專利名稱：清潔設(shè)備和浸沒式光刻設(shè)備的制作方法
清潔設(shè)備和浸^fe刻設(shè)備
獄領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種清潔設(shè)備和浸沒式光刻設(shè)備。 背景獄
0001光刻設(shè)備是一種將所需的圖案施加于襯底上，通常是施加于襯底的
目標(biāo)部分上的機器。光刻設(shè)備例如可用于集成電路(ic)的制造。在那種情況 下，可淑也被稱為掩模或掩^l^的圖案形成裝置可用來生成在ic單個層上形成
的電路圖案。該圖案可被轉(zhuǎn)移到襯底(例如硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如包括 一部分、 一個或更多個管芯)。圖案典型地借助于成像轉(zhuǎn)移至設(shè)在襯底上的輻射 敏感材料(抗蝕劑)層上。通常，單個襯底將會包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目 標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。已知的光亥股備包括所謂的步進機和所謂的掃描器，在戶腿步
進機中，M將整個圖案同時曝光至各目標(biāo)部分上來輻射該目標(biāo)部分；在所述 掃描器中，通過輻射光束在給定的方向("掃掛'方向)上掃描圖案、同時同步 地沿平行于或者反向平行于這個方向掃描襯底來輻射各目標(biāo)部分。也可能通過 將圖案壓印在該襯底上而將圖案從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移至襯底。
0002曾經(jīng)提出將光亥啦影設(shè)備內(nèi)的襯底^A在具有相對高的折射率的液
體(例如水)中，以便填充投影系統(tǒng)的最終元件與襯底之間的空隙。該液體可 能是蒸餾水，盡管也可使用其它液體。在此描述涉及液體。然而，其它流體也
可能適合，尤其是潤濕流體(wetting fluid)、不可壓縮性流體(incompressible fluid) 禾口/或折射率比空氣高的流體，理想的是折射率比水高的流體，例如碳氫化合物， 諸如氫氟烴(hydrofluorocarbon)。因為曝光輻射在液體中將具有更短的波長， 所以這一點使得較小特征能夠成像。(該液體的作用也可被認為增加了系統(tǒng)的 有效數(shù)值 L徑(NA)，并且也增加了焦深。)己經(jīng)提出的其它浸沒液體包括具有 懸浮在其中的固體顆粒(例如石英)和折射率與其懸浮在其中的液體相同的顆 粒的水。這些顆粒可具有納米顆粒的大小。它們可以能夠增大它們懸浮在其中
7的液體的折射率的濃度^l共。
0003然而，在液體槽中^A襯底或者襯底和襯底臺(參見例如US4， 509, 852)意味著大量液體在掃描曝光期間必須要被加速。這需要額外的或更強大的 電動機，并且液體中的湍流可導(dǎo)致不期望的以及無法預(yù)測的效應(yīng)。
0004在浸沒式設(shè)備中，通過流 作系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)或設(shè)備來操縱浸沒液體。 在一個實施例中，流體操作系統(tǒng)可提供浸沒流體或液體，且因此為流體供應(yīng)系 統(tǒng)。在一個實施例中，流體操作系統(tǒng)可至少部分地限定流體，且因此為流體限 制系統(tǒng)。在一個實施例中，流體操作系統(tǒng)可對流#^{共阻擋，且因此為阻擋件， 諸如流體限制結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，流條作系統(tǒng)可形成或使用氣流，以例 如幫助控制液體的流動和/或定位。氣流可形成限制流體的密封，從而流體操作 結(jié)構(gòu)可稱為密封構(gòu)件；這種密封構(gòu)件可以是流體限制結(jié)構(gòu)。在一個實施例中， 使用浸沒液體而不是浸沒流體。在這種情況下，流體操作系統(tǒng)可為液體操作系 統(tǒng)。參考上面的描述，此段涉及關(guān)于流體限定的特征可理解為包括關(guān)于液體限 定的特征。
0005所提議的解決方案之一是，液體供應(yīng)系統(tǒng)利用液體限制系統(tǒng)僅在襯 底的局部區(qū)域上以及在投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間供給液體(襯底通常具 有比投影系統(tǒng)的最終元件更大的表ffiffi積)。被提出以進行這種布置的一種方式 在WO99/49504中被公開。如圖2和3中所示，液體ffi31至少一個入口 IN優(yōu)選 地沿襯底相對于最終元件的移動方向被提供至襯底上，并且于經(jīng)過投影系統(tǒng)下 方之后ilil至少一個出口 OUT被移去。也就是，當(dāng)襯底在-X方向上于元件下 方被掃描時，液4ffi元件的+X —側(cè)被供給并且在-X —側(cè)被吸收。圖2示意性 示出了該布置，其中液體i!31A口 IN被供給并且在元件的另外一側(cè)iM^接到 低壓源的出口OUT被吸收。在圖2中所示，液^&著襯底相對于最終元件的移 動方向被供給，盡管不必是這種情形。位于最終元件周圍的入口和出口的各種 取向和數(shù)量都是可能的；圖3示出了一個示例，其中在任一側(cè)上的四組入口加 出口在最終元件的周圍以規(guī)則的圖案來設(shè)置。
0006曾經(jīng)提出的另一個解決方案是向液體供應(yīng)系統(tǒng)衞共沿著投影系統(tǒng)的 最終元件與襯底臺之間的空間的至少一部分邊界延伸的密封構(gòu)件。這種方案在 圖4中示出。在XY平面中密封構(gòu)件相對于投影系統(tǒng)PS基本上固定，盡管在Z
8方向(光軸的方向上)有一些相對移動。密封形i^E密封構(gòu)件和襯底W的表面 之間。 密封構(gòu)件為非接觸密封，諸如氣封。這種具有氣封的系統(tǒng)在圖5中
示出，并且在EP-A-1，420,298中公開。
0007在EP-A-1420300中，公開了一對或雙臺浸沒式光刻設(shè)備的概念。 這樣的設(shè)備提供了用于支撐襯底的兩個臺。在沒有浸沒液體的情況下，利用在 第一位置的臺實施調(diào)平測量，并且在存在浸沒液體之處利用在第二位置的臺實 施曝光?？蛇x擇地，該設(shè)備僅具有一個臺。
0008浸沒式光刻機器遇到的一個問題是在浸沒式系統(tǒng)中和晶片的表面上 出現(xiàn)的污染顆粒。如果顆粒存在于投影系統(tǒng)和被曝光的襯底之間，浸沒式系統(tǒng) 中顆粒的存在可導(dǎo)致曝光過程期間出現(xiàn)缺陷。因此，期望最佳地減少存在于浸 沒式系統(tǒng)中的顆粒。

發(fā)明內(nèi)容
0009期望提供一種能夠清潔浸沒式系統(tǒng)和/或晶片表面的浸沒式光刻設(shè)
備o
ooio根據(jù)本發(fā)明的第一方面，Mi共一種用于清^m沒式光刻設(shè)備的襯底
或部件的清潔設(shè)備，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于將浸 沒流體限制在投影系統(tǒng)和襯底臺禾口/或襯底之間的流體限制系統(tǒng)，該清潔設(shè)備包
括用于提供原子團流的等離子體原子團源；用來將來自等離子體原子團源的 原子團供給將被清潔的表面的導(dǎo)管；以及用來引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局 部的原子團限制系統(tǒng)。
0011根據(jù)本發(fā)明的一方面，掛共一種浸沒式光刻設(shè)備，包括投影系統(tǒng)， 用于將圖案化的光束施加給到襯底；浸沒流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯 底和/或襯底臺之間P蹄U浸沒流體，襯底臺用于支撐襯底；以及根據(jù)本發(fā)明的第 一方面的清潔設(shè)備。該清潔設(shè)備布置為清潔流體限制結(jié)構(gòu)的局部表面。
0012根據(jù)本發(fā)明的一方面，J^共一種浸沒式光刻設(shè)備，包括投影系統(tǒng)， 用于將圖案化的光束施加給襯底；襯底臺，用于支撐襯底；浸沒流體限制結(jié)構(gòu)， 用于在投影系統(tǒng)和襯底和域襯底臺之間限制浸沒流體；以及根據(jù)本發(fā)明的第一 方面的清潔設(shè)備。該清潔設(shè)備布置為清潔襯底臺的局部表面。0013根據(jù)本發(fā)明的一方面，^f共根據(jù)本發(fā)明的第一方面的清潔設(shè)備。該
清潔設(shè)備還可包括襯底旋轉(zhuǎn)器，構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底。原子團限制 系統(tǒng)構(gòu)造為將原子團弓l導(dǎo)到襯底的周邊局部，以便通過相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯 底來清潔襯底的全部周界。
0014根據(jù)本發(fā)明的一方面，iH共一種光刻設(shè)備，包括襯底處理器，構(gòu)
造為在曝光期間在用來支撐襯底的襯底臺上定位襯底，該襯底處理器構(gòu)造為在
襯底臺上定位襯底之前旋轉(zhuǎn)襯底；以及襯底清潔器，構(gòu)造為隨著襯底旋轉(zhuǎn)來清
潔襯底局部表面，等離子Wf潔器包括用于提供原子團流的等離子體原子團
源、用于將來自等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面的導(dǎo)管和用于 引導(dǎo)原子團以清潔戶，局部的原子團限制系統(tǒng)。
0015根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種清潔設(shè)備，用于清潔浸沒式光刻設(shè) 備的表面，該浸沒式光亥股備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和 襯底臺和/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制系統(tǒng)。該清潔設(shè)備可包括主體， 該主體由電絕緣材料形成，且構(gòu)造為由浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺支撐而代替襯 底。清潔設(shè)備也可包括至少一個導(dǎo)電區(qū)域，形成得使得當(dāng)主體支撐在襯底臺上 時，ffiitt體的至少一部分與主體的面向流體限制結(jié)構(gòu)的表面電絕緣。
0016根據(jù)本發(fā)明的一方面，樹共一種浸沒式光刻設(shè)備，包括用于將圖
案化的光束施加給襯底的投影系統(tǒng)、構(gòu)造為支撐襯底的襯底臺以及用于在投影 系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間限制浸沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)。該設(shè)備還包括電壓
源，構(gòu)造為在浸沒流體限制系統(tǒng)禾牲體上的至少一個導(dǎo)電區(qū)域之間提供電壓； 或者當(dāng)其支撐在襯底臺上時，在如上段所述的清潔設(shè)備的主體上的彼此電絕緣 的兩個導(dǎo)電區(qū)^間Jli共電壓。
0017根據(jù)本發(fā)明的一方面，^f共一種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或 部件的方法，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng) 和襯底臺禾口/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制系統(tǒng)。該方法可包 舒擁等離 子體原子團源提供原子團流，利用導(dǎo)管將來自等離子體原子團源的原子團提供 至將被清潔的表面，以及利用原子團限制系統(tǒng)引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局 部。
0018根據(jù)本發(fā)明的一方面，J^共一種用于清^il沒式光刻設(shè)備的表面的方法，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底 臺禾口域襯底之間限定浸沒流體的流體限制系統(tǒng)。該方法可包括在襯底臺上支撐 清潔設(shè)備。該清潔設(shè)備可包括構(gòu)造為由浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺支撐而代替襯 底的主體，以及構(gòu)造為在接近等離子體原子團產(chǎn)生器的區(qū)域內(nèi)的氣體范圍內(nèi)產(chǎn) 生原子團的等離子體原子團產(chǎn)生器。該方法還包括禾擁流體限制結(jié)構(gòu)在流體限 制結(jié)構(gòu)和襯底臺之間提供氣流。由流體限制結(jié)構(gòu)提供的氣流可通過接近等離子 體原子團產(chǎn)生器的所述區(qū)域，以便^i共原子團供給。


現(xiàn)在將僅僅通過示例的方式參考附圖描述本發(fā)明的實施例，附圖中相應(yīng)的 參考iH己表示相應(yīng)的部件，其中
-圖l示出了根據(jù)本發(fā)明的光亥殿備；
-圖2和3示出了用于光刻投影設(shè)備的液體供應(yīng)系統(tǒng)的實施例； -圖4示出了用于光刻投影設(shè)備的液體供應(yīng)系統(tǒng)的實施例； -圖5示出了液體供應(yīng)系統(tǒng)的實施例； -圖6示出了液體供應(yīng)系統(tǒng)的實施例的特征；
-圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的浸沒式光刻設(shè)備的一部分和清潔設(shè)備實施例； -圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的浸沒式光刻設(shè)備的一部分和清潔設(shè)備的實施
例；
-圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的浸沒式光刻設(shè)備的一部分和清潔設(shè)備的實施
例；
-圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的浸沒式光刻設(shè)備的一部分和清潔設(shè)備的實施
例；
-圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的襯底的一部分和清潔設(shè)備的實施例； -圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的襯底的一部分禾嶋潔設(shè)備的實施例； -圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的襯底的一部分和清潔設(shè)備的實施例； -圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的浸沒式光刻設(shè)備的一部分和清潔設(shè)備的實施
-圖15示出了根據(jù)本發(fā)明的原子團源的實施例；-圖16示出了根據(jù)本發(fā)明的清潔設(shè)備的實施例；以及 -圖17示出了根據(jù)本發(fā)明的清潔設(shè)備的實施例。
具體實施例方式
0020圖1示意性地示出了適于本發(fā)明使用的光刻設(shè)備的實施例。該設(shè)備 包括
- 照射系統(tǒng)(照射器)IL，構(gòu)造為調(diào)節(jié)輻射光束B (例如UV輻射或 者DUV輻射)。
- 支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，構(gòu)造為支撐圖案形成裝置(例如掩模) MA且連接至瞎一定位器PM，該第一定位器PM構(gòu)造為根l^寺定參數(shù)精確定位 該圖案形成裝置MA;
- 襯底臺(例如晶片臺)WT，構(gòu)造為保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的 晶片)W且連接至第二定位器PW，該第二定位器PW構(gòu)造為根據(jù)待定參數(shù)精 確定位襯底W;以及
- 投影系統(tǒng)(例如折射式投影纖系統(tǒng))PS，構(gòu)造為將艦圖案形成 裝置MA施加至幅射光束B的圖案投影至襯底W的目標(biāo)部分C(例如包含一個 或多個管芯)上。
0021照射系統(tǒng)IL可包括各種類型的光學(xué)部件，諸如折射的、反射的、 磁性的、電磁的、靜電的或者其它類型的光學(xué)部件，或者它們的組合，用來引 導(dǎo)、成形或者控制輻射。
0022支撐結(jié)構(gòu)MT支撐圖案形成^g MA，即，圖案形成^g MA的 重量。其以一定方式保持圖案形成^gMA，這種方式取決于圖案形成^SMA 的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計以及其它割牛，諸如圖案形成驢MA是否保持在真 空環(huán)境。支撐結(jié)構(gòu)MT可4頓機械的、真空的、靜電的麟它夾持技術(shù)來保持 圖案形成裝置MA。支撐結(jié)構(gòu)MT可以是框架或者臺，其可根據(jù)需要為例如固 定的或移動的。支撐結(jié)構(gòu)MT可確保圖案形成裝置MA例如關(guān)于投影系統(tǒng)PS 處于所需的位置。在it休語"掩tl^"或者'掩模'的招剛頓可被視為與更上位的 術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
0023在此所用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該廣義地解釋為涉及能夠用來將 圖案在輻射光束的橫截面上賦予輻射光束，以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何設(shè)備。應(yīng)當(dāng)注意，例如如果圖案包括相移特征或者所謂的輔助特征，則 施加給輻射光束的圖案可能并不完全對應(yīng)于襯底的目標(biāo)部分上所需的圖案。通 常，施加給輻射光束的圖案將會對應(yīng)于諸如集成電路的形成在目標(biāo)部分中的器 件中的特定功能層。
0024圖案形成，可以，才的或反射的。圖案形成，的例子包括掩 模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模在光刻領(lǐng)域中是公知的，其包 手舌諸如二元型、交變相移型和衰旨目移型的掩模類型以及各種混合式掩模類型。 可編程反射鏡陣列的一個例子采用小反射鏡的矩陣排列，每個反射鏡可單獨傾 斜以便沿不同的方向反射所入射的輻射光束。被傾斜的反射鏡將圖案賦予被反 射徽巨陣反射的輻射光束。
0025在此使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)'應(yīng)該廣義地解釋為包含任何類型的投影 系統(tǒng)，包括折射的、反射的、反射折射的、磁性的、電磁的和靜電的光學(xué)系統(tǒng)， 或者其任意組合，根據(jù)所使用的曝光輻射或者根據(jù)其它因素，諸如使用浸沒液 體或使用真空的情況來確定。在此術(shù)語"投影透鏡"的任何使用可被認為與更上 位的術(shù)語"投影系統(tǒng)'同義。
0026如在此所述，該設(shè)備是透射型的(例如采用透射式掩模)。可選擇 地，該設(shè)備可以是反射型的(例如采用上述類型的可編程反射鏡陣列，或者采 用反射式掩模)。
0027光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或多個襯底臺(和/或兩個或多個 掩模臺)的類型。在這種"多臺"式機器中，附加的臺子可并行使用，或者可在 一個或多個臺子上實施預(yù)備步驟同時一個或多個其它臺子用來曝光。
0028參考圖1，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源SO 和光刻設(shè)備可以是分離的實體，例如當(dāng)輻射源SO是準(zhǔn)^f激光器時。在這種情 況下，輻身t源SO不應(yīng)被認為構(gòu)成了光刻設(shè)備的一部分，而輻射光束借助于光束 傳遞系統(tǒng)BD從輻射源SO傳遞到照射器IL，該光束傳遞系統(tǒng)BD例如包括適 當(dāng)?shù)囊龑?dǎo)反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻lt源SO可以是光刻設(shè)備的組 成部分，例如當(dāng)輻射、源SO是汞燈時。輻射源SO和照射器EL與光束傳遞系統(tǒng) BD (如果需要) 一起，可被稱為輻射系統(tǒng)。
0029照射器IL可包括調(diào)1 f高射光束的角強度分布的調(diào)節(jié)器AD。通常，
13至少可調(diào)節(jié)照射器IL的光瞳面上的強度分布的外部和域內(nèi)部徑向范圍(一般分
別稱為ci-外部和a-內(nèi)部)。另外，照射器IL可包括各種其它部件，諸如積分器 IN和聚光器CO。照射器EL可用來調(diào)節(jié)輻射光束，使得在其截面上具有所需的
均勻度和強度分布。
0030輻射光束B入射至保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺MT)上的圖案形 成裝置(例如掩模MA)，且被圖案形成驢MA圖案化。穿過掩模MA后，輻 射光束B ffiil投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)PS將光束聚焦至襯底W的目標(biāo)部分C 上。借助于第二定位器PW和位置傳感器IF (例如干涉儀器件、線性編碼器或 者電容傳感器)，襯底臺WT可精確移動，例如使得將不同的目標(biāo)部分C定位在 輻射光束B的路徑中。對站也，例如在從掩模庫機械獲取之后，或者在掃描期 間，第一定位器PM和另外的^g傳感器(圖1中未明確示出)可用來相對于 輻射光束B的路徑精確定位掩模MA。通常，借助于構(gòu)成第一定位器PM的一 部分的長^f呈模塊(粗略定位)和短行程?！姥?精確定位)，可實現(xiàn)掩模臺MT 的移動。類柳也，利用構(gòu)麟二定位器PW的一部分的長衍對對央和短行程模 塊可實現(xiàn)襯底臺WT的移動。在采用^S機(與掃描器相反)的情況下，掩模 臺MT可僅連接至短行程致動器，或可被固定住。掩模MA和襯底W可利用掩 豐彭寸準(zhǔn)^H己M1、 M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、 P2M準(zhǔn)。盡管所示的襯底對準(zhǔn)標(biāo) 記占據(jù)了專用的目標(biāo)部分，但是它們可以位于目標(biāo)部分(其被認為是劃線 (scribe-lane)對齊t射己)之間的間隔。類似地，在掩模MA上設(shè)有多于一個管 芯的情況下，掩tM準(zhǔn)標(biāo)記可定位于這些管芯之間。
0031所示的設(shè)備可用于以下模式的至少一個中
1. 在iKS模式下，掩模臺MT和襯底臺WT基本上f^f^止，同時被賦予 輻射光束B的整個圖案被一次投影至目標(biāo)部分C上(即單一靜態(tài)曝光)。然后 沿X和/或Y方向移動襯底臺WT，以便不同的目標(biāo)部分C可被曝光。在^ft模 式下，曝光場的最大尺寸限制了在單一靜態(tài)曝光時所成像的目標(biāo)部分C的大小。
2. 在掃描模式下，同步掃描掩模臺MT和襯底臺WT，同時被賦予輻射光 束B的圖案投影至目標(biāo)部分C上(即單一動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模 臺MT的鞭和方向可艦投影系統(tǒng)PS的放大(縮小)率和圖像反^f寺性而確 定。在掃描模式下，曝光場的最大尺寸限制了在單一動態(tài)曝光時目標(biāo)部分C的
14寬度(沿非掃描方向)，而掃描運動的長度確定目標(biāo)部分c的高度(沿掃描方向)。 3.在另一模式下，將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺MT基本上保 ,止，而襯底臺WT被移動或掃描，同時將被賦予輻射光束B的圖案投影至 目標(biāo)部分C上。在這個模式下，通常采用脈沖輻射、源，并且在襯底臺WT的每 次移動之后，或者在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新可編程圖案 形成裝置。這個模式的操作可容易地應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置的無掩模 光刻，該可編程圖案形成裝置諸如戰(zhàn)類型的可編程反射鏡陣列。
0032也可采用，JOT模式的組合和/或變體，或者采用完全不同的4OT ,模式。
0033圖4中示出了具有局部液體供應(yīng)系統(tǒng)的浸沒式光亥懈決方案。液體 艦投影系統(tǒng)PS任一側(cè)上的兩個凹槽入口 IN來供給，且通過在入口 IN沿徑向 向外布置的多個離散的出口 OUT被移出。入口 IN和出口 OUT可被布置在板上， 所述的板具有位于其中心的孔并且通過該 L投影輻射光束。液體通過投影系統(tǒng) PS的一側(cè)上的一個凹槽入口 IN被供給，_§3131投影系統(tǒng)？8的另一側(cè)上的多個 離散的出口 OUT被移出，導(dǎo)致投影系統(tǒng)PS和襯底W之間的液體薄膜的流動。 選擇使用哪一對入口 IN和出口 OUT組合可能取決于襯底W的移動方向(另外 的入口 IN和出口 OUT組合不起作用)。
0034曾經(jīng)提出的具有局部液體供應(yīng)系統(tǒng)的另一個浸沒式光亥懈決方案是 為液體供應(yīng)系統(tǒng)提供沿投影系統(tǒng)的最終元件和襯底臺之間的空間的邊界的至少 一部分延伸的密封構(gòu)件。這種解決方案在圖5中示出。密封構(gòu)件在XY平面上 相對于投影系統(tǒng)PS基本上固定，盡管在Z方向上(在光軸方向上)可能存在有 一定的相對移動。在密封構(gòu)件和襯底W的表面之間構(gòu)成了密封。
0035參考圖5，密封構(gòu)件12相對于襯底W圍繞投影系統(tǒng)PS的像場構(gòu) 成了非接觸密封，以致于液體被限制為充滿投影系統(tǒng)PS的最終元件和襯底表面 之間的Cr液器或浸沒空間11。 C液器11由位于投影系統(tǒng)PS的最終元件下面且 圍繞該元件的密封構(gòu)件12構(gòu)成。液體被引入投影系統(tǒng)PS下方以及密封構(gòu)件12 內(nèi)的空間11。密封構(gòu)件12可在投影系統(tǒng)PS的最終元件上方少許延伸并且液體 上升至嘬終元件上方以便衝共液體緩沖。密封構(gòu)件12具有內(nèi)周，在一個實施例 中該內(nèi)周在上端與投影系統(tǒng)PS或其最終元件的形狀緊密相符并且可能例如是圓的。在底部，內(nèi)周與像場的形狀緊密相符，例如為矩形，盡管不必是這種情 形。
0036液體通過在密封構(gòu)件12的底部和襯底W的表面之間的氣封16限 于貝。液器11內(nèi)。氣封16由在壓力下MiiA口 15 ili乓至密封構(gòu)件12和襯底W 之間的間隙并且i!31第一出口 14被提取的氣體形成，該氣體例如空氣或合成空 氣，在一些實施例中為N2或者其它惰性氣體。氣體入口 15上的艦力、第一 出口 14上的真空水平和所述間隙的幾何皿被布置以使存在有限制液體的向內(nèi) 的高速氣流。這種系統(tǒng)在美國專利申請公開文獻No.US 2004-0207824中公開。
0037其它解決方案也有可能，且本發(fā)明的一個或更多個實施例同樣自 于這些解決方案。例如，代替氣封16，可能具有僅提取液體的單相提取器。這 種單相提取器沿徑向向外可以具有一個或更多個特征來產(chǎn)生氣流以有助于在空 間ll中包含液體。 一個這種類型的特征可能是所謂的氣刀，其中薄的氣體噴射 被向下弓l導(dǎo)至襯底W上。在襯底W在投影系統(tǒng)PS和液體供應(yīng)系統(tǒng)之下的掃描 動作期間，可產(chǎn)生流體靜力和流體動力，這導(dǎo)致液體上具有向下壓向襯底W的 壓力。
0038利用局部區(qū) 體供應(yīng)系統(tǒng)，襯底W在投影系統(tǒng)PS和液體供應(yīng)系 統(tǒng)下面移動。臺的相對移動可使得襯底W的^M像或者襯底臺WT上的傳 感器為了傳感的目的或者為了襯底交換而被成像。襯底交換是在不同襯底曝光 之間從襯底臺WT的移動和替換襯底W。在襯底交換期間，期望液體保持在流 體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)。SM31相對于襯底臺WT移動流體限制結(jié)構(gòu)12或者反之亦 然而實現(xiàn)，以使流體限制結(jié)構(gòu)12被遠離襯底W而設(shè)置在襯底臺WT的表面上。 這個表面，蔽件。浸沒液體可ilii^作氣封16或^ffi31將遮蔽件的表面夾緊 至流體限制結(jié)構(gòu)12的下表MM保留在流體限制結(jié)構(gòu)12內(nèi)。該夾緊可通i^空制 ^f共至流體限制結(jié)構(gòu)12的下表面的流體的流量和/或壓力而實現(xiàn)。例如，可控制 由入口 15掛共的氣體的壓力禾口/或/Am—出口 14施加的負壓力。
0039流體限制結(jié)構(gòu)12所在的襯底臺WT的表面可以是襯底臺WT的組 成部分或者可以是襯底臺WT的可分離部件和/或可替換部件。這種可分離部件 可被稱為關(guān)閉盤或者偽襯底?？煞蛛x部件或可分割部件可以是獨立的臺。在雙 臺或多臺布置中，M襯底臺WT在襯底交換期間被替換。在這種布置中，可分離部件可在襯底臺之間傳遞。遮蔽件可以是中間臺，其可在襯底交換之前在 襯底臺WT附近移動。在襯底交換期間，流體限制結(jié)構(gòu)12然后可移動至中間臺 上，或者反之亦然。遮蔽件可以是襯底臺WT的可移動部件，諸如可收縮橋狀 物，其在襯底交換期間可位于這些臺之間。在襯底交換期間，遮蔽件的表面可 在流體限制結(jié)構(gòu)12下移動，或者反之亦然。
0040在襯底交換期間，襯底W的邊緣將會在空間ll下Mil，且液體可 泄露至襯底W和襯底臺WT之間的間隙中。該液體可在流體靜壓或流體動壓或 者氣刀或其它氣流產(chǎn)生裝置的壓力下被施壓。排水管可圍繞襯底W的邊緣設(shè)置， 諸如在該間隙內(nèi)。排水管可定位于襯底臺WT上的其它物體周圍。這種物體可 包括，但并不局限于一個或更多個傳感器和域遮蔽件，該遮蔽件用來例如在襯 底交換期間通過附在液體供應(yīng)系統(tǒng)的底部而將液體保持在限液系統(tǒng)內(nèi)。因此， 襯底W的任何弓間均應(yīng)被認為與任何這種其它物體同義，包括傳繊或遮蔽件， 諸如關(guān)閉板。
0041圖6a和6b示出了可用于浸沒式系統(tǒng)中以除去浸沒罩IH和襯底W 之間的液體的除液體20，圖6b是圖6a的一部分的放大圖。除液體20包括 室，該室保持在微弱的負壓力Pc下，且±真充有浸沒液體。該室的下表面由具有 多個小孔的多孔件21構(gòu)成，孑L的直徑d孔例如在5至50,的范圍內(nèi)，且該下表 面保持距液體被除去的表面，例如襯底W的表面上的高度h鵬小于lmm，期望 在50至300pm的范圍內(nèi)。多孑L件21可以是穿孔板或任何其它適合的構(gòu)造為允 許液體Sil的結(jié)構(gòu)。在一個實施例中，多孑L件21至少是略微親水的，即對例如 水的浸沒液體的接觸角小于90°。
0042這種除液裝置可結(jié)合于浸沒罩IH的多種類型的密封構(gòu)件12中。圖 6c中示出了在2004年8月19日申請的USSN 10/921,348中公開的一個例子。 圖6c是密封構(gòu)件12的一側(cè)的橫截面圖，該密封構(gòu)件12形成為至少部分圍繞投 影系統(tǒng)PS (圖6c中未示出)的曝光場的環(huán)(如在此所用的，環(huán)可以是圓形的、 矩形的或任何其它皿，并且可以皿續(xù)的或不連續(xù)的)。在這個實施例中，除 液裝置i!3i密封構(gòu)件12的下側(cè)的最內(nèi)邊緣附近的環(huán)形室31形成。室31的下表 面通過多孔件21形成，諸如上述的多孑L件。環(huán)形室31連接至一個或多個適合 的泵，以從室31除去液體并且保持期望的負壓力。4頓中，室31充滿液體，但是這里為了清楚起見示出為空的。
0043環(huán)形室31的外面可以是氣,取環(huán)32和供氣環(huán)33。供氣環(huán)33在 其下部可具有窄縫，且在一定壓力下供有氣體，例如空氣、A3t空氣或者沖洗 氣體，以便從該窄縫逸出的氣體形成氣刀34。形成氣刀34的氣體被連接至氣體 提取環(huán)32的適合的真空泵提取，以便形成的氣流在內(nèi)部(inwardly)驅(qū)動所有 剩余液體，其中該液體可i!31除液，和/或真空泵除去，除液裝置和域真空泵 應(yīng)該能夠容許浸沒液體的水蒸氣和域小的液滴。然而，由于大部分液體波除液 裝置除去，因此經(jīng)由真空系統(tǒng)除去的小量液體并不弓l起可能導(dǎo)致振動的不穩(wěn)定 流動。
0044盡管室31、氣體提取環(huán)32、供氣環(huán)33和其它環(huán)在此被描述為環(huán)， 但是并不需要這些環(huán)圍繞曝光場或者是完整的。這些環(huán)可以是連續(xù)的或者不連 續(xù)的。在一個實施例中，這種(這些)入口和出口可簡單地為任何環(huán)形，諸如 圓形的、矩形的或其它類型的部分地沿著曝光場的一側(cè)或更多側(cè)延伸的元件， 例如在圖2、 3和4中所示。
0045在圖6c中所示的設(shè)備中，形成氣刀34的大部^體經(jīng)由氣體提取 環(huán)32提取，但是一^n體可流入圍繞浸沒罩的環(huán)境中，并且潛在地干擾干涉儀 位置測量系統(tǒng)IF。這可m氣刀外面的另外的氣體提取環(huán)(未示出)的設(shè)置而
0046關(guān)于單相提取器可用于浸沒罩或者流體限制系統(tǒng)或液體供應(yīng)系統(tǒng)的 另外的實施例可例如在EP1,628，163和USSN60/643626中找到。在大多數(shù)應(yīng)用 中，多孑L件將會在液體供應(yīng)系統(tǒng)的下側(cè)上，襯底W在投影系統(tǒng)PS下能夠移動 的最大速度至少部分由M多 L件21的液體的去除效率決定。
0047單相提取器也可用于兩相模式，其中液體和氣體均被提取(比方說 50%氣體，50%液體)。術(shù)語單相提取器在此并不意欲僅解釋為提取一種狀態(tài)的 提取器，而更常規(guī)地解釋為結(jié)合多 L件的提取器，艦該多 L件氣體和/或液體 被提取。在一實施例中可沒有氣刀(即供氣環(huán)33)。
0048上述的單相提取器可用于液體供應(yīng)系統(tǒng)中，該液體供應(yīng)系統(tǒng)僅將液 體供應(yīng)至襯底的上表面的局部區(qū)域。此外，這種提取器也可用于其它類型的浸 沒設(shè)備。同樣提取器可用于除了水之外的浸沒液體。提取器也可用于所謂的"可
18滲漏密封(leaky seal)"液體供應(yīng)系統(tǒng)。在這種液體供應(yīng)系統(tǒng)中，液體被Jif共至投影系統(tǒng)的最終元件和襯底之間的空間。該液體可從該空間沿徑向向外滲漏。例如，根據(jù)具體情況可使用浸沒罩或流體限制系統(tǒng)或液體供應(yīng)系統(tǒng)，其在其本身和襯底或襯底臺的上表面之間不形成密封。浸沒液體僅可沿襯底徑向向外回收在"可滲漏密封"設(shè)備內(nèi)。相對于單相提取器所作出的注釋例如可用于其它類型的提取器，例如沒有多 L件的提取器。這種提取器可用作兩相提取器，用來提取液體和氣體二者。
0049本發(fā)明將會相對于具有浸沒式系統(tǒng)的光刻設(shè)備來描述，該浸沒式系統(tǒng)具有液體操作系統(tǒng)和排水管，如上述附圖中所述。然而，顯然本發(fā)明可應(yīng)用于任何種類的浸沒設(shè)備。尤其本發(fā)明適用于任何浸沒式光刻設(shè)備，其中問題是，最大限度地減小且期望最小化缺陷。在說明書前面段落描述的系統(tǒng)和部件是如此示例的系統(tǒng)和部件。本發(fā)明可應(yīng)用于浸沒式系統(tǒng)的其它特征，其包括但并不局限于在線和離線執(zhí)行的清潔系統(tǒng)和清潔工具；供水和回收水的系統(tǒng)，諸如超純水供應(yīng)系統(tǒng)；以及供氣和P余氣系統(tǒng)(例如真空泵)。本發(fā)明尤其適用于任何浸沒式光刻設(shè)備，其中問題是期望減小且因而最小化缺陷。
0050本發(fā)明將會在下面相對于最適宜提供浸沒液體的浸沒式系統(tǒng)來描述。然而，本發(fā)明同樣地適用于利用浸沒式系統(tǒng)，該浸沒式系統(tǒng)4頓流體供應(yīng)系統(tǒng)供應(yīng)流體而非液體作為浸沒介質(zhì)。
0051在浸沒式光刻系統(tǒng)中，污染物尤其有機污染物會增加。這影響襯底上形成的圖案中的缺陷的數(shù)量。浸沒式光刻系統(tǒng)的功能性，諸如單相提取器的彎液面穩(wěn)定性(meniscus stability)可受累積污染物的影響。披露了許多不同方法來清潔浸沒式系統(tǒng)以用最短的停機時間除去污染物。這些技術(shù)中的一些要求清潔具有多個可導(dǎo)致?lián)p壞浸沒式系統(tǒng)的缺陷的化學(xué)制品、工具設(shè)計、安全性、清潔時間(例如為了沖洗)。
0052使用由等離子體原子團源產(chǎn)生的原子團流來清潔可最対呈度地去除所清潔的表面上的有機材料，即使實質(zhì)上不是全部。這種清潔可稱為等離子體清潔或者大氣等離子體清潔。然而，該清潔并非選擇性的。此外，浸沒式系統(tǒng)具有許多靈敏部件。4OT等離子體技術(shù)尤其是在線地清潔例如安裝在光刻設(shè)備內(nèi)的浸沒式系統(tǒng)，以便能夠進行清潔而不用移除一個或更多個部件，由于所有潛在的損壞危險，先前已經(jīng)被認為是不利的。
0053在本發(fā)明中大氣等離子體技術(shù)可用來清潔被污染了的表面。出乎意料地，如果謹慎ifeii擇^f牛，例如利用至少一種損壞限第頓糧(dam昭e limitationmeasure),則會發(fā)現(xiàn)大氣等離子#^潔可被成功用于復(fù)雜的浸沒式光刻環(huán)境。
0054等離子體可產(chǎn)生激活原子團(activatedspecies),其可在被引導(dǎo)被朝向污染表面引導(dǎo)的氣流內(nèi)被弓1導(dǎo)。激活原子團是在短程上呈活性的短活性原子團。等離子體可用來在等離子體區(qū)產(chǎn)生原子團。氣流可通過等離子體區(qū)提供以產(chǎn)生可用于清潔的原子團。通過激活原子團流過將被清潔的表面，可容易地清潔三維表面。適于清潔的表面包括浸沒式系統(tǒng)，該浸沒式系統(tǒng)之前的襯底邊緣位于襯底臺上。沖洗并非必需的，因為除了等離子體中產(chǎn)生的物種之外并未使用化學(xué)物品。
0055為了避免或減少損壞，根據(jù)本發(fā)明能夠使用若干策略。這些包括根據(jù)期望被清潔的表面適當(dāng)?shù)剡x取還原性等離子體(reductive plasma)或,化性等離子體，注意到還原性等離子體(即不同于氧化性等離子體)產(chǎn)生可不損壞金屬或蝕刻玻璃的原子團；消除對原子團敏感的表面；通過利用防護的氣流和/或,物理隔離來防止原子團到達敏感表面以防止原子團itA—些表面；利用無線電頻率產(chǎn)生的等離子體，其可導(dǎo)致氣流溫度低于產(chǎn)生等離子體的其它形式的溫度；或者提供氣流，且離子己經(jīng)從該氣流中除去和/或僅提供原子團流。在一個例子中，在低于60攝氏度的驢下至一表面上的氣流可每倂中除去腦至200nm的污染物。此外，溫度效應(yīng)可S3l利用在一表面上的短的接觸時間或者脈沖調(diào)制等離子體原子團MM被減弱。
0056清^激術(shù)可以是簡單且快速的方法，其主要使得f辦除去有機污染物，包括從敏感表面。該方法可用來除去類似于抗蝕劑的污染物或其它類型的可齡隹以除去的污,(例如部分碳化的污鄉(xiāng))。
0057清潔g可^ffl惰性氣體中由氧(氧化性等離子體)或者氫(還原性等離子體)產(chǎn)生的原子團。惰性氣體可例如是氮氣或諸如氖、氬、氙或氦的稀有氣體。惰性氣體可與活性氣體混合。活性氣體可以是氫氣或氧氣。在氧化新等離子體的實施例中，惰性氣體可與空氣混合，或者可以是空氣。
0058為了產(chǎn)生原子團，包括惰性氣體和活性氣體的組合的氣體可M31等離子體產(chǎn)生區(qū)，在該等離子體產(chǎn)生區(qū)內(nèi)原子團可由活性氣體形成。等離子體產(chǎn)生區(qū)可以是等離子體原子團源的一部分。將會意識到向等離子體產(chǎn)生區(qū)提供氣流的氣體源可與等離子體產(chǎn)生區(qū)具有一些距離。
0059等離子體產(chǎn)生區(qū)可包括位于氣流內(nèi)的高^^件。為了形成原子團，這種高^^i件的溫度應(yīng)該足夠?qū)е聼岱纸狻榱颂峁┯糜谇鍧嵉难踉訄F，這種布置尤其可利用空氣流或凈化空氣流。
0060在可選擇的布置中，等離子體產(chǎn)生區(qū)可包括在氣 提供的氣流內(nèi)產(chǎn)生等離子體區(qū)的RF線圈、 一對AC或DC放電電極和微波或RF腔中至少之一。原子團可在等離子體區(qū)內(nèi)形成。在這種布置中，話性氣體的濃度可以很低，例如可以在由氣 提供的氣體的大約0.5%和大約2%之間。在特定布置中，有源氣體可以是由氣^M提供的氣體的大約1%。
0061在特定布置中，導(dǎo)管將來自等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面。等離子體原子團源和導(dǎo)管可構(gòu)造得使基本上沒有離子從導(dǎo)管提供給將被清潔的表面。尤其，這可S31確保導(dǎo)管足夠長以至于等離子體產(chǎn)生區(qū)內(nèi)形成的大部分甚至全部離子與導(dǎo)管的表面碰撞或者與其它等離子體和/或氣體原子團(gas species)碰撞且因而被除去而實現(xiàn)。這種布置可以是合乎需要的，因為離子可導(dǎo)致對將被清潔的表面的損傷。清潔設(shè)備可布置為向?qū)⒈磺鍧嵉谋砻嫣峁┰訄F流而在該原子團流內(nèi)并不包括大量離子。
0062在特定布置中，等離子體產(chǎn)生區(qū)可設(shè)置在距離將被清潔的表面大約lmm至大約30mm之間的位置。導(dǎo)管的出口可M將被清潔的表面，例如僅相距O.lmm。然而，較大的距離可有助于清潔工序，例如，如果將被清潔的表面具有3D形狀且導(dǎo)管出口在該表面上被掃描?？蛇x取該布置以^i共足夠長度的導(dǎo)管用于從原子團流中除去離子或者減少至期望的7jC平。同時，該流內(nèi)的原子團的數(shù)目可能并未減少至低于清潔不再足夠有效的7jC平。等離子體原子團源與將被清潔的表面之間所期望的距離可取決于導(dǎo)管的設(shè)計，例如導(dǎo)管出口的設(shè)計。
0063應(yīng)該注意，在敏感表面將被清潔的地方，諸如粘附物，以及包括有機或金屬氧化物的涂層，還原性等離子體比氧化性等離子體更優(yōu)選。還原性等離子體并不導(dǎo)致氧化損傷。適合的還原性等離子體包括氫。
0064當(dāng)將氣流施加給將被清潔的表面時，氣流的纟鵬可在50-100。C之間。如果利用RF源來產(chǎn)生等離子體，貝膙加給該表面的氣流例如可大約為60°C。
如果利用熱源來產(chǎn)生等離子體，則施加纟M表面的氣流的溫度可大約為100°C。0065因此，RF源的j柳是有利的，因為施加給將被清潔的表面的氣流的溫度可能較低，從而減少了該表面上的熱量。這可能是有利的，因為浸沒式光刻設(shè)備范圍內(nèi)的敏感表面上的熱負荷可導(dǎo)致?lián)p傷。可選擇地或者另外， 一旦清潔工序完成，在光刻工序能夠恢復(fù)之前，如果任何部件有顯著發(fā)熱，貝陏必要等待直到這些部件已經(jīng)冷卻再進行。因此，光亥股備內(nèi)的部件發(fā)熱可導(dǎo)致曝光處理時間的額外損失，該曝光處理時間將超過執(zhí)行清潔工序所需的時間。
0066應(yīng)該意識到如果利用熱源來產(chǎn)生等離子體，則^f共給將被清潔的表面的氣流的驢可高于利用RF源。然而，在這種情況下相比于利用RF源，氣流可包括更大量的原子團。因此，須將氣流^f共給一表面以除去所需量的污染物的時間可比利用RF源進行的原子團清潔工序?qū)枰臅r間短。因此，通過以較短的時間提供較高溫度的氣流，在清潔工序期間施加給表面的總的熱負荷可相同或者更少。
0067無論用來產(chǎn)，于清潔的原子團流的手段如何，將會意識到氣流施加至將被清潔的表面的時間會減至最少。因此，將被清潔的表面可能并不顯著變暖。對于每單位區(qū)域具有短的有效接觸時間，熱負荷可能最少，進而將可能對該表面造成的可能的損傷MM最少。
0068圖15示意性地示出了一原子團源，其可用作本發(fā)明的清潔設(shè)備的一部分。如圖所示，氣鄉(xiāng)畫劍共氣流，該氣^131可形成原子團的等離子體產(chǎn)生區(qū)101且被導(dǎo)管102弓l導(dǎo)至將被清潔的表面103。如上戶做，等離子體產(chǎn)生區(qū)101可包括位于氣流范圍內(nèi)的高溫元件、RF線圈、 一對AC或DC放電電極和微波或RF腔中的至少一個。
0069因為原子團的壽命很短，所以活性氣體僅在限定空間內(nèi)是活性的。因此，導(dǎo)管出口可位于距離所述將被清潔的表面約lmm至約30mm之間的位置。更期望該表面與該導(dǎo)管出口之間的距離可在約10mm至20mm的范圍內(nèi)。
0070根據(jù)本發(fā)明的清潔設(shè)備尤其可以是戶;n胃的大氣等離子，潔器。其
也可被稱為等離子體清潔器。在這種布置中，來自等離子Wf潔器的包括用于清潔工序的原子團的氣流輸出至基本上在大氣壓下的空間內(nèi)。因此，該空間尤
22其無需抽真空。因此，清潔設(shè)備可有利地利用最短的準(zhǔn)備時間，因為例如在清潔工序能夠開始之前無需對空間抽真空。將會意識到將氣流^f共給等離子^^凊潔器的氣體供應(yīng)應(yīng)該在比等離子體清潔器在其中運作的空間的壓力更高的壓力下提供氣體。
0071本發(fā)明可以是配置用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或部件的清潔設(shè)備。浸沒式光刻設(shè)備可包括襯底臺和流體限制系統(tǒng)。襯底臺可支撐襯底。流體限制系統(tǒng)可在投影系統(tǒng)與襯底臺、襯底或者兩者之間限定浸沒流體。清潔設(shè)備
可包括等離子體原子團源、導(dǎo)管和原子團限制系統(tǒng)。等離子體原子團源提{共原子團流。等離子體原子團源可構(gòu)造為提供還原原子團或者氧化原子團的源。等離子體原子團源可構(gòu)造為從原子團流中除去離子。期望地，原子團是ffi3l原子團流提供的僅有的活性成分。導(dǎo)管構(gòu)造為將來自等離子體原子團源的原子團提供給將被清潔的表面。原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局部。
0072由于原子團被引導(dǎo)至U將被清潔的表面的局部，因此原子團以短的持續(xù)時間被引導(dǎo)到單個部分。這使得能夠清潔表面的不同部分。因此這些部分可改變以便基本上整 面均能被清潔。因為將被清潔的表面的溫度并未顯著上升，所以期望接觸時間短，進而使損傷該表面的風(fēng)險減至最小。
0073原子團限制系統(tǒng)可包括阻擋件。因此可防止或限制原子團流至敏感部件。原子團限制系統(tǒng)可構(gòu)造為向表面的局部提供氣流，例如遠離敏感部件。原子團限制系統(tǒng)可構(gòu)造為提供氣流，使得將原子團基本上限制在阻擋件與所述表面的所述局部的相同側(cè)。阻擋件可以是原子團限制室，所述導(dǎo)管的出口位于該原子團限制室內(nèi)。因此，原子團可包含在該室內(nèi)，進而防止或減少這些原子團流至可能位于該勢卜面的敏感部件。
0074原子團限制室可包J鏈接至負壓力源的出口。因此，原子團限制室內(nèi)的壓力可低于光亥i股備的周圍區(qū)域。在可能存在于原子團限制室的邊緣與將被清潔的表面之間的間隙處，氣4桐各傾向于流至原子團限制室內(nèi)?？赡軠p少或者防止任何原子團從原子團限制室內(nèi)部流到原子團限制室外部，光刻設(shè)備的敏感部件可能位于該原子團限制室外部。
0075原子團限帝係統(tǒng)可特別地構(gòu)造為形成引導(dǎo)原子團的氣流。尤其，原子團限制系統(tǒng)可包括出氣口和排氣設(shè)備。原子團限制系統(tǒng)可布置得以便出氣口 向?qū)⒈磺鍧嵉谋砻娴囊徊糠痔峁饬?，原子團流從導(dǎo)管被引導(dǎo)到該將被清潔的 表面上。氣流被引導(dǎo)以便防止來自導(dǎo)管的原子團流流向該表面的不同部分，該 表面的不同部分例如包括敏感部件。排氣設(shè)備可布置用于提取氣體，例如在被 朝向?qū)⒈磺鍧嵉谋砻婀璴導(dǎo)之后從清潔設(shè)備的導(dǎo)管涌出的氣體和減由原子團限制 系統(tǒng)的出氣口提供的氣體。然而將會意識到可不需要專用的排氣設(shè)備。
0076下面的描述涉及用于浸沒式系統(tǒng)的表面的等離子^f潔器42或者
清潔設(shè)備的示范性實施例。所描述的具體實施例涉及流體限制結(jié)構(gòu)12 (也可稱 為浸沒罩)和襯底臺WT的等離子，潔器。其旨均可將先前描述的清潔設(shè) 備具體化。
0077等離子i初青潔器42的容量可小于1升，更期望小于0.5升，使其能 夠容易ii^合于光刻設(shè)備。等離子Wf潔器42可用于離線實施例或在線實施例， 可用來清潔光刻設(shè)備內(nèi)的表面而不除去光刻設(shè)備的一個或更多個部件和/或并不 大量時間地中斷使用光刻設(shè)備曝光?？蛇x擇地或者另外，可用來執(zhí)行清潔工序， 同時中斷使用光刻設(shè)備。
0078等離子j初青潔器42可安裝在流體限制結(jié)構(gòu)12的下面以清潔流體限 制結(jié)構(gòu)12的表面，諸如其下表面44，如圖7中所示。這可以是離線實施例。在 在線實施例中，等離子Wt潔器42可位于傳感器凹陷處或者在襯底臺WT的指 定^^置處，如圖8中所示。
0079圖9示出了可旋轉(zhuǎn)等離子體清潔器42，用來清潔流體限制結(jié)構(gòu)12 的下表面44。這可在如圖7和8中所示的在線實施例或者離線實施例中實施。 等離子傳猜潔器43可安裝于浸沒式光刻設(shè)備，以清潔襯底臺WT的表面，如圖 10中所示。這可在線或離線實施。這個實施例的變型中，等離子Wf潔器42 可結(jié)合于流體限制結(jié)構(gòu)12，以便將等離子體清潔器導(dǎo)管46的出口 50定向于襯 底臺WT的局部表面。
0080如上所述，根據(jù)本發(fā)明的清潔設(shè)備可安裝于浸沒式光刻設(shè)備中。這 種設(shè)備尤其可包括投影系統(tǒng)、浸沒流體限制結(jié)構(gòu)以及用于支撐襯底的襯底臺。 投影系統(tǒng)可構(gòu)造為將形成有圖案的光束賦予襯底。浸沒流體限制結(jié)構(gòu)可構(gòu)造為 在投影系統(tǒng)與襯底或襯底臺之間限定浸沒流體。清潔設(shè)備可具有如前所述的等離子體清潔器的特征并且可布置用于清潔流體限制結(jié)構(gòu)的局部表面。清潔設(shè)備 可以是浸沒式光刻設(shè)備的組成部分。
0081在流體限制結(jié)構(gòu)安裝于浸沒式光刻設(shè)備內(nèi)時可進行清潔操作。清潔 設(shè)備的原子團限制系統(tǒng)尤其可構(gòu)造為防止將原子團弓l導(dǎo)至啦影系統(tǒng)的元件上。 這是很重要的，因為投影系統(tǒng)的元件易被等離子體清潔器損傷，并且任何這種 損傷可降低投影系統(tǒng)的性能。
0082襯底臺可構(gòu)造得以便會灘將襯底臺從接近流體限制結(jié)構(gòu)和投影系統(tǒng)
的區(qū)域移開。當(dāng)襯底臺從所述區(qū)域移除時，清潔設(shè)備可被操作以清潔流體限制 結(jié)構(gòu)的所述局部表面。
0083在一種構(gòu)造中，等離子Wf潔器可安裝于致動器系統(tǒng)。等離子, 潔器可布置得使得其能夠前進至流體限制結(jié)構(gòu)的將被清潔的表面。 一旦襯底臺 從接近流體限制結(jié)構(gòu)的區(qū)鵬開，等離子條潔器就可向著流體限制結(jié)構(gòu)移動。
0084可選擇地或者另外，例如，清潔設(shè)備的所述導(dǎo)管的至少一個出口可 安裝于襯底臺內(nèi)。因此，通過襯底臺的移動，清潔設(shè)備可相對于流體限制結(jié)構(gòu) 移動。清潔設(shè)備例如可安裝于襯底臺內(nèi)的一位置處，以便當(dāng)襯底臺支撐襯底時， 襯底位于清潔設(shè)備的上面。因此，當(dāng)襯底臺支撐襯底時，清潔設(shè)備并不與浸沒 式光刻設(shè)備的一般操作沖突。然而，當(dāng)襯底臺不支撐襯底時，襯底臺可根據(jù)定 位清潔設(shè)備的需要移動以清潔流體限制結(jié)構(gòu)的表面的期望的部分。在另一實施 例中，清潔設(shè)備可遠離襯底臺支撐襯底的位置而位于襯底臺內(nèi)。這個位置可以 是襯底臺內(nèi)用于傳感器的開口 。
0085浸沒流體限制結(jié)構(gòu)可圍繞投影系統(tǒng)的元件。清潔設(shè)備可構(gòu)造為清潔 可圍繞投影系統(tǒng)的戶腿元件的浸沒流體限制結(jié)構(gòu)的表面上的帶(band)。戶脫帶 可以是浸沒流體限制結(jié)構(gòu)的表面的環(huán)狀區(qū)域。提供所述原子團的導(dǎo)管的出口可 構(gòu)造為符合將被清潔的所述帶的形狀。 一個或更多個等離子體原子團源可布置
用于向所述導(dǎo)管iif共原子團。
0086圖7示出了用于清潔流體限帝賠構(gòu)12的表面的清潔設(shè)備42，該流 體限制結(jié)構(gòu)12尤其可以是離線的。操作中，來自氣 45的氣流可Mil等離 子體原子團源46。等離子體原子團源46可位于等離子體頭(plasmahead)中，
其中產(chǎn)生如上所述的等離子體區(qū)域。氣流可帶走由等離子體原子團源46所產(chǎn)生的原子團。氣流可iM導(dǎo)管48。導(dǎo)管48可將氣流弓l導(dǎo)到被清潔的流體限制結(jié)構(gòu) 12的局部下表面44。這樣，氣刀提取器(gas knife extractor)、氣刀和單相提取 器(single phase extractor)中至少一個可被清潔。如上所述，導(dǎo)管可構(gòu)造得足夠 長，以便在氣流被用來清潔之前從氣流中除去離子。如果離子存在于氣流中， 則離子會損傷被清潔的表面。
0087導(dǎo)管48可具有出口 50，氣流49通過出口 50引導(dǎo)到該局部表面。 出口 50可設(shè)在距離被清潔的表面5至20mm的位置。出口 50可位于原子團限 制系統(tǒng)40內(nèi)。
0088原子團限制系統(tǒng)40可包括一室，該室可圍住清潔設(shè)備的工作環(huán)境。 原子團限制系統(tǒng)40的一個或更多個邊52可用作阻擋件，以MM物理斷流來限 制流體限制結(jié)構(gòu)12的表面上的等離子體生成原子團流。
0089另外或者可選擇地， 一個或更多個邊52與流體限制結(jié)構(gòu)12之間的 氣流54可用來將原子團限制到流體限制結(jié)構(gòu)12的局部表面。氣流54可將原子
團基本上限制到阻擋件的與所述表面的戶;M局部相同的一側(cè)。該室可包括一個
或更多個出口 56，該出口 56連接至負壓力源以從該室提取氣體并且控制原子團流。
0090將會意識至頓壓力源的供應(yīng)、提取來自該室的氣體可足以將該室內(nèi) 的壓力降低至低于浸沒式光刻設(shè)備的其余部分中的壓力。因此，通皿接至出 口 56的負壓力源建立的壓力差可建立該室的一個或更多個邊52與流體限制結(jié) 構(gòu)12之間的氣流54?？蛇x^fi也或者另外，為了^l氣流54可Jlf共獨立的氣體 源，其具有適當(dāng)放置的出口。這^f寺征一起用作赫的(active)透鏡蓋。因此 可避免激活原子團對投影系統(tǒng)PS的最終元件的任何作用，該投影系統(tǒng)PS可接 近浸沒限制結(jié)構(gòu)。另外地或者可選娜，也可4頓無源的、物理的纖蓋。
0091在離線實施例中，清潔設(shè)備42可4頓三^^接點安裝于浸沒式系 統(tǒng)，該三個連接點可在投影系統(tǒng)PS的最終元件附近。在這種布置中，襯底臺 WT可首先從浸沒式光刻設(shè)備移除，或者至少遠離投影系統(tǒng)移動。
0092如上戶;fj悉，清潔設(shè)備42可布置得使得導(dǎo)管的出口50為環(huán)狀的，例 如環(huán)形的，以便可同時清潔流體限制結(jié)構(gòu)的表面上的帶，例如環(huán)形帶。這是有 利的，因為流體限制結(jié)構(gòu)上的污染物在這種環(huán)形帶上尤其增多。環(huán)形帶可X寸應(yīng)于例如多孔件21的流體限制結(jié)構(gòu)的部件的位置。
0093可選擇地或者另外，清潔設(shè)備42的部件可安裝于致動器系統(tǒng)，或 者襯底臺，使得導(dǎo)管48的出口50可移動至需要的位置，以清潔流體限制結(jié)構(gòu) 12的表面的至少一部分。在這種布置中，導(dǎo)管48的出口50可相對較小。這可 允許使用較小的等離子體產(chǎn)生區(qū)但是為了清潔需要清潔的流體限制結(jié)構(gòu)12的下 表面44的所有區(qū)域可能需要移動清潔設(shè)備42。致動器系統(tǒng)和/或襯底臺可連接 至控制器。因此，可控制清潔設(shè)備雜荊每被清潔的、流體限制結(jié)構(gòu)的表面。
0094可選擇地或者另外，清潔設(shè)備42的部件可構(gòu)造為圍繞著軸旋轉(zhuǎn)。 為了清潔下表面44，例如多孔件21的表面上的環(huán)形帶的一部分或者基本上全 部，導(dǎo)管48的出口 50可旋轉(zhuǎn)360度的一部分或者旋轉(zhuǎn)完整的360度。清潔設(shè) 備可連接至控制器，該控制器布置為控制清潔設(shè)備的旋轉(zhuǎn)。因此，通過操作該 控制器，可選擇被清潔的表面。
0095流體限制結(jié)構(gòu)12的鄉(xiāng)下表面44可MJ^的倒可一種或頓方
式清潔。
0096在一實施例中，還原性等離子體可用來產(chǎn)生原子團，以便避免特征 (諸如單相提取器或涂層)的氧化?？上拗平佑|時間以避免由一些部件過熱而造 成的損傷。
0097這種離線大氣等離子體清潔相比于其它已知的離線清^S術(shù)可花費 更短的時間。期望地，這種離線大氣等離子鵬潔可被認為是快速離線方法。
0098圖8示出了清潔設(shè)備42的實施例，其尤其可用于在線清潔流體限 帝蹈構(gòu)的表面和減與其相關(guān)的部件，諸如傳感器的表面。所示的實施例具有與 圖7中所示的實施例相似的特征。上面關(guān)于圖7所述的變量可應(yīng)用于圖8中所 示的布置。
0099清潔設(shè)備可位于襯底臺WT的一部分中，諸如清潔站。流體限制結(jié) 構(gòu)12可相對于襯底臺WT移動以便其定位于導(dǎo)管出口 50上方。清潔設(shè)備42可 具有由襯底臺WT的一部分限定的原子團限制系統(tǒng)40，但是其可能并不具有室。 原子團限制系統(tǒng)40可具有保護氣流54以防止原子團流過浸沒式系統(tǒng)(諸如在 流體限制結(jié)構(gòu)12上)的敏感區(qū)域，或者流過投影系統(tǒng)的邀竟，如圖中所示。為 了提取原子團且控制原子團流，原子團限制系統(tǒng)40可具有連接至負壓力源的一個或更多個出口56。
0100與具有上面關(guān)于圖7所述的布置相同，負壓力源56也可布置得使 得其導(dǎo)致接近清潔設(shè)備42的空間的壓力低于浸沒式光刻設(shè)備的乘除部分中的空 間的壓力。保護氣流54形成?？蛇x擇地或者另外，清潔設(shè)備42可包 鏈接至 氣體源的一個或更多個出口 54a，該氣#^特別地構(gòu)造為,保護氣流54。如 果不可能提供室來限制來自將被清潔的區(qū)域的原子團流，這種布置尤其有利。
0101圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的位于流體限制結(jié)構(gòu)下面的一部分清潔設(shè)備 42的實施例。該實施例可以是如圖7中所示的離線實施例，其中清潔設(shè)備適合 于投影系統(tǒng)PS、流體限制結(jié)構(gòu)12或者二者?？蛇x^i也或者另外，圖9的實施 例可以在線實施例的方式實施，其中清潔設(shè)備42可在清潔站上。上面關(guān)于圖7 和8所述的變量可應(yīng)用于圖9中所示的布置。
0102在該實施例中，清潔設(shè)備42例如可圍繞投影系統(tǒng)PS的光軸旋轉(zhuǎn)， 以便清潔流體限制結(jié)構(gòu)12的下表面44禾口/或與其相關(guān)的其它部件。清潔設(shè)備42 可具有至少兩個原子團限制系統(tǒng)40， *均具有可容納導(dǎo)管出口 50的室。* 導(dǎo)管出口 50均可與分離的等離子體產(chǎn)生區(qū)46相關(guān)聯(lián)，如圖9中所示?？蛇x擇 地， 一個或更多個導(dǎo)管出口 50可ilil公共等離子體產(chǎn)生區(qū)46被供給原子團。
0103清潔設(shè)備可包括單個導(dǎo)管出口 50和單個原子團限制系統(tǒng)。清潔設(shè)
備可例如構(gòu)造為使得其可圍繞投影系統(tǒng)的光軸旋轉(zhuǎn)360度。通常，清潔設(shè)備具
有的導(dǎo)管出口 50的數(shù)m多，則為了lif共完全圍繞投影系統(tǒng)PS的光軸的流體
限制結(jié)構(gòu)12的下表面44的清潔帶，清潔設(shè)備42需要的旋轉(zhuǎn)越少。齡室可經(jīng)
由一個或更多個出口56連接至負壓力源。因此，在清潔期間，氣^iSA室內(nèi)， 這些室將原子團流限制至糖潔期間被清潔的局部表面。
0104圖14示出了用于清潔流體限制結(jié)構(gòu)12的下表面44的可選擇的布 置。在這個布置中，清潔設(shè)備70包括主體71，該主體71構(gòu)造為使得其可安裝 在襯底臺WT上。尤其，主體71可包括外直徑與襯底相同的圓盤，以便襯底臺 WT可以與襯底臺支撐襯底相同的方式支摻凊潔設(shè)備70的主體71而沒有倒可 改變。
0105主體由絕緣材料形成，且具有一個或更多個導(dǎo)電區(qū)域77，導(dǎo)電區(qū)域 77位于主體71背向流體限制結(jié)構(gòu)12的表面上。0106由電壓源78提供的電壓差在至少一個導(dǎo)電區(qū)域77與至少一部分流 體限制結(jié)構(gòu)12之間建立，在主體71和流體限制結(jié)構(gòu)12之間的,該至少一個 導(dǎo)電區(qū)域的部分區(qū)域內(nèi)形成等離子體產(chǎn)生區(qū)72。至少一個導(dǎo)電區(qū)域77可形成為 與將被清潔的一部分流體限制結(jié)構(gòu)12的形狀相符。
0107需要建立等離子體產(chǎn)生區(qū)的電壓可取決于主體71的厚度，并且尤 其取決于主體與流體限制結(jié)構(gòu)12之間的間隔。所需的電壓例如可在約50至300 V之間。應(yīng)該使用變化的電壓，諸如具有正弦波形式的AC電壓。然而，也可 4頓其它電壓形式。另外，電壓可以是脈沖的，劍共沒有掛共電壓的時間周肌 這可M^發(fā)熱。
0108清潔設(shè)備70不包括Mil等離子體產(chǎn)生區(qū)72的本身的氣體源。替換 地，浸沒式光刻設(shè)備的流體限制結(jié)構(gòu)12可構(gòu)造為Jli共氣流，該氣流包括惰性氣 體和活性氣體的混合物，如上所述。例如，流體限制結(jié)構(gòu)12可構(gòu)造為使得在清 潔操作中，其排干了浸沒液體。隨后，Mil流體限制結(jié)構(gòu)12的一個或更多個部 #$|{共氣流并且將氣流供給等離子體產(chǎn)生區(qū)72以產(chǎn)生原子團。在曝光過程期間 4頓流體限制結(jié)構(gòu)的部件以劍共和/或控制浸沒液體。
0109可選擇地赫另外，流體限制結(jié)構(gòu)12可設(shè)有分離的導(dǎo)管，尤其用 來在清^^作期間ilf共和/或控制氣流。
0110在清纟嫌作期間劍共的氣流構(gòu)造為使得其箭dl等離子體產(chǎn)生區(qū)72， 該等離子體產(chǎn)生區(qū)的位置可M至少一個導(dǎo)電區(qū)域77的位置來限定，結(jié)果在需 要清潔的區(qū)域中產(chǎn)生原子團。
0111艦流體限制結(jié)構(gòu)12樹共給等離子體產(chǎn)生區(qū)72的氣流73可構(gòu)造 為使得氣流也發(fā)揮作用以P蹄U所產(chǎn)生的原子團。尤其，如圖14中所示，氣流73 可布置用于從一個或更多^t體入口流向流體限帝'臘構(gòu)12與清潔設(shè)備70的主 體71之間的空間，該氣體入口樹共來自流體限制結(jié)構(gòu)12的氣體。氣流73可從 流體限制結(jié)構(gòu)12中的一個或更多個氣體出口 75提取。M適當(dāng)?shù)夭贾脷怏w入 口 74和流體出口 75，氣流73可構(gòu)造為遠離投影系統(tǒng)PS的最終元件流動。這 確保在等離子體產(chǎn)生區(qū)72中產(chǎn)生原子團時，防止或者顯著減少原子團流回投影 系統(tǒng)PS。 ffiilit當(dāng)?shù)馗淖?，可使用對以的系統(tǒng)來防止原子團流至其它敏感元件 上。0112利用一個或更多個設(shè)在襯底臺WT上的電極向清潔設(shè)備70提供電 源。例如，襯底臺的一個或更多個插腳76可連接至電源，其用來相對于襯底臺 WT升高襯底以使得襯底從襯底臺WT移開。相應(yīng)地， 一個或更多個電極可設(shè) 在清潔設(shè)備70的主體71的下表面上，且連接至一個或更多個導(dǎo)電區(qū)域77。所 述一個或更多個電極可布置為當(dāng)清潔設(shè)備70安裝至襯底臺WT時使得清潔設(shè)備 的電氣觸頭與襯底臺的電氣觸頭相接。實現(xiàn)該布置的動作可通過控制器的操作 而實現(xiàn)。
0113除了原子團，在等離子體產(chǎn)生區(qū)72內(nèi)可形成離子。Mii任何這種 離子而造成的損傷可通過控制任何這種離子的能量而減少。這可例如iliiig當(dāng) 土te擇在至少一個導(dǎo)電區(qū)域77與流體限制結(jié)構(gòu)12之間^i共的氣體和電壓而實 現(xiàn)。
0114為了快速清潔流體限制結(jié)構(gòu)12的下表面44，諸如圖14中所示的布 置可提供便利的布置，其中為了清潔工藝，清潔設(shè)備可以與襯底相同的方式裝 載至光刻設(shè)備。可能并不需要顯著地重新設(shè)計浸沒式光刻設(shè)備?？杀苊鉃榱藞?zhí) 行清潔工藝而重新構(gòu)造浸沒式光刻設(shè)備所需要的大量時間。應(yīng)該意識到盡管圖 14中所示的布置已經(jīng)如上所述在上下文中為在線清潔，例如清潔至少一部分光 刻設(shè)備而不打開光刻設(shè)備，但是該布置也可用于離線清潔至少一部分光亥殿備。
0115圖16和17示出了可用來劍共清潔的布置。這些布置類似于上面關(guān) 于圖14所述的布置，因此將僅僅描述不同點。應(yīng)該意識到上面關(guān)于圖14戶， 的布置的變型也可用于圖16和17中所示的布置。尤其，圖16和17中所示且 在下面所描述的布置可用于在線或離線清潔。
0116與具有上面關(guān)于圖14所述的布置相同，圖16和17中所示的布置 提供具有主體81的清潔設(shè)備，該主體81可構(gòu)造為使其可安裝在襯底臺WT上。 尤其，主體81可包括外直徑與襯底相同的圓盤，以便襯底臺WT可以與襯底臺 支撐襯底相同的方^餘凊潔設(shè)備80的主體81而沒有任何改變。主體81由絕
緣材料形成，例如Al203。
0117與具有上面關(guān)于圖14所述的布置相同，清潔設(shè)備81包括多個導(dǎo)電 區(qū)域82、 83。然而，圖16和17中所示的布置的清潔設(shè)備81具有兩組一個或多 個導(dǎo)電區(qū)域82、 83，每組均連接至相關(guān)的電極85、 86。電壓差可施加給電極85、86，導(dǎo)致在主體81的表面84上建立等離子體87，該表面84面對流體限制結(jié)構(gòu) 12的下表面44和投影系統(tǒng)PS。
0118應(yīng)該意識到可使用便利的布置，用于將清潔設(shè)備80的電極85、 86 連接至電壓源。尤其，盡管圖16和17中未示出，電極85、 86可設(shè)在由襯底臺 WT支撐的主體81的表面上。因此，為了向清潔設(shè)備80i^共電壓差，可在襯 底臺WT上掛共電氣觸頭使得這些電氣觸頭與電極85、 86連接。
0119應(yīng)該意識至鵬加給清潔設(shè)備80的電壓可能與提供給圖14中所示的 清潔設(shè)備70的電壓不同。尤其，可i，若干kV的電壓差。這可使得清潔設(shè)備 80能夠利用駄范圍的氣體，即可利用具有較高點火電壓的氣體。
0120如圖16中所示，清潔設(shè)備80可具有在主體81的背向流體限制結(jié) 構(gòu)12和/或投影系統(tǒng)PS的一偵啲一個或更多個第一導(dǎo)電區(qū)域82。因此，該一個 或更多個第一導(dǎo)電區(qū)域與主體81面向流體限制結(jié)構(gòu)12禾口/或投影系統(tǒng)PS的一 側(cè)電絕緣。
0121第二組導(dǎo)電區(qū)域83可形成在主體81面向流體限制結(jié)構(gòu)12和/或投 影系統(tǒng)PS的表面84上。盡管圖16中未示出，該一個或更多個第一導(dǎo)電區(qū)域 82可被一層電絕緣材料所覆蓋。
0122可選擇地，如圖17中所示，清潔設(shè)備80可構(gòu)造為使得第一和第二 區(qū)域?qū)щ姴牧?2、 831^A主體81內(nèi)。因此這兩組導(dǎo)電區(qū)域82、 83可與主體81 面向流體限制結(jié)構(gòu)12和/或投影系統(tǒng)PS的一側(cè)電絕緣。圖16和17中所示的這 兩種布置可提供所謂的表面介質(zhì)阻擋放電(Surface dielectric banier discharge) (SDBD)。
0123如圖16和17中所示的清潔設(shè)備80的一個優(yōu)點是可產(chǎn)生等離子體 87而在清潔設(shè)備80與將被清潔的表面之間不提供電壓差，例如如在圖14中所 示的布置所需要的。因此，諸如圖16和17中所示的清潔設(shè)備80可用來清潔非 導(dǎo)電材料。因此，例如，圖16和17中所示的清潔設(shè)備80可用來衞娥影系統(tǒng) PS的皿的表面，尤其投影系統(tǒng)的最終元件或 的表面。浸沒式光刻設(shè)備的 最終元件尤其可需要清潔。例如，如果4頓高NA浸沒液體，該液體可4頓烴 流體。當(dāng)UV輻射ii51這種液體時，其可離解為碳和氣體。碳可覆蓋最終元件 的表面，另外可會^佳以除去。0124如圖16和17中所示的清潔設(shè)備80可以是有利的，因為其可能確 保例如透鏡的局部清潔。尤其，這是可能的，由于利用氣流限定所產(chǎn)生的等離 子體87的能力、控制其中Mii適當(dāng)?shù)夭贾脤?dǎo)電材料82、 83的區(qū)域形成等離子 體87所在的區(qū)域的能力以及例如利用襯底臺WT控制清潔設(shè)備80相對于itH 的位置的能力之一或者更多。
0125在使用如圖16和17所示的清潔設(shè)備80期間，清潔設(shè)備80的表面 84可在距離透鏡的表面約0.5至2mm的范圍內(nèi)。根據(jù)這種布置，每5H巾可除去 大約4至5,的污染物。因此，可能在幾力H中內(nèi)清潔纖。可周期性地i^共這 種清潔工藝。例如，當(dāng)需要時可有規(guī)律地或者簡單地提供。在一例子中，可在 大約每15力H中至每一小時之間執(zhí)行清潔。
0126應(yīng)該意識到，盡管圖16和17中所示的清潔設(shè)備80尤其有利于清 潔非導(dǎo)電部件，諸如透鏡，但是其也可用于清潔光刻設(shè)備的其它部件。
0127清潔設(shè)備可具有如前戶脫的清潔設(shè)備的特征，并且可布置為清潔襯 底臺的局部表面和域與襯底臺相關(guān)的部件，諸如傳感器的表面。例如，如上所 述的布置中，清潔設(shè)備安裝于致動器系統(tǒng)，該致動器系統(tǒng)可布置得使得清潔設(shè) 備可在第一位置和第二位置之間移動。在第一位置，清潔設(shè)備可清潔流體限制 結(jié)構(gòu)12的表面。在第二位置，清潔設(shè)備可清潔襯底臺的表面。
0128可選擇地^另外，專用的清潔設(shè)備可用于清潔襯底臺的表面。當(dāng) 襯底臺安裝于浸沒式光亥i股備內(nèi)時，清潔設(shè)備可構(gòu)造用于清潔襯底臺的局部表 面。清潔設(shè)備的原子團限制系統(tǒng)可構(gòu)造使得清潔襯底臺的局部而不使原子團顯 著泄露至該設(shè)備的其它部分?？蛇x擇地或者另外，為了清^t作，襯底臺可從 接近流體限制結(jié)構(gòu)和投影系統(tǒng)的區(qū)域移開。當(dāng)襯底臺從所述區(qū)域移開時，清潔 設(shè)備可樹喿作以清潔襯底臺的戶/^局部表面。
0129可選^i也或者另外，清潔設(shè)備的所述導(dǎo)管的至少一個出口可安裝于 流體限制結(jié)構(gòu)內(nèi)。該出口可位于面對襯底臺的流體限制結(jié)構(gòu)的表面。
0130圖10示出了用于清、)斜寸底臺WT的局部表面的清潔設(shè)備42的實施 例。清潔設(shè)備42可具有類似于圖7、 8和9中所示的實施例的特征。上述的涉 及那些布置的變體可用于用來清潔襯底臺的清潔設(shè)備。
0131氣體源45可ill共氣流。氣流可流過等離子體產(chǎn)生區(qū)46。等離子體產(chǎn)生區(qū)可以是等離子體原子團源46的一部分，并且可產(chǎn)生可被氣流帶走的原子
團。氣流通過導(dǎo)管48被引導(dǎo)到襯底臺WT，以清潔襯底臺WT的局部表面。導(dǎo) 管48可具有出口50，混入的氣體衝過出口50排出。
0132清潔設(shè)備42可包括原子團限制系統(tǒng)40，該原子團限制系統(tǒng)40可將 原子團流限制至被清潔的局部表面。在襯底臺WT與原子團限審孫統(tǒng)40之間可 能具有保護氣流54流入室內(nèi)。該室可具有出口56，其連接至例如可產(chǎn)生保護氣 流54的負壓力源。清潔設(shè)備的該實施例可離線實施，其中襯底臺WT從光刻設(shè) 備除去。清潔設(shè)備40然后安裝于襯底臺WT以清潔該襯底臺的表面。在娜中， 清潔設(shè)備WT可為流體限制結(jié)構(gòu)的組成部分，以使得導(dǎo)管出口 50可位于流體限 制結(jié)構(gòu)的下表面中。
0133在浸沒式系統(tǒng)操作期間觀察到的許多顆?？梢允怯袡C的。重要的原 始來源是襯底邊緣，該襯底邊緣將有機污染物帶進浸沒式光刻設(shè)備。在曝光期 間，污染物將會在浸沒式系統(tǒng)的各種表面上以及襯底表面上重新分布。由于該 污染物，可能損害浸沒式系統(tǒng)的若干部件的功能性，諸如氣刀、單相提取器和 傳感器功能性。因此，期望襯底的邊緣區(qū)域被清潔。已知的清潔方法已經(jīng)被發(fā) 現(xiàn)具有許多缺點，使其難以實施和控制。例如，物理接觸襯底可使污染顆粒再 沉積在襯底上，接觸型清潔器取決于清潔工具的清潔度并且可能需要更換；而 禾擁液體的清;誠術(shù)可能需要烘干，而艦于襯底是成問題的。
0134利用等離子鵬潔器來清潔襯底的表面可遇到問題。襯底具有有機 涂層，諸如抗蝕劑。己知的等離子體清潔器并不將等離子體產(chǎn)生的原子團引導(dǎo) 至'J特定區(qū)域，這是由于來自等離子體清潔器的氣流趨向于變寬，并且散布流過 被清潔的表面。因此，存在這樣的危險原子團將會清潔襯底表面并且除去預(yù) 先在襯底表面上形成的特征?？蛇x擇地或者另外，如果例如暴露給原子團，仍 然未曝光的抗蝕層的特征可能改變。這在成像工序或者隨后的處理上可能具有 負面作用。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)可通過將原子團僅引導(dǎo)到其上尚未形成特征的襯底表面來 解決這個問題。這可通過具有與帶有原子團的氣流相反的方向分量的氣流來實 現(xiàn)。這樣，原子團僅清潔襯底需要被清潔的部分。期望地，M這個技術(shù)清潔 的襯底的邊緣將會將會具有改良的缺陷計數(shù)密度(即，缺陷度)，也就是缺陷數(shù) 密度的下降，而對于襯底無需具有難以監(jiān)控的嚴格規(guī)范。0135等離子術(shù)t底清潔器42可與浸沒式光刻設(shè)備成一整體，例如作為
晶片操作系統(tǒng)的一部分，其可以是單機清潔設(shè)備的一部分，可以是晶片制itx
具中的襯底傳輸系統(tǒng)的一部分，和域可以是向襯底涂覆抗蝕劑、加熱襯底、冷 卻襯底和在襯底上顯影抗蝕劑中的至少一個的處理單元的一部分。大氣等離子
WS潔器可用來從襯底w的斜面和頂點區(qū)域快速除去有機污染物。
0136清潔設(shè)備可具有先前戶艦的例如用于清潔流體限審U結(jié)構(gòu)/系統(tǒng)和襯底 臺的清潔設(shè)備的任何前述特征。
0137清潔設(shè)備可包括襯底旋轉(zhuǎn)器。襯底旋轉(zhuǎn)器可構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管 旋轉(zhuǎn)襯底?？蛇x擇地，至少一部分清潔設(shè)備可構(gòu)造為圍繞所述襯底旋轉(zhuǎn)。原子 團限帝孫統(tǒng)可構(gòu)造為將原子團引導(dǎo)至襯底周邊的局部區(qū)域。因此，通過相對于 所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底，可清潔襯底的全部周界。
0138導(dǎo)管可將原子團弓l導(dǎo)至襯底的邊緣的一部分上。導(dǎo)管可將原子團引 導(dǎo)到襯底的主表面的周邊部分，在所述襯底上將形成一些器件。原子團限制系 統(tǒng)可包括保護氣體源，構(gòu)造該保護氣體源以提供與來自所述導(dǎo)管的沿著襯底的 至少一個主表面的原子團流相反的氣流，來限制原子團M襯底的所述表面的 程度。原子團限制系統(tǒng)可包括氣體提取器。氣體提取器可位于所述導(dǎo)管與所述 保護氣#^之間。氣體提取器可布置為從所述導(dǎo)管提取原子團，和從所述保護 氣臓提取氣流。
0139清潔設(shè)備可包括構(gòu)造用于保持襯底的襯底保持器。襯底旋轉(zhuǎn)器可構(gòu) 造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底保持器和襯底。可選擇地，或者另外，襯底保持 器可包括襯底底座，其構(gòu)造用于支撐襯底。襯底旋轉(zhuǎn)器可構(gòu)造為相對襯底底座 來旋轉(zhuǎn)襯底。襯底旋轉(zhuǎn)器可構(gòu)造為在清潔期間支撐襯底。襯底旋轉(zhuǎn)器可構(gòu)造為 使得在一個模式下可操作來相對于導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底。襯底旋轉(zhuǎn)器可具有至少一個 另外的模式，其中可操作來在至少兩個位置之間移動襯底，例如其可包括致動 器用來在清潔位置和裝敏卸載位置之間移動襯底。
0140在特定的布置中，光刻設(shè)備可包括襯底處理器和襯底清潔器。襯底 處理器可構(gòu)造為在曝光期間在用來支撐襯底的襯底臺上定位襯底。襯底處理器
可構(gòu)造為在襯底臺上定位襯底之前旋轉(zhuǎn)襯底。襯底清潔器可構(gòu)造為隨著襯底旋 轉(zhuǎn)來清潔局部襯底表面。0141等離子WS潔器可包括類似于上面所述的等離子體原子團源、導(dǎo)管 和原子團限制系統(tǒng)。等離子體原子團源可提供原子團流。導(dǎo)管可構(gòu)造為將來自 等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面。原子團限制系統(tǒng)可引導(dǎo)原子 團以清潔所述部分。
0142圖11示出了用于清潔襯底W的邊緣64的清潔設(shè)備42的實施例的 橫截面；圖12以平面圖示出了相同的清潔設(shè)備和襯底處理器55。清潔設(shè)備的該 實施例具有與圖7至10中所示的清潔設(shè)備相似的特征，包括，但不局限于氣 體源45、等離子體原子團源46、導(dǎo)管48、導(dǎo)管出口50和原子團限制系統(tǒng)40。 上面所述的關(guān)于這些布置的 也可適當(dāng)?shù)赜糜趫D11和12中所示的設(shè)備。
0143在本實施例中，原子團限制系統(tǒng)40包括襯底圍繞物58，圍繞被清 潔的部分襯底W。襯底圍繞物58可具有狹縫形式的孔60?？?0可限制混有原 子團的氣流m襯底W的周邊部分，該周邊部分包括襯底W的邊緣64。因此 可清潔襯底W的邊緣區(qū)域64。圍繞物58可構(gòu)造為平行于襯底W的主表面，以 使得將保護氣流54引導(dǎo)向原子團流。保護氣流54可足以將原子團限制到需要 清潔的表面。保護氣流54例如可i!31襯底圍繞物58內(nèi)的連接至氣體源的氣體 導(dǎo)管54a提供。
0144在襯底W的、基本上垂直于襯底W的主表面的邊緣64處，可具 有一個或更多^i接至負壓力源的出口 62。在圖中具有位于相反方向的兩個這 種出口62。負壓力可用來從襯底圍纟纖58除去氣體，例如廢氣，并且將混有原 子團的氣體吸入襯底圍繞物58?？蛇x擇地或者另外，負壓力可將氣體吸入襯底 圍繞物58與襯底W之間的空間，進而l^共保護氣流54。
0145襯底圍t繊58可調(diào)整，使得其能夠關(guān)于襯底W的表面和導(dǎo)管出口 50精確定位，以便清潔襯底表面的明確限定的部分。關(guān)于襯底W的表面調(diào)整襯 底圍繞物58的位置可確保尤其在襯底W旋轉(zhuǎn)期間在襯底W和襯底圍纟，58 之間沒有接觸，將對襯底W和域已經(jīng)形自襯底W上的ftf可特征的損傷減至 最少。
0146可選擇地或者另外，調(diào)整襯底W的表面與襯底圍纟，58之間的間 隔可用來調(diào)整它們之間的間隙的大小，進而調(diào)^f尉戶氣體54的流量。這可跑共 另外的工具來調(diào)整原子團經(jīng)過襯底W的表面的程度。
30147在清潔工序期間，清潔器42可由襯底旋轉(zhuǎn)器保持。該旋轉(zhuǎn)器可旋 轉(zhuǎn)，并且圍繞其軸旋轉(zhuǎn)襯底W。相應(yīng)地，在清潔期間，可清潔襯底W的整個周 部。旋轉(zhuǎn)器可構(gòu)造為操縱襯底W以在兩個位置之間移動襯底，例如從襯底堆移 至襯底清潔位置，或者從襯底清潔位置移至用于曝光的襯底臺WT，或者從襯 底臺WT移回襯底堆。
0148圖13示出了部分襯底W和構(gòu)造用于清潔襯底W的表面的清潔設(shè) 備42的實施例的另一視圖。圖中示出了襯底W、襯底圍纟，58、相對的出口 62和導(dǎo)管出口50的相對位置。
0149該實施例是有利的，因為晶片的部分可被屏蔽并且氣流中的一縷原 子團可被限定或弓l導(dǎo)，等離子體產(chǎn)生原子團并不意欲被弓l導(dǎo)到該晶片。
0150應(yīng)該意識到，除了清潔襯底的表面，清潔設(shè)備也可用來除去形 襯底上的層上的污染物，例如形^襯底上的邊緣密封(edge seal)上的保護層 或膜。
0151所述實施例的變形可實現(xiàn)相同的結(jié)果。該實施例可以許多方式改變。 等離子概和減混^流(即從導(dǎo)管排出的原子團的速度)的設(shè)置可被調(diào)整。 導(dǎo)管出口或襯底圍繞物的孔的幾何形狀可被改變(例如該孔的形狀不同于縫 隙)。襯底與襯底圍纟繊的表面之間的距離可被改變。注意，期望襯底表面盡可 肯g地接近晶片表面(例如100,)。晶片與邊^(qū)L間的距離可根I^寺定^I牛改變。 負壓力可隨著保護氣體的流量和原子團限制系統(tǒng)和襯底圍繞物的幾何形狀和結(jié) 構(gòu)的改變而改變。
0152利用清潔設(shè)備來清潔襯底纖，期望由非控制的原子團的活動'f樹 晶片上的結(jié)構(gòu)造成的損傷不存在或最小化。然而該技術(shù)可在短時間內(nèi)除去抗蝕 劑類污染物?？赡鼙谎趸栽訄F損傷的表面可用由還原性等離子體，例如氫 濃度為1%的氫所產(chǎn)生的原子團處理。清潔并不利用可留下干燥污跡的化學(xué)藥 劑。該方法是非接觸式的，以使得對三維表面沒有物理損害的危險。
0153在一個實施例中，掛共用來清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或部件的清 潔設(shè)備，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯 底臺禾P/或襯底之間限定浸沒流體的流體限帝係統(tǒng)，該清潔設(shè)備包括
等離子體原子團源，用于提供原子團流；
36導(dǎo)管，用來將來自等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面；以及 原子團限制系統(tǒng)，用來引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局部。
0154期望地，原子團限制系統(tǒng)包括阻擋件。
0155期望地，原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為Jtf共氣流，以便將原子團基本上限
制到阻擋件的與所述表面的戶艦局部的相同側(cè)。
0156期望地，阻擋件為原子團限制室，其中設(shè)有所述導(dǎo)管的出口。
0157期望地，原子團限制室包^I接至負壓力源的出口。
0158期望地，等離子體原子團源位于距離將被清潔的所述表面約lmm
至約30mm之間的位置。
0159期望地，原子團限律係統(tǒng)構(gòu)造為形成氣流來弓l導(dǎo)原子團。0160期望地，等離子體原子團源構(gòu)造為提供還原性原子團源。0161期望地，等離子體原子團源構(gòu)造為掛共氧化性原子團源。0162期望地，等離子體原子團源包括氣^M和等離子體產(chǎn)生區(qū)；以及等
離子體原子團源構(gòu)造為從所述氣4 提供氣體，以便通過所述等離子體產(chǎn)生區(qū)
提供至所述導(dǎo)管。
0163期望地，等離子體產(chǎn)生區(qū)包括位于氣流內(nèi)的高^it件，該高M^1件
的，足以造成熱分解以形成原子團。
0164期望地，氣j頓掛對爭化空氣的供給。
0165期望地，等離子體產(chǎn)生區(qū)包括RF線圈、 一對AC或DC放電電極 和微波或RF腔中的至少一種，其在來自氣體源的氣流內(nèi)產(chǎn)生等離子體區(qū)，原子 團在等離子體區(qū)內(nèi)形成。
0166期望地，氣^M掛共惰性氣體和活性氣體的混仏體；其中惰性氣 體是氮、氦、氬、箭卩氙中至少之一；并且活性氣體是氫氣和氧氣中的一種。
期望地，活性氣體在由氣體源所,的氣體的約0.5%至約2%之間，且優(yōu) 選約1%。
0167期望地，所述等離子體原子團源和所述導(dǎo)管構(gòu)造得以使得基本上沒 有離子從導(dǎo)管提供。
0168期望地，清潔設(shè)備還包括旋轉(zhuǎn)器，其構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯
底；其中原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為將原子團引導(dǎo)到襯底周部的局部，以便通過相 對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底來清潔襯底的全部周界。
0169期望地，戶腿導(dǎo)管將原子團弓l導(dǎo)到襯底的邊緣部分上。
0170期望地，戶腿導(dǎo)管將原子團弓l導(dǎo)至附底的主表面的周邊部分，器件
形成在該主表面上。
0171期望地，所述原子團限制系統(tǒng)包括保護氣體源，構(gòu)造該保護氣併源 以提供與來自所述導(dǎo)管的、沿著襯底的至少一個主表面的原子團流相反的氣流， 來限帝幅子團通到襯底的所述表面上的禾號。
0172期望地，原子團限制系統(tǒng)包括氣{ 取器，該氣體提取器位于所述 導(dǎo)管和所述保護氣體源之間，且布置用于從所述導(dǎo)管提取原子團且從所述保護 氣^提取氣流。
0173期望地，清潔設(shè)備還包括襯底保持器，該襯底保持器構(gòu)造為保持襯 底；其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底保持器。
0174期望地，清潔設(shè)備還包括襯/^座，該襯底底座構(gòu)造為支撐襯底；
其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為相對于襯底底座旋轉(zhuǎn)襯底。
0175期望地，旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為在清潔期間支撐襯底。
0176期望地，旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為使得在一個模式下可操作來相對于導(dǎo)管旋轉(zhuǎn) 襯底，并且具有可操作來在多個位置之間移動襯底的至少另一個模式。
0177期望地，清潔設(shè)備安裝于光刻設(shè)備、構(gòu)造為傳輸襯底的傳輸單元以 及襯底處理單元中的一個內(nèi)，該襯底處理單元構(gòu)造為用抗蝕劑涂覆襯底、烘干 襯底、冷卻襯底和在已經(jīng)用形成圖案的輻射束曝光的襯底上顯影抗蝕劑層中的 至少之一。
0178在一個實施例中，提供一種浸沒式光刻設(shè)備，包括 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底；
流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間限制浸沒流體，該
襯底臺用于支撐襯底；以及
上述的清潔設(shè)備，布置為清潔流體限制結(jié)構(gòu)的局部表面。
0179期望地，在流體限制結(jié)構(gòu)安裝于浸沒式光亥股備內(nèi)時，清潔設(shè)備構(gòu)
造用于清潔流體限制結(jié)構(gòu)的所述局部表面；并且清潔設(shè)備的原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為防止原子團被弓l導(dǎo)投影系統(tǒng)的元件上。
0180期望地，浸沒式光亥喊備包括襯底臺，其構(gòu)造為使得襯底臺可從接 近流體限制結(jié)構(gòu)和投影系統(tǒng)的區(qū)域移出；并且，當(dāng)襯底臺從所述區(qū)域移出時， 清潔設(shè)備可操作為清潔流體限制結(jié)構(gòu)的戶服局部表面。
0181期望地，浸沒式光刻設(shè)備包括襯底臺，其中清潔設(shè)備的所述導(dǎo)管的
至少一個出口安裝于襯底臺內(nèi)。
0182期望地，所述流體限制結(jié)構(gòu)圍繞投影系統(tǒng)的元件，并且清潔設(shè)備構(gòu) 造為清潔流體限制結(jié)構(gòu)的、圍繞投影系統(tǒng)的所述元件的表面上的帶。
0183期望地，提供所述原子團的導(dǎo)管的出口構(gòu)造為符合將被清潔的所述 帶的形狀。
0184期望地，多個等離子體原子團源布置為向所述導(dǎo)管ilj共原子團。0185在一個實施例中，提供一種浸沒式光刻設(shè)備，包括.-投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底； 襯底臺，用于支撐襯底；
流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底禾口域襯底臺之間限制浸沒流體；以
及
上述的清潔設(shè)備，布置為清潔襯底臺的局部表面。
0186期望地，在襯底臺安裝于浸沒式光刻設(shè)備內(nèi)時，清潔設(shè)備構(gòu)造為清 潔襯底臺的所述局部表面；并且清潔設(shè)備的原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為清潔襯底臺 的局部。
0187期望地，襯底臺可從艦流體限制結(jié)構(gòu)和投影系統(tǒng)的區(qū)域移出；并 且當(dāng)襯底臺從戶脫區(qū)域移出時，清潔設(shè)備可操作為清潔襯底臺的所述局部表面。0188期望地，清潔設(shè)備的戶腿導(dǎo)管的至少一個出口安裝于流體限制結(jié)構(gòu)內(nèi)。
0189在一個實施例中，衝共一種光刻設(shè)備，包括
襯底處理器，構(gòu)造為在曝光期間在用來支撐襯底的襯底臺上定位襯底，該 襯底處理器構(gòu)造為在襯底臺上定位襯底之前旋轉(zhuǎn)襯底；以及
襯底清潔器，構(gòu)造為隨著襯底旋轉(zhuǎn)來清潔襯底的局部表面，等離子體清潔 器包括提供原子團流的等離子體原子團源、用于將來自等離子體原子團源的
39原子團供給被清潔的表面的導(dǎo)管和用于引導(dǎo)原子團以清潔所述部分的原子團限 制系統(tǒng)。
0190在一個實施例中，提供一種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的清潔
設(shè)備，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底
臺禾口/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)，該清潔設(shè)備包括
主體，由電絕緣材料形成，且構(gòu)造為代替襯底由浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺 支撐；以及
至少一個導(dǎo)電區(qū)域，形成使得當(dāng)主體支撐在襯底臺上時，其M31至少一部 分所述主體與主體的面向流體P蹄賠構(gòu)的表面電絕緣。
0191期望地，所駐體包括至少一個與所述第一導(dǎo)電區(qū)域電絕緣的第二 導(dǎo)電區(qū)域。
0192期望地，當(dāng)主術(shù)皮支撐在襯底臺上時，所述第二導(dǎo)電區(qū)域形成在主 體的、面對流體限制結(jié)構(gòu)的表面上。
0193期望地，形^^M第二導(dǎo)電區(qū)域使得其在主體支撐在襯底臺上時通 過至少一部分戶艦主體與主體的面對流體限制結(jié)構(gòu)的表面電絕緣。
0194在一個實施例中，樹共一種浸沒式光亥l股備，包括
投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底；
襯底臺，構(gòu)造為支撐襯底；
流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和域襯底臺之間限制浸沒流體；以
及
電壓源，構(gòu)造為當(dāng)其被支撐在襯底臺上時，在流體限制結(jié)構(gòu)和上述的清潔 設(shè)備的主體上的至少一個導(dǎo)電區(qū)域之間提供電壓。
0195在一個實施例中，提供一種浸沒式光刻設(shè)備，包括 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底； 襯底臺，構(gòu)造為支撐襯底；
流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間限制浸沒流體；以
及
電壓源，構(gòu)造為當(dāng)其被支撐在襯底臺上時，在上述的清潔設(shè)備的主體上的 第一和第二導(dǎo)電區(qū)i^t間掛共電壓。0196期望地，流體限制結(jié)構(gòu)構(gòu)造為可在曝光狀態(tài)和清潔狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換， 在曝光狀態(tài)下，該流體限制結(jié)構(gòu)在投影系統(tǒng)和襯底禾口域襯底臺之剛蹄暖沒流
體，在清潔狀態(tài)下，該流體限制結(jié)構(gòu)在流體限制結(jié)構(gòu)和襯底臺之間提供氣流； 以及
浸沒式光刻設(shè)備構(gòu)造為使得當(dāng)襯底臺支撐所述清潔設(shè)備且流體限制結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn) 換至所述清潔狀態(tài)時，定位襯底臺使得由流體限制結(jié)構(gòu)提供的氣流通過接近至 少一個導(dǎo)電區(qū)域的區(qū)域，并且在所述至少一個導(dǎo)電區(qū)域和流體限制結(jié)構(gòu)之間提 供的電壓在戶皿區(qū)域中產(chǎn)生原子團。
0197期望地，流體限制結(jié)構(gòu)構(gòu)造為連接至氣鄉(xiāng)以衛(wèi)共所述氣流，其中 所述氣體是惰性氣體和活性氣體的混合氣體。
0198期望地，戶脫惰性氣體是氮、氦、氬、氖和氙中至少之一；并且活 性氣體是氧氣和氫氣中的一種。
0199期望地，戶脫氣體是凈化的空氣。
0200期望地，襯底臺包括至少一#接至電壓源的電極，該至少一個電 極構(gòu)造為接觸另外連接至所述至少一個導(dǎo)電區(qū)域的清潔設(shè)備上的對應(yīng)的至少一 個電極。
0201期望地，流體限帝lj結(jié)構(gòu)構(gòu)造為使得當(dāng)在清潔狀態(tài)下時，由流體限制 結(jié)構(gòu)提供的、并且流入接近至少一個導(dǎo)電區(qū)域的區(qū)域的氣流沿著遠離投影系統(tǒng) 的方向流動。
0202在一個實施例中，提供一種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或部件 的方法，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯 底臺和/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)，該方、跑括
禾擁等離子體原子團源Jif共原子團流；
禾傭?qū)Ч軐碜缘入x子體原子團源的原子團提供至將被清潔的表面；以及
禾傭原子團限制系統(tǒng)弓l導(dǎo)原子團以清潔戶腿表面的局部。
0203在一個實施例中，劍共一種用于清潔浸沒式光亥股備的表面的方法，
該浸沒式光亥股備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底臺禾口/或 襯底之間限定浸沒流體的流體限制系統(tǒng)，該方^括
在襯底臺上支^t清潔設(shè)備，該清潔設(shè)備包括構(gòu)造為代替襯底由浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺支撐的主體，以及構(gòu)造為在接近等離子體原子團產(chǎn)生器的區(qū)域內(nèi) 的氣體內(nèi)產(chǎn)生原子團的等離子體原子團產(chǎn)生器；以及
禾擁流體限制結(jié)構(gòu)在流體限制結(jié)構(gòu)和襯底臺之間樹共氣流；
其中由流體限制結(jié)構(gòu)提供的氣流通過接近等離子體原子團產(chǎn)生器的所述區(qū) 域，以便Jli共原子團源。
0204盡管在本文中具體涉及了在IC制造中使用光刻體，但是應(yīng)當(dāng)理 解，在此所述的光刻裝置可具有其他應(yīng)用，諸如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲 器的弓l導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)和薄膜磁頭等。本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)意識到，在這種可選用的應(yīng)用情況下，在JJ:休語"晶片'或"管牧' 的任何4頓可被認為分別與Ul位的術(shù)語"襯底"或"目標(biāo)部分"是同義的。在此提 至啲襯底可在曝光之前或之后在例如軌道(track)(—種通常^l繊蝕劑層施力盱 襯底并對經(jīng)過曝光的抗蝕劑進行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗工具中被處 理。在可適用的情況下，在此公開的內(nèi)容可用于這種和其它襯底處理工具。另 外，例如為了形成多層IC，襯底可經(jīng)過不止一次的處理，以使在此所使用的術(shù) 語"襯底"還可指已經(jīng)包含多個經(jīng)過處理的層的襯底。
0205在此所使用的術(shù)語"輻射"和"光束'包含所有類型的電磁昌射，包括 紫外(UV)輻射(例如具有大約365、 248、 193、 157或126nm的波長)。
0206在情況允許的情況下，術(shù)語" "可指各種類型的光學(xué)部件的任何 一種或組合，包括折射光學(xué)部件和反射光學(xué)部件。
0207雖然在上面己經(jīng)對本發(fā)明的具體實施例進行了描述，但是將意識到， 可以與所述的不同的方式來實施本發(fā)明。例如，本發(fā)明的實施例可采用描述上 面公開的方法的、包含一個或更多個機器可讀指令序列的計算機，M^的形式， 或者采用將這樣的計算機禾歸存儲在其中的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)條儲器、 磁盤或光盤)的形式。此外，所述機器可讀指令序歹何用兩個或更多個計算機 禾旨體現(xiàn)。該兩個或更多個計算機禾旨可存儲在一個或更多個不同的存儲器和/ 或娜存儲介質(zhì)上。
0208上述的控制器可具有任何適于接收、處理和發(fā)送信號的結(jié)構(gòu)。例如， 每個控制器可包括用于執(zhí)行包括用于上述方法的機器可讀指令序列的計算機程 序的一個或更多個處理器?？刂破饕部砂ㄓ糜诖鎯@種計算機程序的數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)和/或辭內(nèi)這種介質(zhì)的鵬。
0209本發(fā)明可用于任何浸沒式光亥股備，尤其但不僅僅處述這些類型。
0210本發(fā)明的一個或多個實施例可用于任何浸沒式光刻裝置，尤其但并 不僅僅是上述這些類型并且無論是以槽的形式提供浸沒液體，還是在襯底的局 部表面區(qū)域限定浸沒液體或者不限定浸沒液體。在非限定布置中，浸沒液體可 流過襯底和/或襯底臺的表面上，使得基本上襯底臺禾口/或襯底的 ^非覆蓋表面 被浸濕。在這種非限定浸沒式系統(tǒng)中，液體供應(yīng)系統(tǒng)可不限定浸沒液體或者可 對浸沒液體劍共一定比例的限定，但是并非基本上完全限定浸沒液體。
0211如在此所設(shè)計的液體供應(yīng)系^iS當(dāng)被廣義地解釋。在某些實施例中， 它可以是將液體Jlf共至投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間的空間的機構(gòu)或結(jié)構(gòu)組 合。它可包括將液體提供至該空間的一個或更多個結(jié)構(gòu)、 一個或更多個液體入 口、 一個或更多^體入口、 一個或更多^體出口、禾口/或一個或更多個液體 出口的組合。在一個實施例中，該空間的表面可以是襯底禾Q/或襯底臺的一部分， 或者該空間的表面可完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者該空間可包圍襯底 和/或襯底臺。液體供應(yīng)系統(tǒng)還可視瞎況地包括用來控制流體的位置、數(shù)量、質(zhì) 量、形狀、流量或倒可其它特征的一個或更多個元件。
0212根據(jù)所期望的特性和所j頓的曝光輻射的波長，在該設(shè)備中j頓的 浸沒液體可具有不同的成分。對于193nm的曝光波長，可JCT超純水或基于水 的成分，并且出于這個原因，浸沒液體有時被稱為水，并且可使用與水有關(guān)的 術(shù)語，例如親水的、疏水的、濕度等，但是應(yīng)該更一般地考慮。這種術(shù)語也應(yīng) 該擴展到其它可使用的高折射率液體，諸如含氟烴。
上面的描述是用于說明而不是限制的。因而，只要未背離所附的權(quán)利要求 的范圍，可對所描述的本發(fā)明進行修改，3^t本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說顯而易見 的。
4權(quán)利要求
1. 一種清潔設(shè)備，用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或部件，該浸沒式光刻設(shè)備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底臺和/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制系統(tǒng)，該清潔設(shè)備包括等離子體原子團源，其用于提供原子團流；導(dǎo)管，用來將來自等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面；以及原子團限制系統(tǒng)，用來引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局部。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的清潔設(shè)備，其中原子團限制系統(tǒng)包括阻擋件。
3. 根據(jù)權(quán)禾腰求2的清潔設(shè)備，其中原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為劍共氣流，以 便將原子團基本上限制到阻擋件的與戶腿表面的戶腿局部的相同側(cè)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2或3的清潔設(shè)備，其中阻擋件為原子團限制室，在其中 設(shè)有戶，導(dǎo)管的出口。
5. 根據(jù)權(quán)禾腰求4的清潔設(shè)備，其中原子團限制室包 g^接至負壓力源的 出口。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中等離子體原子團 源位于距離將被清潔的所述表面約lmm和約30mm之間的位置。
7. 根據(jù)權(quán)禾腰求1至6中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中原子團限制系統(tǒng) 構(gòu)造為形成氣流來弓l導(dǎo)原子團。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中等離子體原子團 源構(gòu)造為掛共還原性原子團源。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中等離子體原子團 源構(gòu)造為提供氧化性原子團源。
10. 根據(jù)權(quán)禾腰求1至9中任意一項戶腿的清潔設(shè)備，其中等離子體原子 團源包括氣體源和等離子體產(chǎn)生區(qū)；以及等離子體原子團源構(gòu)造為從所述氣體 源掛共氣體，以使其M31所述等離子體產(chǎn)生區(qū)^f共至戶腿導(dǎo)管。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10的清潔設(shè)備，其中等離子體產(chǎn)生區(qū)包括位于氣流內(nèi)的 高《^i件，該高溫元件的溫度足以造成熱分解以形成原子團。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll的清潔設(shè)備，其中氣鄉(xiāng)掛微化空氣的供給。
13. 根據(jù)權(quán)禾腰求10的清潔設(shè)備，其中等離子體產(chǎn)生區(qū)包括RF線圈、一 對AC或DC放電電極和微波或RF腔中的至少一種，其在來自氣鵬的氣流內(nèi) 產(chǎn)生等離子體區(qū)，原子團在等離子體區(qū)內(nèi)形成。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13的清潔設(shè)備，其中氣^^Jif共惰性氣體和活性氣體的 混合氣體；其中惰性氣體是氮、氦、氬、氖和氙中至少之一；并且活性氣體是 氫氣和氧氣中的一種。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14的清潔設(shè)備，其中活性氣體占由氣鵬所掛共的氣體 的約0.5%和約2%之間，優(yōu)選約1%。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1至15中任意一項戶脫的清潔設(shè)備，其中戶腿等離子體 原子團源和所述導(dǎo)管構(gòu)造得以便基本上沒有離子從導(dǎo)管提供。
17. 根據(jù)權(quán)利要求i至16中任意一項戶;M的清潔設(shè)備，還包括旋轉(zhuǎn)器，構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底；其中原子團限制系統(tǒng)構(gòu)造為將原子團引導(dǎo)至襯底周邊的局部，以便M相 對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底來清潔襯底的全部周界。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17的清潔設(shè)備，其中戶腿導(dǎo)管將原子團弓l導(dǎo)至襯底的邊 緣部分上。
19. 根據(jù)權(quán)利要求17或18的清潔設(shè)備，其中戶腿導(dǎo)管將原子團弓l導(dǎo)至器 件將形成于其上的襯底的主表面的周邊部分上。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17至19中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中所述原子團 限制系統(tǒng)包括保護氣繊，構(gòu)造該保護氣ffi以沿襯底的至少一個主表面提供 與來自所述導(dǎo)管的原子團流相反的氣流，來限制原子團通到襯底的所述表面上 的離。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20的清潔設(shè)備，其中原子團限審孫統(tǒng)包括氣體提取器， 該氣體提取器位于所述導(dǎo)管和所述保護氣體源之間，且布置用于從所述導(dǎo)管提 取原子團，且從^^保護氣 提取氣流。
22. 根據(jù)權(quán)利要求17至21中任意一項所述的清潔設(shè)備，還包括襯底保持 器，該襯底保持器構(gòu)造為保持襯底；其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為相對于所述導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯 底保持器。
23. 根據(jù)權(quán)利要求17至21中任意一項所述的清潔設(shè)備，還包括襯底底座，該襯底底座構(gòu)造為支撐襯底；其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為相對于襯底底座旋轉(zhuǎn)襯底。
24. 根據(jù)權(quán)利要求17至21中任意一項戶脫的清潔設(shè)備，其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造 為在清潔期間支撐襯底。
25. 根據(jù)權(quán)利要求17至21中任意一項所述的清潔設(shè)備，其中旋轉(zhuǎn)器構(gòu)造為使得在一個模式下可操作來相對于導(dǎo)管旋轉(zhuǎn)襯底，并且具有可操作來在多個 位置之間移動襯底的至少另一個模式。
26. 根據(jù)權(quán)利要求17至24中任意一項戶脫的清潔設(shè)備，安裝于光刻設(shè)備、 構(gòu)造為傳輸襯底的傳輸單元以及襯底處理單元中的至少一個內(nèi)，該襯底處理單 元構(gòu)造為用抗蝕劑涂覆襯底、烘烤襯底、冷卻襯底和在已經(jīng)用圖案化的輻射束 曝光的襯底上顯影抗蝕劑層。
27. —種浸沒式光刻設(shè)備，包括 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底；流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和/或襯底臺之間限制浸沒流體，該 襯底臺用于支撐襯底；以及根據(jù)權(quán)禾腰求1至16中任意一項戶脫的清潔設(shè)備，布置為清潔流體限制結(jié) 構(gòu)的表面的局部。
28. —種浸沒式光刻設(shè)備，包括 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底； 襯底臺，用于支撐襯底；流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底禾口減襯底臺之間限制浸沒流體；以及根據(jù)權(quán)利要求1至16中任意一項所述的清潔設(shè)備，布置為清纟群才底臺的表 面的局部。
29. —種光刻設(shè)備，包括襯底處理器，構(gòu)造為在曝光期間在用來支撐襯底的襯底臺上定位襯底，該 襯底處理器構(gòu)造為在襯底臺上定位襯底之前旋轉(zhuǎn)襯底；以及襯底清潔器，構(gòu)造為隨著襯底旋轉(zhuǎn)來清潔襯底表面的局部，等離子Wt潔 器包括用于提供原子團流的等離子體原子團源、用于將來自等離子體原子團 源的原子團供給將被清潔的表面的導(dǎo)管和用于引導(dǎo)原子團以清潔所述局部的原子團限制系統(tǒng)。
30. —種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的清潔設(shè)備，該浸沒式光刻設(shè)備 包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底臺禾B/或襯底之間限定浸沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)，該清潔設(shè)備包括主體，由電絕緣材料形成，且構(gòu)造為由浸沒式光刻設(shè)備的襯底臺支撐而代替襯底；以及至少一個導(dǎo)電區(qū)域，形成以使得當(dāng)主體支撐在襯底臺上時，M所述主體 的至少一部分與主體的面向流體限制結(jié)構(gòu)的表面電絕緣。
31. —種浸沒式光刻設(shè)備，包括投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底； 襯底臺，構(gòu)造為支撐襯底；流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和域襯底臺之間限制浸沒流體；以及電壓源，構(gòu)造為當(dāng)其支撐在襯底臺上時，在流體限制結(jié)構(gòu)和根據(jù)權(quán)利要求 39的清潔設(shè)備的主體上的至少一個導(dǎo)電區(qū)域之間衝共電壓。
32. —種浸沒式光刻設(shè)備，包括 投影系統(tǒng)，用于將圖案化的光束施加給襯底; 襯底臺，構(gòu)造為支撐襯底；流體限制結(jié)構(gòu)，用于在投影系統(tǒng)和襯底和域襯底臺之間限制浸沒流體；以及電壓源，構(gòu)造為當(dāng)其支撐在襯底臺上時，在根據(jù)權(quán)利要求39的清潔設(shè)備的 主體上的第一和第二導(dǎo)電區(qū)域之間提供電壓，所述清潔設(shè)備包括至少一個與所 述第一導(dǎo)電區(qū)域電絕緣的第二導(dǎo)電區(qū)域。
33. —種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或部件的方法，該浸沒式光刻設(shè) 備包括用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底臺禾口/或襯底之間限定浸 沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)，該方飽括利用等離子體原子團源Jli共原子團流；利用導(dǎo)管將來自等離子體原子團源的原子團ili共至將被清潔的表面；以及 禾U用原子團限制系統(tǒng)引導(dǎo)原子團以清潔戶脫表面的局部。
34. —種用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的表面的方法，該浸沒式光刻設(shè)備包括 用于支撐襯底的襯底臺和用于在投影系統(tǒng)和襯底臺禾B/或襯底之間限定浸沒流體 的流體限制結(jié)構(gòu)，該方 ^&括在襯底臺上支撐清潔設(shè)備，該清潔設(shè)備包括構(gòu)造為由浸沒式光刻設(shè)備的襯 底臺支撐而代替襯底的主體，以及構(gòu)造為在接近等離子體原子團產(chǎn)生器的區(qū)域 內(nèi)的氣體內(nèi)產(chǎn)生原子團的等離子體原子團產(chǎn)生器；以及禾擁流體限制結(jié)構(gòu)在流體限制結(jié)構(gòu)和襯底臺之間掛共氣流；其中由流體限制結(jié)構(gòu)提供的氣流通過接近等離子體原子團產(chǎn)生器的所述區(qū) 域，以便l^共原子團的供給。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種清潔設(shè)備以及一種包括用于清潔一個或更多個表面的設(shè)備的浸沒式光刻設(shè)備。所述清潔設(shè)備用于清潔浸沒式光刻設(shè)備的襯底或組件。清潔設(shè)備可以包括等離子體原子團源、導(dǎo)管和原子團限制系統(tǒng)。等離子體原子團源可提供原子團流。導(dǎo)管可將來自等離子體原子團源的原子團供給將被清潔的表面。原子團限制系統(tǒng)可引導(dǎo)原子團以清潔所述表面的局部。清潔設(shè)備可包括旋轉(zhuǎn)器且可構(gòu)造為清潔襯底邊緣。所述浸沒式光刻設(shè)備可包括用于支撐襯底的襯底臺和用于限制投影系統(tǒng)和襯底臺和/或襯底之間的浸沒流體的流體限制結(jié)構(gòu)。
文檔編號G03F7/20GK101458459SQ20081018689
公開日2009年6月17日 申請日期2008年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月31日
發(fā)明者A·M·C·P·德仲, A·德格拉夫, H·詹森, M·H·A·里德爾斯, M·范普特恩, P·布洛姆, R·H·G·克萊默 申請人:Asml荷蘭有限公司