專利名稱：一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法。
背景技術(shù)：
在黃光制程中，被定義的圖形必須通過顯影液與光阻充分反應(yīng)后才可溶解，再利 用DI水沖洗，將溶解的圖形部分沖洗掉；顯影液與光阻的反應(yīng)必須經(jīng)過一段時(shí)間的靜置才 足以反應(yīng)，在靜置過程中，顯影液會(huì)有流動(dòng)，流動(dòng)性與晶片表面的親水性有關(guān)，若親水性好， 顯影液將由晶片上面沿著晶邊流入晶片背面(以下簡稱晶背)。造成晶背顯影液殘留；這 種殘留可能會(huì)造成后續(xù)制程中機(jī)臺(tái)傳送滑片、黏片或傳送不良，直接導(dǎo)致產(chǎn)品報(bào)廢。在目前顯影機(jī)、例如是ACT-8的設(shè)計(jì)中，是在晶背距離晶邊10mm處設(shè)置一個(gè)刀圈。 為防止顯影液流入刀圈的圈內(nèi)，在靜置后沖洗中，采用背面沖洗將晶背清洗干凈。這種刀圈 為固定式，所謂固定式是指刀圈與晶背的間隙是固定的，一般是1.0+/-0. 2mm。這種固定式 刀圈在一般控片的結(jié)果中，可以得到好的結(jié)果。但是在實(shí)際量產(chǎn)中，仍會(huì)有0. 1 %的機(jī)會(huì)會(huì)造成晶背顯影液殘留。因?yàn)榱慨a(chǎn)晶片經(jīng) 過了各種不同的前制程，這些不同的前制程造成晶背的親水性不同；另外不同制作方法的 靜置時(shí)間不同，親水性好或靜置時(shí)間愈長，都愈可能讓顯影液流到更靠晶背圓心；但是如果 將刀圈的間隙調(diào)小，反而又造成晶背沖洗無法清除圈外的殘留顯影液。試驗(yàn)結(jié)果表明刀圈與晶背之間的間隙大小和顯影液殘留的關(guān)系為(1)間隙設(shè)定變小，顯影液殘留在刀圈的圈外；這代表顯影液在靜置過程中，留入 晶背的顯影液會(huì)被刀圈擋住，雖然不會(huì)流入晶背圓心，但后續(xù)晶背沖洗卻無法將刀圈圈外 的晶背上的顯影液沖洗干凈，因?yàn)殚g隙過小，造成沖洗溶液無法通過該間隙。(2)反之間隙變大，顯影液殘留位置將變成在Chuck盤的一圈，這一圈比晶背沖洗 可清洗的范圍還要更靠近圓心；這表示顯影液在靜置過程中，不僅通過了刀圈，甚至可以流 入比晶背沖洗可清除范圍的更里面了，造成沖洗一點(diǎn)作用也沒有。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服上述問題，提供一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法。在本發(fā)明所述的一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法中，該刀圈以可活動(dòng)方式 設(shè)置在晶片背面，與晶片背面之間留有預(yù)定的間隙；清洗晶片背面前上述刀圈與上述晶片 背面之間的間隙是第一間隙；清洗晶片背面時(shí)上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙是第二 間隙；且上述第二間隙大于上述第一間隙。上述第一間隙是0. 2 1mm。上述第二間隙是1 10謹(jǐn)。上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙的調(diào)節(jié)通過改變刀圈的高度來實(shí)現(xiàn)。上述刀圈由電動(dòng)裝置來帶動(dòng)以調(diào)節(jié)其高度。上述電動(dòng)裝置是滾筒或馬達(dá)中的一種。
上述刀圈距離晶邊有預(yù)定距離。上述預(yù)定距離是8 12_。上述方法用于在黃光制程中清洗晶片背面的殘留顯影液。本發(fā)明還提供了一種用于上述方法中的刀圈裝置，該刀圈裝置包括刀圈，置于刀 圈下方的電動(dòng)裝置；該電動(dòng)裝置可以控制刀圈在垂直于晶片的方向上移動(dòng)，使刀圈與晶片 背面之間的間隙在不同進(jìn)程中改變。本發(fā)明的防止晶背顯影液殘留的方法既可防止顯影液流入晶背中心又可以徹底 清洗晶背，解決了以往固定式刀圈帶來的晶背顯影液殘留問題，從而提高了產(chǎn)品合格率。


圖1 (a)表示本發(fā)明的方法在晶背沖洗前的狀態(tài)；圖1 (b)表示本發(fā)明的方法在晶背沖洗時(shí)的狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明所述的一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法作 進(jìn)一步的詳細(xì)說明。在背景技術(shù)部分已經(jīng)說明，因現(xiàn)有技術(shù)中的刀圈是固定式的，刀圈和晶背之間的 間隙只能是一個(gè)固定值，該間隙偏大或偏小都將造成無法將晶背上的殘留顯影液沖洗干凈 的結(jié)果。本發(fā)明的一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法，是將刀圈的間隙高度設(shè)計(jì)成在 制作進(jìn)程中可以依不同步驟調(diào)整間隙大小在顯影液覆蓋在晶片后的靜置階段中，顯影液將因晶片表面的親水性緣故而沿著 晶邊流入晶背，此時(shí)刀圈和晶片之間的間隙越小越好，因?yàn)榇藭r(shí)小間隙可以阻止顯影液流 入刀圈圈內(nèi)；而在進(jìn)行晶背沖洗時(shí)，因清洗范圍有限，所以此時(shí)刀圈和晶片之間的間隙越大 越好，因?yàn)榇藭r(shí)大間隙可以使得晶背沖洗所用的溶液能夠流出刀圈外將圈外的顯影液沖洗 干凈。下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行說明，其中圖1(a)表示本發(fā)明的方法 在晶背沖洗前的狀態(tài)，圖1(b)表示本發(fā)明的方法在晶背沖洗時(shí)的狀態(tài)。首先參考圖1(a)，在顯影機(jī)、例如是ACT-8的設(shè)計(jì)中，在晶片1的晶背2下方距離 晶邊8的8 12mm處、例如可以是10mm處設(shè)置一個(gè)刀圈3，刀圈3下方是一個(gè)電動(dòng)裝置7， 用以托起刀圈，以使其穩(wěn)定在某個(gè)位置，該電動(dòng)裝置7可以是滾筒或馬達(dá)等等，當(dāng)然還可以 是其他電動(dòng)裝置。由圖可見，此時(shí)刀圈3的高度處于最高處，使得刀圈3與晶背2之間的間 隙變得很小，達(dá)到0. 2 1mm、例如是0. 5mm，這樣可以有效避免顯影液流入刀圈圈內(nèi)、流至 chuck盤4周圍。圖1(b)中，刀圈3隨著電動(dòng)裝置7的下降而下降，刀圈3與晶背2之間的間隙隨 之增大，達(dá)到1 10mm、例如是5mm，此時(shí)噴液裝置6開始噴清洗溶液5，清洗范圍是由晶邊 8往里50mm，如圖1 (b)中的尺寸標(biāo)注。其中帶動(dòng)刀圈升降的電動(dòng)裝置是通過計(jì)算機(jī)程序控制的，在上述步驟中，刀圈的 高度只有兩個(gè)高度，即一個(gè)最高點(diǎn)和一個(gè)最低點(diǎn)，但在其他實(shí)施例中也可以有多個(gè)高度，由
4電動(dòng)裝置、特別是馬達(dá)帶動(dòng)進(jìn)行逐步升降，從而形成多個(gè)高度。本發(fā)明的防止晶背顯影液殘留的方法既可防止顯影液流入晶背中心又可以徹底 清洗晶背，解決了以往固定式刀圈帶來的晶背顯影液殘留問題，從而提高了產(chǎn)品合格率。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并非用來限定本發(fā)明的實(shí)施范圍；如果不脫 離本發(fā)明的精神和范圍，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換的，均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要 求的保護(hù)范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法，其特征在于該刀圈以可活動(dòng)方式設(shè)置在晶片背面，與晶片背面之間留有預(yù)定的間隙；清洗晶片背面前上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙是第一間隙；清洗晶片背面時(shí)上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙是第二間隙；且上述第二間隙大于上述第一間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述第一間隙是0.2 1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于上述第二間隙是1 10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙的調(diào) 節(jié)通過改變刀圈的高度來實(shí)現(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于上述刀圈由電動(dòng)裝置來帶動(dòng)以調(diào)節(jié)其高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于上述電動(dòng)裝置是滾筒或馬達(dá)中的一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述刀圈距離晶邊有預(yù)定距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于上述預(yù)定距離是8 12mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于上述方法用于在黃光制程中清洗晶片背面 的殘留顯影液。
10.一種用于權(quán)利要求1的方法中的刀圈裝置，其特征在于該刀圈裝置包括刀圈，置于刀圈下方的電動(dòng)裝置；該電動(dòng)裝置可以控制刀圈在垂直于 晶片的方向上移動(dòng)，使刀圈與晶片背面之間的間隙在不同進(jìn)程中改變。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種控制刀圈以防止顯影液殘留的方法，在該方法中該刀圈以可活動(dòng)方式設(shè)置在晶片背面，與晶片背面之間留有預(yù)定的間隙；清洗晶片背面前上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙是第一間隙；清洗晶片背面時(shí)上述刀圈與上述晶片背面之間的間隙是第二間隙；且上述第二間隙大于上述第一間隙。本發(fā)明的方法既可防止顯影液流入晶背中心又可以徹底清洗晶背，解決了晶背顯影液殘留問題，從而能夠提高產(chǎn)品合格率。
文檔編號(hào)G03F7/30GK101859073SQ200910133660
公開日2010年10月13日 申請(qǐng)日期2009年4月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年4月13日
發(fā)明者陳俊秀 申請(qǐng)人:和艦科技(蘇州)有限公司