專利名稱：：防止或者降低浸沒式投影設備及浸沒式光刻設備的污染的方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及一種防止或者降低浸沒式投影設備的污染的方法。本發(fā)明還涉及一種浸沒式光刻設備。
背景技術：
：熟知的投影設備是光刻設備。光刻設備是將所需圖形施加到襯底上，通常為襯底的目標部分上的機器。例如，光刻設備可以用于集成電路(IC)的制造中。在這種情況下，可稱為掩模、標線(reticle)的構圖裝置可以用于產生將形成在IC單層上的電路圖形。該圖形可以轉移到襯底(例如，硅晶片)上的目標部分(例如，包括包括部分、一個、或多個管芯的部分)上。通常通過在提供于襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上成像來轉移圖形。通常，單個襯底包括依次構圖的相鄰目標部分的網絡。已知的光刻設備包括通過將整個圖形一次曝光在目標部分上來輻射每個目標部分的所謂的步進機和通過在給定方向(“掃描”方向)上通過輻射束掃描圖形來輻射每個目標部分同時同步地平行或反平行于該方向掃描襯底的所謂的掃描器。還可以通過將圖形刻印在襯底上把圖形從構圖裝置轉移到襯底。已經提出利用浸沒式光刻，例如使用浸沒式光刻設備。舉個例子，已經提出將光刻投影設備中的襯底浸沒在具有相對較高的折射率的液體(比如水)中，以填充投影透鏡的最終光學元件與襯底之間的空間。這種方法的意義在于，能夠進行更小特征的成像，因為曝光輻射在液體中比在空氣中或者比在真空中具有更短的波長。(所述液體的效果也可以被認為增強了系統(tǒng)的有效NA)。將襯底或者襯底和襯底臺(substratetable)浸沒在液體池內(例如參見US4,509,852)意味著，在掃描曝光過程中有大量的液體必須被加速。這需要另外的或者更強勁動力的馬達，而且液體中的渦流會導致不希望出現(xiàn)的及不可預測的效果。也有人提出應用液體供應系統(tǒng)以只在襯底的局部區(qū)域上以及在投影系統(tǒng)的最終光學元件與襯底之間提供液體(所述襯底通常具有比投影系統(tǒng)的最終光學元件更大的表面積)。已經提出的為此目的布置的方法公開在例如WO99/49504和EP1429188A2中。
發(fā)明內容因此希望防止或者減少浸沒式投影設備中的污染。按照本發(fā)明的一個實施例，提供了一種用于防止或者減少浸沒式投影設備的污染的方法。所述設備包括至少一個浸沒空間，當所述設備將輻射束投射到襯底上時，所述浸沒空間至少部分地被液體填充。所述方法包括在使用所述設備將輻射束投射到襯底上之前，利用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。按照本發(fā)明的另一實施例，提供來了一種用于防止或者減少光刻投影設備的污染的方法。所述設備包括用來保持襯底的襯底支架、用來保持構圖裝置的構圖裝置支架、投影系統(tǒng)、和用來用液體至少部分地填充所述設備的浸沒空間的浸沒系統(tǒng)。所述方法包括使至少一個浸沒系統(tǒng)和至少部分設備彼此相對移動，以及在利用所述設備將構圖的輻射束投射到襯底的目標部分上之前，用液體漂洗至少部分設備。按照另一個實施例，提供了一種用于防止或者減少光刻投影設備的污染的方法。所述設備包括浸沒空間。所述方法包括用浸沒液體填充至少部分浸沒空間至少一分鐘。按照一個實施例，提供了一種用于防止或者減少光刻投影設備的污染的方法。所述設備包括構造來保持襯底的襯底支架、構造來保持構圖裝置的構圖裝置支架、投影系統(tǒng)、和浸沒空間。所述方法包括在所述設備的空閑時間期間用漂洗液填充至少部分浸沒空間，以防止或減少在所述設備的至少一個隨后啟動運行期間的襯底污染。按照一個實施例，提供了一種浸沒式光刻設備，其包括至少一個浸沒空間、和構造來用液體至少部分填充浸沒空間的浸沒系統(tǒng)。所述設備被構造來在使用所述設備將構圖的輻射束投射到襯底上之前用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。按照一個實施例，提供了一種浸沒式光刻設備，其包括至少一個存儲空間或者存儲室，以存儲在原位(in-situ)的至少一個模擬(dummy)襯底或襯底形狀的物體。按照一個實施例，提供了一種浸沒式光刻設備，其包括至少一個存儲空間或者存儲室，以存儲在原位的至少一個模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體。按照一個實施例，提供了一種計算機程序，其包含一個或多個機器可讀指令序列，當所述計算機程序由計算機執(zhí)行時，所述指令執(zhí)行用于防止或者減少浸沒式投影設備的污染的方法。所述設備包括至少一個浸沒空間，當所述設備將輻射束投射到襯底上時，用液體至少部分地填充所述浸沒空間。所述方法包括在利用所述設備將輻射束投射到襯底上之前用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。按照一個實施例，提供了一種用于防止或者減少光刻投影設備的污染的方法。所述設備包括將被提供有輻射束能通過其傳送的液體的空間。所述方法包括操縱光刻設備，并且隨后用漂洗液漂洗至少部分所述空間?，F(xiàn)在僅僅是通過舉例的方式，參照所附的示意圖，說明本發(fā)明的各個實施例，其中對應的附圖標記指示對應的部分，而且其中圖1示出了按照本發(fā)明的一個實施例的光刻設備；圖2示意性地示出了圖1實施例的細節(jié)；圖3示意性地示出了圖1實施例的襯底及襯底支架的頂視圖，其中示出了不同的浸沒空間位置；圖4示出了一個可選實施例的細節(jié)；和圖5示出了涉及不同試運行的粒子計數(shù)的結果。具體實施例方式在本申請中，相同的或者類似的特征通常由相同的或者類似的附圖標記指示。圖1示意性地示出了根據本發(fā)明一個實施例的投影設備1。按照本發(fā)明的一個實施例，設備1是光刻設備，而且被布置為將來自構圖裝置MA的圖形投射到襯底W上。該設備包括用于調節(jié)輻射束B(例如，UV輻射或其他輻射)的照明系統(tǒng)(照明器)IL；用于支持構圖裝置(例如，掩模)MA并連接到根據特定參數(shù)精確定位構圖裝置的第一定位器PM的支撐結構(例如，掩模臺)MT；保持襯底(例如，涂有抗蝕劑的晶片)W并連接到根據特定參數(shù)精確定位襯底的第二定位器PW的襯底臺(例如，晶片臺)WT；以及用于將通過構圖裝置MA賦予到輻射束PB的圖形投射到襯底W的目標部分C(例如，包括一個或多個管芯)上的投影系統(tǒng)(例如，折射投影透鏡系統(tǒng))PL。照明系統(tǒng)可以包括各種類型的光學部件，例如折射的、反射的、磁的、電磁的、靜電的或其他類型的光學部件，或者它們的任意組合，用于引導、成形或控制輻射。支撐結構支撐，即，承擔構圖裝置的重量。支撐結構以依賴于構圖裝置的定向、光刻設備的設計和諸如構圖裝置是否被保持在真空環(huán)境中的其他條件的方式保持構圖裝置。支撐結構可以利用機械、真空、靜電或其他夾緊技術來保持構圖裝置。支撐結構可以是框架或平臺，例如，如果需要其可以是固定的或可動的。支撐結構確保構圖裝置處于期望位置上，例如，相對于投影系統(tǒng)。在此任意使用的術語“標線”或“掩?！笨梢哉J為與更普通的術語“構圖裝置”同義。在此使用的術語“構圖裝置”應當廣泛地解釋為表示可以用來在輻射束的橫截面中賦予輻射束圖形以便在襯底的目標部分中產生圖形的任何裝置。應當注意到賦予到輻射束的圖形可以不完全與襯底的目標部分中期望的圖形相應，例如如果該圖形包括相移特征或所謂的輔助特征。通常，賦予到輻射束的圖形將與目標部分中制造的器件的特定功能層例如集成電路相對應。構圖裝置可以是透射的或反射的。構圖裝置的例子包括掩模、可編程反射鏡陣列和可編程LCD面板。掩模是光刻中眾所周知的，且包括諸如二元的、交替相移的和衰減相移的掩模類型以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的例子采用小反射鏡的矩陣布置，每個小反射鏡可以單獨傾斜以便在不同方向上反射入射的輻射束。傾斜反射鏡在由反射鏡矩陣反射的輻射束中賦予圖形。在此使用的術語“投影系統(tǒng)”應當廣泛地解釋為包括任何類型的投影系統(tǒng)，包括折射的、反射的、反折射的、磁的、電磁的和靜電光學系統(tǒng)，或者它們的任意組合，只要其適于所用的曝光輻射或用于諸如使用浸沒液體或使用真空的其他因素。在此任意使用的術語“投影透鏡”可以認為與更普通的術語“投影系統(tǒng)”同義。如在此所述的，設備是透射型的(例如，采用透射掩模)?？蛇x地，設備可以是反射型的(例如，采用上述所稱類型的可編程反射鏡陣列，或者采用反射掩模)。光刻設備可以是具有兩個(雙級)或更多襯底臺(和/或兩個或更多掩模臺)的類型。在這種“多級”機器中其他平臺可以并行使用，或者在一個或多個平臺上進行預備步驟，同時一個或多個其他平臺用于曝光。參考圖1，照明器IL接收來自輻射源SO的輻射束。例如當源為受激準分子激光器時，源和光刻設備可以是獨立實體。在這種情況下，認為源不形成光刻設備的一部分，且輻射束借助束傳送系統(tǒng)BD從源SO傳遞到照明器IL，該束傳送系統(tǒng)BD例如包括合適的引導反射鏡和/或束擴展器。在其他情況下，例如當源為汞燈時，源可以是光刻設備的整體部分。如果需要，可以將源SO和照明器IL與束傳送系統(tǒng)BD一起稱為輻射系統(tǒng)。照明器IL可以包括用于調節(jié)輻射束角強度分布的調節(jié)器AM。通常，至少可以調節(jié)照明器光瞳平面中強度分布的外部和/或內部徑向范圍(通常分別稱作σ-外和σ-內)。此外，照明器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。照明器可以用于調節(jié)輻射束，使其在其橫截面中具有期望的均勻性和強度分布。輻射束PB入射到保持于支撐結構(例如，掩模臺MT)上的構圖裝置(例如MA)上，并由構圖裝置構圖。橫穿掩模MA，輻射束PB穿過投影系統(tǒng)PS，該投影系統(tǒng)PS將束聚焦到襯底W的目標部分C上。借助于第二定位器PW和位置傳感器IF(例如，干涉測量裝置IF、線性編碼器或電容傳感器)，襯底臺WT可以精確地移動，例如，在輻射束B的路徑中定位不同的目標部分C。類似地，第一定位器PM和另一位置傳感器(未在圖1中明確示出)可以用于相對于輻射束B的路徑來精確定位掩模MA，例如，在從掩模庫中機械檢索之后，或在掃描期間。通常，掩模臺MT的移動可以借助于構成第一定位器PM一部分的長沖程模塊(粗定位)和短沖程模塊(細定位)來實現(xiàn)。類似地，襯底臺WT的移動可以使用構成第二定位器PW一部分的長沖程模塊和短沖程模塊來實現(xiàn)。在步進機(與掃描器相對)的情況下，掩模臺MT可以只連接到短沖程調節(jié)器或者是固定的。掩模MA和襯底W可以利用掩模對準標記M1、M2和襯底對準標記P1、P2來對準。雖然所示的襯底對準標記占據專用目標部分，但它們可以位于目標部分之間的空間中(這就是已知的劃片線對準標記)。類似地，在多于一個的管芯提供在掩模MA上的情況下，掩模對準標記可以位于管芯之間。所述設備可以用于以下模式的至少一種中1.在步進模式中，掩模臺MT和襯底臺WT基本保持固定，同時將賦予輻射束的整個圖形一次投射到目標部分C上(，即，單靜態(tài)曝光)。然后襯底臺WT在X和/或Y方向上移動以便可以曝光不同的目標部分C。在步進模式中，曝光場的最大尺寸限制了單靜態(tài)曝光中成像的目標部分C的尺寸。2.在掃描模式中，掩模臺MT和襯底臺WT被同步掃描，同時將賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上(即，單動態(tài)曝光)。襯底臺WT相對于掩模臺MT的速度和方向可以由投影系統(tǒng)PS的放大率(縮小率)((de-)magnification)和圖像翻轉特性來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺寸限制了單動態(tài)曝光中目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動的長度確定了目標部分的高度(在掃描方向上)。3.在其他模式中，掩模臺MT基本保持固定地保持可編程構圖裝置，且襯底臺WT被移動或掃描同時將賦予輻射束的圖形投射到目標部分C上。在該模式中，通常采用脈沖輻射源，在襯底臺WT每次移動之后或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間需要更新可編程構圖裝置。這種模式的操作容易應用于利用可編程構圖裝置的無掩模光刻，例如上述所稱類型的可編程鏡面陣列。還可以采用上述模式的組合和/或變形或者完全不同的模式。在本發(fā)明的一個實施例中，投影設備1為這樣的類型，其中襯底的至少一部分被具有相對較高折射率的液體比如水或者其它合適的液體所覆蓋，以填充投影系統(tǒng)和襯底之間的浸沒空間10(見圖2)。浸沒液體也可應用到光刻設備1的其它空間10′，例如掩模MA和投影系統(tǒng)PS之間的空間(見圖4)。象這樣的浸沒技術在本領域中公知的是為了增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。此處使用的術語“浸沒”并不意味著諸如襯底這樣的結構必須被浸沒在液體中，而是通常僅僅意味著在曝光過程中液體被定位在位于一側的投影系統(tǒng)與位于另一側的襯底和/或掩模MA之間。例如，所述設備能具有和EP1429188A2中公開的設備類似的結構，該專利的全部內容通過參考被引入在本申請中，或者具有不同的結構。圖2示出了圖1所示設備的細節(jié)。圖2示出了緊鄰投影系統(tǒng)PS的至少一部分的浸沒空間10。具體地，在圖2中，浸沒空間10在投影系統(tǒng)PS的最終光學元件PL和定位在襯底臺WT上的襯底W或者襯底形狀的物體W之間延伸。所述設備1包括包含入口/出口管道13的浸沒系統(tǒng)。在使用中，浸沒系統(tǒng)通過入口/出口管道13用具有相對較高折射率的液體11(比如水)填充浸沒空間10。所述液體具有這樣的效果，即投影束的輻射在液體中比在空氣或者比在真空中具有更短的波長，使得能夠分辨更小的特征。公知的是，尤其通過投影束的波長和所述系統(tǒng)的數(shù)值孔徑來確定投影系統(tǒng)的分辨極限。所述液體的存在也可認為增加了有效數(shù)值孔徑。此外，在固定的數(shù)值孔徑時，液體能有效地增加視場的深度。所述設備的結構可以是這樣的，以使得對于襯底W，在最終光學元件PL的象場周圍形成基本上無接觸的密封，于是液體就被限制來填充面向投影系統(tǒng)PS的襯底的主(primary)表面與投影系統(tǒng)PS的最終光學元件PL之間的空間。提供浸沒空間10的容池能由密封件12形成，所述密封件比如是放置在投影系統(tǒng)PS的最終光學元件PL下面并圍繞該最終光學元件PL的“浸沒罩(hood)”。因此，浸沒系統(tǒng)能布置來只在襯底W的局部區(qū)域上提供浸沒液體。密封件12能構成用于使用液體填充投影系統(tǒng)PS的最終光學元件PL與襯底W之間的空間的液體供應系統(tǒng)的一部分。所述液體被帶進最終光學元件PL下面的空間以及密封件12的內部。密封件12優(yōu)選地在投影系統(tǒng)PS的最終光學元件PL上方延伸一點，并且液體上升超過最終光學元件PL以便提供液體的緩沖。密封件12可以具有在上部與投影系統(tǒng)PS的形狀或者其最終光學元件PL的形狀接近一致的內圓周，并且可以比如為圓形。在底部，內圓周與象場的形狀(比如矩形)接近一致，雖然這不是必要的。密封件12可以相對于投影系統(tǒng)PS在XY平面內基本上靜止，雖然在Z方向(在光軸方向)可存在一些相對運動。在密封件12和襯底W表面之間形成密封以限制浸沒空間10內的浸沒液體11。這種密封優(yōu)選為無接觸密封，而且可以為氣密封(沒有示出)。而且，襯底臺WT可設有蓋板或者邊緣密封件17。這樣的邊緣密封件17能具有與襯底W的上部主表面基本上共面的上部主表面(如圖所示)，而且緊密地靠近襯底W的邊緣，以便當襯底的邊緣在最終光學元件PL的下方移動時，沒有液體的突然損失。但是仍然會出現(xiàn)到間隙的一些液體損失。當然有這樣的布置，其中圖2所示的整個結構被顛倒放置，于是邊緣密封件和襯底的下表面面向投影系統(tǒng)而且基本上共面。因此所述下表面而不是上表面被稱作面向投影系統(tǒng)PS的主表面。此處涉及的上表面和下表面也可以適合地分別視為顛倒結構中的下表面和上表面。具有這樣的設備，液體供應系統(tǒng)(例如浸沒空間10)能放置在襯底W的邊緣上方，并且甚至能夠徹底離開襯底W。這使得在設備制造方法中要成像的襯底W的邊緣部分由所述設備實現(xiàn)。邊緣密封件17能以各種方式提供，并且例如其可構成襯底臺WT的整體部分或者相對于襯底臺的其它部分利用例如真空抽吸或者通過使用電磁力暫時安裝。而且，邊緣密封件17可以由幾個單獨部件構成，每一個部件圍繞襯底W的邊緣的一部分。按照一個實施例，投影設備包括至少一個所述的浸沒空間10和構造來利用浸沒液體11至少部分地填充浸沒空間10的相應浸沒系統(tǒng)。在用所述設備將構圖的輻射束投射到襯底W上之前，所述設備能被構造來用漂洗液11漂洗至少一部分浸沒空間10。例如，在一個實施例中，在所述設備的相對長的空閑操作模式期間，該設備被構造來漂洗至少一部分浸沒空間。所述設備能被構造來基本上持續(xù)地漂洗浸沒空間，直到該設備將構圖的輻射束投射到襯底上。有利的是所述設備被構造來利用所述浸沒液體11來漂洗浸沒空間。那么，浸沒液體和漂洗液簡單地采用同樣的液體11，于是所述設備不必被提供有特定的清潔裝置以向浸沒空間提供特定的清潔液體。在一個實施例中，所述設備能被構造來在浸沒空間10的漂洗期間將一個物體提供在所述浸沒空間10內和/或者該空間10的相鄰位置處，以及在利用該設備將構圖的輻射束投射到襯底的目標部分上之前，移走所述物體。所述物體能包括例如空白(沒有涂覆的)晶片、模擬晶片或者晶片形的物體。例如，如圖1所示，所述設備能包括至少一個存儲空間或者存儲室22、H以在利用所述設備將構圖的輻射束投射到標準(抗蝕劑涂覆的)的襯底的目標部分上時存儲所述物體。所述存儲空間或存儲室22、H能設置在設備的不同位置或者靠近該設備處。例如，這樣的存儲空間或存儲室能放置在所述設備的襯底臺2中或者其附近，如圖1中由框體22所示意性地示出的。這樣的存儲空間或存儲室能以不同的方式布置，并且能包括可封閉的容器、襯底存儲盒、襯底機器人機械爪或者任意其它適當?shù)囊r底支架或者襯底存儲設備。這樣的存儲空間或者存儲室優(yōu)選地放置在設備1內，例如靠近所述浸沒系統(tǒng)(襯底的處理器在下面進行說明)?？蛇x擇地，所述存儲空間或者存儲室能包括襯底處理器H或者是它的一部分，襯底處理器被放置在設備1的襯底臺2的外部。這樣的襯底處理器H對于本領域普通技術人員是公知的。通常，這樣的襯底處理器H能給構造來接收來自設備1環(huán)境的一個或者多個襯底，以暫時存儲所述的一個或者多個襯底以及將所述的一個或者多個襯底傳送到襯底支架WT，以便依次被投影系統(tǒng)PS照射。在本實施例中，例如，襯底處理器H能被構造來在漂洗過程中，例如在設備1的空閑操作期間內，在將一個或者多個襯底、模擬襯底和/或襯底形狀的物體放置在對應的襯底臺WT上之前，在所需時間期間保持或者存儲所述一個或者多個襯底、模擬襯底和/或襯底形狀的物體。除此之外，設備1能包括被布置或者構造來將襯底W從此類存儲空間或者存儲室22、H運送到襯底支架WT(反之亦然)的機構(沒有具體畫出)。這樣的機構對于本領域普通技術人員是公知的。例如，襯底處理器H和襯底支架WT能以多種方式布置或者構造以在兩者之間傳送襯底。例如，可以提供一個或者多個機械臂、傳送帶、傳送裝置或者其它傳送機構以便從希望的襯底位置移動襯底，模擬襯底或者襯底形狀的物體和將其移動到希望的襯底位置。而且，所述設備能包括至少一個紫外線輻射源，以在實際使用該設備將構圖的輻射束傳送到標準(抗蝕劑涂覆的)襯底上之前，在漂洗浸沒空間10的過程中用紫外線輻射照射所述空間。例如，可以將上述輻射源SO布置和構造為這樣的紫外線輻射源。另一方面，能設置一個或者多個不同的輻射源以在漂洗過程中用紫外線輻射照射浸沒空間10。在圖1和2所示的實施例中，在使用過程中，所述浸沒空間10在位于一側的襯底、模擬襯底、襯底形狀的物體W和/或襯底臺或襯底支架WT、17的至少一部分與位于相對側的投影系統(tǒng)PS之間延伸。所述模擬襯底可以例如是空白硅晶片，不帶有抗蝕劑涂層。例如，如上所述，所述設備能被構造來將模擬襯底或者襯底形狀的物體放置在所述襯底支架WT上，以及依次漂洗相應的浸沒空間10。而且，所述設備能被構造為具有在漂洗過程中至少達到或者包括被所述襯底支架WT所保持的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體W的外部輪廓的浸沒空間10。這在圖3中可以看到。例如，所述設備能被構造來漂洗襯底支架WT的至少一部分區(qū)域(使用所述漂洗液)，所述區(qū)域沿著和/或圍繞被襯底支架WT保持的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體W的邊緣延伸。在這種情況下，作為光刻處理的一部分，當使用所述設備隨后照射標準襯底時，能夠獲得相對低的每襯底粒子數(shù)(particle)。例如，在使用所述浸沒空間10和所述漂洗液時，所述設備能被構造來漂洗襯底支架WT的至少部分表面和/或襯底支架WT的襯底邊緣密封件17的至少部分表面。此外，在一個實施例中，所述設備能被構造來在漂洗或者清潔過程期間相對于所述投影系統(tǒng)PS移動所述襯底支架WT，以便在漂洗過程中浸沒空間10的位置相對于襯底支架發(fā)生變化。這在圖2和3中由箭頭Q和R可以看出。在圖2中，箭頭Q指示襯底支架WT相對于投影系統(tǒng)PS和浸沒空間10的側向運動。在圖3中，箭頭R指示浸沒空間10沿著襯底或襯底形狀的物體W的邊緣相對于襯底或襯底形狀的物體W周向地從浸沒空間10的第一位置101掃描到第二位置102掃描浸沒空間。由此，在所述設備的光刻應用中靠近襯底W延伸的、襯底支架WT表面的內部或者相應襯底邊緣密封件17的表面的內部，能被漂洗液所漂洗。而且，因此，能夠相對較好地將污染物從邊緣縫隙E內清除，所述邊緣縫隙在位于一側的襯底或襯底形狀的物體W和位于相對一側的襯底支架或可選的邊緣密封件17之間延伸。除此之外，襯底支架WT在使用時圍繞襯底W的表面能包括其它組件21，諸如傳感器、定位裝置、反射鏡元件和/或其它組件，如圖3示意地所示。在本發(fā)明的實施例中，浸沒空間的掃描是這樣的，即那些組件21也能被浸沒系統(tǒng)所達到，以漂洗這些組件21的外表面。移動襯底支架WT以相對于襯底支架WT掃描浸沒空間10能在各個方向上進行，例如在圖2和3所示的方向Q、R和/或本領域技術人員能想到的其它掃描方向。在本發(fā)明的實施例中，所述設備被構造來在設備的預定量的空閑時間之后自動啟動所述漂洗。而且，所述設備能被構造來在預定數(shù)目的光刻襯底曝光之后(當將構圖的輻射束投影到襯底上時)自動啟動所述漂洗。此外，在一個實施例中，所述設備能被構造來確定或者估計所述設備的至少一部分是否已經到達特定閾值量的污染，并且當已經確定或者估計設備部分已經到達閾值量的污染時，漂洗所述設備的所述部分。另外，如圖1示意所示，所述設備能包括控制該設備或者至少控制所述漂洗的計算機控制器CC。這樣的計算機控制器CC被構造來例如控制漂洗處理的啟動時間，以計數(shù)襯底曝光的數(shù)量以便啟動漂洗處理和/或估計或確定特定的設備部分已經到達所述閾值量的污染。計算機控制器能由適當?shù)挠嬎銠C軟件提供。例如，本發(fā)明的一個實施例提供了包括一個或多個機器可讀指令序列的計算機程序，當由計算機執(zhí)行所述計算機程序時所述指令被用來執(zhí)行本專利申請中公開的方法。在可選實施例中，圖4示意地所示，浸沒空間10′至少在位于一側的構圖裝置MA和/或構圖裝置支架MT和位于相對一側的投影系統(tǒng)之間延伸。在這種情況下，例如，所述設備能被構造來將模擬構圖裝置或者構圖裝置形狀的物體放置在所述構圖裝置支架上，而且隨后漂洗各個浸沒空間。應當認識到，所述設備還能包括比如通過組合圖2和4的實施例得到的在晶片級的浸沒空間和在構圖裝置級的浸沒級。而且，在實施例中，所述設備包括至少兩個襯底支架WT。那么，所述設備能被構造來將每一個襯底支架WT至少移動到第一位置，其中所述浸沒空間在位于一側的至少部分襯底支架和位于相對側的投影系統(tǒng)PS之間延伸，并移動到遠離所述投影系統(tǒng)PS的相應第二位置。所述第二位置例如靠近所述襯底處理器H，以在各個襯底支架和襯底處理器H(見圖1)之間傳送襯底。按照另一實施例，所述設備能被構造來將所述不同的襯底支架WT依次移動到所述第一位置，在該位置或者靠近該位置處被所述漂洗液至少部分地漂洗?？蛇x地，所述設備能包括一個或多個清潔裝置，這些裝置能被構造來在襯底支架處于所述第二位置時至少部分地清潔襯底支架。這樣的清潔裝置20在圖1中示意地示出，并且例如可被布置為當襯底架在所述第二位置或者靠近該位置時利用漂洗液漂洗襯底支架。通過形成和應用相應的浸沒空間，或者采用不同方式，這樣的清潔裝置20能與所述浸沒系統(tǒng)類似地起作用。此外，這樣的清潔裝置20可以布置來將相應的襯底支架徹底浸沒在適當?shù)那鍧嵰簝取４送?，所述設備能被構造來確定所述各個襯底支架的哪個最可能被污染，并且首先進行漂洗或清潔，其中所述設備被構造來漂洗或者清潔那個首先被發(fā)現(xiàn)為最可能被污染的襯底支架。在使用過程中，圖1-3所示的浸沒式投影設備能執(zhí)行防止或者減少污染的方法。為此目的，在應用所述設備將構圖的輻射束投射到抗蝕劑涂覆的襯底上之前，至少部分浸沒空間10被漂洗液漂洗，優(yōu)選地被所述浸沒液體漂洗。如此，在設備的空閑操作模式期間，浸沒空間10能簡單地基本上連續(xù)地漂洗，直到所述設備被用來執(zhí)行光刻處理以將構圖的輻射束傳送到襯底的目標部分?？蛇x地，至少部分浸沒空間和/或漂洗液被紫外線輻射照射，例如以破壞或者殺死細菌。在一個實施例中，浸沒液體能被轉換成超聲波清潔池。在另一實施例中，浸沒液體不被轉換成超聲波清潔池，即其中設備1不包括用來將浸沒液體轉換為超聲波清潔液體的超聲波發(fā)射器的實施例。所述設備1的空閑操作模式包括各種空閑時間。例如，由于各種因素，比如工廠的瞬時襯底生產量、向設備1供應襯底的暫時停止、工廠的停產時間、設備的特定維修周期和/或不同周期，所述設備在設備制造工廠中是空閑的。如圖2和3所示，當浸沒空間被所述漂洗液漂洗，例如以至少漂洗部分襯底架WT時，模擬襯底或者襯底形狀的物體W能設置在所述襯底架WT上。例如，在使用時，在啟動漂洗之前，所述模擬襯底或襯底形狀的物體W能被從處于原位的存儲室22或者可選地從襯底處理器H運送到襯底架WT。而且，襯底支架WT能設有所述邊緣密封件17。在這種情況下，襯底支架WT的邊緣密封件17的上表面或者該表面的一部分能被浸沒系統(tǒng)漂洗。在這樣的漂洗之后，模擬襯底或者襯底形狀的物體能被真正的襯底代替，真正的襯底在光刻制造方法中被投影系統(tǒng)PS照射。例如，在所述光刻制造方法過程中，模擬襯底或者襯底形狀的物體W能被存儲在適當?shù)拇鎯κ遥热缢鎏幱谠坏拇鎯κ?2或者所述襯底處理器H。在光刻制造方法之后，例如當所述設備被置于相對長的空閑操作模式時，能再次將模擬襯底或者襯底形狀的物體放置在襯底支架WT上，并且能重復基本連續(xù)的漂洗。而且，浸沒空間10的位置在漂洗處理過程中可以變化。例如，所述設備能夠相對于浸沒系統(tǒng)和/或投影系統(tǒng)PS移動襯底支架WT，以使浸沒空間10依次到達襯底支架(和/或襯底邊緣密封17或其它元件21)的不同位置，以便清除污染。由此，至少部分設備能被浸沒系統(tǒng)清洗或者漂洗，優(yōu)選地只利用也在設備的光刻應用中使用的浸沒液體。如此，在一個實施例中，浸沒系統(tǒng)能夠良好地清洗或者漂洗在襯底支架WT內或者其附近延伸的至少一個狹縫或者孔徑E，特別是在位于一側的襯底或者襯底形狀的物體W和位于相對一側的襯底支架或可選的邊緣密封件17之間延伸的所述邊緣縫隙E。在一個實施例中，浸沒空間至少部分地被漂洗液，優(yōu)選地被所述浸沒液體填充或者沖洗(flushed)例如至少一分鐘、至少一個小時、或者其它不同的時間周期。例如，浸沒空間10至少部分被漂洗液基本連續(xù)地填充或者沖洗至少一天，包括至少一個空閑操作周期或者其一部分。而且，如果需要，可以利用不同的漂洗周期。而且，浸沒空間10在設備的空閑時間內能至少部分被漂洗液填充或者沖洗，以在設備的至少一個隨后的啟動運行過程中防止或者減少襯底污染。此外，所述方法能包括將浸沒液體循環(huán)通過設備的浸沒空間。為了提供基本無污染的浸沒液體，能以適當?shù)姆绞竭^濾和/或處理浸沒液體，這對于本領域技術人員是顯而易見的。當所述設備包括至少兩個襯底支架WT時，例如見歐洲專利申請No.03257072.3，襯底支架WT可依次被移動到所述第一位置，以便由浸沒系統(tǒng)進行清潔。可選擇地，當襯底支架處于所述第二位置時，可以用所述可選擇的清潔設備20清潔一個或者多個這樣的襯底支架。而且，在空閑時間內，一個或者多個襯底支架被徹底浸沒在合適的液體內，以清潔襯底支架和/或保持襯底支架不受污染。此外，計算機控制器CC和/或所述軟件可確定多個支架中的哪個最可能被污染并首先進行漂洗或者清潔或浸沒。在可選的方法中，如上所述及如圖4所示，相應的浸沒空間至少在位于一側的構圖裝置、模擬構圖裝置或者構圖裝置形狀的物體MA和/或構圖裝置支架MT和位于相對一側的投影系統(tǒng)PS之間延伸。例如，模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體MA能放置在構圖裝置支架MT上，隨后比如在設備的空閑模式過程中漂洗相應的浸沒空間10′。優(yōu)選地，所述設備包括原位存儲空間或存儲室(沒有示出)以便在構圖裝置或者物體沒有放置在構圖裝置支架上時存儲這樣的模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體MA。在漂洗以后，模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體能被真正的構圖裝置替換，所述真正的構圖裝置用來在輻射進入投影系統(tǒng)PS之前構圖輻射。例如，所述浸沒系統(tǒng)能清洗或者漂洗構圖裝置支架的至少一部分。而且，所述浸沒系統(tǒng)能清洗或者漂洗在構圖裝置支架MT內或者其附近延伸的至少一個縫隙或孔徑E′(見圖4)。在設備包括至少兩個構圖裝置支架的情況下，為了防止或者減少相對于多個襯底支架WT的污染，各個構圖裝置支架能類似于上述方法進行處理。在設備1包括至少兩個構圖裝置支架MT的情況下，類似于上述至少兩個襯底支架WT的處理，襯底支架WT可被依次移動到相應第一位置，由相應的浸沒系統(tǒng)清潔。而且，當這些襯底架WT在相應第二位置時，由可選的清潔設備(沒有示出)清潔一個或多個這樣的構圖裝置支架MT。此外，計算機控制器CC和/或軟件確定所述構圖裝置支架MT的哪個最可能被污染并首先進行漂洗或清潔。本發(fā)明的目的在于減少光刻設備的啟動過程中的污染，和/或減少一批襯底的第一個襯底上的污染。例如，在機器的空閑時間之后被所述設備處理的第一個襯底，可能例如在粒子數(shù)量方面表現(xiàn)出污染峰值。所述數(shù)量被表達為“每晶片通過后的粒子”(“ParticleperWaferPass”(PWP))數(shù)。此外，本發(fā)明能夠實現(xiàn)降低潛在細菌的生長。例如，所述漂洗能在相應的設備部分(例如襯底支架)上提供連續(xù)的流體流動，這能防止細菌的生長。此外，通過施加可選的原位紫外線清潔過程，能夠避免用于清除細菌的H2O2清潔方法的使用。使用H2O2與可能在設備的某些部件中存在的TiN不兼容。通常，在設備制造方法中，抗蝕劑涂覆的晶片將被所述設備照射。例如根據抗蝕劑和它應用到襯底上的方式，抗蝕劑涂覆的晶片的應用會增加PWP污染水平。這已經在圖5中畫出。圖5示出了與浸沒式設備的襯底級相關地運行的不同試驗性試運行的結果。首先，使用空白的硅晶片確定PWP值，所述晶片被加載到設備的襯底支架WT并從其卸下。相應的值較低，并在圖5中由圓圈AA畫出。稍后，由所述設備曝光一批抗蝕劑涂覆的晶片(零劑量)。接著，再次使用另外8個空白硅晶片測試PWP。相應的8個結果在圖5中由菱形BB表示，顯示PWP增加。然后，利用浸沒系統(tǒng)和浸沒液體，在隨后的大約9.5小時的設備空閑期間內，啟動浸沒空間的漂洗。之后，再次使用另外5個空白晶片測試PWP。結果在圖5中由三角形CC表示，顯示浸沒空間10的漂洗導致所需的低PWP。具體地，在設備的操作期間內將被曝光的第一個晶片的PWP通常比隨后曝光的任一晶片PWP的都高。根據本發(fā)明，由浸沒系統(tǒng)對襯底支架WT和/或構圖裝置支架MT、和/或其部件比如所述邊緣密封件17、縫隙E，E′、傳感器和其它部件進行的長時間的或者基本連續(xù)的加濕覆蓋，已經顯示出降低了PWP。在一個實施例中，所述設備能被構造來將空白硅晶片加載到襯底支架或多個襯底支架(或其部件的卡盤)上，并對(多個)襯底支架啟動加濕覆蓋。例如，這樣的漂洗在最小數(shù)量的封閉盤更換(ClosingDiskExchange)之下執(zhí)行，前提是所述設備帶有所謂的封閉盤或者適當?shù)姆忾]元件來封閉所述浸沒系統(tǒng)的流體供應13。在給定的“機器空閑”(與“屏幕保護程序”相對比)時間之后和/或在一定數(shù)量的曝光之后，自動啟動所述漂洗工藝。比如，大量存儲在晶片處理器H的“比薩箱形狀的容器”或者其它位置的空白晶片能用于這樣的清潔操作。當所述設備包括兩個或者多個襯底支架或卡盤時，每一個襯底支架或者卡盤在一定時間幀之后通過交換襯底支架或者卡盤得到清洗。另外，所述計算機控制器CC和/或所述軟件可以記住最后被清洗的襯底支架或卡盤，并且下次用另一個啟動。而且，優(yōu)選地在設備的空閑時間期間，為了防止襯底支架或者卡盤上或者其附近的細菌生長，利用浸沒液體，比如超純水(UPW)連續(xù)地沖洗襯底架或卡盤。優(yōu)選地，避免暴露在空氣中的不流動的水的水坑(puddle)。另外，在用水沖洗的過程中，打開所述輻射源SO一定的時間周期，這能夠提供紫外線光引起的對襯底支架或卡盤的臭氧清潔。這樣的臭氧清潔對于帶有有機特性比如溢出的抗蝕劑的化學污染是有效的，而且對于“殺死”細菌是有效的。在這樣的清潔過程中，優(yōu)選地，空白襯底或者襯底形狀的物體呈現(xiàn)在待處理的襯底支架上。例如，在所述設備的空閑時間內，每一個襯底支架或者卡盤被UPW水連續(xù)沖洗以降低粒子污染和避免細菌生長。優(yōu)選地，浸沒液體一直在流動。而且，在空閑時間內，輻射源SO可被用來執(zhí)行原位置的清潔，特別是當輻射源是紫外光輻射源時。在水中產生的臭氧是消除有機物和細菌生長的有效手段。而且，空白模擬襯底或者和空白晶片幾何形狀類似的物體在所述空閑時間的清潔過程中能被放置在襯底支架WT上。所述浸沒式設備能配有用于模擬襯底的專用原位存儲室22。雖然在本文中具體參考了IC制造中光刻設備的使用，但應當理解在此描述的光刻設備可以具有其他應用，例如，集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和探測圖形、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等的制造。本領域技術人員將意識到，在這些可選應用的范圍中，在此任意使用的術語“晶片”或“管芯”可以認為分別與更普通的術語“襯底”或“目標部分”同義。在這里襯底指在曝光之前或之后，可以在例如軌道系統(tǒng)(track)(通常將抗蝕劑層涂覆到襯底并顯影已曝光抗蝕劑的工具)、度量工具和/或檢驗工具中被處理。在應用中，這里的描述可以應用于這些和其他襯底處理工具。此外，襯底可以被處理一次以上，例如為了制造多層IC，因此在此使用的術語襯底還可以指已經包括多個已處理層的襯底。雖然已經在上面具體參考了本文中本發(fā)明光刻的應用實施例，但意識到本發(fā)明可以用于其他應用，例如壓印光刻，且在本文允許的情況下不限于光刻。在壓印光刻中構圖裝置中的幾何圖形限定了在襯底上產生的圖形。構圖裝置的幾何圖形可以壓印到提供在襯底上的抗蝕劑層中，在襯底上通過施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來硬化抗蝕劑。在抗蝕劑硬化之后，構圖裝置被移出抗蝕劑留下圖形在抗蝕劑中。在此使用的術語“輻射”和“束”包括所有類型的電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有約365，355，248、193、157或126nm的波長)和遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在5-20nm范圍內的波長)，和粒子束，諸如離子束和電子束。術語“透鏡”在本文允許的情況下可以指各種光學部件的任何一種或組合，包括折射，反射，磁的，電磁的和靜電光學部件。雖然已經在上面描述了本發(fā)明的具體實施例，但將意識到除上述外可以實現(xiàn)本發(fā)明。例如，在應用中，本發(fā)明可以采取包含描述上述方法的一個或多個機器可讀指令序列的計算機程序的形式，或者采取具有存儲其中的這種計算機程序的數(shù)據存儲介質(例如，半導體存儲器、磁盤或光盤)的形式。本發(fā)明的一個或者多個實施例可應用到任一浸沒光刻設備，比如那些上述類型的設備，并且不論浸沒液體以池的形式提供，還是只在襯底的局部表面區(qū)域上提供。浸沒系統(tǒng)可以是任一在投影系統(tǒng)與襯底和/或襯底臺之間的空間提供液體的機構。它可包括一個或多個機構、一個或多個液體入口、一個或多個氣體入口、一個或多個氣體出口、和/或一個或多個液體出口的任意組合，所述組合提供浸沒液體并將其限定在所述空間。在一個實施例中，所述空間的表面可被限定于襯底和/或襯底臺的一部分，所述空間的表面完全覆蓋襯底和/或襯底臺的表面，或者所述空間可包圍襯底和/或襯底臺。而且，浸沒系統(tǒng)能夠是向投影系統(tǒng)和構圖裝置和/或構圖裝置支架之間的空間提供液體的任意機構。以上描述意在說明，而非限制性的。因此，本領域技術人員將明白，在不脫離以下權利要求所述的范圍的情況下可以對所述本發(fā)明進行修改。權利要求1.一種用于防止或者降低浸沒式投影設備的污染的方法，所述設備包括至少一個浸沒空間，當所述設備將輻射束投射到襯底上時，用液體至少部分地填充所述浸沒空間，所述方法包括在使用所述設備將輻射束投射到襯底上之前，用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。2.如權利要求1所述的方法，其中所述浸沒空間的漂洗發(fā)生在所述設備的空閑操作模式期間。3.如權利要求1所述的方法，其中所述液體和所述漂洗液是同樣的液體。4.如權利要求1所述的方法，其中所述浸沒空間的漂洗基本上連續(xù)地發(fā)生直到所述設備被用來將輻射投射到襯底上。5.如權利要求1所述的方法，還包括用紫外線輻射照射至少部分浸沒空間和/或漂洗液。6.如權利要求1所述的方法，其中所述浸沒空間至少在位于一側的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體和/或襯底支架的至少一部分與位于相對側的投影系統(tǒng)之間延伸。7.如權利要求6所述的方法，還包括將所述模擬襯底或者襯底形狀的物體放置在所述襯底支架上；和在完成所述漂洗之后，將模擬襯底或襯底形狀的物體替換為要被投影系統(tǒng)照射的襯底。8.如權利要求1所述的方法，其中所述浸沒空間至少在位于一側的構圖裝置、模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體和/或構圖裝置支架與位于相對側的投影系統(tǒng)之間延伸。9.如權利要求8所述的方法，還包括將模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體放置在所述構圖裝置支架上；和在所述輻射進入投影系統(tǒng)之前，用將被用來構圖輻射的構圖裝置替換模擬構圖裝置或者構圖裝置形狀的物體。10.如權利要求1所述的方法，所述設備是光刻投影設備。11.如權利要求1所述的方法，還包括在浸沒空間的漂洗期間，改變浸沒空間的位置以清潔所述設備的不同部件和/或區(qū)域。12.一種用于防止或者降低光刻投影設備的污染的方法，所述設備包括構造來保持襯底的襯底支架、構造來保持構圖裝置的構圖裝置支架、投影系統(tǒng)、和構造來利用液體至少部分地填充所述設備的浸沒空間的浸沒系統(tǒng)，所述方法包括使至少一個浸沒系統(tǒng)和至少部分所述設備彼此相對移動；和在利用所述設備將構圖的輻射束投射到襯底的目標部分上之前，用所述液體漂洗至少部分所述設備。13.如權利要求12所述的方法，其中至少部分所述設備包括至少部分襯底支架。14.如權利要求12所述的方法，其中至少部分所述設備包括在襯底支架內或其附近延伸的至少一個縫隙或孔徑。15.如權利要求12所述的方法，其中至少部分所述設備包括至少部分構圖裝置支架。16.如權利要求12所述的方法，其中至少部分所述設備包括在構圖裝置支架內或其附近延伸的至少一個縫隙或孔徑。17.一種用于防止或者降低光刻投影設備的污染的方法，所述設備包括浸沒空間，所述方法包括用漂洗液填充至少部分浸沒空間至少一分鐘。18.如權利要求17所述的方法，其中所述填充基本上連續(xù)地發(fā)生至少一天，包含所述設備或其一部分的至少一個空閑操作期間。19.一種用于防止或者降低光刻投影設備的污染的方法，所述設備包括構造來保持襯底的襯底支架、構造來保持構圖裝置的構圖裝置支架、投影系統(tǒng)、和浸沒空間，所述方法包括在所述設備的空閑時間期間用漂洗液填充至少部分浸沒空間，以防止或者降低在設備的至少一個隨后啟動運行期間的襯底污染。20.如權利要求19所述的方法，其中所述漂洗液包括超純水。21.一種浸沒式光刻設備包括至少一個浸沒空間；和構造來利用液體至少部分地填充浸沒空間的浸沒系統(tǒng)，其中所述設備被構造來在利用所述設備將構圖的輻射束投射到襯底上之前，用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。22.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來在設備的空閑操作模式期間漂洗至少部分浸沒空間。23.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來在浸沒空間的漂洗期間在所述浸沒空間內和/或浸沒空間的鄰近位置提供一個物體，并且在利用所述設備將輻射束投射到襯底的目標部分上之前將所述物體移走。24.如權利要求23所述的設備，還包括至少一個存儲空間或存儲室，以在利用所述設備將輻射束投射到襯底的目標部分上時存儲所述物體。25.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來利用所述液體漂洗所述浸沒空間。26.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來基本上連續(xù)地漂洗浸沒空間直到所述設備將輻射束投射到襯底上。27.如權利要求21所述的設備，還包括至少一個紫外線輻射源，其被構造來在利用所述設備將輻射束投射到襯底的目標部分上之前，在所述空間的漂洗期間利用紫外線輻射照射所述浸沒空間。28.如權利要求21所述的設備，其中所述浸沒空間在位于一側的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體和/或襯底支架的至少一部分與位于相對側的設備的投影系統(tǒng)部分之間延伸。29.如權利要求28所述的設備，其中所述設備被構造來將模擬襯底或襯底形狀的物體放置在所述襯底支架上，以及連續(xù)地漂洗相應的浸沒空間。30.如權利要求28所述的設備，其中在所述漂洗期間，所述設備被構造來使所述浸沒空間至少到達或包含由所述襯底支架保持的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體的外輪廓。31.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來利用所述浸沒空間和所述漂洗液，漂洗沿著由襯底支架保持的襯底、模擬襯底或襯底形狀的物體的邊緣延伸的至少一個區(qū)域。32.如權利要求21所述的設備，所述設備被構造來利用所述浸沒空間和所述漂洗液來漂洗至少部分襯底支架表面和/或位于所述表面上的一個或多個組件。33.如權利要求32所述的設備，其中所述組件從邊緣密封件、傳感器、定位設備、和反射鏡元件所組成的組中進行選擇。34.如權利要求21所述的設備，還包括至少兩個襯底支架，其中所述浸沒空間在位于一側的至少一個襯底支架的至少一部分和位于相對側的投影系統(tǒng)之間延伸，而且其中所述設備被構造來將每個襯底支架移動到第一位置和遠離所述投影系統(tǒng)的相應的第二位置。35.如權利要求34所述的設備，其中所述設備被構造來將所述襯底支架連續(xù)地移動到所述第一位置，以便由所述漂洗液在上述位置或者其附近至少部分地漂洗。36.如權利要求34所述的設備，還包括至少一個清潔設備，其被構造來當襯底支架在所述第二位置時至少部分地清潔至少一個襯底支架。37.如權利要求34所述的設備，其中所述設備被構造來確定哪一個襯底支架最可能被污染，并且首先漂洗或清潔被發(fā)現(xiàn)為最可能被污染的襯底支架。38.如權利要求21所述的設備，其中所述浸沒空間至少在位于一側的構圖裝置和/或構圖裝置支架與位于相對側的投影系統(tǒng)之間延伸。39.如權利要求38所述的設備，其中所述設備被構造來將模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體放置在所述構圖裝置支架上，并且隨后漂洗所述浸沒空間。40.如權利要求28所述的設備，其中所述設備被構造來在漂洗期間使所述襯底支架相對于所述投影系統(tǒng)移動，以使得浸沒空間的位置在漂洗期間相對于襯底架變化。41.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來在預定量的設備的空閑時間之后自動開始所述漂洗。42.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來在預定數(shù)目的襯底曝光之后自動開始所述漂洗。43.如權利要求21所述的設備，其中所述設備被構造來確定或者估計是否至少部分所述設備已經到達確定的閾值量的污染，并且當已經確定或估計所述設備部分已經達到所述閾值量的污染時，漂洗所述設備部分。44.如權利要求21所述的設備，還包括控制所述漂洗的計算機控制器。45.一種浸沒式光刻設備，包括至少一個存儲空間或存儲室，以存儲在原位的至少一個模擬襯底或襯底形狀的物體。46.一種浸沒式光刻設備，包括至少一個存儲空間或存儲室，以存儲在原位的至少一個模擬構圖裝置或構圖裝置形狀的物體。47.一種包含一個或多個機器可讀指令序列的計算機程序，其被構造來當計算機執(zhí)行所述計算機程序時執(zhí)行用于防止或降低浸沒式投影設備的污染的方法，所述設備包括至少一個浸沒空間，當所述設備將輻射束投射到襯底上時，用液體至少部分地填充所述浸沒空間，所述方法包括在利用所述設備將輻射束投射到襯底上之前用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。48.一種用于防止或降低光刻投影設備的污染的方法，包括將被提供有輻射束能通過其傳送的液體的空間，所述方法包括操作所述光刻設備；和隨后用漂洗液漂洗至少部分所述空間。49.如權利要求48所述的方法，其中所述液體和所述漂洗液是同樣的液體。全文摘要本發(fā)明公開了一種防止或者降低浸沒式投影設備的污染的方法。所述設備包括至少一個浸沒空間，當所述設備將輻射束投射到襯底上時，用液體至少部分地填充所述浸沒空間。所述方法包括在利用所述設備將輻射束投射到襯底上之前用漂洗液漂洗至少部分浸沒空間。文檔編號H01L21/027GK1983034SQ200610063950公開日2007年6月20日申請日期2006年12月1日優(yōu)先權日2005年12月2日發(fā)明者J·C·范德霍文申請人:Asml荷蘭有限公司