí)，探針20可接觸基板而將部分熔化狀態(tài)的材料涂布 于基板上。光刻裝置2在基板上所形成的結(jié)構(gòu)以及圖樣根據(jù)探針20的尖端大小可決定其 線寬。然而，由于每根探針20中均需一根電熱絲，并且同時(shí)需要電路以提供電流至電熱絲， 因此其制作成本較高。同樣地，若涂布發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，基板所涂布上的圖案或結(jié)構(gòu)也無(wú)法被更 改。上述各現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)涂布材料在基板上時(shí)并無(wú)法直接觀察涂布狀況，因此很容易發(fā) 生涂布錯(cuò)誤。同時(shí)，涂布錯(cuò)誤后也無(wú)法修正錯(cuò)誤之處而造成浪費(fèi)。另外，上述現(xiàn)有技術(shù)用于 大面積涂布時(shí)需設(shè)置多根探針，對(duì)加熱式的納米光刻技術(shù)而言需對(duì)每根探針提供電熱絲以 及電路，因此將會(huì)增加工藝的復(fù)雜度以及制造成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的在于提供一種納米光刻系統(tǒng)，其以聚焦光束熔化材料以將材料 涂布于基板上，以解決上述問題。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)包含涂布結(jié)構(gòu)以及光束聚焦裝置。 涂布結(jié)構(gòu)由固體狀材料所制成，并且涂布結(jié)構(gòu)上具有可用以接觸基板的接觸點(diǎn)。光束聚焦 裝置可發(fā)出光束并進(jìn)一步將光束聚焦于涂布結(jié)構(gòu)的接觸點(diǎn)上，進(jìn)而加熱接觸點(diǎn)上的材料使 其呈現(xiàn)熔化狀態(tài)。當(dāng)接觸點(diǎn)上的材料呈現(xiàn)熔化狀態(tài)并且接觸基板時(shí)，基板上會(huì)附著部分熔 化的材料而達(dá)到光刻效果。
在本具體實(shí)施例中，涂布結(jié)構(gòu)為探針，并且接觸點(diǎn)為探針的尖端。在另一個(gè)具體實(shí)施例中，涂布結(jié)構(gòu)可為平面結(jié)構(gòu)，該接觸點(diǎn)是該平面結(jié)構(gòu)上的第一聚焦點(diǎn)，并且接觸點(diǎn)可為 平面結(jié)構(gòu)與基板接觸的表面上的多個(gè)接觸點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，其中，該涂布結(jié)構(gòu)設(shè)置于承載構(gòu)件上。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該承載構(gòu)件是可移動(dòng)的。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，其中，當(dāng)該第一光束將該第一尖端加熱至該材料的 熔點(diǎn)時(shí)，該第一尖端接觸該基板以將該材料涂布于該基板上。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該涂布結(jié)構(gòu)包含第二探針，并且 該光束聚焦裝置能將該第一光束聚焦于該第二探針的第二尖端。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，其中，當(dāng)該第一光束加熱該第一聚焦點(diǎn)至該材料的 熔點(diǎn)時(shí)，該第一聚焦點(diǎn)接觸該基板以將該材料涂布于該基板上。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該平面結(jié)構(gòu)包含第二聚焦點(diǎn)，并 且該光束聚焦裝置能將該第一光束聚焦于該第二聚焦點(diǎn)。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該第一光束是激光束。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該光束聚焦裝置進(jìn)一步包含第 一發(fā)光單元，用以發(fā)出該第一光束；以及第一透鏡，用以聚焦該第一光束。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該光束聚焦裝置進(jìn)一步包含相 位調(diào)制器，設(shè)置于該第一發(fā)光單元以及該第一透鏡間，該相位調(diào)制器用以接收該第一光束 并調(diào)整該第一光束的相位。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，在一種實(shí)施方式中，該光束聚焦裝置進(jìn)一步包含第 二發(fā)光單元，用以發(fā)出第二光束；以及第二透鏡，用以將該第二光束聚焦于該涂布結(jié)構(gòu)上。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，其中，該涂布結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包含熒光染劑分散于該材 料中，該熒光染劑能被該第一光束激發(fā)而發(fā)出光線。根據(jù)本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)，其中，該光束聚焦裝置能將該第一光束聚焦于該基 板上。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種納米光刻方法，以光束加熱方式使材料易于涂 布于基板上。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施例，本發(fā)明的納米光刻方法包含下列步驟將光束聚焦于由一 種材料制成的涂布結(jié)構(gòu)的聚焦點(diǎn)上，使聚焦點(diǎn)呈現(xiàn)熔化狀態(tài)；以及，將呈現(xiàn)熔化狀態(tài)的聚焦 點(diǎn)接觸基板以將材料涂布于基板上。在另一個(gè)具體實(shí)施例中，上述步驟的順序也可互相調(diào) 換，也就是說(shuō)，先將由該材料制成的涂布結(jié)構(gòu)的聚焦點(diǎn)接觸該基板，再將光束聚焦于接觸該 基板的該聚焦點(diǎn)上致使該聚焦點(diǎn)呈現(xiàn)熔化狀態(tài)以將該材料涂布于該基板。同樣地，上述涂布結(jié)構(gòu)可為探針，并且聚焦點(diǎn)可為探針的尖端。另一方面，涂布結(jié) 構(gòu)也可為平面結(jié)構(gòu)，并且聚焦點(diǎn)可為平面結(jié)構(gòu)與基板接觸的表面上的多個(gè)接觸點(diǎn)。關(guān)于本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與精神可以通過以下的發(fā)明詳述及所附附圖得到進(jìn)一步的了 解。


圖IA以及圖IB是示出了現(xiàn)有技術(shù)的納米光刻技術(shù)的示意圖。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)的示意圖。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)的示意圖。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的另一具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)的示意圖。
圖5是示出了根據(jù)另一具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)清除基板上涂布錯(cuò)誤的材料 的示意圖。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻方法的示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)參閱圖2，圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)3的示意 圖。如圖2所示，納米光刻系統(tǒng)3用以將材料涂布于基板4上。納米光刻系統(tǒng)3包含涂布 裝置30以及光束聚焦裝置32，其中，涂布裝置30進(jìn)一步包含承載構(gòu)件300以及設(shè)置于承載 構(gòu)件300上的第一探針302。涂布裝置30的承載構(gòu)件300在實(shí)際應(yīng)用中可根據(jù)使用者所 設(shè)定的圖樣移動(dòng)，以使第一探針302的接觸點(diǎn)3020接觸基板4并在基板4上移動(dòng)。一般而 言，探針以其尖端作為接觸點(diǎn)以接觸基板。在本具體實(shí)施例中，第一探針302由欲涂布于基板上的材料所構(gòu)成。光束聚焦裝 置32包含第一發(fā)光單元320以及第一透鏡322，其中，第一發(fā)光單元320可發(fā)出光束，并且 光束可經(jīng)由第一透鏡322聚焦于第一探針302的接觸點(diǎn)3020上以加熱接觸點(diǎn)3020及其周 圍的材料。光束聚焦裝置32在實(shí)際應(yīng)用中所產(chǎn)生的光束可以是，但不限于，激光束。當(dāng)光束聚焦裝置32將光束聚焦于接觸點(diǎn)3020時(shí)，接觸點(diǎn)3020以及其周圍的材料 將會(huì)被加熱，并且，當(dāng)接觸點(diǎn)3020以及其周圍的材料被加熱到材料的熔點(diǎn)時(shí)，接觸點(diǎn)3020 以及其周圍的材料將呈現(xiàn)熔化狀態(tài)。接著，呈現(xiàn)熔化狀態(tài)的接觸點(diǎn)3020接觸基板4時(shí)，便 可將材料涂布于基板4的表面上。在本具體實(shí)施例中，探針302的接觸點(diǎn)3020先被光束聚焦加熱至熔化狀態(tài)再與基 板4接觸，進(jìn)而將材料涂布于基板4上。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，上述工藝順序也可根據(jù)使用 者或設(shè)計(jì)者需求而有不同，舉例而言，探針的接觸點(diǎn)(尖端)可先接觸基板，光束聚焦裝置 再將光束聚焦至接觸點(diǎn)上以熔化接觸點(diǎn)及其周圍的材料，進(jìn)而將材料涂布于基板上。由于以光束聚焦的方式為局部加熱第一探針302的尖端，可避免在第一探針302 上制作電熱絲以及電路(如同現(xiàn)有技術(shù)所披露的)進(jìn)而簡(jiǎn)化第一探針302的制作過程以及 成本。此外，由于第一探針302本身維持固態(tài)，僅尖端部分呈熔化狀態(tài)，因此本具體實(shí)施例 的納米光刻系統(tǒng)3在基板4上所形成的結(jié)構(gòu)的線寬，可由第一探針302的尖端尺寸以及光 束聚焦形成的聚焦光點(diǎn)尺寸所決定。請(qǐng)注意，在實(shí)際應(yīng)用中，光束聚焦裝置可發(fā)出多道光束聚焦于一個(gè)接觸點(diǎn)或多個(gè) 接觸點(diǎn)。舉例而言，請(qǐng)參閱圖3，圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻系 統(tǒng)3的示意圖。如圖3所示，本具體實(shí)施例與上一具體實(shí)施例不同之處在于，本具體實(shí)施例 的光束聚焦裝置32進(jìn)一步包含第二發(fā)光單元324以及第二透鏡326，其中，從第二發(fā)光單元 324所發(fā)出光束可透過第二透鏡326聚焦于第一探針302的接觸點(diǎn)3020。在本具體實(shí)施例中，第一發(fā)光單元320所發(fā)出的光束與第二發(fā)光單元324所發(fā)出 的光束從不同方向聚焦于接觸點(diǎn)3020上。在實(shí)際應(yīng)用中，第一發(fā)光單元320所發(fā)出的光束 與第二發(fā)光單元324所發(fā)出的光束也可聚焦于不同位置。舉例而言，在另一具體實(shí)施例中，涂布裝置30也可進(jìn)一步包含第二探針，第一發(fā)光單元320所發(fā)出的光束可聚焦于第一探針 302的尖端并且第二發(fā)光單元324所發(fā)出的光束可聚焦于第二探針的尖端，以同時(shí)加熱第 一探針302的尖端以及第二探針的尖端。根據(jù)另一個(gè)具體實(shí)施例，光束聚焦裝置也可利用相位調(diào)制器接收發(fā)光單元所發(fā)出 的光束并調(diào)整其相位。此外，相位調(diào)制器也可接收發(fā)光單元所發(fā)出的光束并進(jìn)一步形成多 個(gè)聚焦點(diǎn)，因此，本具體實(shí)施例僅使用一個(gè)發(fā)光單元即可產(chǎn)生多個(gè)聚焦點(diǎn)。如上所述，將多道光束聚焦于多個(gè)探針 的尖端上的方法可適用于大面積的元件的 制作，其可避免對(duì)每個(gè)探針分別制作電熱絲以及電路的復(fù)雜工藝。此外，涂布裝置并不限 于以探針方式對(duì)基板進(jìn)行涂布，而可以其它結(jié)構(gòu)進(jìn)行，例如，以平面結(jié)構(gòu)對(duì)基板進(jìn)行壓印工 藝。請(qǐng)參閱圖4，圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)5的示意 圖。如圖4所示，納米光刻系統(tǒng)5用以將材料涂布于基板6上，并且包含涂布裝置50以及 光束聚焦裝置52。涂布裝置50進(jìn)一步包含承載構(gòu)件500以及設(shè)置于承載構(gòu)件500上的平 面結(jié)構(gòu)502，其中，平面結(jié)構(gòu)502由欲涂布于基板6的材料所構(gòu)成，并且其包含聚焦點(diǎn)5020。 請(qǐng)注意，在實(shí)際應(yīng)用中，聚焦點(diǎn)5020的數(shù)量及位置根據(jù)使用者或設(shè)計(jì)者需求而定，并不限 于本具體實(shí)施例。在本具體實(shí)施例中，光束聚焦裝置52進(jìn)一步包含發(fā)光單元520以及透鏡522。發(fā) 光單元520可發(fā)出光束，并且此光束可經(jīng)透鏡522而聚焦于聚焦點(diǎn)5020上。當(dāng)光束(例 如，激光束)聚焦于聚焦點(diǎn)5020上時(shí)，聚焦點(diǎn)5020及其周圍的材料會(huì)被加熱，并且當(dāng)聚焦 點(diǎn)5020及其周圍的材料被加熱至熔點(diǎn)時(shí)材料會(huì)呈現(xiàn)熔化狀態(tài)。接著，涂布裝置50可將平 面結(jié)構(gòu)502壓印至基板6上致使接觸點(diǎn)5020接觸基板6，進(jìn)而將材料涂布于基板6上。在實(shí)際應(yīng)用中，上述各具體實(shí)施例的探針或平面結(jié)構(gòu)均可在制作過程中摻入熒光 染劑。當(dāng)光束聚焦于探針或平面結(jié)構(gòu)的聚焦點(diǎn)上時(shí)，可同時(shí)激發(fā)材料中的熒光染劑致使材 料發(fā)出熒光。因此，若涂布材料過程發(fā)生錯(cuò)誤時(shí)，使用者可及早發(fā)現(xiàn)并處理錯(cuò)誤。此外，涂布在錯(cuò)誤位置的材料也可通過本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)清除錯(cuò)誤部分。請(qǐng) 參閱圖5，圖5示出了根據(jù)另一具體實(shí)施例的納米光刻系統(tǒng)7清除基板8上涂布錯(cuò)誤的材料 80的示意圖。如圖5所示，納米光刻系統(tǒng)7具有涂布裝置70以及光束聚焦裝置72，并且涂布裝 置70具有承載構(gòu)件700以及設(shè)置于承載構(gòu)件700上的探針702。在本具體實(shí)施例中，納米 光刻系統(tǒng)7的各單元的功能與上述具體實(shí)施例的相對(duì)應(yīng)單元大致上相同，在此不再贅述。然而與上述具體實(shí)施例的不同處在于，由本具體實(shí)施例的光束聚焦裝置72所發(fā) 出的光束聚焦于基板8的材料80上，以熔化基板8上的材料80。探針702可接觸呈熔化狀 態(tài)的材料80。接著，在探針702接觸呈熔化狀態(tài)的材料80后，光束聚焦裝置72停止光束聚 焦，使原本呈現(xiàn)熔化狀態(tài)的材料80降溫并重新固化于探針702上。之后，探針702移開時(shí) 可帶走與探針702接觸的材料80。由此，基板8上涂布錯(cuò)誤的材料80可被清除。請(qǐng)注意， 在本具體實(shí)施例中，基板8可為透明基板，因此光束可從基板8背面穿透基板8而聚焦于材 料80。在實(shí)際應(yīng)用中，光束聚焦裝置72所發(fā)出的光束也可不穿透基板8而直接聚焦于材料 80上。請(qǐng)同時(shí)參閱圖2以及圖6，圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的納米光刻方法的示意圖。如圖6配合圖2所示，本具體實(shí)施例的納米光刻方法包含下列步驟在步驟 S90中，將光束聚焦于探針302上的接觸點(diǎn)3020(聚焦點(diǎn))，致使接觸點(diǎn)3020以及其周圍的 材料呈現(xiàn)熔化狀態(tài)；在步驟S92中，將呈現(xiàn)熔化狀態(tài)的接觸點(diǎn)3020接觸基板4以將材料涂 布于基板4上。請(qǐng)注意，在本具體實(shí)施例中，探針302由欲涂布于基板4上的材料所構(gòu)成。 上述具體實(shí)施例的步驟，其順序也可互相調(diào)換。舉例而言，在另一具體實(shí)施例中， 探針302的接觸點(diǎn)3020可先接觸基板4，接著再將光束聚焦于接觸點(diǎn)3020上使接觸點(diǎn)3020 呈現(xiàn)熔化狀態(tài)以將材料涂布于基板4上。此外，在上述具體實(shí)施例的方法中，用以涂布基板的結(jié)構(gòu)并不限于探針，而是根據(jù) 使用者或設(shè)計(jì)者需求有所差異。舉例而言，涂布結(jié)構(gòu)也可為平面結(jié)構(gòu)，光束聚焦于平面結(jié)構(gòu) 的用以接觸基板的表面上而形成一個(gè)或多個(gè)聚焦點(diǎn)，進(jìn)而熔化聚焦點(diǎn)及其周圍的材料。接 著，平面結(jié)構(gòu)可通過壓印的方式，使聚焦點(diǎn)接觸基板以將材料涂布于基板上。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供一種納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法，其以聚焦光 束的方式熔化涂布結(jié)構(gòu)上的材料，并使涂布結(jié)構(gòu)上呈現(xiàn)熔化狀態(tài)的部分與基板接觸以將材 料涂布于基板上。本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法不必在探針等涂布結(jié)構(gòu)上設(shè)置 電熱絲以及電路，進(jìn)而降低了探針的工藝復(fù)雜度以及制造成本。在大面積涂布方面，本發(fā)明 可同時(shí)在多個(gè)探針上產(chǎn)生多個(gè)聚焦光點(diǎn)以利于大面積涂布，或在平面式的涂布結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生 多個(gè)聚焦光點(diǎn)進(jìn)而以壓印方式進(jìn)行大面積涂布。此外，在涂布過程中使用者可實(shí)時(shí)觀察涂 布狀況，并當(dāng)發(fā)生涂布錯(cuò)誤時(shí)，使用者可輕易地清除錯(cuò)誤部分。通過以上優(yōu)選具體實(shí)施例的詳述，是希望能更加清楚地描述本發(fā)明的特征與精 神，而并非由上述所披露的優(yōu)選具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本發(fā)明的范圍加以限制。相反地，其目的是 希望能在本發(fā)明的權(quán)利要求中涵蓋各種改變及等同替換方式。因此，本發(fā)明的權(quán)利要求應(yīng) 該根據(jù)上述的說(shuō)明作最寬廣的解釋，以致使其涵蓋所有可能的改變以及等同替換方式。主要元件符號(hào)說(shuō)明1、2:光刻裝置10、20:探針12:材料22:電熱絲3、5、7 納米光刻系統(tǒng)30、50、70 涂布裝置32、52、72 光束聚集裝置 300、500、700 承載構(gòu)件302 第一探針3020 接觸點(diǎn)320 第一發(fā)光單元322 第一透鏡324 第二發(fā)光單元326 第二透鏡502 平面結(jié)構(gòu)5020 聚焦點(diǎn)520 發(fā)光單元522 透鏡702:探針4、6、8 基板80:材料S90、S92 流程步驟。
權(quán)利要求
一種納米光刻系統(tǒng)，用以將材料涂布于基板上，所述納米光刻系統(tǒng)包含涂布結(jié)構(gòu)，由固體狀的所述材料制成，所述涂布結(jié)構(gòu)具有接觸點(diǎn)用以接觸所述基板；以及光束聚焦裝置，用以發(fā)出第一光束并將所述第一光束聚焦于所述涂布結(jié)構(gòu)的所述接觸點(diǎn)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述涂布結(jié)構(gòu)設(shè)置于承載構(gòu)件上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述承載構(gòu)件是可移動(dòng)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述涂布結(jié)構(gòu)包含第一探針。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述接觸點(diǎn)是所述第一探針的第一尖端。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，當(dāng)所述第一光束將所述第一尖端加熱 至所述材料的熔點(diǎn)時(shí)，所述第一尖端接觸所述基板以將所述材料涂布于所述基板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述涂布結(jié)構(gòu)包含第二探針，并且所述 光束聚焦裝置能將所述第一光束聚焦于所述第二探針的第二尖端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米光刻系統(tǒng)，其中，所述涂布結(jié)構(gòu)是平面結(jié)構(gòu)。
9.一種納米光刻方法，用以將材料涂布于基板上，所述納米光刻方法包含下列步驟 將光束聚焦于由所述材料制成的涂布結(jié)構(gòu)的聚焦點(diǎn)上，直至所述聚焦點(diǎn)呈現(xiàn)熔化狀態(tài)；以及將呈現(xiàn)所述熔化狀態(tài)的所述聚焦點(diǎn)與所述基板接觸，以將所述材料涂布于所述基板。
10.一種納米光刻方法，用以將材料涂布于基板上，所述納米光刻方法包含下列步驟 將由所述材料制成的涂布結(jié)構(gòu)的聚焦點(diǎn)與所述基板接觸；以及將光束聚焦于接觸所述基板的所述聚焦點(diǎn)上致使所述聚焦點(diǎn)呈現(xiàn)熔化狀態(tài)，以將所述 材料涂布于所述基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種納米光刻系統(tǒng)以及納米光刻方法，可用以將材料涂布到基板上。本發(fā)明的納米光刻系統(tǒng)包含涂布結(jié)構(gòu)以及光束聚焦裝置，其中，該涂布結(jié)構(gòu)由固體狀的該材料所制成，并且其具有接觸點(diǎn)用以接觸該基板。該光束聚焦裝置能發(fā)出光束，并且能將該光束聚焦于該涂布結(jié)構(gòu)的該接觸點(diǎn)上以熔化該接觸點(diǎn)上的該材料。當(dāng)該接觸點(diǎn)的該材料被熔化且該接觸點(diǎn)接觸該基板時(shí)，該材料能涂布于該基板與該接觸點(diǎn)接觸的位置。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101872128SQ200910133678
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2009年4月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月22日
發(fā)明者劉承賢, 周忠誠(chéng), 徐瑯, 楊裕雄, 王威, 蘇益志 申請(qǐng)人:瑞鼎科技股份有限公司;徐瑯;楊裕雄;劉承賢