專利名稱：薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及薄膜晶體管液晶顯示器，特別涉及一種薄膜晶體管液晶顯 示器的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管 液晶顯示器)具有功耗小、成本低和無輻射等特點(diǎn)，目前在顯示器市場(chǎng)占據(jù)主 導(dǎo)地位。TFT LCD的制作過程主要有三個(gè)階段ARRAY (陣列)制程、CELL (面 板)制程和MODULE (模組)制程。ARRAY制程是在玻璃基板上采用薄膜沉積、曝 光、顯影、刻蝕和剝膜等構(gòu)圖工序，形成TFT (薄膜晶體管)基板；CELL制程是 將ARRAY制程得到的TFT基板與一個(gè)帶有彩色濾光片的玻璃基板結(jié)合，在該兩層 玻璃基板中注入液晶，然后切割，形成液晶面板；MODULE制程是將液晶面板與 驅(qū)動(dòng)IC (芯片)、軟性電路板、PCB (Printed Circuit Board,印刷電路板)、 背光源和外框等組件進(jìn)行組裝，形成最后的LCD (液晶顯示器)。
在上述的MODULE制程中，需要將液晶面板中TFT基板的PAD引線(周邊引線) 與驅(qū)動(dòng)IC和軟性電3各板連接，目前的方法是采用ACF (Anisotropic Conductive Film,各向異性導(dǎo)電薄膜)進(jìn)行連接。以柵極掃描線PAD引線區(qū)為例，如圖l和 頃2所示，PAD引線區(qū)的底層為設(shè)置在玻璃基板9上的金屬層3 (該金屬層3即為柵 極掃描線PAD引線)，金屬層3上設(shè)有柵極絕緣層薄膜10和鈍化層5，柵極絕緣層 薄膜10和鈍化層5上設(shè)有過孔1;像素電極層薄膜2通過過孔1與金屬層3連接。ACF 設(shè)置在像素電極層薄膜2上，用于使金屬層3與驅(qū)動(dòng)IC和軟性電路板連接。
TFT基板的PAD引線區(qū)一般采用大孔結(jié)構(gòu)，即在引線區(qū)上均勻形成多個(gè)大孔
(該步驟在ARRAY制程中完成)。該大孔結(jié)構(gòu)是由過孔l的形狀而導(dǎo)致像素電極層 薄膜2所產(chǎn)生的孔狀結(jié)構(gòu)。采用大孔結(jié)構(gòu)后，引線與ACF接觸不夠緊密，連接效 果差，因此為了有更好的接觸效果，PAD引線區(qū)常采用小孔結(jié)構(gòu)。采用小孔結(jié)構(gòu) 后的柵極掃描線PAD引線區(qū)如圖3和圖4所示。
在上述的CELL制程后，還有一個(gè)工藝對(duì)液晶面板進(jìn)行測(cè)試，以確定其基 本顯示功能是否正常，如果正常的話，進(jìn)行后續(xù)的MODULE制程。在該工藝中， 測(cè)試設(shè)備對(duì)TFT基板的PAD引線的特定區(qū)域進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試時(shí)采用單點(diǎn)PIN(管腳) 與PAD引線接觸進(jìn)^f亍信號(hào)的傳輸。圖1和圖3中4為測(cè)試時(shí)PIN接觸的特定區(qū)域。此 時(shí)，PAD引線已經(jīng)被設(shè)置成小孔結(jié)構(gòu)。由于ARRAY制程中涉及成膜、曝光、刻蝕 等工藝，小孔結(jié)構(gòu)很容易受到PARTICLE (微粒)、膜殘留、光刻膠殘留等工藝不 良的影響，使PAD引線局部形成斷裂、絕緣的情況，進(jìn)而引起測(cè)試設(shè)備的單點(diǎn)PIN 與PAD引線接觸不良，但是并不表明液晶面板的基本顯示功能異常，也不影響后 續(xù)工藝中各i^異性導(dǎo)電薄膜與PAD引線的接觸。所以PAD引線區(qū)采用小孔結(jié)構(gòu)容 易使測(cè)試設(shè)備出現(xiàn)誤判，造成損失。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠?qū)崿F(xiàn)較好的測(cè)試設(shè) 備管腳接觸，避免出現(xiàn)誤判，同時(shí)使各向異性導(dǎo)電薄膜與引線之間緊密接觸。 為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為
一種薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，該薄膜晶體管基板上設(shè)置有引線區(qū)，所述引線 區(qū)包括大孔結(jié)構(gòu)區(qū)和小孔結(jié)構(gòu)區(qū)，其中， 所述大孔結(jié)構(gòu)區(qū)用于與測(cè)試設(shè)備接觸。
由上可知，本實(shí)用新型在引線區(qū)中用于與測(cè)試設(shè)備接觸的區(qū)域采用大孔結(jié) 構(gòu)，其它區(qū)域采用小孔結(jié)構(gòu)。大孔結(jié)構(gòu)能夠避免工藝影響而產(chǎn)生的測(cè)試設(shè)備管
腳接觸不良，從而避免測(cè)試設(shè)備出現(xiàn)誤判，減少損失；小孔結(jié)構(gòu)能夠使各向異
性導(dǎo)電薄膜與引線之間有較好的接觸。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的PAD引線區(qū)采用大孔結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為圖1中A-A截面示意圖3為現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的PAD引線區(qū)采用小孔結(jié)構(gòu)的俯視結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4為圖3中B-B截面示意圖5為本實(shí)用新型中TFT基^反的PAD引線區(qū)的俯^L結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6為圖5中C-C截面示意圖(PAD引線為柵極掃描線PAD引線時(shí))； 圖7為圖5中C-C截面示意圖(PAD引線為數(shù)據(jù)掃描線PAD引線時(shí))； 圖8為現(xiàn)有技術(shù)中TFT基板的俯視結(jié)構(gòu)示意其中，1、過孔，2、像素電極層薄膜，3、金屬層，4、測(cè)試時(shí)PIN接觸點(diǎn)， 5、鈍化層，6、像素區(qū)，7、非像素區(qū)，8、 PAD引線區(qū)，9、玻璃基板，10、柵 極絕緣層薄膜。
具體實(shí)施方式

為解決現(xiàn)有技術(shù)中，PAD引線區(qū)采用大孔結(jié)構(gòu)與ACF接觸效果差，采用小孔 結(jié)構(gòu)容易使測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生誤判的問題，本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管基板結(jié) 構(gòu)，該結(jié)構(gòu)根據(jù)PAD引線區(qū)的特點(diǎn)，采用了大孔結(jié)構(gòu)和小孔結(jié)構(gòu)的結(jié)合，從而解 決了所述問題。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作詳細(xì)說明。
如圖8所示，TFT基板分為像素區(qū)6和非像素區(qū)7， TFT形成在像素區(qū)6，同時(shí) 在非像素區(qū)7的部分區(qū)域形成PAD引線區(qū)8。下面結(jié)合采用5-Mask工藝的TFT基板 制造過程介紹一下PAD引線區(qū)的形成。
對(duì)于柵極掃描線PAD引線，如圖6所示首先，使用磁控';賤射方法，在玻璃
基板9上制備一層厚度在1000A至7000A的柵金屬薄膜。柵金屬材料通常使用
鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鴒合金、鉻、或銅等金屬。接著，使用柵極掩模版通過
曝光和化學(xué)腐蝕等構(gòu)圖工藝，形成柵極掃描線、柵電極等，同時(shí)在玻璃基板9的 非像素區(qū)上形成柵極掃描線PAD引線，該層引線對(duì)應(yīng)圖5和圖6中的金屬層3。然 后，利用化學(xué)汽相沉積的方法在玻璃基板9上連續(xù)淀積1000A到6000A的柵極絕
緣層薄膜io和ioooA到60ooA的非晶硅薄膜，用有源層的掩模版進(jìn)行曝光后對(duì) 非晶硅進(jìn)行刻蝕，形成像素區(qū)半導(dǎo)體有源層溝道。接下來采用和柵金屬薄膜類 似的制備方法，在玻璃基板上淀積一層厚度在ioooA到700oA金屬薄膜，通常
使用鉬、鋁、鋁鎳合金、鉬鴒合金、鉻、或銅等金屬。再通過源、漏極的掩模 版通過曝光和化學(xué)腐蝕等構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)信號(hào)線和源、漏電極。接下來用
和制備柵極絕緣層以及有源層相類似的方法，在整個(gè)玻璃基板9上沉積一層厚度 在1000A到6000A的鈍化層5，其材料通常是氮化硅。通過鈍化層的掩模版，利 用曝光和刻蝕等構(gòu)圖工藝形成像素TFT漏極過孔和本實(shí)用新型的過孔1。最后使
用磁控賊射方法形成透明電極，常用的透明電極為氧化銦錫等，厚度在iooA至
IOOOA之間。再通過掩模、光刻和化學(xué)腐蝕等構(gòu)圖工藝，形成PAD引線區(qū)的像素 電極層薄膜2。由此制造工藝可知，過孔1設(shè)置在鈍化層5和柵極絕緣層薄膜10上， 像素電極層薄膜2通過過孔1與金屬層3 (即柵極掃描線PAD引線)連接。
對(duì)于數(shù)據(jù)掃描線PAD引線，如圖7所示與所述4冊(cè);f及掃描線PAD引線的制作流 禪大體相同，不同之處在于，不形成所述柵極掃描線PAD引線，而是在形成數(shù)據(jù) 信號(hào)線和源、漏電極的同時(shí)，在玻璃基板9的非像素區(qū)上形成數(shù)據(jù)掃描線PAD引 線，該層引線對(duì)應(yīng)圖5和圖7中的金屬層3。與此制造工藝相對(duì)應(yīng)，過孔l設(shè)置在 鈍化層5上，像素電極層薄膜2通過過孔1與金屬層3 (即數(shù)據(jù)掃描線PAD引線)連 接。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案中，PAD引線區(qū)的金屬層既可以是柵極掃描線PAD引 線，也可以是數(shù)據(jù)掃描線PAD引線，還可以是為了降低傳輸電阻而采用該雙層引 線，均不影響本技術(shù)方案的實(shí)施。
本實(shí)用新型中，TFT基板的PAD引線區(qū)包括大孔結(jié)構(gòu)區(qū)和小孔結(jié)構(gòu)區(qū)，其中， 所述大孔結(jié)構(gòu)區(qū)用于與測(cè)試設(shè)備接觸。由上可知，PAD引線區(qū)中用于與測(cè)試設(shè)備 接觸的區(qū)域采用大孔結(jié)構(gòu)，其它區(qū)域采用小孔結(jié)構(gòu)。大孔結(jié)構(gòu)能夠避免工藝影 響而產(chǎn)生的測(cè)試設(shè)備PIN接觸不良，從而避免測(cè)試設(shè)備出現(xiàn)誤判，減少損失； 小孔結(jié)構(gòu)能夠使ACF與引線之間有較好的接觸。
其中，所述大孔結(jié)構(gòu)和/或小孔結(jié)構(gòu)優(yōu)選為至少一個(gè)方孔，或者為至少一個(gè) 圓孔，或者為至少一個(gè)方孔和至少一個(gè)圓孔。為了有較好的接觸效果，方孔和/ 或圓孔應(yīng)均勻布滿在PAD引線區(qū)上，且所述小孔結(jié)構(gòu)中，方孔的邊長小于5微 米，圓孔的直徑小于5微米；所述大孔結(jié)構(gòu)中，方孔的邊長大于15微米，小于 所述引線區(qū)的寬度，圓孔的直徑大于15微米，小于所述引線區(qū)的寬度。
本實(shí)用新型的TFT基板PAD引線區(qū)，根據(jù)PAD引線區(qū)的特點(diǎn)，采用了大孔 結(jié)構(gòu)和小孔結(jié)構(gòu)的結(jié)合，從而能夠?qū)崿F(xiàn)較好的測(cè)試設(shè)備PIN接觸，同時(shí)兼顧了 ACF與引線之間的接觸。
以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在 本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包 含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1、一種薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，該薄膜晶體管基板上設(shè)置有引線區(qū)，所述引線區(qū)包括大孔結(jié)構(gòu)區(qū)和小孔結(jié)構(gòu)區(qū)，其中，所述大孔結(jié)構(gòu)區(qū)用于與測(cè)試設(shè)備接觸。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引線區(qū) 的引線為柵極掃描線引線和/或數(shù)據(jù)掃描線引線。
3、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大孔結(jié) 構(gòu)和/或小孔結(jié)構(gòu)為至少一個(gè)方孔。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大孔結(jié) 構(gòu)和/或小孔結(jié)構(gòu)為至少一個(gè)圓孔。
5、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大孔結(jié) 構(gòu)和/或小孔結(jié)構(gòu)為至少一個(gè)方孔和至少一個(gè)圓孔。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述小 孔結(jié)構(gòu)的方孔的邊長小于5微米。
7、 根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大 孔結(jié)構(gòu)的方孔的邊長大于15微米，小于所述引線區(qū)的寬度。
8、 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述小 孔結(jié)構(gòu)的圓孔的直徑小于5微米。
9、 -根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述大 孔結(jié)構(gòu)的圓孔的直徑大于15微米，小于所述引線區(qū)的寬度。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種薄膜晶體管液晶顯示器的薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)，屬于薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，為解決現(xiàn)有技術(shù)中，基板的PAD引線區(qū)采用大孔結(jié)構(gòu)與各向異性導(dǎo)電薄膜接觸效果差，采用小孔結(jié)構(gòu)容易使測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生誤判的問題而設(shè)計(jì)；本實(shí)用新型在薄膜晶體管基板上設(shè)置有引線區(qū)，所述引線區(qū)包括大孔結(jié)構(gòu)區(qū)和小孔結(jié)構(gòu)區(qū)，其中，所述大孔結(jié)構(gòu)區(qū)用于與測(cè)試設(shè)備接觸。本實(shí)用新型適用于薄膜晶體管基板。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK201188422SQ20082007977
公開日2009年1月28日 申請(qǐng)日期2008年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者彭志龍 申請(qǐng)人:北京京東方光電科技有限公司