專利名稱：：半透明半反射式液晶顯示器陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及液晶顯示器
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
：近年來，隨著液晶顯示器的不斷發(fā)展，其更加廣泛地應(yīng)用于個人數(shù)碼助理PDA(PersonalDigitalAssistant),移動電話、掌上游戲機PSP(PlayStationPortable)、全J求定^f立系統(tǒng)GPS(GlobalPositioningSystem)和戶外電視等各個領(lǐng)域，尤其是薄膜液晶顯示器TFTLCD(ThinfilmtransistorLiquidCrystalDisplay)由于具有功耗低、輻射小的優(yōu)點，已經(jīng)在平板顯示器市場占據(jù)了主導地位?！鲆壕э@示器由顯示屏、背光源及驅(qū)動電路三大核心部件組成。顯示屏包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板以及液晶，液晶充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間.哮內(nèi)。液晶顯示器顯示圖像的原理基于液晶中的橢圓狀的液晶分子隨著驅(qū)動電路所施電壓大小而旋轉(zhuǎn)時，液晶分子的排列方向也發(fā)生改變，導致穿透過液晶分子的照射光線的多少也隨之發(fā)生變化的特性。液晶顯示出圖像后，圖像的光照射到人眼人才能看的見，由于液晶材料本身并不發(fā)光，需要設(shè)置在陣列基板后部或側(cè)部的背光源對其施加照射光，該照射光穿透顯示屏照射到人們的眼睛后，人們就能看到圖像。為了節(jié)省背光源的能源消耗，人們發(fā)明一種半透明半反射式的液晶顯示裝置，在原有顯示裝置的陣列基板上的部分區(qū)域內(nèi)，通過光刻工藝增加一層浮凸早元組成的樹脂層，樹脂層之上形成一層金屬漫反射板，起到了漫反射穿透顯示屏外表面、彩膜基板以及液晶照射進來的外界光線的作用，稱之為反射區(qū)，而未增加樹脂層的區(qū)域背光源的照射光仍舊可以穿透，相對反射區(qū)而言人們稱其為透明區(qū)。背光源的照射光可穿透透明區(qū)對液晶施加照射光，反射區(qū)可將顯示屏前面依次穿透顯示屏外表面、彩膜基板以及液晶照射進來的外界光線反射到液晶，與背光源一起或獨自對液晶施加透射光，所以一定程度節(jié)省了背光源的能耗。.如圖l所示，現(xiàn)有的半透明半反射式液晶顯示器陣列基^1包括襯底(或稱基板或襯底基板)1，在襯底1上設(shè)置有TFT器件8,襯底1多釆用玻璃材料制成，TFT器件8由柵電極2、源電極81、漏電極82以及柵極絕緣層3所組成，源電極81與漏電極82之間設(shè)置有有源層4，TFT器件8和有源層4上依次形成有鈍化層7和像素電極層15,像素電極層15的部分區(qū)域涂覆有一層浮凸(embossing)單元52組成的樹脂層9，在浮凸單元52涂覆有一層具備反射性的金屬層，具備反射性的金屬層形成漫反射板，樹脂層9與具備反射性的金屬層形成了可反射外界光線的反射區(qū)，未涂覆樹脂層9與具備反射性的金屬層的區(qū)域形成透明區(qū)，浮凸單元52組成的反射表面具有很好的漫反射特性，可使光線反射到液晶以及顯示屏前更廣闊的角度范圍，使人們從多個角度都看的見液晶顯示出來的圖像，從而可將外界光線反射到液晶以及人眼，達到節(jié)省背光源電能的效果?，F(xiàn)有的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，為了形成反射區(qū)，在普通的陣列基板制造完成后，在陣列基板上接近TFT器件的部分區(qū)域涂覆樹脂層，通過光刻工藝在樹脂層的上表面形成浮凸單元；然后在浮凸單元上的涂覆具備反射性的金屬層，由于具備反射性的金屬具有很好的反光特性，具備反射性的金屬層本身形成了漫反射板的作用。現(xiàn)有技術(shù)雖然一定程度上能夠?qū)崿F(xiàn)利用外界光線，達到節(jié)省背光源能源消耗的目的，但至少存在如下問題1、與普通陣列基板制造工藝相比，多了制造樹脂層以及漫反射板的步驟，增加了制作環(huán)節(jié)，導致產(chǎn)品缺陷的概率也相應(yīng)增加了，另外由于增加一步光刻工序使得制造不方便、生產(chǎn)效率低；2、樹脂以及其上形成的浮凸單元，影響了顯示屏的盒厚，從設(shè)計過程開始就需要精密的計算波長以及盒厚等參數(shù)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的一個技術(shù)問題在于提供了一種液晶顯示器的陣列基板，既能夠利用外界光線，節(jié)省背光源能源消耗；又不影響整個顯示屏盒厚。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，包括透明區(qū)和反射區(qū)；所述陣列基板包括柵電極，形成于所述襯底之上；柵極絕緣層，形成于在所述柵電極以及所述襯底之上；有源層形成于柵電極上方的柵極絕緣層上，浮凸層形成于所述反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上；源電極和漏電極形成于所述有源層上方，呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層形成在所述浮凸層上方；鈍化層形成于所述反射層、源電極、漏電極以及柵極絕緣層上，所述漏電極上方的鈍^層上形成有鈍化層過孔或溝槽；像素電極層形成在所述鈍化層上，所述像素電極層通過所述鈍化層過孔或溝槽與所述漏電極相連接。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層形成在浮凸層之上，起到了漫反射板的作用，當外界光線從顯示屏前面依次穿透顯示屏外表面、彩膜基板以及液晶照射進來后，反射層可將其反射到液晶，對液晶施加照射光，所以減少了背光源的負荷，達到了節(jié)省顯示器背光源電能消耗的效果；有源層和浮凸層均形成在柵極絕緣層上，可以采用同一沉積薄膜制造而成，無額外膜層，所以不會影響整個顯示屏的盒厚。本發(fā)明所要解決的另一技術(shù)問題在于提供了一種制造工藝簡單，制作效率較高的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法。為達到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括在襯底上沉積金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底上形成柵電極；在所述形成柵電極的襯底上沉積柵極絕緣層薄膜，形成柵極絕緣層；在所述柵電極上方的所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上形成浮凸層；在所述有源層上方形成源電極和漏電極，在所述浮凸層上方形成呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層；在完成上述步驟的所述襯底上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層，在所述漏電極上方的鈍化層上形成鈍化層過孔或溝槽；在完成上述步驟的所述襯底上沉積像素電極薄膜，形成與所述漏電極通過鈍化層過孔或溝槽接觸的像素電極層。與現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的制造方法相比，本發(fā)明中有源層與現(xiàn)有技術(shù)中有源層作用相同，浮凸層上呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層起到了漫反射板的作用，漫反射板無需附加專門的制造工序，省略了現(xiàn)有技術(shù)中樹脂層以及漫反射板的光刻和刻蝕工藝等步驟，所以制造更為方便、工作效率較高。圖1為現(xiàn)有的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的一個像素單元的截面示意圖；圖2為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的一個像素單元的截面示意圖3為圖2所示本發(fā)明所提供的一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板中襯底的示意圖4為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖3所示的襯底上形成柵電極的示意圖5為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖4所示的襯底上形成柵極絕緣層的示意圖6為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖5所示的柵極絕緣層上沉積非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜的示意圖7為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖6所示的非晶硅薄膜上涂覆的光刻膠經(jīng)過曝光和顯影工藝后形成光刻膠單元的示意圖8為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中形成有源層和浮凸層的示意圖'9為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖8所示的有源層和浮凸層上沉積具備反射性的金屬薄膜的示意圖IO為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖9所示的具備反射性的金屬薄膜上涂覆光刻膠的示意圖11為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中形成的源電極、漏電極以及反射層的示意圖U為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖11所示的基板上形成鈍化層和鈍化層過孔或溝槽的示意圖13為本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造方法的步驟中在圖12所示的鈍化層和鈍化層過孔或溝槽上形成像素電極層的示意圖14為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的一種實施方式的示意圖15為圖14所示的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板浮凸層部分的局部立體示意圖16為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的另一種實施方式的示意圖17為奪發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的再一種實施方式的示意圖18為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的又一種實施方式示意圖19為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的又一種實施方式的示意圖20為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的又一種實施方式的示意圖21為本發(fā)明所提供的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的實施例的又一種實施方式的示意圖。圖中標記1、襯底；2、柵電極；3、柵極絕緣層；4、有源層；5、浮凸層；51、浮凸單元；52、浮凸單元；6、反射層；61、具備反射性的金屬薄膜；7、鈍化層；71、，鈍化層過孔或溝槽；8、TFT器件；81、源電極；82、漏電極；9、樹脂層；10、光刻膠；11、光刻膠單元；12、透明區(qū)；13、反射區(qū)；14、柵極掃描線；15、像素電極層；16、數(shù)據(jù)掃描線。具體實施例方式本發(fā)明旨在提供一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板及其制造方法，該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板既能利用外界光線，節(jié)省背光源能源消耗；又不會影響整個顯示屏盒厚。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的實施例進行詳細描述。如圖2、圖14和圖15所示，本發(fā)明半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，包括玻璃材料的襯底l;在襯底1之上，形成有柵電極2和柵極掃描線14;在柵電極2、柵極掃描線14以及襯底1之上涂覆有柵極絕緣層3;在柵極絕緣層3之上，形成有均為非晶硅半導體或摻雜非晶硅半導體材料的有源層4和浮凸層5,其中；有源層4形成于柵電極2上方的柵極絕緣層3上，浮凸層5形成于反射區(qū)13內(nèi)的柵極絕緣層3上；本發(fā)明實施例中有源層4和浮凸層5處于同一層，在有源層4、浮凸層5和柵極絕緣層3之上形成有源電極81、漏電極82以及數(shù)據(jù)掃描線16，相鄰的柵極掃描線14和數(shù)據(jù)掃描線16交叉形成一個像素單元；浮凸層5包括多個的均勻排列，如圖14和圖15所示為正四棱臺形的呈島狀或者如圖21所示呈呈列狀的浮凸單元51，本發(fā)明中浮凸單元51也可以間隙設(shè)置為如圖18所示大小不一的正四棱臺形或如圖19所示的圓臺形或球冠形，當然浮凸單元51也可以為間隙設(shè)置的正四棱臺形與圓臺形，浮凸單元51可以形成在接近有源層4的柵極絕緣層3的部分區(qū)域上，當然也可以如圖16、圖17所示形成在像素單元的一邊或者如圖20所示形成在像素單元的兩個角或者一個角；浮凸單元51側(cè)面的坡度角太大、太小都會減弱光線漫反射的效果，坡度角太大還會使其上沉積的薄膜在浮凸單元51的棱角處發(fā)生斷裂，所以本發(fā)明中坡度角為25°~50°,優(yōu)選為30°;在浮凸層5之上的反射層6呈凹凸結(jié)構(gòu)，反射層6為鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或鈦等具備反射性和優(yōu)良導電性的金屬制造而成，具有很好的反射光線的特性，所以呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層6起到了漫反射板的作用，進而形成了反射區(qū)13;襯底1上未設(shè)置柵電極2、有源層4以及反射層6的透明區(qū)域形成了可透過背光源照射光線的透明區(qū)12;在反射層6、源電極81、漏電極82以及柵極絕緣層3之上形成有鈍化層7和鈍化jr過孔或溝槽71,鈍化層7起保護層的作用。在鈍化層7之上形成有與漏電極82通過鈍化層過孔或溝槽71相接觸的像素電極層15。本實施例中反射區(qū)內(nèi)的呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層起到了漫反射板的作用，具有較好的漫反射特性。當外界光線從顯示屏前面依次穿透顯示屏外表面、彩膜基板以及液晶照射進陣列基板后，起到漫反射板作用的呈凹凸結(jié)構(gòu)反射層可將其反射到液晶，與背光源一起或獨自對液晶施加透射光，所以減少了背光源的負荷，節(jié)省了顯示器背光源電能消耗；有源層和浮凸層對整個顯示屏的盒厚。本發(fā)明還提供了一種制造方便、工作效率較高的液晶顯示器的陣列基板的制造方法。該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，包括步驟l:如圖3、圖4所示，使用磁控濺射方法，玻璃材料的襯底l上沉積鉬、鋁或鋁鎳合金材料的金屬薄膜，然后通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，在襯底'l的一定區(qū)域形成柵電極2和柵極掃描線(圖中未標記)；構(gòu)圖工藝的流程通常包括涂膠、掩膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝。步驟2:在完成步驟1的襯底上，利用化學氣相沉積方法沉積如圖5所示的1000A(1A-lO-wm)到6000A的柵極絕緣層薄膜，形成柵極絕緣層3;步驟3:在完成步驟2的村底上，利用化學氣相沉積方法沉積如圖6所示的1000A到6000A非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜，用光刻膠涂覆在非晶硅薄膜上，通過有源層掩模版進行曝光之后形成如圖7所示的光刻膠單元11,通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝在柵電極的正上方的柵極絕緣層薄膜之上的非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜上形成如圖8所示的有源層4，且在反射區(qū)13內(nèi)的柵極絕緣層3上方的非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜上形成浮凸層5，浮凸層5包括多個的均勻排列的浮凸單元51;步驟4:在完成步驟3的襯底上沉積如圖9所示的厚度在1000A到7000A之間的具備反射性的金屬薄膜61,具備反射性的金屬為鋁、鋁合金、鉬、鉬合金、或鈦，在具備反射性的金屬薄膜61上涂覆如圖IO所示的光刻膠IO，然后用掩模版通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，在有源層上表面形成如圖11所示的反射層6、源電極81和漏電極82,源電極81和漏電極82形成于有源層4上表面的兩端，反射層6形成在浮凸層之上，由于浮凸層由多個浮凸單元構(gòu)成，而反射層6厚度^艮薄，所以形成了隨著浮凸單元起伏的凹凸結(jié)構(gòu)，凹凸結(jié)構(gòu)的反射層6起到漫反射板作用；步驟5:在完成步驟4的襯底上沉積厚度在1000A到6000A之間的氮化硅材料的鈍化層薄膜，通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，形成如圖12所示的鈍化層，同時在漏電極上部的鈍化層薄膜形成鈍化層過孔或溝槽71。步驟6:在完成步驟5的襯底上采用磁控濺射方法沉積如圖13所示厚度在100A到IOOOA之間的像素電極薄膜，像素電極薄膜的材料為氧化銦錫、氧化銦鋅或氧化鋁鋅，在像素電極薄膜上涂覆光刻膠，通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，形成與漏電極82相接觸的像素電極層15。本發(fā)明實施例中有源層與浮凸層為同一層，所以可在制造有源層的步驟中同時完成，而凹凸結(jié)構(gòu)的反射層形成了漫反射板，反射層的材料為具備反射性的金屬，形成了反射區(qū)，漫反射板無需附加專門的制造工序，省略了樹脂層以及漫反射板的光刻工藝和刻蝕工藝等步驟，所以制造更為方便、工作效率更高。的具體實現(xiàn)方法，也可以有其他的實現(xiàn)方法，比如本發(fā)明實施例中的反射層也可以形成在玻璃基板或柵極絕緣層上，本發(fā)明也可以選擇其他的材料、材料的組合實施上述方法，但這些都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，都在該專利的保護范圍之內(nèi)。權(quán)利要求1、一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，包括透明區(qū)和反射區(qū)；其特征在于所述陣列基板包括一襯底；柵電極，形成于所述襯底之上；柵極絕緣層，形成于在所述柵電極以及所述襯底之上；有源層形成于柵電極上方的柵極絕緣層上，浮凸層形成于所述反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上；源電極和漏電極形成于所述有源層上方，呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層形成于所述浮凸層上方；鈍化層形成于所述反射層、源電極、漏電極以及柵極絕緣層上，所述漏電極上方的鈍化層上形成有鈍化層過孔或溝槽；像素電極層形成在所述鈍化層上，所述像素電極層通過所述鈍化層過孔或溝槽與所述漏電極相連接。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述浮凸層包括多個呈列狀或島狀排列的浮凸單元。3、根據(jù)權(quán)利要求2所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于所述呈島狀的浮凸單元為圓臺形、棱臺形和球冠形其中的一種或多種的組合。4、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于所述呈島狀的浮凸單元的尺寸大小不相同。5、根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于所述浮凸單元側(cè)面的坡度角為25°~50°。6、'根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于所述浮凸單元側(cè)面的坡度角為30°。7、根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述反射層由具備反射性的金屬材料制成。8、根據(jù)權(quán)利要求7所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述具備^射性的金屬材料包括鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或鈦。9、根據(jù)權(quán)利要求1所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，其特征在于，所述有源層和浮凸層的材料為非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體其中的一種或者兩者的組合。10、一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于包括步驟在襯底占沉積金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝，在所述襯底上形成柵電極；在所述形成柵電極的襯底上沉積柵極絕緣層薄膜，形成柵極絕緣層；在所述柵電極上方的所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上形成浮凸層；在所述有源層上方形成源電極和漏電極，在所述浮凸層上方形成呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層；在完成上述步驟的所述襯底上沉積鈍化層薄膜，形成鈍化層，在所述漏電極上方的鈍化層上形成鈍化層過孔或溝槽；在完成上述步驟的所述襯底上沉積像素電極薄膜，形成與所述漏電極通過鈍化層過孔或溝槽接觸的像素電極層。11、根據(jù)權(quán)利要求IO所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于在所述柵電極上方的所述柵極絕緣層上形成有源層，在所述反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上形成浮凸層的步驟包括在所述柵極絕緣層上涂覆非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜；通過構(gòu)圖工藝，使所述柵電極上方的非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜形成有源層；使所述反射區(qū)內(nèi)的非晶硅半導體和摻雜非晶硅半導體薄膜形成浮凸層。12、根據(jù)權(quán)利要求11所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于所述浮凸層包括多個呈列狀或島狀排列的浮凸單元，所述呈島狀布i的浮凸單元為圓臺形、棱臺形和球冠形其中的一種或多種的組合。13、.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于所述浮凸單元側(cè)面的坡度角為25°~50°。14、根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于在所述有源層上方形成源電極和漏電極，在所述浮凸層上方形成呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層的步驟包括在所述有源層、浮凸層和柵極絕緣層上沉積具備反射性的金屬薄膜；通過構(gòu)圖工藝，在所述有源層上方形成源電極和漏電極，在所述浮凸層上方形成呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層。15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，其特征在于所述具備反射性的金屬包括鋁、鋁合金、鉬、鉬合金或鈥。全文摘要本發(fā)明公開了一種半透明半反射式液晶顯示器陣列基板及其制造方法，涉及液晶顯示器
技術(shù)領(lǐng)域：
。解決了現(xiàn)有半透明半反射式液晶顯示器陣列基板制造工藝復雜的問題。該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板，包括透明區(qū)和反射區(qū)；有源層形成于柵電極上方的柵極絕緣層上，浮凸層形成于反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上；源電極和漏電極形成于有源層上方，呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層形成于浮凸層上方。該半透明半反射式液晶顯示器陣列基板的制造方法，在柵電極上方的柵極絕緣層上形成有源層，在反射區(qū)內(nèi)的柵極絕緣層上形成浮凸層；在有源層上方形成源電極和漏電極，在浮凸層上方形成呈凹凸結(jié)構(gòu)的反射層；本發(fā)明主要應(yīng)用于液晶顯示裝置中。文檔編號G02F1/13GK101556414SQ20081010372公開日2009年10月14日申請日期2008年4月10日優(yōu)先權(quán)日2008年4月10日發(fā)明者敏董申請人:北京京東方光電科技有限公司